JP2744991B2 - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JP2744991B2 JP2744991B2 JP62300824A JP30082487A JP2744991B2 JP 2744991 B2 JP2744991 B2 JP 2744991B2 JP 62300824 A JP62300824 A JP 62300824A JP 30082487 A JP30082487 A JP 30082487A JP 2744991 B2 JP2744991 B2 JP 2744991B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- intermetallic compound
- particles
- rare earth
- transition metal
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度，大容量記録を可能とした光ディス
クの中で、書きかえ可能な光磁気ディスク作製に用いら
れる希土類・遷移金属を主成分とするスパッタリングタ
ーゲットに関するものである。 従来の技術 スパッタリング法とは、膜の材料物質をターゲットと
して、加速された正イオンがターゲット表面に衝突する
ことにより、運動量の交換によってターゲットを構成す
る粒子が空間に放出され、る現象を利用して、空間に放
出された粒子を基板上に堆積させて薄膜を形成する技術
である。希土類・遷移金属系の媒体を記録媒体とする光
磁気ディスクでは、スパッタリング方法としては、希土
類金属ターゲットと、遷移金属ターゲットという様に、
成分元素の数に応じて複数枚のターゲットを用いてそれ
ぞれ、放電パワーなど放電条件の調整を行いながら成膜
する、いわゆるマルチターゲット法と、一枚のターゲッ
トに成分元素をすべて含む、いわゆる合金ターゲットを
用いる方法がある。マルチターゲット法は、組成変更が
用意であることにより、研究段階でよく用いられている
方法であるが、ターゲットの数に応じて電極が必要であ
るために、量産に際しては合金ターゲット法が主に利用
される。希土類・遷移金属系の合金ターゲットには、成
分元素の純金属の粉末を混合し、HIPなどの方法により
圧縮プレスしたターゲットや、或は成分元素の金属をす
べて溶融した後粉砕しHIPなどの方法により圧縮プレス
したターゲットがある。純金属の粉末を混合し圧縮プレ
スしたタイプの合金ターゲットには金属間化合物は含ま
れておらず、また成分元素の金属をすべて溶融した後粉
砕した圧縮プレスしたタイプの合金ターゲットには、組
成的に可能な金属間化合物が含まれ、組成的に金属間化
合物とならない成分が純金属或は合金として存在する。 発明が解決しようとする問題点 しかしながら以上のような従来のターゲットでは、金
属元素により、或は金属間化合物，合金，純金属により
スパッタの際、粒子の飛び出す向きに分布があり基板上
特性或は組成の均一性が得られないという問題があっ
た。本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、基板
上、組成或は保持力の均一性の良好な記録膜を得るため
のものである。 問題点を解決するための手段 本発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ターゲットの組成中、純金属成分と、金属間
化合物の含有量を調節することにより、基板上、保持力
の均一性の良い記録膜が得られるものである。 作用 上記のようにターゲットの組成中、純金属成分と、金
属間化合物の含有量を調整することにより、ターゲット
中での成分元素の種類、或は存在形態によって、スパッ
タの際に粒子の飛び出す向きに分布があることを利用し
て基板上に特性或は組成の均一な膜が形成される。 実施例 第１図に、本発明の一実施例である、金属間化合物と
純金属が適度に存在しているターゲットの組織図を示
す。例えば、希土類・遷移金属系合金のうちTb-FeCoを
例にとると、遷移金属粒子の周囲にTbFe或はTbCoの金属
間化合物が形成されている。このような組織を有するタ
ーゲットは、成分元素の純金属を混合した後、HIPなど
の方法により圧縮プレスしながら、或は圧縮プレスした
後に熱などのエネルギーをかけることにより金属間化合
物を形成する。エネルギー量により金属間化合物の量や
粒径を調整するのである。又は、先にTbFe,TbCoなどの
金属間化合物粉を作っておき、純金属粉と混合し、圧縮
プレスしても良い。例えばTbは、ターゲット中純金属と
して存在する場合は、第２図ａに示すように、比較的、
角度をもってターゲットから飛び出すためにターゲット
の直上に基板が位置する場合基板の中心部は低濃度にな
り、外になるに従って多く存在するようになるが、第２
図ｂに示すようにFe,Coなどは逆にターゲットの直上に
飛び出すために基板の中心部の濃度が高くなり外になる
に従って低濃度になる。光磁気媒体の場合、この濃度差
は保磁力の分布として表れる。基板上で前記のような組
成分布があると、保磁力は例えば第３図に示すような分
布になる。第３図の分布は、膜組成が、基板面上、遷移
金属リッチ側にあるような場合の例である。しかしなが
ら、例えばTbは、ターゲット中、金属間化合物として存
在する場合は、スパッタの際、ターゲットの直上により
多く飛び出すようになり、逆にFeやCoは角度をもって飛
び出すようになる。このことを利用して、ターゲット成
分中、純金属で存在する粒子と金属間化合物として存在
する粒子数を適度にすることにより、第４図に示すよう
に基板上、組成分布を小さくおさえることができ、保持
力の均一性に優れた高性能な記録膜を得ることができ
る。例えば、純金属を混合し、圧縮プレスした後に例え
ば熱を加えて金属間化合物を形成する場合は、例えば10
0μｍ程度にすれば良い。 発明の効果 以上述べて来たように、ターゲット中での各成分元素
の存在形態を選ぶことにより、基板上、組成分布が小さ
く、特性の均一性の良好な記録膜を形成することが出
来、実用的に極めて有効である。
クの中で、書きかえ可能な光磁気ディスク作製に用いら
れる希土類・遷移金属を主成分とするスパッタリングタ
ーゲットに関するものである。 従来の技術 スパッタリング法とは、膜の材料物質をターゲットと
して、加速された正イオンがターゲット表面に衝突する
ことにより、運動量の交換によってターゲットを構成す
る粒子が空間に放出され、る現象を利用して、空間に放
出された粒子を基板上に堆積させて薄膜を形成する技術
である。希土類・遷移金属系の媒体を記録媒体とする光
磁気ディスクでは、スパッタリング方法としては、希土
類金属ターゲットと、遷移金属ターゲットという様に、
成分元素の数に応じて複数枚のターゲットを用いてそれ
ぞれ、放電パワーなど放電条件の調整を行いながら成膜
する、いわゆるマルチターゲット法と、一枚のターゲッ
トに成分元素をすべて含む、いわゆる合金ターゲットを
用いる方法がある。マルチターゲット法は、組成変更が
用意であることにより、研究段階でよく用いられている
方法であるが、ターゲットの数に応じて電極が必要であ
るために、量産に際しては合金ターゲット法が主に利用
される。希土類・遷移金属系の合金ターゲットには、成
分元素の純金属の粉末を混合し、HIPなどの方法により
圧縮プレスしたターゲットや、或は成分元素の金属をす
べて溶融した後粉砕しHIPなどの方法により圧縮プレス
したターゲットがある。純金属の粉末を混合し圧縮プレ
スしたタイプの合金ターゲットには金属間化合物は含ま
れておらず、また成分元素の金属をすべて溶融した後粉
砕した圧縮プレスしたタイプの合金ターゲットには、組
成的に可能な金属間化合物が含まれ、組成的に金属間化
合物とならない成分が純金属或は合金として存在する。 発明が解決しようとする問題点 しかしながら以上のような従来のターゲットでは、金
属元素により、或は金属間化合物，合金，純金属により
スパッタの際、粒子の飛び出す向きに分布があり基板上
特性或は組成の均一性が得られないという問題があっ
た。本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、基板
上、組成或は保持力の均一性の良好な記録膜を得るため
のものである。 問題点を解決するための手段 本発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ターゲットの組成中、純金属成分と、金属間
化合物の含有量を調節することにより、基板上、保持力
の均一性の良い記録膜が得られるものである。 作用 上記のようにターゲットの組成中、純金属成分と、金
属間化合物の含有量を調整することにより、ターゲット
中での成分元素の種類、或は存在形態によって、スパッ
タの際に粒子の飛び出す向きに分布があることを利用し
て基板上に特性或は組成の均一な膜が形成される。 実施例 第１図に、本発明の一実施例である、金属間化合物と
純金属が適度に存在しているターゲットの組織図を示
す。例えば、希土類・遷移金属系合金のうちTb-FeCoを
例にとると、遷移金属粒子の周囲にTbFe或はTbCoの金属
間化合物が形成されている。このような組織を有するタ
ーゲットは、成分元素の純金属を混合した後、HIPなど
の方法により圧縮プレスしながら、或は圧縮プレスした
後に熱などのエネルギーをかけることにより金属間化合
物を形成する。エネルギー量により金属間化合物の量や
粒径を調整するのである。又は、先にTbFe,TbCoなどの
金属間化合物粉を作っておき、純金属粉と混合し、圧縮
プレスしても良い。例えばTbは、ターゲット中純金属と
して存在する場合は、第２図ａに示すように、比較的、
角度をもってターゲットから飛び出すためにターゲット
の直上に基板が位置する場合基板の中心部は低濃度にな
り、外になるに従って多く存在するようになるが、第２
図ｂに示すようにFe,Coなどは逆にターゲットの直上に
飛び出すために基板の中心部の濃度が高くなり外になる
に従って低濃度になる。光磁気媒体の場合、この濃度差
は保磁力の分布として表れる。基板上で前記のような組
成分布があると、保磁力は例えば第３図に示すような分
布になる。第３図の分布は、膜組成が、基板面上、遷移
金属リッチ側にあるような場合の例である。しかしなが
ら、例えばTbは、ターゲット中、金属間化合物として存
在する場合は、スパッタの際、ターゲットの直上により
多く飛び出すようになり、逆にFeやCoは角度をもって飛
び出すようになる。このことを利用して、ターゲット成
分中、純金属で存在する粒子と金属間化合物として存在
する粒子数を適度にすることにより、第４図に示すよう
に基板上、組成分布を小さくおさえることができ、保持
力の均一性に優れた高性能な記録膜を得ることができ
る。例えば、純金属を混合し、圧縮プレスした後に例え
ば熱を加えて金属間化合物を形成する場合は、例えば10
0μｍ程度にすれば良い。 発明の効果 以上述べて来たように、ターゲット中での各成分元素
の存在形態を選ぶことにより、基板上、組成分布が小さ
く、特性の均一性の良好な記録膜を形成することが出
来、実用的に極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例であるターゲット組織の模式
図、第２図ａは純金属として存在するTb粒子がスパッタ
の際に飛び出す飛行方向分布を示す模式図、第２図ｂは
純金属として存在するFe粒子がスパッタの際に飛び出す
飛行方向分布を示す模式図、第３図は金属間化合物の含
有量が適当でないターゲットで成膜した膜の基板面上の
保磁力分布のグラフ、第４図は適度に調整された金属間
化合物を含有するターゲットで成膜された膜の基板上で
の保磁力の分布のグラフである。 １……Fe粒子、２……金属間化合物、３……Tb粒子。
図、第２図ａは純金属として存在するTb粒子がスパッタ
の際に飛び出す飛行方向分布を示す模式図、第２図ｂは
純金属として存在するFe粒子がスパッタの際に飛び出す
飛行方向分布を示す模式図、第３図は金属間化合物の含
有量が適当でないターゲットで成膜した膜の基板面上の
保磁力分布のグラフ、第４図は適度に調整された金属間
化合物を含有するターゲットで成膜された膜の基板上で
の保磁力の分布のグラフである。 １……Fe粒子、２……金属間化合物、３……Tb粒子。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．希土類金属と遷移金属を主成分とし、少なくとも希
土類金属粒子と遷移金属粒子と、希土類金属と遷移金属
との金属間化合物粒子を含み、金属間化合物の質量又は
重量が、スパッタリングターゲット物質の質量又は重量
の20％以内であり、金属間化合物の厚みが希土類金属粒
子又は遷移金属粒子の平均粒径の５％以上50％以下であ
ることを特徴とするスパッタリングターゲット。 ２．希土類金属と遷移金属を主成分とし、少なくとも希
土類金属粒子と遷移金属粒子と、希土類金属と遷移金属
との金属間化合物粒子を含み、金属間化合物の質量又は
重量が、スパッタリングターゲット物質の質量又は重量
の20％以内であり、金属間化合物の粒径が希土類金属粒
子又は遷移金属粒子の平均粒径の５％以上50％以下であ
ることを特徴とするスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300824A JP2744991B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300824A JP2744991B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01142078A JPH01142078A (ja) | 1989-06-02 |
| JP2744991B2 true JP2744991B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17889547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62300824A Expired - Lifetime JP2744991B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2744991B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2747359B2 (ja) * | 1990-05-18 | 1998-05-06 | 日立電線株式会社 | 希土類元素添加導波路の製造方法 |
| DE102005039319A1 (de) | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Giesecke & Devrient Gmbh | Kartenförmiger Datenträger |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199640A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-17 | Mitsubishi Metal Corp | 複合タ−ゲツト材の製造方法 |
| JPS61119648A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-06 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結複合タ−ゲツト材 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62300824A patent/JP2744991B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01142078A (ja) | 1989-06-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080213 Year of fee payment: 10 |