JP2743472B2 - 光記憶再生装置 - Google Patents
光記憶再生装置Info
- Publication number
- JP2743472B2 JP2743472B2 JP1124737A JP12473789A JP2743472B2 JP 2743472 B2 JP2743472 B2 JP 2743472B2 JP 1124737 A JP1124737 A JP 1124737A JP 12473789 A JP12473789 A JP 12473789A JP 2743472 B2 JP2743472 B2 JP 2743472B2
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- mirror
- optical
- galvanomirror
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光記憶の分野において分離型の光学系を用
いた光記憶再生装置に関する。
いた光記憶再生装置に関する。
従来の光記憶再生装置は、ひとつのシャーシにすべて
の光学系及びフォーカスアクチュエータ、トラックアク
チュエータを搭載した一体型光ヘッドを用いて、そのす
べてをシークさせる方法がとられていた。しかしそれで
はムービングマスが大きいために、シークタイムを短く
できない。この課題を解決するために、対物レンズと第
一反射鏡、フォーカスアクチュエータをシークさせ、他
の光学系及びトラッキングアクチュエータであるいわゆ
るガルバノミラーはシークさせない方法の、分離型光学
系を有する光記憶再生装置が考案されている。
の光学系及びフォーカスアクチュエータ、トラックアク
チュエータを搭載した一体型光ヘッドを用いて、そのす
べてをシークさせる方法がとられていた。しかしそれで
はムービングマスが大きいために、シークタイムを短く
できない。この課題を解決するために、対物レンズと第
一反射鏡、フォーカスアクチュエータをシークさせ、他
の光学系及びトラッキングアクチュエータであるいわゆ
るガルバノミラーはシークさせない方法の、分離型光学
系を有する光記憶再生装置が考案されている。
第５図に従来のガルバノミラーを使用した光記憶再生
装置光の側面図の例を示す。半導体レーザ201より出射
した光はコリメータレンズ202により平行光となり、プ
リズム203、204を透過し、第三反射鏡501により光路を
曲げられガルバノミラーの第二反射鏡502に入射する。
光はほぼシーク方向にそって進み第一反射鏡503により
光路を曲げられ対物レンズ105にいたり、光記憶媒体205
に集光する。この場合のガルバノミラーの回転軸は入射
光軸に対して垂直である。
装置光の側面図の例を示す。半導体レーザ201より出射
した光はコリメータレンズ202により平行光となり、プ
リズム203、204を透過し、第三反射鏡501により光路を
曲げられガルバノミラーの第二反射鏡502に入射する。
光はほぼシーク方向にそって進み第一反射鏡503により
光路を曲げられ対物レンズ105にいたり、光記憶媒体205
に集光する。この場合のガルバノミラーの回転軸は入射
光軸に対して垂直である。
しかしながら、前述の従来技術では、光路が上下に二
段となり装置を薄型にできない。
段となり装置を薄型にできない。
さらに反射鏡が３つ必要で、特に光磁気記録の場合、
３面とも偏光の位相差の管理が必要となる。そのために
誘電体多層膜の精密な管理が必要であって、管理したと
しても各反射鏡で発生する偏光の位相差の公差は±５度
程度が現実的である。したがって反射鏡が３つあると、
それだけで最悪±15度の位相差発生が考えられ、プリズ
ム204も位相管理の必要がある事、及び全体としての偏
向位相差許容量約±10度である事を考えると、従来技術
での量産は大変むずかしいものであった。
３面とも偏光の位相差の管理が必要となる。そのために
誘電体多層膜の精密な管理が必要であって、管理したと
しても各反射鏡で発生する偏光の位相差の公差は±５度
程度が現実的である。したがって反射鏡が３つあると、
それだけで最悪±15度の位相差発生が考えられ、プリズ
ム204も位相管理の必要がある事、及び全体としての偏
向位相差許容量約±10度である事を考えると、従来技術
での量産は大変むずかしいものであった。
そこで本発明は上記のような課題を解決するものであ
り、その目的とするところは、装置を薄型にでき、しか
も反射鏡の偏光の位相差の管理が不要な光記憶再生装置
を提供することである。
り、その目的とするところは、装置を薄型にでき、しか
も反射鏡の偏光の位相差の管理が不要な光記憶再生装置
を提供することである。
本発明の光記憶再生装置は、点光源と、コリメートレ
ンズと、対物レンズと、この対物レンズに向けて光路を
折り曲げる第一反射鏡と、フォーカシングのために前記
対物レンズを駆動するフォーカスアクチュエータと、ト
ラッキングのために反射鏡を駆動するガルバノミラー
と、前記対物レンズと前記第一反射鏡と前記フォーカス
アクチュエータを光記憶媒体のトラックと垂直方向に移
動させるシーク機構と、を用いた分離型光学系を有する
光記憶装置において、固定部に配置した前記ガルバノミ
ラーの回転軸を、前記点光源の方向から前記ガルバノミ
ラーへ入射する光線の光軸と平行、かつ前記シーク機構
のシーク方向と垂直とし、前記第一反射鏡を全反射プリ
ズムで構成するとともに前記ガルバノミラーに含まれて
いる第二反射鏡も全反射プリズムで構成したことを特徴
とする。
ンズと、対物レンズと、この対物レンズに向けて光路を
折り曲げる第一反射鏡と、フォーカシングのために前記
対物レンズを駆動するフォーカスアクチュエータと、ト
ラッキングのために反射鏡を駆動するガルバノミラー
と、前記対物レンズと前記第一反射鏡と前記フォーカス
アクチュエータを光記憶媒体のトラックと垂直方向に移
動させるシーク機構と、を用いた分離型光学系を有する
光記憶装置において、固定部に配置した前記ガルバノミ
ラーの回転軸を、前記点光源の方向から前記ガルバノミ
ラーへ入射する光線の光軸と平行、かつ前記シーク機構
のシーク方向と垂直とし、前記第一反射鏡を全反射プリ
ズムで構成するとともに前記ガルバノミラーに含まれて
いる第二反射鏡も全反射プリズムで構成したことを特徴
とする。
本発明におけるガルバノミラーの作用は下記のごとく
である。
である。
第１図に示すごとく、点光源の方向からガルバノミラ
ーへ入射する光線101は、101と平行な回転軸102を有す
るガルバノミラーの第二反射鏡103により反射されシー
ク方向にそって第一反射鏡104にいたる。光線は対物レ
ンズ105の方向にまげられ、光記憶媒体上に集光され
る。
ーへ入射する光線101は、101と平行な回転軸102を有す
るガルバノミラーの第二反射鏡103により反射されシー
ク方向にそって第一反射鏡104にいたる。光線は対物レ
ンズ105の方向にまげられ、光記憶媒体上に集光され
る。
ここで第二反射鏡を回転軸102にそってわずかに回転
させると、対物レンズへの入射角度を変化させることが
でき、集光スポットを光記憶媒体のトラックと直交方向
にわずかに移動させる事ができる。
させると、対物レンズへの入射角度を変化させることが
でき、集光スポットを光記憶媒体のトラックと直交方向
にわずかに移動させる事ができる。
また二つの反射鏡は全反射プリズムにより構成され、
各反射面で発生する偏光の位相差はキャンセルされる。
厳密には第二反射鏡は角度変位するので、キャンセルし
きれない場合がある。しかしガルバノ角度変位は±0.5
ほどであり、これに対する偏光位相差は±１度程度であ
って、全体としての偏向位相差許容量約±10度に対して
十分小さく問題にならない。この構成については、本発
明の発明者らが先に、特願昭60-287401として出願して
いる。
各反射面で発生する偏光の位相差はキャンセルされる。
厳密には第二反射鏡は角度変位するので、キャンセルし
きれない場合がある。しかしガルバノ角度変位は±0.5
ほどであり、これに対する偏光位相差は±１度程度であ
って、全体としての偏向位相差許容量約±10度に対して
十分小さく問題にならない。この構成については、本発
明の発明者らが先に、特願昭60-287401として出願して
いる。
第２図は本発明の実施例の側面図、第３図は正面図で
ある。半導体レーザ201から出射した光はコリメータ202
により平行光にされ、サーボ信号分離用プリズム203、
光磁気信号分離用プリズム204を透過し、ガルバノミラ
ーである第二反射鏡103によりシーク方向にまげられ
る。
ある。半導体レーザ201から出射した光はコリメータ202
により平行光にされ、サーボ信号分離用プリズム203、
光磁気信号分離用プリズム204を透過し、ガルバノミラ
ーである第二反射鏡103によりシーク方向にまげられ
る。
光はさらに第一反射鏡104により対物レンズ105の方向
にまげられ、光記憶媒体205上に集光される。ここでガ
ルバノミラーは回転軸102にそって回転され、光記憶媒
体のトラック206と直交方向に光スポットが移動する。
にまげられ、光記憶媒体205上に集光される。ここでガ
ルバノミラーは回転軸102にそって回転され、光記憶媒
体のトラック206と直交方向に光スポットが移動する。
第４図に第一反射鏡及び第二反射鏡をBK7の全反射プ
リズムで構成した場合の、ガルバノミラー回転角に対す
る偏光位相差の発生量を示す。先に述べたように十分に
小さな値である。
リズムで構成した場合の、ガルバノミラー回転角に対す
る偏光位相差の発生量を示す。先に述べたように十分に
小さな値である。
以上述べたように本発明によれば、光路を上下一段と
する事ができ、装置を薄型にする事ができた。
する事ができ、装置を薄型にする事ができた。
また反射鏡を一枚減らして二枚とする事ができ、しか
もそれぞれの反射鏡で発生する偏光の位相差をキャンセ
ルさせられ、誘電体多層膜を精密にコントロールして製
作する必要がなくなった。
もそれぞれの反射鏡で発生する偏光の位相差をキャンセ
ルさせられ、誘電体多層膜を精密にコントロールして製
作する必要がなくなった。
このように本発明によれば、薄型で量産性に優れた光
記憶再生装置を実現できコンピュータの外部記憶装置の
発展におおいに貢献するものである。
記憶再生装置を実現できコンピュータの外部記憶装置の
発展におおいに貢献するものである。
第１図は本発明の作用の説明図。 第２図は本発明の実施例の側面図。 第３図は本発明の実施例の正面図。 第４図は本発明の実施例におけるガルバノミラーの回転
角と偏光位相差の特性図。 第５図は従来の光記憶再生装置の側面図。 101……点光源の方向からガルバノミラーへ入射する光
線 102……ガルバノミラー回転軸 103……ガルバノミラーである第二反射鏡 104……第一反射鏡 105……対物レンズ 201……半導体レーザ 202……コリメータレンズ 203……サーボ信号分離用プリズム 204……光磁気信号分離用プリズム 205……光記憶媒体 206……トラック 501……第三反射鏡 502……ガルバノミラーである第二反射鏡 503……第一反射鏡
角と偏光位相差の特性図。 第５図は従来の光記憶再生装置の側面図。 101……点光源の方向からガルバノミラーへ入射する光
線 102……ガルバノミラー回転軸 103……ガルバノミラーである第二反射鏡 104……第一反射鏡 105……対物レンズ 201……半導体レーザ 202……コリメータレンズ 203……サーボ信号分離用プリズム 204……光磁気信号分離用プリズム 205……光記憶媒体 206……トラック 501……第三反射鏡 502……ガルバノミラーである第二反射鏡 503……第一反射鏡
Claims (1)
- 【請求項１】点光源と、コリメートレンズと、対物レン
ズと、この対物レンズに向けて光路を折り曲げる第一反
射鏡と、フォーカシングのために前記対物レンズを駆動
するフォーカスアクチュエータと、トラッキングのため
に反射鏡を駆動するガルバノミラーと、前記対物レンズ
と前記第一反射鏡と前記フォーカスアクチュエータを光
記憶媒体のトラックと垂直方向に移動させるシーク機構
と、を用いた分離型光学系を有する光記憶装置におい
て、 固定部に配置した前記ガルバノミラーの回転軸を、前記
点光源の方向から前記ガルバノミラーへ入射する光線の
光軸と平行、かつ前記シーク機構のシーク方向と垂直と
し、 前記第一反射鏡を全反射プリズムで構成するとともに前
記ガルバノミラーに含まれている第二反射鏡も全反射プ
リズムで構成したことを特徴とする光記憶再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1124737A JP2743472B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 光記憶再生装置 |
| US07/842,729 US5151890A (en) | 1989-05-08 | 1992-02-26 | Optical system for optical memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1124737A JP2743472B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 光記憶再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304724A JPH02304724A (ja) | 1990-12-18 |
| JP2743472B2 true JP2743472B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=14892869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1124737A Expired - Lifetime JP2743472B2 (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-18 | 光記憶再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2743472B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2619625B2 (ja) * | 1985-12-20 | 1997-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 光磁気記録装置 |
| JPH0668580B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1994-08-31 | 松下電器産業株式会社 | ガルバノミラ− |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP1124737A patent/JP2743472B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02304724A (ja) | 1990-12-18 |
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