JP2739854B2 - 半導体装置製造ラインの生産制御方法 - Google Patents
半導体装置製造ラインの生産制御方法Info
- Publication number
- JP2739854B2 JP2739854B2 JP31125895A JP31125895A JP2739854B2 JP 2739854 B2 JP2739854 B2 JP 2739854B2 JP 31125895 A JP31125895 A JP 31125895A JP 31125895 A JP31125895 A JP 31125895A JP 2739854 B2 JP2739854 B2 JP 2739854B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lot
- semiconductor device
- wafers
- conditions
- divided
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- 238000000195 production control method Methods 0.000 title claims description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 78
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 19
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 14
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing
Landscapes
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
- Control By Computers (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造ライ
ンの生産制御方法に係わり、特に半導体ウェハ(以下、
ウェハ、と称す)のロットの進捗、製造条件、管理特性
値を管理する生産制御方法に関する。
ンの生産制御方法に係わり、特に半導体ウェハ(以下、
ウェハ、と称す)のロットの進捗、製造条件、管理特性
値を管理する生産制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置製造ラインで試作時のプロセ
ス条件出しや新設備の評価等を行なうために、ロットを
構成する複数のウェハのうちの一部のウェハを分けてロ
ット本体の残りのウェハとは異なる条件での処理を行な
う場合がある。
ス条件出しや新設備の評価等を行なうために、ロットを
構成する複数のウェハのうちの一部のウェハを分けてロ
ット本体の残りのウェハとは異なる条件での処理を行な
う場合がある。
【0003】例えば、1ロットを構成する50枚をイオ
ン注入装置でイオン注入処理をする場合に、40枚のウ
ェハすなわちロット本体のウェハはある程度実績がでて
いる一定の条件で処理をするが、10枚のウェハはさら
に良好な条件を見つけるためにあるいは新しいイオン注
入装置を評価するために、例えば注入ドーズ量あるいは
注入エネルギーを変更してイオン注入処理を行う。
ン注入装置でイオン注入処理をする場合に、40枚のウ
ェハすなわちロット本体のウェハはある程度実績がでて
いる一定の条件で処理をするが、10枚のウェハはさら
に良好な条件を見つけるためにあるいは新しいイオン注
入装置を評価するために、例えば注入ドーズ量あるいは
注入エネルギーを変更してイオン注入処理を行う。
【0004】このように試作条件で処理をするためにロ
ットから一部のウェハを分離することを「ロットの分
割」という。
ットから一部のウェハを分離することを「ロットの分
割」という。
【0005】そして分割されたウェハおよびロット本体
に属するウェハをそれぞれ処理し、処理結果を測定検査
した後、分割されたウェハがロット本体の多数のウェハ
と一緒になり、上の例では10枚のウェハと40枚のウ
ェハが一緒になり、次の処理装置に搬送される。
に属するウェハをそれぞれ処理し、処理結果を測定検査
した後、分割されたウェハがロット本体の多数のウェハ
と一緒になり、上の例では10枚のウェハと40枚のウ
ェハが一緒になり、次の処理装置に搬送される。
【0006】このように分割されたウェハがロット本体
の多数のウェハと一緒になってもとのロットを構成する
ことを「ロットの合流」という。
の多数のウェハと一緒になってもとのロットを構成する
ことを「ロットの合流」という。
【0007】従来技術の半導体装置製造ラインにおける
ロットの分割は、以下の様にして行なわれていた。
ロットの分割は、以下の様にして行なわれていた。
【0008】最初に分割工程前で停止しているロットを
作業者が探し出し、真空ピンセットを用いて、ウェハ番
号を確認しながらロットの分割を行なう。
作業者が探し出し、真空ピンセットを用いて、ウェハ番
号を確認しながらロットの分割を行なう。
【0009】次に、分割した水準ごとの作業を管理票を
用いて、オフラインで処理作業をする。そしてこの処理
が終了した時点で作業者は再度真空ピンセットでロット
の合流を行ない次工程に流していた。
用いて、オフラインで処理作業をする。そしてこの処理
が終了した時点で作業者は再度真空ピンセットでロット
の合流を行ない次工程に流していた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術で
は分割合流作業がすべてが手作業であり、ロットを一時
停止するために工期が長くなってしまう問題を生じてい
た。
は分割合流作業がすべてが手作業であり、ロットを一時
停止するために工期が長くなってしまう問題を生じてい
た。
【0011】また真空ピンセットによる分割合流作業の
ため、ウェハにキズをつけ、歩留りを低下させてしまう
という問題もあった。
ため、ウェハにキズをつけ、歩留りを低下させてしまう
という問題もあった。
【0012】また、分割水準ごとの管理特性値も技術者
が作業者にオフラインでの管理票で指示したり、規格な
しと指示したりして明確な規定方法がなく、規格ハズレ
でロットが停止し工期が長くなることや分割作業の誤ま
りに気がつかずに評価実験が失敗してしまうという問題
が生じる場合もあった。
が作業者にオフラインでの管理票で指示したり、規格な
しと指示したりして明確な規定方法がなく、規格ハズレ
でロットが停止し工期が長くなることや分割作業の誤ま
りに気がつかずに評価実験が失敗してしまうという問題
が生じる場合もあった。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、複数の
ウェハから構成されるロットからロット本体を構成する
ウェハより少ないウエハを分割し、ロット本体を構成す
るウェハの条件とは異なる試作条件で分割されたウェハ
を処理することにより試作条件の評価を行う半導体装置
製造ラインの生産制御方法において、ロットの進捗状況
を記憶する状態記憶部および分割水準内容を記憶する分
割内容記憶部から自動転送されたデータにより前記分割
および分割されたウェハの処理を自動で行い、分割水準
毎の管理特性規格を記憶する管理特性記憶部から自動転
送されたデータにより前記試作条件の評価を行い、ある
実績が判明している一定条件で処理されたロット本体を
構成するウェハがその規格内でありかつ分割されたウェ
ハがその分割水準毎の管理特性規格内であれば両者をロ
ット合流させて次の工程に進ませる半導体装置製造ライ
ンの生産制御方法にある。ここで、前記試作条件および
その評価によりロットのさらに良好な一定条件を見つけ
ることが好ましい。この場合、前記処理はイオン注入処
理であり、前記試作条件は条件振りされた注入ドーズ量
であることができる。あるいは、前記条件は製造装置で
あり、ロット本体を構成する半導体ウェハは既存の製造
装置で処理を行い、分割されたウェハは新しく設置され
た製造装置であり、これにより新しく設置された製造装
置を評価することが好ましい。この場合、前記製造装置
はイオン注入装置であることができる。
ウェハから構成されるロットからロット本体を構成する
ウェハより少ないウエハを分割し、ロット本体を構成す
るウェハの条件とは異なる試作条件で分割されたウェハ
を処理することにより試作条件の評価を行う半導体装置
製造ラインの生産制御方法において、ロットの進捗状況
を記憶する状態記憶部および分割水準内容を記憶する分
割内容記憶部から自動転送されたデータにより前記分割
および分割されたウェハの処理を自動で行い、分割水準
毎の管理特性規格を記憶する管理特性記憶部から自動転
送されたデータにより前記試作条件の評価を行い、ある
実績が判明している一定条件で処理されたロット本体を
構成するウェハがその規格内でありかつ分割されたウェ
ハがその分割水準毎の管理特性規格内であれば両者をロ
ット合流させて次の工程に進ませる半導体装置製造ライ
ンの生産制御方法にある。ここで、前記試作条件および
その評価によりロットのさらに良好な一定条件を見つけ
ることが好ましい。この場合、前記処理はイオン注入処
理であり、前記試作条件は条件振りされた注入ドーズ量
であることができる。あるいは、前記条件は製造装置で
あり、ロット本体を構成する半導体ウェハは既存の製造
装置で処理を行い、分割されたウェハは新しく設置され
た製造装置であり、これにより新しく設置された製造装
置を評価することが好ましい。この場合、前記製造装置
はイオン注入装置であることができる。
【0014】
【0015】このような本発明によれば、ロットの分割
や合流、特性値の管理が自動的にロットの流れを停止さ
せることなく行なわれ、分割後の処理作業をオンライン
で行なうことが出来るから、工期が短縮され、ウェハに
キズをつけたり条件評価実験の失敗等の作業ミスを回避
することが出来る。
や合流、特性値の管理が自動的にロットの流れを停止さ
せることなく行なわれ、分割後の処理作業をオンライン
で行なうことが出来るから、工期が短縮され、ウェハに
キズをつけたり条件評価実験の失敗等の作業ミスを回避
することが出来る。
【0016】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明を説明
する。
する。
【0017】図1は、本発明の実施の形態の生産制御シ
ステムにおける分割合流システムの構成を示すブロック
図である。同図において、半導体装置製造ライン101
内に、ウェハの処理をする半導体装置加工設備102
と、処理の結果を測定する測定器103と、ウェハ表面
上のウェハ番号をCCDカメラ104′で読みとって分
割しまた処理後の合流をするウェハソータ104とを具
備し、それらをローカルエリアネットワーク105を介
してホストコンピューター106に接続している。例え
ば半導体装置加工設備102がイオン注入装置の場合は
測定器103は特性チェッカーであり、半導体装置加工
設備102がPR装置の場合は測定器103は寸法測定
器である。
ステムにおける分割合流システムの構成を示すブロック
図である。同図において、半導体装置製造ライン101
内に、ウェハの処理をする半導体装置加工設備102
と、処理の結果を測定する測定器103と、ウェハ表面
上のウェハ番号をCCDカメラ104′で読みとって分
割しまた処理後の合流をするウェハソータ104とを具
備し、それらをローカルエリアネットワーク105を介
してホストコンピューター106に接続している。例え
ば半導体装置加工設備102がイオン注入装置の場合は
測定器103は特性チェッカーであり、半導体装置加工
設備102がPR装置の場合は測定器103は寸法測定
器である。
【0018】ホストコンピューター106には、半導体
装置製造ライン101内でのロットの進捗状況を記憶す
る状態記憶部107、ロットごとの分割内容を記憶する
分割内容記憶部108、分割水準毎の管理特性規格を記
憶する管理特性記憶部109が接続されている。また、
ホストコンピューター106には分割内容を入力する分
割内容入力用端末110が接続されている。ここで半導
体装置製造ラインを制御する上記手段のうち分割内容記
憶部108、管理特性記憶部109および分割内容入力
用端末110が本発明特有の手段である。
装置製造ライン101内でのロットの進捗状況を記憶す
る状態記憶部107、ロットごとの分割内容を記憶する
分割内容記憶部108、分割水準毎の管理特性規格を記
憶する管理特性記憶部109が接続されている。また、
ホストコンピューター106には分割内容を入力する分
割内容入力用端末110が接続されている。ここで半導
体装置製造ラインを制御する上記手段のうち分割内容記
憶部108、管理特性記憶部109および分割内容入力
用端末110が本発明特有の手段である。
【0019】図2は本発明の実施の形態の動作を示すフ
ローチャートである。図2および上記図1を参照して、
本発明の実施の形態の生産制御方法を説明する。
ローチャートである。図2および上記図1を参照して、
本発明の実施の形態の生産制御方法を説明する。
【0020】作業者は、分割内容をあらかじめ分割内容
入力用端末110にデータ入力し(データ入力ステップ
201)、ローカルエリアネットワーク105を介して
ホストコンピューター106に送信する。ホストコンピ
ューター106は、送られたデータを基に分割合流工程
を状態記憶部107に、分割水準内容を分割内容記憶部
108に、水準毎の管理特性規格を管理特性記憶部10
9にそれぞれ自動でデータ転送し、それぞれの記憶部で
このデータを自動記憶する(データ転送ステップ20
2)。
入力用端末110にデータ入力し(データ入力ステップ
201)、ローカルエリアネットワーク105を介して
ホストコンピューター106に送信する。ホストコンピ
ューター106は、送られたデータを基に分割合流工程
を状態記憶部107に、分割水準内容を分割内容記憶部
108に、水準毎の管理特性規格を管理特性記憶部10
9にそれぞれ自動でデータ転送し、それぞれの記憶部で
このデータを自動記憶する(データ転送ステップ20
2)。
【0021】それぞれのロットの各半導体装置加工設備
における自動作業終了後にこれらの半導体装置加工設備
から終了報告をローカルエリアネットワーク105を介
してホストコンピューター106に自動送信する(ロッ
ト進捗送信ステップ203)。
における自動作業終了後にこれらの半導体装置加工設備
から終了報告をローカルエリアネットワーク105を介
してホストコンピューター106に自動送信する(ロッ
ト進捗送信ステップ203)。
【0022】ロット進捗を受けたホストコンピューター
106は、ある半導体装置加工設備102で次に処理作
業するロットが状態記憶部107に記憶されたロットの
分割工程であるかどうかを自動チェックし(チェックス
テップ204)、分割して処理すべきロットであれば分
割内容記憶部108に記憶された分割内容をローカルエ
リアネットワーク105を介して半導体装置製造ライン
101内のウェハーソータ104と半導体装置加工設備
102に自動転送する(ロット分割システム読み出しス
テップ205および転送ステップ206)。
106は、ある半導体装置加工設備102で次に処理作
業するロットが状態記憶部107に記憶されたロットの
分割工程であるかどうかを自動チェックし(チェックス
テップ204)、分割して処理すべきロットであれば分
割内容記憶部108に記憶された分割内容をローカルエ
リアネットワーク105を介して半導体装置製造ライン
101内のウェハーソータ104と半導体装置加工設備
102に自動転送する(ロット分割システム読み出しス
テップ205および転送ステップ206)。
【0023】ロットの分割は、ウェハソータ104にお
いて、ウェハ表面上にマーキングされているウェハ番号
をCCDカメラ104′で自動認識して、ロットを構成
する複数のウェハのうちの何枚かのウェハを、例えば5
0枚のウェハのうち試作条件で行なう指定された10枚
のウェハを自動的に分けることにより行なわれる(ロッ
ト分割ステップ207)。
いて、ウェハ表面上にマーキングされているウェハ番号
をCCDカメラ104′で自動認識して、ロットを構成
する複数のウェハのうちの何枚かのウェハを、例えば5
0枚のウェハのうち試作条件で行なう指定された10枚
のウェハを自動的に分けることにより行なわれる(ロッ
ト分割ステップ207)。
【0024】そして半導体装置製造ライン101内の半
導体装置加工設備102に転送された内容を基に半導体
装置加工設備102で自動処理作業が行なわれる。例え
ば半導体装置加工設備102がイオン注入装置であり注
入ドーズ量を種々変更した結果を検討したい場合、ロッ
ト本体を構成する例えば40枚のウェハには今まである
程度実績がででいる一定条件で処理をするが、分割され
た例えば10枚のウェハにはさらに良好な条件を見つけ
るために転送された内容により若干変更された水準の注
入ドーズ量で、すなわち条件振りされた注入ドーズ量で
イオン注入処理を行う(分割処理作業ステップ20
8)。
導体装置加工設備102に転送された内容を基に半導体
装置加工設備102で自動処理作業が行なわれる。例え
ば半導体装置加工設備102がイオン注入装置であり注
入ドーズ量を種々変更した結果を検討したい場合、ロッ
ト本体を構成する例えば40枚のウェハには今まである
程度実績がででいる一定条件で処理をするが、分割され
た例えば10枚のウェハにはさらに良好な条件を見つけ
るために転送された内容により若干変更された水準の注
入ドーズ量で、すなわち条件振りされた注入ドーズ量で
イオン注入処理を行う(分割処理作業ステップ20
8)。
【0025】半導体装置加工設備102における処理作
業後、測定器103で処理結果の自動測定、すなわち管
理特性判定ステップ209を行なう。このステップに先
立ち、ステップ205およびステップ206の時点で、
管理特性記憶部109よりローカルエリアネットワーク
105を介して半導体装置製造ライン101内の測定器
103に分割水準毎の特性規格が自動転送される。半導
体装置加工設備102における処理作業後のウェハを一
枚ごとCCDカメラで自動認識し、そのウェハがロット
分割されたものであればその分割水準に応じて、例えば
検討試作ドーズ量の値に応じて、すなわちロット本体の
ウェハとは異なる条件で処理されたものであればその処
理内容に応じて、上記転送された特性規格を満足してい
るかどうか測定器103で管理特性の自動測定を行な
う。そしてこの分割水準の結果を技術者がみて条件の評
価や製造装置の評価に使用する。
業後、測定器103で処理結果の自動測定、すなわち管
理特性判定ステップ209を行なう。このステップに先
立ち、ステップ205およびステップ206の時点で、
管理特性記憶部109よりローカルエリアネットワーク
105を介して半導体装置製造ライン101内の測定器
103に分割水準毎の特性規格が自動転送される。半導
体装置加工設備102における処理作業後のウェハを一
枚ごとCCDカメラで自動認識し、そのウェハがロット
分割されたものであればその分割水準に応じて、例えば
検討試作ドーズ量の値に応じて、すなわちロット本体の
ウェハとは異なる条件で処理されたものであればその処
理内容に応じて、上記転送された特性規格を満足してい
るかどうか測定器103で管理特性の自動測定を行な
う。そしてこの分割水準の結果を技術者がみて条件の評
価や製造装置の評価に使用する。
【0026】一方、CCDカメラで自動認識してそのウ
ェハが分割されないでロット本体に属するウェハであれ
ば通常のシステムの通り測定器に入っている今までの規
格を満足しているかどうか測定器103で自動測定す
る。
ェハが分割されないでロット本体に属するウェハであれ
ば通常のシステムの通り測定器に入っている今までの規
格を満足しているかどうか測定器103で自動測定す
る。
【0027】分割水準毎の特性値がそれぞれ規格内であ
れば、次の工程にロットは進捗するが、規格ハズレであ
ればロットは停止し、技術者が処理をすることになる。
すなわちロット本体に属するウェハと分割されたウェハ
についてそれぞれの規格を設けてそれからハズれたら規
格ハズレとする。従来はそのような概念がなく、分割さ
れたウェハについてもロット本体に属するウェハの規
格、すなわち通常フローの規格を適用していた。
れば、次の工程にロットは進捗するが、規格ハズレであ
ればロットは停止し、技術者が処理をすることになる。
すなわちロット本体に属するウェハと分割されたウェハ
についてそれぞれの規格を設けてそれからハズれたら規
格ハズレとする。従来はそのような概念がなく、分割さ
れたウェハについてもロット本体に属するウェハの規
格、すなわち通常フローの規格を適用していた。
【0028】そして、ロット分割されたウェハとロット
本体を構成するウェハとの合流をウェハソータ104で
自動的に行ない(ロット合流ステップ210)、一連の
分割生産方法が終了し、上の例では50枚のウェハで構
成したロットが次の工程に送られる。次の工程でロット
分割が必要である場合は上記と同様のステップが行なわ
れる。
本体を構成するウェハとの合流をウェハソータ104で
自動的に行ない(ロット合流ステップ210)、一連の
分割生産方法が終了し、上の例では50枚のウェハで構
成したロットが次の工程に送られる。次の工程でロット
分割が必要である場合は上記と同様のステップが行なわ
れる。
【0029】上記実施の形態では処理条件出しの場合を
説明したが新らしく設置した製造装置を評価する場合も
同様であり、例えばロット本体に属するウェハは既存の
イオン注入装置で処理し、ロット分割されたウェハは新
らしく設置したイオン注入装置で処理して評価されるこ
とになる。
説明したが新らしく設置した製造装置を評価する場合も
同様であり、例えばロット本体に属するウェハは既存の
イオン注入装置で処理し、ロット分割されたウェハは新
らしく設置したイオン注入装置で処理して評価されるこ
とになる。
【0030】また図1では半導体装置製造ライン101
内に半導体装置加工設備102、測定器103およびC
CDカメラ104′を有するウェハソータ104をそれ
ぞれ1台ずつ例示したが、半導体装置製造ライン101
内には各処理工程に対応してこれらはそれぞれ複数台設
置されて流れ作業で半導体装置の製造を行なう。
内に半導体装置加工設備102、測定器103およびC
CDカメラ104′を有するウェハソータ104をそれ
ぞれ1台ずつ例示したが、半導体装置製造ライン101
内には各処理工程に対応してこれらはそれぞれ複数台設
置されて流れ作業で半導体装置の製造を行なう。
【0031】次に上記実施の形態における、分割水準作
成ステップ(データ入力ステップ201およびデータ転
送ステップ202)の例について図3および図4を参照
して説明する。図3は分割内容入力データテーブルを示
す図であり、図4は図3のテーブルでのデータ入力を示
すフローチャートである。
成ステップ(データ入力ステップ201およびデータ転
送ステップ202)の例について図3および図4を参照
して説明する。図3は分割内容入力データテーブルを示
す図であり、図4は図3のテーブルでのデータ入力を示
すフローチャートである。
【0032】まず最初に、図3(A)に示すテーブルの
欄301に品名、プロセス名を入力する(品名、プロセ
ス名選択ステップ401)。
欄301に品名、プロセス名を入力する(品名、プロセ
ス名選択ステップ401)。
【0033】次に分割内容の雛型(イオン注入条件の変
更範囲(イオン注入振り等))の中から、図3(B)に
示すテーブルの欄302にテーブルに分割内容番号を入
力し、図3(C)に示すテーブルの欄303にその分割
工程の中分類コードを入力する(分割内容選択ステップ
402)。
更範囲(イオン注入振り等))の中から、図3(B)に
示すテーブルの欄302にテーブルに分割内容番号を入
力し、図3(C)に示すテーブルの欄303にその分割
工程の中分類コードを入力する(分割内容選択ステップ
402)。
【0034】次に図3(D)に示すテーブルの欄304
に分割水準数を入力し、図3(E)に示すテーブルの欄
305に水準毎のウェハ枚数を入力する(水準数及び水
準毎のウェハ枚数選択ステップ403)。
に分割水準数を入力し、図3(E)に示すテーブルの欄
305に水準毎のウェハ枚数を入力する(水準数及び水
準毎のウェハ枚数選択ステップ403)。
【0035】このようにして分割内容、水準数および水
準毎のウェハ枚数が決定後、図3(F)に示すテーブル
の水準振り条件指定メンテナンス画面306に条件の入
力を開始する。
準毎のウェハ枚数が決定後、図3(F)に示すテーブル
の水準振り条件指定メンテナンス画面306に条件の入
力を開始する。
【0036】図3(F)のテーブルにおいて、欄307
の工程コード、欄308の工程名、欄309の水準番号
は入力済であるから、欄310に水準毎の条件キーを入
力し(条件指定、条件キー作成ステップ404)、欄3
11にあらかじめ設定された枚数のウェハ番号を入力す
る(水準毎のウェハ番号指定ステップ405)。
の工程コード、欄308の工程名、欄309の水準番号
は入力済であるから、欄310に水準毎の条件キーを入
力し(条件指定、条件キー作成ステップ404)、欄3
11にあらかじめ設定された枚数のウェハ番号を入力す
る(水準毎のウェハ番号指定ステップ405)。
【0037】管理特性値については、水準振り指定条件
指定メンテナンス画面306中の条件キーの欄310に
水準毎に条件キーを入力し規格を設定し、水準毎に条件
キーを入力し規格(特性)を設定する(管理特性判定ス
テップ406および水準毎の規格入力ステップ40
7)。また条件や規格の中身はコメント欄312に表示
されるので、技術者が内容を確認し、分割対象ロットの
番号を図3(G)の画面313で選択する(ロッド選択
ステップ408および実験内容(評価、検討内容)組み
込みステップ409)。最初にロット番号の指定をしな
いのは、ロット番号が決まっていない投入前に分割内容
を登録し、投入直後のロット番号決定後に、すぐにロッ
ト番号を入力するようにする為である。最後に、分割内
容の有効化を行ない(有効化ステップ410)分割内容
を決定する。
指定メンテナンス画面306中の条件キーの欄310に
水準毎に条件キーを入力し規格を設定し、水準毎に条件
キーを入力し規格(特性)を設定する(管理特性判定ス
テップ406および水準毎の規格入力ステップ40
7)。また条件や規格の中身はコメント欄312に表示
されるので、技術者が内容を確認し、分割対象ロットの
番号を図3(G)の画面313で選択する(ロッド選択
ステップ408および実験内容(評価、検討内容)組み
込みステップ409)。最初にロット番号の指定をしな
いのは、ロット番号が決まっていない投入前に分割内容
を登録し、投入直後のロット番号決定後に、すぐにロッ
ト番号を入力するようにする為である。最後に、分割内
容の有効化を行ない(有効化ステップ410)分割内容
を決定する。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ロットの
分割、合流をオンライン化し、分割水準毎の管理項目を
オンラインで指定することで、手作業によるウェハ破損
を防止することができ、製造ラインにおけるロットが停
止することなく工期が短縮され、分割手順の誤りという
作業ミスを低減するという効果を有する。
分割、合流をオンライン化し、分割水準毎の管理項目を
オンラインで指定することで、手作業によるウェハ破損
を防止することができ、製造ラインにおけるロットが停
止することなく工期が短縮され、分割手順の誤りという
作業ミスを低減するという効果を有する。
【図1】本発明の実施の形態の生産制御システムの構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図2】図1の生産制御システムによる本発明の実施の
形態の生産制御方法を示すフローチャートである。
形態の生産制御方法を示すフローチャートである。
【図3】分割内容入力データテーブルを例示する図であ
る。
る。
【図4】分割内容入力を示すフローチャートである。
101 半導体装置製造ライン 102 半導体装置加工設備 103 測定器 104 ウェハソータ 104′ CCDカメラ 105 ローカルエリアネットワーク 106 ホストコンピュータ 107 状態記憶部 108 分割内容記憶部 109 管理特性記憶部 110 分割内容入力用端末 201〜210 ステップ 301〜313 データテーブルの欄もしくは画面 401〜410 ステップ
Claims (5)
- 【請求項1】 複数の半導体ウェハから構成されるロッ
トからロット本体を構成する半導体ウェハより少ない半
導体ウエハを分割し、ロット本体を構成する半導体ウェ
ハの条件とは異なる試作条件で分割された半導体ウェハ
を処理することにより試作条件の評価を行う半導体装置
製造ラインの生産制御方法において、ロットの進捗状況
を記憶する状態記憶部および分割水準内容を記憶する分
割内容記憶部から自動転送されたデータにより前記分割
および分割された半導体ウェハの処理を自動で行い、分
割水準毎の管理特性規格を記憶する管理特性記憶部から
自動転送されたデータにより前記試作条件の評価を行
い、ある実績が判明している一定条件で処理されたロッ
ト本体を構成する半導体ウェハがその規格内でありかつ
分割された半導体ウェハがその分割水準毎の管理特性規
格内であれば両者をロット合流させて次の工程に進ませ
ることを特徴とする半導体装置製造ラインの生産制御方
法。 - 【請求項2】 前記試作条件およびその評価によりロッ
トのさらに良好な一定条件を見つけることを特徴とする
請求項1記載の半導体装置製造ラインの生産制御方法。 - 【請求項3】 前記処理はイオン注入処理であり、前記
試作条件は条件振りされた注入ドーズ量であることを特
徴とする請求項2記載の半導体装置製造ラインの生産制
御方法。 - 【請求項4】 前記条件は製造装置であり、ロット本体
を構成する半導体ウェハは既存の製造装置で処理を行
い、分割された半導体ウェハは新しく設置された製造装
置であり、これにより新しく設置された製造装置を評価
することを特徴とする請求項1記載の半導体装置製造ラ
インの生産制御方法。 - 【請求項5】 前記製造装置はイオン注入装置であるこ
とを特徴とする請求項4記載の半導体装置製造ラインの
生産制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31125895A JP2739854B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体装置製造ラインの生産制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31125895A JP2739854B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体装置製造ラインの生産制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09153439A JPH09153439A (ja) | 1997-06-10 |
JP2739854B2 true JP2739854B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=18014987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31125895A Expired - Fee Related JP2739854B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体装置製造ラインの生産制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2739854B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001274050A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | データ構造及びデータベースシステム並びに半導体装置の設計方法及びその製造方法 |
JP2002313880A (ja) | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04273115A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-29 | Hitachi Ltd | ロット編成方法および装置 |
JPH05109596A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造管理方法 |
JPH0778019A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 工程管理方法及び管理システム |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP31125895A patent/JP2739854B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09153439A (ja) | 1997-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4601034A (en) | Method and apparatus for testing very large scale integrated memory circuits | |
US6223098B1 (en) | Control system for semiconductor integrated circuit test process | |
US4922445A (en) | Logic circuit simulation method | |
US7225039B2 (en) | Control system for semiconductor processing apparatus | |
DE69333510T2 (de) | Verfahren und Gerät zur Prüfsequenzgenerierung | |
JP2739854B2 (ja) | 半導体装置製造ラインの生産制御方法 | |
US6512985B1 (en) | Process control system | |
US6334199B1 (en) | Method of generating test patterns for a logic circuit, a system performing the method, and a computer readable medium instructing the system to perform the method | |
US5750908A (en) | Testing system with real time/off line functionality allocation | |
US7123040B2 (en) | System and method for check-in control in wafer testing | |
US6108887A (en) | Method for analyzing and modifying a sequence of manufacturing operations | |
JP2730538B2 (ja) | 生産制御システム・リファレンス自動挿入システム | |
JP3144369B2 (ja) | 生産制御システムおよびその制御方法 | |
US6174375B1 (en) | Semiconductor device manufacturing system capable of automatic branching and merging of wafers | |
JPH02208949A (ja) | 半導体製造装置 | |
GB2327149A (en) | Testing semiconductor wafers. | |
JPH06125007A (ja) | 半導体装置のレイアウトデータ検証方法 | |
KR100291229B1 (ko) | 반도체장치제조라인의생산제어방법 | |
JPH11330184A (ja) | ウエハテスト方法 | |
Parten et al. | Knowledge-based very large scale integration (VLSI) process diagnostic system | |
JP2549655B2 (ja) | 試験装置 | |
JP2658857B2 (ja) | 等価故障抽出方法及び装置 | |
JPH0727535B2 (ja) | 回路の照合方法 | |
JPH0259967A (ja) | テスト容易化回路設計方法 | |
JP2000241514A (ja) | テストパターンの並列生成方法およびテストパターン生成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971224 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |