JP2730611B2 - 光学活性なハロゲン化ヒドロキシカルボニル類の製造方法 - Google Patents

光学活性なハロゲン化ヒドロキシカルボニル類の製造方法

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JP2730611B2 JP5050745A JP5074593A JP2730611B2 JP 2730611 B2 JP2730611 B2 JP 2730611B2 JP 5050745 A JP5050745 A JP 5050745A JP 5074593 A JP5074593 A JP 5074593A JP 2730611 B2 JP2730611 B2 JP 2730611B2
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覚 松川
真浩 寺田
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    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、次式(IV)
【0002】
【化5】
【0003】(式中、R2は水素、低級アルキル基、N
2、OR、SRまたはSeR(Rはアルキル基を示
す。)を示し、R3およびR4はそれぞれ水素または低級
アルキル基を示す。また、X1、X2、X3はそれぞれ水
素、フッ素、塩素または臭素を示し、互いに同一でも異
なっていてもよいが、すべて同時に水素となることはな
い。)で示される光学活性なハロゲン化ヒドロキシカル
ボニル類の製造方法に関するものである。上式(IV)で
示される光学活性なハロゲン化ヒドロキシカルボニル類
は、医薬品、農薬あるいは各種機能材料などの製造中間
体として有用な化合物である。
【0004】
【従来技術およびその問題点】従来、シリルエノールエ
ーテルとハロゲン化アセトアルデヒドとの反応による光
学活性なハロゲン化ヒドロキシカルボニル類の製造方法
は、知られていない。
【0005】
【問題点を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検
討を行なった結果、ビナフトール−チタン錯体を用いて
シリルエノールエーテルとハロゲン化アセトアルデヒド
とを反応させることにより容易に光学活性なハロゲン化
ヒドロキシカルボニル類を得ることができることを見出
し、本発明に到達した。
【0006】すなわち本発明は、次式(I)
【0007】
【化6】
【0008】(式中、Xは塩素または臭素を示す。)で
示されるビナフトール−チタン錯体の存在下、次式(I
I)
【0009】
【化7】
【0010】(式中、R1は水素または低級アルキル基
を示し、R2は水素、低級アルキル基、NR2、OR、S
RまたはSeR(Rはアルキル基を示す。)を示し、R
3およびR4はそれぞれ水素または低級アルキル基を示
す。)で示されるシリルエノールエーテルと次式(II
I)
【0011】
【化8】
【0012】(式中、X1、X2、X3はそれぞれ水素、
フッ素、塩素または臭素を示し、互いに同一でも異なっ
ていてもよいが、すべて同時に水素となることはな
い。)で示されるハロゲン化アセトアルデヒドまたはそ
のヘミアセタールもしくはアセタールとを反応させるこ
とを特徴とする次式(IV)
【0013】
【化9】
【0014】(式中、R2は水素、低級アルキル基、N
2、OR、SRまたはSeR(Rはアルキル基を示
す。)を示し、R3およびR4はそれぞれ水素または低級
アルキル基を示す。また、X1、X2、X3はそれぞれ水
素、フッ素、塩素または臭素を示し、互いに同一でも異
なっていてもよいが、すべて同時に水素となることはな
い。)で示される光学活性なハロゲン化ヒドロキシカル
ボニル類の製造方法である。
【0015】本発明の原料である上式(II)で示される
シリルエノールエーテルおよび本発明の生成物である上
式(IV)で示されるハロゲン化ヒドロキシカルボニルの
置換基であるR1、R2、R3およびR4における低級アル
キル基とは、炭素数1〜5の直鎖または分岐していても
よいアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル
基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル
基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−
ブチル基などが挙げられる。
【0016】本発明の原料である上式(II)で示される
シリルエノールエーテルを具体的に示すと、たとえば、
2−[(トリメチルシリル)オキシ]−プロペン、2−
[(トリメチルシリル)オキシ]−1−ブテン、2−
[(トリメチルシリル)オキシ]−2−ブテン、3−メ
チル−2−[(トリメチルシリル)オキシ]−2−ブテ
ン、2−[(トリメチルシリル)オキシ]−1−ペンテ
ン、2−[(トリメチルシリル)オキシ]−2−ペンテ
ン、3−[(トリメチルシリル)オキシ]−2−ペンテ
ン、2−メチル−3−[(トリメチルシリル)オキシ]
−2−ペンテン、3−メチル−2−[(トリメチルシリ
ル)オキシ]−2−ペンテン、3−エチル−2−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−2−ペンテン、2−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−1−ヘキセン、2−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−2−ヘキセン、3−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−2−ヘキセン、3−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−3−ヘキセン、2−メチル
−3−[(トリメチルシリル)オキシ]−2−ヘキセ
ン、3−メチル−2−[(トリメチルシリル)オキシ]
−2−ヘキセン、3−メチル−4−[(トリメチルシリ
ル)オキシ]−3−ヘキセン、3−エチル−2−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−2−ヘキセン、3−エチル
−4−[(トリメチルシリル)オキシ]−3−ヘキセ
ン、2−[(トリメチルシリル)オキシ]−1−ヘプテ
ン、2−[(トリメチルシリル)オキシ]−2−ヘプテ
ン、3−[(トリメチルシリル)オキシ]−2−ヘプテ
ン、3−[(トリメチルシリル)オキシ]−3−ヘプテ
ン、4−[(トリメチルシリル)オキシ]−3−ヘプテ
ン、2−メチル−3−[(トリメチルシリル)オキシ]
−2−ヘプテン、3−メチル−2−[(トリメチルシリ
ル)オキシ]−2−ヘプテン、3−メチル−4−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−3−ヘプテン、4−メチル
−3−[(トリメチルシリル)オキシ]−3−ヘプテ
ン、3−エチル−2−[(トリメチルシリル)オキシ]
−2−ヘプテン、3−エチル−4−[(トリメチルシリ
ル)オキシ]−3−ヘプテン、4−エチル−3−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−3−ヘプテン、2−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−1−オクテン、2−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−2−オクテン、3−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−2−オクテン、3−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−3−オクテン、4−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−3−オクテン、4−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−4−オクテン、2−メチル
−3−[(トリメチルシリル)オキシ]−2−オクテ
ン、3−メチル−2−[(トリメチルシリル)オキシ]
−2−オクテン、3−メチル−4−[(トリメチルシリ
ル)オキシ]−3−オクテン、4−メチル−3−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−3−オクテン、4−メチル
−5−[(トリメチルシリル)オキシ]−4−オクテ
ン、3−エチル−2−[(トリメチルシリル)オキシ]
−2−オクテン、3−エチル−4−[(トリメチルシリ
ル)オキシ]−3−オクテン、4−エチル−3−[(ト
リメチルシリル)オキシ]−3−オクテン、4−エチル
−5−[(トリメチルシリル)オキシ]−4−オクテン
などを挙げることができる。
【0017】また、本発明のもう一方の原料である上式
(III)で示されるハロゲン化アセトアルデヒドとして
は、具体的にはトリフルオロアセトアルデヒド、クロロ
ジフルオロアセトアルデヒド、ブロモジフルオロアセト
アルデヒド、ジクロロフルオロアセトアルデヒド、ブロ
モクロロフルオロアセトアルデヒド、ジブロモフルオロ
アセトアルデヒド、トリクロロアセトアルデヒド、ブロ
モジクロロアセトアルデヒド、ジブロモクロロアセトア
ルデヒド、トリブロモアセトアルデヒド、ジフルオロア
セトアルデヒド、クロロフルオロアセトアルデヒド、ブ
ロモフルオロアセトアルデヒド、ジクロロアセトアルデ
ヒド、ブロモクロロアセトアルデヒド、ジブロモアセト
アルデヒド、フルオロアセトアルデヒド、クロロアセト
アルデヒド、ブロモアセトアルデヒドが挙げられ、ま
た、これらのヘミアセタールもしくはアセタールを使用
することもできる。
【0018】また、本発明において触媒として使用され
る式(I)で示されるビナフトール−チタン錯体は、た
とえば、次のようにして容易に調製することができる。
すなわち、四ハロゲン化チタンとテトライソプロポキシ
チタンを反応させてジイソプロポキシジハロゲノチタン
を調製し、次いでこれにビナフトールを加えて反応させ
ることにより調製することができる。なお、ビナフトー
ルにはS体およびR体の2種類があり、それにともなっ
て調製されるビナフトール−チタン錯体もS体およびR
体の2種類が存在するが、これらは目的とする生成物の
絶対配置に応じて適宜使い分ければよい。
【0019】本発明の生成物である上式(IV)で示され
る光学活性なハロゲン化ヒドロキシカルボニル類は、た
とえば次のようにして製造することができる。すなわ
ち、あらかじめ上記のようにして反応器中でビナフトー
ル−チタン錯体を調製し、そこへ原料である式(II)で
示されるシリルエノールエーテルおよび式(III)で示
されるハロゲン化アセトアルデヒドまたはそのヘミアセ
タールもしくはアセタールを加えて反応させればよい。
【0020】本発明の反応は、式(II)で示されるシリ
ルエノールエーテルと式(III)で示されるハロゲン化
アセトアルデヒドまたはそのヘミアセタールもしくはア
セタールとの当モル反応であるので、原料を仕込む際の
両者の割合はモル比で1:1とするのが有利である。
【0021】本発明において触媒として使用されるビナ
フトール−チタン錯体の使用量は、特に限定はないが、
原料である式(II)で示されるシリルエノールエーテル
に対して0.1〜50モル%とするのが好ましい。0.
1モル%より少ないと反応が充分に進行しない、あるい
は、反応時間が非常に長くなるため、好ましくない。ま
た、50モル%以上使用しても反応に変化はなく、経済
的に不利になるだけであるので好ましくない。より好ま
しくは0.5〜30モル%、さらに好ましくは1〜20
モル%である。
【0022】本発明の反応は、無溶媒で行なってもよい
が、溶媒中で行なう方が好ましい。使用する溶媒として
は、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素などの
ハロゲン化炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシ
レンなどの芳香族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶
媒、酢酸エチルなどのエステル系溶媒、など通常使用さ
れるものを使用することができる。
【0023】本発明の反応温度は、−50℃〜室温とす
るのが好ましい。より好ましくは−30〜10℃、さら
に好ましくは−10〜5℃である。本発明の反応時間
は、反応温度によって多少変動するが0.5〜20時間
とするのが好ましい。より好ましくは1〜10時間、さ
らに好ましくは2〜5時間である。
【0024】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 実施例11,1,1−トリフルオロ−2−ヒドロキシ−3−メチ
ルヘキセン−4−オンの製造 ビナフトール−チタン錯体(0.1mmol)のジクロ
ロメタン溶液(3ml)を0℃に冷やし、この溶液に
(Z)−3−[(トリメチルシリル)オキシ]−2−ペ
ンテン(157mg、1.0mmol)、およびトリフ
ルオロアセトアルデヒド3水和物から脱水反応によって
得たトリフルオロアセトアルデヒド(98mg、1.0
mmol)のジクロロメタン溶液(1ml)を滴下し
た。0℃にて4時間攪拌した後、エーテル(5ml)を
加え、さらにこの混合溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液(5ml)にあけ、反応を停止させ、エーテル抽出
した(20ml×2)。抽出液を飽和食塩水で洗浄、硫
酸マグネシウムにて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ別
した後、ろ液は減圧下に溶媒を留去し、粗生成物を得
た。粗生成物はシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、1,1,1−トリフルオロ−2−ヒドロキ
シ−3−メチルヘキセン−4−オン(ジアステレオマー
混合物;syn:anti=81:19)を収率44%
で得た。
【0025】syn−1,1,1−トリフルオロ−2−
ヒドロキシ−3−メチルヘキセン−4−オン1 H−NMR(CDCl3) δ1.07(t,J=7.2Hz,3H),1.27
(d,J=7.2Hz,3H),2.53(m,2
H),2.94(dq,J=4.5,7.2Hz,1
H),3.31(bs,1H),4.40(dq,J=
4.5,7.2Hz,1H) anti−1,1,1−トリフルオロ−2−ヒドロキシ
−3−メチルヘキセン−4−オン1 H−NMR(CDCl3) δ1.26(d,J=7.2Hz,3H),2.99
(m,1H),3.97(m,1H),4.40(d
q,J=4.5,7.2Hz,1H) なお、syn体の光学純度は対応する(R)−および
(S)−α−メトキシ−α−(トリフルオロメチル)−
α−フェニル酢酸(MTPA)エステルへと誘導し、そ
1H−NMR分析により、44%ee以上であると決
定している。
【0026】
【発明の効果】本発明の方法により、医薬品、農薬ある
いは各種機能材料などの製造中間体として有用である光
学活性なハロゲン化ヒドロキシカルボニル類を容易に製
造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺田 真浩 東京都目黒区大岡山2丁目12−1 東京 工業大学 工学部化学工学科内 (72)発明者 丸田 順道 埼玉県川越市今福中台2805番地 セント ラル硝子株式会社 東京研究所内

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】次式(I) 【化1】 (式中、Xは塩素または臭素を示す。)で示されるビナ
    フトール−チタン錯体の存在下、次式(II) 【化2】 (式中、R1は水素または低級アルキル基を示し、R2
    水素、低級アルキル基、NR2、OR、SRまたはSe
    R(Rはアルキル基を示す。)を示し、R3およびR4
    それぞれ水素または低級アルキル基を示す。)で示され
    るシリルエノールエーテルと次式(III) 【化3】 (式中、X1、X2、X3はそれぞれ水素、フッ素、塩素
    または臭素を示し、互いに同一でも異なっていてもよい
    が、すべて同時に水素となることはない。)で示される
    ハロゲン化アセトアルデヒドまたはそのヘミアセタール
    もしくはアセタールとを反応させることを特徴とする次
    式(IV) 【化4】 (式中、R2は水素、低級アルキル基、NR2、OR、S
    RまたはSeR(Rはアルキル基を示す。)を示し、R
    3およびR4はそれぞれ水素または低級アルキル基を示
    す。また、X1、X2、X3はそれぞれ水素、フッ素、塩
    素または臭素を示し、互いに同一でも異なっていてもよ
    いが、すべて同時に水素となることはない。)で示され
    る光学活性なハロゲン化ヒドロキシカルボニル類の製造
    方法。
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