JP2712637B2 - アンチモン拡散用組成物 - Google Patents
アンチモン拡散用組成物Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路素子の製造工程において、シ
リコンウェハーにアンチモン（Sb）を拡散するためのシ
リカ系被膜形成組成物に関する。
リコンウェハーにアンチモン（Sb）を拡散するためのシ
リカ系被膜形成組成物に関する。
半導体集積回路素子製造工程において、シリコン基板
にＢ、Al等の３価不純物あるいはＰ、Sb、As等の５価不
純物を拡散させＰ型あるいはＮ型の低抵抗不純物領域と
することにより、Ｐ−Ｎ接合が形成されている。不純物
拡散の方法としてはガス拡散法、固体拡散法、イオン注
入法、塗布拡散法が行われている。このうち塗布拡散法
は液状の拡散源をシリコン基板上に塗布後、乾燥、焼成
する方法であり、比較的高濃度の不純物拡散領域を容易
に形成できるため最近多く利用されている。
にＢ、Al等の３価不純物あるいはＰ、Sb、As等の５価不
純物を拡散させＰ型あるいはＮ型の低抵抗不純物領域と
することにより、Ｐ−Ｎ接合が形成されている。不純物
拡散の方法としてはガス拡散法、固体拡散法、イオン注
入法、塗布拡散法が行われている。このうち塗布拡散法
は液状の拡散源をシリコン基板上に塗布後、乾燥、焼成
する方法であり、比較的高濃度の不純物拡散領域を容易
に形成できるため最近多く利用されている。
アンチモン拡散用の塗布液としては、従来、三塩化ア
ンチモン（SbCl3）を溶解したシリカ系被膜形成用塗布
液が用いられていたが塗布液中に塩素原子が含有される
ため、半導体基板上に塗布液を塗布するスピンコーター
等の塗布装置を腐食させることが問題となっていた。ま
た塩素による塗布装置の腐食を解決するために三酸化ア
ンチモン（Sb2O3）を有機溶剤に溶解して得た塗布液を
用いる方法も知られているが、この方法では通常の拡散
温度1200℃〜1300℃で三酸化アンチモンが気散してしま
い半導体基板中にアンチモンが十分に拡散されない問題
がある。またこの塗布液は三酸化アンチモンの沈澱が生
じ易く保存安定性にも問題があった。これらの問題を解
決するため、アルコキシシランを部分加水分解したもの
と、アルコキシまたはフェノキシアンチモンとを溶解し
たシリカ系被膜形成被が知られている（特開昭63−6692
9）。
ンチモン（SbCl3）を溶解したシリカ系被膜形成用塗布
液が用いられていたが塗布液中に塩素原子が含有される
ため、半導体基板上に塗布液を塗布するスピンコーター
等の塗布装置を腐食させることが問題となっていた。ま
た塩素による塗布装置の腐食を解決するために三酸化ア
ンチモン（Sb2O3）を有機溶剤に溶解して得た塗布液を
用いる方法も知られているが、この方法では通常の拡散
温度1200℃〜1300℃で三酸化アンチモンが気散してしま
い半導体基板中にアンチモンが十分に拡散されない問題
がある。またこの塗布液は三酸化アンチモンの沈澱が生
じ易く保存安定性にも問題があった。これらの問題を解
決するため、アルコキシシランを部分加水分解したもの
と、アルコキシまたはフェノキシアンチモンとを溶解し
たシリカ系被膜形成被が知られている（特開昭63−6692
9）。
該シリカ系被膜形成液には３価か又は５価のアルコキ
シ又はフェノキシアンチモンが用いられる。ところが５
価のアルコキシ又はフェノキシアンチモンは沸点が高
く、従って蒸留による高純度化が困難である。因にSb
（OC2H5）３の沸点は約22℃/0.1mmHgであるが、Sb（OC2
H5）５の沸点は135〜145℃/0.1mmHgであり格段に高い。
一方、３価のアルコキシ又はフェノキシアンチモンは液
中で加水分解して沈澱を生じ易く、また溶液のゲル化を
起し易く、保存安定性に限界がある。
シ又はフェノキシアンチモンが用いられる。ところが５
価のアルコキシ又はフェノキシアンチモンは沸点が高
く、従って蒸留による高純度化が困難である。因にSb
（OC2H5）３の沸点は約22℃/0.1mmHgであるが、Sb（OC2
H5）５の沸点は135〜145℃/0.1mmHgであり格段に高い。
一方、３価のアルコキシ又はフェノキシアンチモンは液
中で加水分解して沈澱を生じ易く、また溶液のゲル化を
起し易く、保存安定性に限界がある。
本発明者等は、シリコン基板にアンチモンを拡散する
ための上記シリカ系被膜形成液について改良を試み、従
来用いられているアルコキシ又はフェノキシアンチモン
に代えてシロキシアンチモン化合物を用いれば溶液の保
存性が格段に向上し、且つ溶液の漏れ性も良く均一な被
膜を形成できることを見出した。
ための上記シリカ系被膜形成液について改良を試み、従
来用いられているアルコキシ又はフェノキシアンチモン
に代えてシロキシアンチモン化合物を用いれば溶液の保
存性が格段に向上し、且つ溶液の漏れ性も良く均一な被
膜を形成できることを見出した。
本発明はアルコキシシランの部分加水分解物と、シロ
キシアンチモン化合物とを溶解してなるアンチモン拡散
用組成物を提供する。
キシアンチモン化合物とを溶解してなるアンチモン拡散
用組成物を提供する。
本発明に用いられる前記シロキシアンチモン化合物
は、以下の一般式で示される化合物の中から選択され
る。
は、以下の一般式で示される化合物の中から選択され
る。
前記の式において、ＲおよびR1は、炭素数１から20の
アルキル基、アルコキシ基またはフェノキシ基である。
シロキシアンチモン化合物の具体例としては、次のよう
な化合物を挙げることができる。
アルキル基、アルコキシ基またはフェノキシ基である。
シロキシアンチモン化合物の具体例としては、次のよう
な化合物を挙げることができる。
トリス−トリメチルシロキシアンチモン、Sb〔OSi（C
H3）３〕３、 トリス−トリフェニルシロキシアンチモン、Sb〔OSi（C
6H5）３〕３、 トリス−トリブチルシロキシアンチモン、Sb〔OSi（C4H
9）３〕３、 ビス−トリメチルシロキシ−エトキシアンチモン、Sb
（OC2H5）〔OSi（CH3）３〕２、 ビス−トリメチルシロキシ−ブトキシアンチモン、Sb
（OC4H9）〔OSi（CH3）３〕２、 リメチルシロキシ−ジブトキシアンチモン、Sb〔OC
4H9）２〔OSi（CH3）３〕 トリス−トリエトキシシロキシアンチモン、Sb〔OSi（O
C2H5）３〕３ ビス−トリエトキシシロキシ−ブトキシアンチモン、Sb
（OC4H9）〔OSi（OC2H5）３〕２ トリエトキシシロキシ−ジブトキシアンチモン、Sb（OC
4H9）２〔OSi（OC2H5）３〕 メトキシジメチルシロキシ−ジブトキシアンチモン、Sb
（OC4H9）２〔OSi（CH3）２（OCH3）〕 トリス−トリエトキシシロキシアンチモン、Sb（OSiE
e3）３ トリス−トリ−ｔ−ブトキシシロキシアンチモン、Sb
〔OSi（Ｏ−ｔ−Bu）３〕３ トリス−トリ−ｓ−ブトキシシロキシアンチモン、Sb
〔OSi（Ｏ−ｓ−Bu）３〕３ Si（OSiR′３）３は、Bll,Chem.Soc.Jap.,42,1148（1
969）の方法により合成後、減圧蒸留により精製を行っ
た。
H3）３〕３、 トリス−トリフェニルシロキシアンチモン、Sb〔OSi（C
6H5）３〕３、 トリス−トリブチルシロキシアンチモン、Sb〔OSi（C4H
9）３〕３、 ビス−トリメチルシロキシ−エトキシアンチモン、Sb
（OC2H5）〔OSi（CH3）３〕２、 ビス−トリメチルシロキシ−ブトキシアンチモン、Sb
（OC4H9）〔OSi（CH3）３〕２、 リメチルシロキシ−ジブトキシアンチモン、Sb〔OC
4H9）２〔OSi（CH3）３〕 トリス−トリエトキシシロキシアンチモン、Sb〔OSi（O
C2H5）３〕３ ビス−トリエトキシシロキシ−ブトキシアンチモン、Sb
（OC4H9）〔OSi（OC2H5）３〕２ トリエトキシシロキシ−ジブトキシアンチモン、Sb（OC
4H9）２〔OSi（OC2H5）３〕 メトキシジメチルシロキシ−ジブトキシアンチモン、Sb
（OC4H9）２〔OSi（CH3）２（OCH3）〕 トリス−トリエトキシシロキシアンチモン、Sb（OSiE
e3）３ トリス−トリ−ｔ−ブトキシシロキシアンチモン、Sb
〔OSi（Ｏ−ｔ−Bu）３〕３ トリス−トリ−ｓ−ブトキシシロキシアンチモン、Sb
〔OSi（Ｏ−ｓ−Bu）３〕３ Si（OSiR′３）３は、Bll,Chem.Soc.Jap.,42,1148（1
969）の方法により合成後、減圧蒸留により精製を行っ
た。
またSb（OR）２（OSiR′３）,Sb（OR）（OSiR′３）
２の合成には次式のようにSb（OR）３と またはＲ′3SiOHとの反応により合成を行った。
２の合成には次式のようにSb（OR）３と またはＲ′3SiOHとの反応により合成を行った。
本発明の組成物は、前記シロキシアンチモン化合物と
アルコキシシランの部分加水分解物とを溶解してなる。
本発明に用いられるアルコキシシランは次の一般式で表
わされる。
アルコキシシランの部分加水分解物とを溶解してなる。
本発明に用いられるアルコキシシランは次の一般式で表
わされる。
（R2O）4-lSiRl 3 （ｌ＝１、２、３） 上記式中R2およびR3はアルキル基、アルコキシ基、ア
リル基、アリール基、グリシジルオキシアルキル基、ア
クリロキシアルキル基、メタクリロキシアルキル基、ビ
ニル基であり、ｌは０または１〜３の整数である。
リル基、アリール基、グリシジルオキシアルキル基、ア
クリロキシアルキル基、メタクリロキシアルキル基、ビ
ニル基であり、ｌは０または１〜３の整数である。
具体的には以下に例示する化合物が挙げられる。
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テト
ラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、モノメチ
ルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、モ
ノエチルトリエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラ
ン、ジフェニルジメトキシシラン、モノメチルトリエト
キシシラン、モノエチルトリブトキシシラン、ジエチル
ジブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラン、ビニ
ルメチルジメトキシシラン、ビニルエチルジエトキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリブトキシシラン、γ−アクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシプロピ
ルトリエトキシシラン、β−メタクリロキシエチルトリ
メトキシシラン、β−メタクリロキシエチルトリメトキ
シシラン、β−グリシジルオキシエチルトリメトキシシ
ラン。
ラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、モノメチ
ルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、モ
ノエチルトリエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラ
ン、ジフェニルジメトキシシラン、モノメチルトリエト
キシシラン、モノエチルトリブトキシシラン、ジエチル
ジブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラン、ビニ
ルメチルジメトキシシラン、ビニルエチルジエトキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリブトキシシラン、γ−アクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシプロピ
ルトリエトキシシラン、β−メタクリロキシエチルトリ
メトキシシラン、β−メタクリロキシエチルトリメトキ
シシラン、β−グリシジルオキシエチルトリメトキシシ
ラン。
本発明の組成物には該アルコキシシランのアルコキシ
基の一部が水酸基に加水分解された部分加水分解物が用
いられる。アルコキシシランが全て加水分解したものか
ら得た組成物は長期保存中にSiO2の沈澱又はゲルを生ず
る問題がある。上記アルコキシシランの部分加水分解物
は、該アルコキシシランを有機溶媒に溶解させ、適量の
水及び加水分解触媒として必要に応じ酸を添加し部分的
に加水分解を進めることにより得られる。この時の水の
添加量はアルコキシシラン１モル当り１〜３モルが最適
である。
基の一部が水酸基に加水分解された部分加水分解物が用
いられる。アルコキシシランが全て加水分解したものか
ら得た組成物は長期保存中にSiO2の沈澱又はゲルを生ず
る問題がある。上記アルコキシシランの部分加水分解物
は、該アルコキシシランを有機溶媒に溶解させ、適量の
水及び加水分解触媒として必要に応じ酸を添加し部分的
に加水分解を進めることにより得られる。この時の水の
添加量はアルコキシシラン１モル当り１〜３モルが最適
である。
上記アルコキシシランの部分加水分解物溶液と前記シ
ロキシアンチモン化合物を有機溶媒に、夫々溶解し、こ
れららの溶液を所定量混合し、さらに必要に応じ有機溶
媒で稀釈して塗布液を調製する。
ロキシアンチモン化合物を有機溶媒に、夫々溶解し、こ
れららの溶液を所定量混合し、さらに必要に応じ有機溶
媒で稀釈して塗布液を調製する。
本発明の組成液は、アルコキシアンチモンあるいはフ
ェノキシアンチモンを用いる従来の組成液に比べて溶液
の保存性が格段に良い。また溶液の濡れ性も良く均一な
被膜を形成できる。
ェノキシアンチモンを用いる従来の組成液に比べて溶液
の保存性が格段に良い。また溶液の濡れ性も良く均一な
被膜を形成できる。
以下、本発明の実施例を示す。
実施例１ テトラエトキシシラン111g（0.53モル）、水12.6g
（0.7モル）、イソプロピルアルコール（以下IPAと略記
する）188gおよびギ酸2.9gを混合し、室温で３日間反応
させることによってテトラエトキシシランの部分加水分
解物（SiO2換算10重量％）を得た。
（0.7モル）、イソプロピルアルコール（以下IPAと略記
する）188gおよびギ酸2.9gを混合し、室温で３日間反応
させることによってテトラエトキシシランの部分加水分
解物（SiO2換算10重量％）を得た。
一方、トリス−トリメチルシロキシアンチモン26.7g
（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g（0.069モ
ル）をIPA64.32gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の溶液を
得た。
（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g（0.069モ
ル）をIPA64.32gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の溶液を
得た。
上記両溶液を混合し、さらにIPAで稀釈してSiO2換算
６重量％、Sb2O3換算３重量％の塗布液とした。この塗
布液は室温で５ケ月放置しておいても沈澱やゲル化を生
じなかった。
６重量％、Sb2O3換算３重量％の塗布液とした。この塗
布液は室温で５ケ月放置しておいても沈澱やゲル化を生
じなかった。
この塗布液をシリコンウエハーに500r.p.m.で１秒間
塗布し、さらに2,300r.p.m.で10秒間塗布して均一な膜
を得た。次いでこのウエハーを150℃で１時間乾燥した
後、500℃で１時間、さらに1,250℃で２時間加熱してア
ンチモンを拡散させた。得られたシリコンウエハーの抵
抗値は14.0Ω／□であった。
塗布し、さらに2,300r.p.m.で10秒間塗布して均一な膜
を得た。次いでこのウエハーを150℃で１時間乾燥した
後、500℃で１時間、さらに1,250℃で２時間加熱してア
ンチモンを拡散させた。得られたシリコンウエハーの抵
抗値は14.0Ω／□であった。
実施例２ 実施例１と同量のテトラエトキシシランと水とをIPA1
91g、塩酸0.12gと混合し、実施例１と同様にしてテトラ
エトキシシランの部分加水分解物（SiO2換算10重量％）
を得た。
91g、塩酸0.12gと混合し、実施例１と同様にしてテトラ
エトキシシランの部分加水分解物（SiO2換算10重量％）
を得た。
一方ビス−トリメチルシロキシ−エトキシアンチモン
23.7g（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g（0.0
69モル）とをIPA67.4gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の
溶液を得た。
23.7g（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g（0.0
69モル）とをIPA67.4gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の
溶液を得た。
上記両溶液を混合し、IPAで稀釈してSiO2換算６重量
％、Sb2O3換算３重量％の塗布液を得た。塗布液の保存
性は実施例１と同様であった。
％、Sb2O3換算３重量％の塗布液を得た。塗布液の保存
性は実施例１と同様であった。
この塗布液をシリコンウエハー上に500r.p.m.、で１
秒間塗布し、さらに2,500r.p.m.で10秒間塗布して均一
な膜を得た。次いで実施例１と同一条件でアンチモンを
加熱、拡散させた。得られたシリコンウエハーの抵抗値
は13.4Ω／□であった。
秒間塗布し、さらに2,500r.p.m.で10秒間塗布して均一
な膜を得た。次いで実施例１と同一条件でアンチモンを
加熱、拡散させた。得られたシリコンウエハーの抵抗値
は13.4Ω／□であった。
実施例３ テトラエトキシシラン111g（0.53モル）、水14.4g
（0.8モル）、IPA189gおよび塩酸0.1gを混合し、実施例
１と同様にして部分加水分解物（SiO2換算10重量％）を
得た。
（0.8モル）、IPA189gおよび塩酸0.1gを混合し、実施例
１と同様にして部分加水分解物（SiO2換算10重量％）を
得た。
一方トリメチルシロキシジブトキシアンチモン24.5g
（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g（0.069モ
ル）をIPA66.6gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の溶液を
得た。
（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g（0.069モ
ル）をIPA66.6gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の溶液を
得た。
上記両溶液を混合し、IPAで稀釈して塗布液（SiO2換
算５重量％、Sb2O3換算2.3重量％）を得た。この塗布液
の保存性は実施例１と同様であった。
算５重量％、Sb2O3換算2.3重量％）を得た。この塗布液
の保存性は実施例１と同様であった。
この塗布液を実施例１と同一条件でシリコンウエハー
に塗布し、乾燥、加熱してアンチモンを拡散させた。該
シリコンウエハーの抵抗値は20.0Ω／□であった。
に塗布し、乾燥、加熱してアンチモンを拡散させた。該
シリコンウエハーの抵抗値は20.0Ω／□であった。
実施例４ 水を14.4g（0.8モル）、酸として硝酸0.1gを用いた以
外は実施例１と同一にしてテトラエトキシシランの部分
加水分解物（SiO2換算10重量％）を得た。
外は実施例１と同一にしてテトラエトキシシランの部分
加水分解物（SiO2換算10重量％）を得た。
一方、トリエトキシシロキシ−ジブトキシアンチモン
30.7g（0.069モル）とアセト酢酸メチル8.98g（0.069モ
ル）をIPA61.3gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の溶液を
得た。
30.7g（0.069モル）とアセト酢酸メチル8.98g（0.069モ
ル）をIPA61.3gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の溶液を
得た。
上記両溶液を混合し、IPAで稀釈して、SiO2換算４重
量％、Sb2O3換算２重量％の塗布液とした。塗布液の保
存性は実施例１と同様であった。
量％、Sb2O3換算２重量％の塗布液とした。塗布液の保
存性は実施例１と同様であった。
この塗布液を500r.p.m.で１秒間塗布し、さらに3,000
r.p.m.で10秒間塗布してシリコンウエハーに均一膜を得
た。次いで実施例１と同様に処理してアンチモンを拡散
させた。該シリコンウエハーの抵抗値は21.0Ω／□であ
った。
r.p.m.で10秒間塗布してシリコンウエハーに均一膜を得
た。次いで実施例１と同様に処理してアンチモンを拡散
させた。該シリコンウエハーの抵抗値は21.0Ω／□であ
った。
実施例５ 実施例３と同一条件でテトラエトキシシランの部分加
水分解物（SiO2換算10重量％）を得た。
水分解物（SiO2換算10重量％）を得た。
一方メトキシジメチルシロキシ−ジブトキシアンチモ
ン25.6g（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g
（0.069モル）をIPA65.5gに溶解し、Sb2O3換算10重量％
の溶液を得た。
ン25.6g（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g
（0.069モル）をIPA65.5gに溶解し、Sb2O3換算10重量％
の溶液を得た。
上記両溶液を混合し、IPAで稀釈してSiO2換算で４重
量％、Sb2O3換算で２重量％の塗布液とした。塗布液の
保存性は実施例１と同様であった。
量％、Sb2O3換算で２重量％の塗布液とした。塗布液の
保存性は実施例１と同様であった。
この塗布液を実施例４と同一条件でシリコンウエハー
に塗布し均一膜を得、実施例１と同様に処理した。該シ
リコンウエハーの抵抗値22.0Ω／□であった。
に塗布し均一膜を得、実施例１と同様に処理した。該シ
リコンウエハーの抵抗値22.0Ω／□であった。
実施例６ テトラエトキシシラン111g（0.53モル）、水14.4g
（0.8モル）、IPA188gおよび塩酸0.1gを混合し、実施例
１と同様にして部分加水分解物（SiO2換算10重量％）を
得た。
（0.8モル）、IPA188gおよび塩酸0.1gを混合し、実施例
１と同様にして部分加水分解物（SiO2換算10重量％）を
得た。
一方、トリス−トリ−ｔ−ブトキシシロキシアンチモ
ン62.5g（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g
（0.069モル）をIPA28.52gに溶解し、Sb2O3換算10重量
％の溶液を得た。
ン62.5g（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g
（0.069モル）をIPA28.52gに溶解し、Sb2O3換算10重量
％の溶液を得た。
上記溶液を混合し、IPAで稀釈して塗布液（SiO2換算
６重量％、Sb2O3換算４重量％）を得た。この塗布液の
保存性は実施例１と同様であった。
６重量％、Sb2O3換算４重量％）を得た。この塗布液の
保存性は実施例１と同様であった。
この塗布液を実施例１と同一条件でシリコンウエハー
に塗布し、乾燥、加熱してアンチモンを拡散させた。該
シリシリコンウエハーの抵抗値は18.3Ω／□であった。
に塗布し、乾燥、加熱してアンチモンを拡散させた。該
シリシリコンウエハーの抵抗値は18.3Ω／□であった。
実施例７ テトラエトキシシラン111g（0.53モル）、水14.4g
（0.8モル）、IPA188gおよび硝酸0.1gを混合し、実施例
１と同様にして部分加水分解物（SiO2換算10重量％）を
得た。
（0.8モル）、IPA188gおよび硝酸0.1gを混合し、実施例
１と同様にして部分加水分解物（SiO2換算10重量％）を
得た。
一方、トリス−トリ−ｓ−ブトキシシロキシアンチモ
ン62.58g（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g
（0.069モル）をIPA28.52gに溶解し、Sb2O3換算10重量
％の溶液を得た。
ン62.58g（0.069モル）とオキソブタン酸エチル8.98g
（0.069モル）をIPA28.52gに溶解し、Sb2O3換算10重量
％の溶液を得た。
上記両溶液を混合し、IPAで稀釈して塗布液（SiO2換
算４重量％、Sb2O3換算２重量％）を得た。この塗布液
の保存性は実施例１と同様であった。
算４重量％、Sb2O3換算２重量％）を得た。この塗布液
の保存性は実施例１と同様であった。
この塗布液を実施例１と同一条件でシリコンウエハー
に塗布し、乾燥、加熱してアンチモンを拡散させた。該
シリシリコンウエハーの抵抗値は21.4Ω／□であった。
に塗布し、乾燥、加熱してアンチモンを拡散させた。該
シリシリコンウエハーの抵抗値は21.4Ω／□であった。
比較例１ テトラエトキシシラン111g（0.53モル）、水14.4g
（0.8モル）、IPA188gおよび塩酸0.1gを混合し、室温で
３日間反応させることによってテトラエトキシシランの
部分加水分解物（SiO2換算10重量％）を得た。
（0.8モル）、IPA188gおよび塩酸0.1gを混合し、室温で
３日間反応させることによってテトラエトキシシランの
部分加水分解物（SiO2換算10重量％）を得た。
一方、トリブトキシアンチモン23.38g（0.069モル）
とオキソブタン酸エチル8.98g（0.069モル）をIPA28.52
gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の溶液を得た。
とオキソブタン酸エチル8.98g（0.069モル）をIPA28.52
gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の溶液を得た。
上記溶液を混合し、IPAで稀釈し、SiO2換算６重量
％、Sb2O3換算６重量％の塗布液を得た。上記塗布液を
室温で２ケ月放置したところゲル化した。
％、Sb2O3換算６重量％の塗布液を得た。上記塗布液を
室温で２ケ月放置したところゲル化した。
比較例２ テトラエトキシシラン111g（0.53モル）、水12.6g
（0.7モル）、イソプロピルアルコール（IPA）191gおよ
び塩酸0.12gを混合し、室温で３日間反応させることに
よってテトラエトキシシランの部分加水分解物（SiO2換
算10重量％）を得た。
（0.7モル）、イソプロピルアルコール（IPA）191gおよ
び塩酸0.12gを混合し、室温で３日間反応させることに
よってテトラエトキシシランの部分加水分解物（SiO2換
算10重量％）を得た。
また一方でトリエトキシアンチモン17.61g（0.069モ
ル）とオキソブタン酸エチル8.98g（0.069モル）をIPA7
3.41gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の溶液を得た。
ル）とオキソブタン酸エチル8.98g（0.069モル）をIPA7
3.41gに溶解し、Sb2O3換算10重量％の溶液を得た。
上記両溶液を混合し、IPAで稀釈し、SiO2換算６重量
％、Sb2O3換算３重量％の塗布液を得た。上記塗布液を
室温で２ケ月放置したところゲル化した。
％、Sb2O3換算３重量％の塗布液を得た。上記塗布液を
室温で２ケ月放置したところゲル化した。
Claims (2)
- 【請求項１】アルコキシシランの部分加水分解物と、シ
ロキシアンチモン化合物とを溶解してなるアンチモン拡
散用組成物。 - 【請求項２】シロキシアンチモン化合物が以下の一般式
で示される化合物の中から選択される第１請求項のアン
チモン拡散用組成物。 （Ｒ、R1は炭素数１から20のアルキル基、アルコキシ基
またはフェノキシ基）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25527589A JP2712637B2 (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | アンチモン拡散用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25527589A JP2712637B2 (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | アンチモン拡散用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122098A JPH03122098A (ja) | 1991-05-24 |
| JP2712637B2 true JP2712637B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=17276489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25527589A Expired - Lifetime JP2712637B2 (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | アンチモン拡散用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712637B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005025933B3 (de) * | 2005-06-06 | 2006-07-13 | Centrotherm Photovoltaics Gmbh + Co. Kg | Dotiergermisch für die Dotierung von Halbleitern |
| JP5493573B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2014-05-14 | ソニー株式会社 | ドーピング方法、および半導体装置の製造方法 |
| RU2649392C2 (ru) * | 2014-04-11 | 2018-04-03 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова Российской академии наук (ИСПМ РАН) | Функциональные металлосилоксаны, продукты их частичного гидролиза и их применение |
-
1989
- 1989-10-02 JP JP25527589A patent/JP2712637B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03122098A (ja) | 1991-05-24 |
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