JP2708534B2 - マグネトロンの組立方法 - Google Patents

マグネトロンの組立方法

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マグネトロンの組立方法、特にその陰極構
体の組立方法を改良したマグネトロンの組立方法に関す
るものである。
〔従来の技術〕
第5図は電子レンジ等に用いられるマグネトロンの管
球本体の要部縦断面図を示す図である。1は熱電子を放
出するフィラメント、2は内部に空胴共振器を形成する
陽極で、管球本体の外部からの磁力線を前記フィラメン
ト1と陽極2で形成される作用空間に集中させる磁極3,
4があり、これらを包含する形でシール円筒5,6が陽極2
の円筒部に当接されている。アンテナセラミック12は、
陽極2の特定のベインから延在するアンテナ9を囲み、
前記シール円筒6と排気管10を保持する排気管サポート
11に接合され、発生するマイクロ波の放射窓となる。フ
ィラメント1は、熱電子の管軸方向への逸脱を防止する
上エンドシールド20,下エンドシールド21に挟持され、
前記上エンドシールド20,下エンドシールド21は各々Mo
などの高融点金属からなるセンタリード22a、サイドリ
ード23aが延長して、ステムセラミック8に固着されて
いる。センタリード22a、サイドリード23aはさらにステ
ムセラミック8を貫通して設けられている外部導出リー
ド25,26に中継板6を介して接続されている。この外部
導出リード25,26は陰極端子7に接続されている。ここ
でフィラメント1はトリウムタングステン線の表面を炭
化処理した素材であるため脆いので外部からの振動によ
る破断を防止する目的で、センタリード22a、サイドリ
ード23aを真空容器内部で挿通する絶縁体からなるスペ
ーサ24を設けている。従来より広く普及している陰極構
体は、そのステムセラミックの両端面にメタライズ処理
がなされ、また、リードの補強手段としてスペーサを付
加したり、スペーサそのものの構造に係るものであっ
た。このような従来の構成は特開昭61−34828号公報に
も示されている。
第3図は、ステムセラミック8の近傍部分の構造を示
す縦断面図、第4図はそのX−X′切断位置から見たス
テム部の平面概略図である。センタリード22a,サイドリ
ード23aは中継板27を介し、外部導出リード25,26と接続
されている。ここで、中継板6、センタリード22a,サイ
ドリード23a,外部導出リード25,26およびシール金属円
筒5は、ステムセラミック8上のメタライズ面30と気密
にAgろう付接続される。上記部品は、組立治具を用い、
組立治具に組み込んだ状態で、約850℃程度の炉で銀ろ
うを溶かし、ろう付される。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術においては、下記の問題点があった。
(1)中継板27にウエイトが加わらず、中継板27のろう
付がうまくできない。
(2)センタリード22a,サイドリード23aの組立精度が
出にくい。センタリード22a,サイドリード23aがよじれ
てしまう。
(3)組立作業が困難である。
本発明の目的は、上記問題点を解決するマグネトロン
の組立方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、センタリード,サイドリ
ード及び外部導出リードを予じめ、中継板を仮止めし、
サブアセンブリしておく。仮止めの手段は、溶接、圧
着、かしめ、いずれでも良い。この時点で、センタリー
ドおよびサイドリードの組立精度を確保しておき、組立
治具に投入し、ろう付けする。
〔作用〕
(1)中継板のろう付け不良 サブアセンブリされたセンタリード,サイドリード,
外部導出リード及び中継板が、ステムセラミックに組み
込まれた状態では、中継板がろう付けされるステムセラ
ミックのメタライズ面には、センタリード,サイドリー
ドおよび外部導出リードの重量が、荷重として加わり、
良好なろう付けが得られる。
(2)センタリードおよびサイドリードの組立精度 良好なマグネトロンの特性(効率)を得るには、第3
図に示す各エンドシールドとフィラメントの同軸精度を
上げておく必要がある。この精度を組立治具で得ること
は困難である。つまり、組立治具は、850℃の各部品の
熱膨張を配慮した設計となっており、組立治具と各部品
は、多少のガタをもたせている。このガタが、センタリ
ード,サイドリードのよじれを誘発し、同軸精度の向上
を阻害する。本発明は、常温にて、サブアセンブリする
ので上記問題はなく、精度の良いマグネトロンの組立方
法を提供できる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図および第2図により
説明する。
第1図はサイドリード23a,外部導出リード26と中継板
27の組立方法を示すものであり、同図(a)はその斜視
図を、同図(b)は上面図、同図(c)は縦断面図を示
す。下エンドシールド21,モリブデン(Mo)からなるサ
イドリード23a,鉄−ニッケル(Fe−Ni)合金からなる中
継板27,鉄からなる外部導出リード26を組立ててサブア
センブリを完成する。中継板27とサイドリード23a,外部
導出リード26との溶接個所を図中Wで示してある。この
時点で、フィラメント1を支持する下エンドシールドの
位置は高精度に取付けることが出来る(偏心度など)。
第2図はセンタリード22a,外部導出リード25と中継板
27の組立方法を示すものであり、同図(b)はその斜視
図を、同図(b)は上面図、同図(c)は縦断面図を示
す。モリブデン(Mo)からなるセンタリード22a,鉄−ニ
ッケル(Fe−Ni)合金からなる中継板27,鉄からなる外
部導出リード25を組立ててサブアセンブリを完成する。
中継板27とセンタリード22a,外部導出リード25との溶接
個所を図中Wで示す。
これら二つのサブアセンブリを予じめ完成した後で、
マグネトロンの陰極構体の組立を行うことにより組立の
単純化及び中継板のろう付け不良は完全に解消すること
ができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ステムセラミックと中継板のろう付
け作業時において、中継板にセンタリード,サイドリー
ド,および外部導出リードの自重が加わり、良好なろう
付けがされる。また、サブアセンブリされる時点で組立
精度を確保することが出来るので、当然、陰極構体にお
いても、良好な組立精度が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a),(b),(c)はそれぞれ本発明の一実
施例であるサイドリードサブアセンブリの斜視図,上面
図および縦断面図、第2図(a),(b),(c)はそ
れぞれ本発明の一実施例であるセンタリードサブアセン
ブリの斜視図,上面図および縦断面図、第3図は本発明
を説明するためのマグネトロンのステムセラミック近傍
の要部縦断面図、第4図は第3図のX−X′切断位置か
ら見たステム部の平面概略図、第5図はマグネトロンの
構造を説明するためのマグネトロン要部縦断面図であ
る。 1……フィラメント、2……ステムセラミック、20……
上エンドシールド、21……下エンドシールド、22a……
センタリード、23a……サイドリード、25,26……外部導
出リード、27……中継板。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】外部導出リードが貫通するステムセラミッ
    ク上のメタライズ面にフィラメントを支持するリードと
    前記外部導出リードを接続する金属中継板を配設し、銀
    ろう接続する構造のマグネトロンの組立方法において、
    フィラメントを支持するリード及び外部導出リードを予
    じめ、中継板と仮止めし、後でステムセラミックにろう
    付けを行うことを特徴とするマグネトロンの組立方法。
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