JP2705653B2 - Electronic device assembly and method of manufacturing the same - Google Patents
Electronic device assembly and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイスを実装す
るための電子デバイス組立体に関し、特に、電子デバイ
スが実装された第１の基板とこの第１の基板を実装する
ための第２の基板を含む電子デバイス組立体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic device assembly for mounting an electronic device, and more particularly, to a first substrate on which the electronic device is mounted and a second substrate for mounting the first substrate. The present invention relates to an electronic device assembly including a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の電子デバイス組立体の一例は、米
国特許公報５，２０３，０７５号に掲載されている。2. Description of the Related Art An example of a conventional electronic device assembly is disclosed in U.S. Pat. No. 5,203,075.
【０００３】同公報第１０図を参照すると、半導体デバ
イス４３は、柔軟性基板３１上に実装されている。柔軟
性基板３１は、ハンダにより、基板１３に接続されてい
る。Referring to FIG. 10, a semiconductor device 43 is mounted on a flexible substrate 31. The flexible substrate 31 is connected to the substrate 13 by solder.
【０００４】同公報第６図および第９図を参照すると、
柔軟性基板３１と基板１３とは、ハンダ付け部材３２お
よびハンダペースト２７により接続されている。ハンダ
付け部材３２の一部は、柔軟性基板３１に設けられたス
ルーホール内に侵入している。Referring to FIGS. 6 and 9 of the publication,
The flexible substrate 31 and the substrate 13 are connected by a soldering member 32 and a solder paste 27. A part of the soldering member 32 has penetrated into a through hole provided in the flexible substrate 31.
【０００５】上述の構造の製造過程において、柔軟性基
板３１の平坦性を保ち、柔軟性基板３１と基板１３の間
に所定の間隙を設けることが必要である。柔軟性基板３
１の平坦性が悪いと、接続部分の信頼性が低下する。In the manufacturing process of the above structure, it is necessary to keep the flatness of the flexible substrate 31 and to provide a predetermined gap between the flexible substrate 31 and the substrate 13. Flexible substrate 3
If the flatness of (1) is poor, the reliability of the connection portion is reduced.
【０００６】同公報第１０図を再び参照すると、柔軟性
基板３１の平坦性を保つために、フレーム部材４７によ
り、柔軟性基板３１の両端が基板３１に固定されてい
る。柔軟性基板３１は、引き延ばされ、平坦性を保つ。Referring to FIG. 10 again, both ends of the flexible substrate 31 are fixed to the substrate 31 by a frame member 47 in order to maintain the flatness of the flexible substrate 31. The flexible substrate 31 is stretched and keeps flatness.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術は、フレーム部材４７を設け、柔軟性基板３１
の両端をこれに固定するための製造ステップを要すると
いう問題があった。However, in the above-mentioned prior art, the frame member 47 is provided and the flexible substrate 31 is provided.
There is a problem in that a manufacturing step is required to fix both ends of this to this.
【０００８】このため、本発明の目的は、電子デバイス
組立体の基板間接続部分の信頼性を向上することにあ
る。Therefore, an object of the present invention is to improve the reliability of a connection portion between substrates of an electronic device assembly.
【０００９】本発明の他の目的は、電子デバイスが実装
されたキャリア基板の平坦性を向上することにある。Another object of the present invention is to improve the flatness of a carrier substrate on which an electronic device is mounted.
【００１０】本発明の他の目的は、基板間の接続が容易
な電子デバイス組立体を提供することにある。Another object of the present invention is to provide an electronic device assembly that allows easy connection between substrates.
【００１１】本発明の他の目的は、基板間の接続不良が
容易に確認できる電子デバイス組立体を提供することに
ある。Another object of the present invention is to provide an electronic device assembly in which a connection failure between substrates can be easily confirmed.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明の電子デバイス組立体は、剛性を有し第１お
よび第２の面を有しスルーホールが設けられ前記第２の
面の前記スルーホールの周囲に第１のパッドが設けられ
た第１の基板と、第１および第２の面を有し前記第１の
面に第２のパッドが設けられ前記第１の面が前記第１の
基板の前記第２の面と対向する第２の基板と、前記第１
の基板の前記第１のパッドと前記第２の基板の前記第２
のパッドとを接続し少なくとも一部が前記第１の基板の
前記スルーホール内に位置するハンダとを含む。In order to achieve the above object, an electronic device assembly according to the present invention has rigidity, has first and second surfaces, is provided with a through hole, and has a second surface. A first substrate provided with a first pad around the through hole, a first substrate provided with first and second surfaces, a second pad provided on the first surface, and A second substrate facing the second surface of the first substrate;
The first pad of the second substrate and the second pad of the second substrate
And at least a part of the solder is connected to the pad of the first substrate and located in the through hole of the first substrate.
【００１３】集積回路チップ等の電子デバイスは、前記
第１の基板上に実装される。An electronic device such as an integrated circuit chip is mounted on the first substrate.
【００１４】第１〜第４の実施例では、前記第１の基板
がセラミックシートを含む。In the first to fourth embodiments, the first substrate includes a ceramic sheet.
【００１５】第１〜第５の実施例では、前記第１の基板
が柔軟性基板と、この柔軟性基板に取り付けられた剛性
を有する板とを含む。In the first to fifth embodiments, the first substrate includes a flexible substrate and a rigid plate attached to the flexible substrate.
【００１６】前記スルーホールがテーパを有しても良
い。さらに、前記第１および第２のパッドの間に、核が
介在しても良い。[0016] The through hole may have a taper. Further, a nucleus may be interposed between the first and second pads.
【００１７】本発明の電子デバイス組立体の製造方法
は、前記第２の基板の前記第２のパッドの上にハンダを
設ける第１のステップと、前記第１の基板の前記第１の
パッドが前記ハンダの上に位置するように、前記第１の
基板を位置づける第２のステップと、前記ハンダを加熱
して、前記ハンダの一部を前記第１の基板の前記スルー
ホール内に侵入させる第３のステップとを含む。In the method of manufacturing an electronic device assembly according to the present invention, a first step of providing solder on the second pad of the second substrate, and the first pad of the first substrate may include: A second step of positioning the first substrate so as to be positioned on the solder, and a step of heating the solder to cause a portion of the solder to enter the through-hole of the first substrate. 3 steps.
【００１８】前記製造方法は、前記第１の基板の前記第
１の面に前記ハンダが出現したことを確認する第４のス
テップを含んでも良い。The manufacturing method may include a fourth step of confirming that the solder has appeared on the first surface of the first substrate.
【００１９】[0019]
【実施例】次に、本発明の第１の実施例の電子デバイス
組立体について、図面を参照して説明する。Next, an electronic device assembly according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２０】図１を参照すると、第１の実施例の電子デ
バイス組立体は、セラミックシート４と、セラミックシ
ート４に実装されたＬＳＩチップ１とを含む。セラミッ
クシート４は、ＬＳＩチップ１を実装するためのキャリ
ア基板である。Referring to FIG. 1, the electronic device assembly according to the first embodiment includes a ceramic sheet 4 and an LSI chip 1 mounted on the ceramic sheet 4. The ceramic sheet 4 is a carrier substrate on which the LSI chip 1 is mounted.
【００２１】ＬＳＩチップ１は、一辺１７．５ｍｍの正
方形を呈する。ＬＳＩチップ１の周辺部には、約８００
の入出力端子が、約８０μｍピッチで配置されている。The LSI chip 1 has a square shape with a side of 17.5 mm. In the peripheral area of the LSI chip 1, about 800
Are arranged at a pitch of about 80 μm.
【００２２】セラミックシート４は、剛性を有する材料
で形成される。具体的には、ホウケイ酸鉛系のガラスセ
ラミックが好ましい。このほか、スエアタイト、フォル
ステライト、コーディエライト、および、ムライトなど
のガラスセラミックも使用可能である。さらに、アルミ
ナ、ジルコニア、および、シリカ等のセラミックでもよ
い。The ceramic sheet 4 is formed of a material having rigidity. Specifically, a lead borosilicate glass ceramic is preferred. In addition, glass ceramics such as squarite, forsterite, cordierite, and mullite can be used. Further, ceramics such as alumina, zirconia, and silica may be used.
【００２３】セラミックシート４は、一辺４３ｍｍの正
方形を呈する。セラミックシート４の厚さは約２００μ
ｍである。後述するハンダの吸い上げを考慮すると、セ
ラミックシート４の厚さは約２００〜１０００μｍが好
ましい。セラミックシート４の反りは、２０μｍ以下で
あることが好ましい。The ceramic sheet 4 has a square shape with a side of 43 mm. The thickness of the ceramic sheet 4 is about 200 μ
m. In consideration of solder absorption described later, the thickness of the ceramic sheet 4 is preferably about 200 to 1000 μm. The warpage of the ceramic sheet 4 is preferably 20 μm or less.
【００２４】セラミック多層配線基板とは異なり、セラ
ミックシート４内部には配線層は設けられていない。Unlike the ceramic multilayer wiring board, no wiring layer is provided inside the ceramic sheet 4.
【００２５】セラミックシート４の中央には、デバイス
ホール７が設けられている。デバイスホール７は、一辺
１８．２ｍｍの正方形を呈する。A device hole 7 is provided at the center of the ceramic sheet 4. The device hole 7 has a square shape with a side of 18.2 mm.
【００２６】セラミックシート４の上面および下面に
は、導体パターン２およびパッド６が、それぞれ設けら
れている。導体パターン２およびパッド６は、厚さ約１
０〜２５μｍの銅により形成される。パッド６は、直径
約４００μｍの円形である。パッド６の表面には、電解
メッキにより、厚さ１〜５μｍの金がメッキされてい
る。この金が、パッド６のハンダ濡れ性を向上する。The conductor pattern 2 and the pad 6 are provided on the upper and lower surfaces of the ceramic sheet 4, respectively. The conductor pattern 2 and the pad 6 have a thickness of about 1
It is formed of copper of 0 to 25 μm. The pad 6 is circular with a diameter of about 400 μm. The surface of the pad 6 is plated with gold having a thickness of 1 to 5 μm by electrolytic plating. This gold improves the solder wettability of the pad 6.
【００２７】セラミックシート４には、直径約２００μ
ｍのスルーホール５が設けられている。スルーホール５
の内側面には、導体パターン２０が形成されている。導
体パターン２０により、導体パターン２およびパッド６
が接続される。The ceramic sheet 4 has a diameter of about 200 μm.
m through holes 5 are provided. Through hole 5
The conductor pattern 20 is formed on the inner surface of the. The conductor pattern 20 allows the conductor pattern 2 and the pad 6
Is connected.
【００２８】セラミックシート４の表面には、インナー
リード３が形成される。インナーリード３の一端は、導
体パターン２に接続される。インナーリード３の他端
は、デバイスホール７に延出し、ＬＳＩチップ１の入出
力端子に接続される。The inner lead 3 is formed on the surface of the ceramic sheet 4. One end of the inner lead 3 is connected to the conductor pattern 2. The other end of the inner lead 3 extends to the device hole 7 and is connected to an input / output terminal of the LSI chip 1.
【００２９】次に、セラミックシート４を基板に実装し
た場合の構造について説明する。Next, the structure when the ceramic sheet 4 is mounted on a substrate will be described.
【００３０】図２（ｃ）を参照すると、実装基板９の上
面には、銅によりパッド１２が形成されている。パッド
１２は直径約６００μｍの円形である。実装基板９のパ
ッド１２と、セラミックシート４のパッド６とは、ハン
ダ８により接続されている。ハンダ８の一部はスルーホ
ール５に侵入し、セラミックシート４の上面に出現して
いる。Referring to FIG. 2C, a pad 12 is formed of copper on the upper surface of the mounting board 9. The pad 12 is circular with a diameter of about 600 μm. The pads 12 of the mounting board 9 and the pads 6 of the ceramic sheet 4 are connected by solder 8. Part of the solder 8 enters the through hole 5 and appears on the upper surface of the ceramic sheet 4.
【００３１】実装基板９は、例えば、ガラスエポキシ基
板、または、セラミック基板である。実装基板９は、内
部に配線層を有する多層配線基板であっても良い。The mounting substrate 9 is, for example, a glass epoxy substrate or a ceramic substrate. The mounting board 9 may be a multilayer wiring board having a wiring layer inside.
【００３２】次に、セラミックシート４を実装基板９に
接続するための方法について説明する。Next, a method for connecting the ceramic sheet 4 to the mounting board 9 will be described.
【００３３】図２（ａ）を参照すると、第１のステップ
において、パッド１２の上にハンダ８が設けられる。ハ
ンダ８の容積は、約３×１０11ｍ3 である。ハンダ８
は、例えば、スクリーン印刷により、パッド１２上に設
けられる。ハンダ８の材料として、スズ／鉛、スズ／鉛
／アンチモン、スズ／鉛／カドミウム、および、スズ／
鉛／インジウムを挙げることが出来る。本実施例では、
スズ／鉛ハンダが用いられている。Referring to FIG. 2A, in a first step, solder 8 is provided on pad 12. The volume of the solder 8 is about 3 × 10 11 m 3 . Solder 8
Is provided on the pad 12 by screen printing, for example. As the material of the solder 8, tin / lead, tin / lead / antimony, tin / lead / cadmium, and tin / lead
Lead / indium can be mentioned. In this embodiment,
Tin / lead solder is used.
【００３４】図２（ｂ）を参照すると、第２のステップ
において、パッド６がハンダ８上に位置するように、セ
ラミックシート４が位置づけられる。セラミックシート
４には、予め、ＬＳＩチップ１が取り付けられている。Referring to FIG. 2B, in the second step, the ceramic sheet 4 is positioned so that the pad 6 is positioned on the solder 8. The LSI chip 1 is attached to the ceramic sheet 4 in advance.
【００３５】図２（ｃ）を参照すると、第３のステップ
において、リフロー処理により、ハンダ８が加熱され
る。加熱温度は、２００℃〜２５０℃である。この加熱
によりハンダ８は溶解し、その一部はスルーホール５内
部に吸い上げられる。所定時間の加熱の後、ハンダ８は
冷却される。冷却後、セラミックシート４の上面から、
スルーホール５内部を観察することにより、ハンダ８の
接続状態が確認できる。ハンダ８の一部がセラミックシ
ート４の上面に出現していれば、ハンダ８の接続は正常
である。Referring to FIG. 2C, in the third step, the solder 8 is heated by the reflow process. The heating temperature is from 200C to 250C. The solder 8 is melted by this heating, and a part thereof is sucked into the through hole 5. After heating for a predetermined time, the solder 8 is cooled. After cooling, from the upper surface of the ceramic sheet 4,
By observing the inside of the through hole 5, the connection state of the solder 8 can be confirmed. If a part of the solder 8 appears on the upper surface of the ceramic sheet 4, the connection of the solder 8 is normal.
【００３６】この第３のステップにおいて、セラミック
シート４は剛性を失わず、殆ど変形しない。セラミック
シート４は、実装基板９に対して平行な位置関係を保
つ。セラミックシート４全面において、パッド６とパッ
ド１２の間に均一な間隙が設けられる。In the third step, the ceramic sheet 4 does not lose its rigidity and hardly deforms. The ceramic sheet 4 maintains a parallel positional relationship with the mounting substrate 9. A uniform gap is provided between the pad 6 and the pad 12 over the entire surface of the ceramic sheet 4.
【００３７】以上の接続方法ではパッド１２のみにハン
ダ８が設けられたが、さらにパッド６にハンダバンプを
設けても良い。このハンダバンプの材料は、ハンダ８の
ものと異なっても良い。In the above connection method, the solder 8 is provided only on the pad 12, but a solder bump may be provided on the pad 6. The material of the solder bump may be different from that of the solder 8.
【００３８】以上のように、第１の実施例では、剛性を
有するセラミックシート４をキャリア基板として用いた
ため、キャリア基板を平坦に保つ必要がない。具体的に
は、キャリア基板の引き延ばしは不要であり、このため
の用具も不要である。As described above, in the first embodiment, since the rigid ceramic sheet 4 is used as the carrier substrate, it is not necessary to keep the carrier substrate flat. Specifically, it is not necessary to extend the carrier substrate, and no tools are required for this purpose.
【００３９】また、第１の実施例では、セラミックシー
ト４上面へのハンダの出現の有無により接続不良が識別
できるので、キャリア基板と実装基板との間の接続確認
が容易である。In the first embodiment, a connection failure can be identified by the presence or absence of solder on the upper surface of the ceramic sheet 4, so that it is easy to confirm the connection between the carrier substrate and the mounting substrate.
【００４０】次に、本発明の第２の実施例について、図
面を参照して説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００４１】図３を参照すると、第２の実施例の電子デ
バイス組立体は、セラミックシート４の構造、および、
セラミックシート４とＬＳＩチップ１の接続構造におい
て第１の実施例のものと相違する。この他の構造および
機能は、第１の実施例のものと同じである。Referring to FIG. 3, the electronic device assembly according to the second embodiment has a structure of a ceramic sheet 4 and
The connection structure between the ceramic sheet 4 and the LSI chip 1 is different from that of the first embodiment. Other structures and functions are the same as those of the first embodiment.
【００４２】図３を参照すると、第２の実施例のセラミ
ックシート４は、デバイスホール７を有さない。また、
セラミックシート４の厚さは、約２００μｍである。セ
ラミックシート４の上面中央部には、複数のパッド１１
が設けられている。この他のセラミックシート４の構造
および材料は、第１の実施例のものと同じである。Referring to FIG. 3, the ceramic sheet 4 of the second embodiment has no device hole 7. Also,
The thickness of the ceramic sheet 4 is about 200 μm. At the center of the upper surface of the ceramic sheet 4, a plurality of pads 11
Is provided. Other structures and materials of the ceramic sheet 4 are the same as those of the first embodiment.
【００４３】ＬＳＩチップ１は、セラミックシート４上
に、フェイスダウン実装されている。具体的には、ＬＳ
Ｉチップ１下面の入出力端子と、セラミックシート４上
面のパッド１１とが、ハンダバンプ１０を介して接続さ
れている。The LSI chip 1 is mounted face down on a ceramic sheet 4. Specifically, LS
Input / output terminals on the lower surface of the I chip 1 and pads 11 on the upper surface of the ceramic sheet 4 are connected via solder bumps 10.
【００４４】次に、セラミックシート４と実装基板９の
接続方法について説明する。Next, a method of connecting the ceramic sheet 4 and the mounting board 9 will be described.
【００４５】図４（ａ）〜（ｃ）を参照すると、第１の
実施例の第１〜第３のステップと本質的に同様なプロセ
スにより、セラミックシート４と実装基板９とが接続さ
れる。Referring to FIGS. 4A to 4C, the ceramic sheet 4 and the mounting substrate 9 are connected by a process essentially similar to the first to third steps of the first embodiment. .
【００４６】次に、本発明の第３の実施例について、図
面を参照して説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００４７】第３の実施例の特徴は、スルーホール５の
構造にあり、他の構造および機能は、第１の実施例のも
のと同じである。The feature of the third embodiment lies in the structure of the through hole 5, and the other structures and functions are the same as those of the first embodiment.
【００４８】図５を参照すると、第３の実施例のスルー
ホール５には、テーパが設けられている。具体的には、
スルーホール５の直径は、セラミックシート４下面にお
いて約４００μｍ、セラミックシート４上面において約
２００μｍである。Referring to FIG. 5, the through hole 5 of the third embodiment is tapered. In particular,
The diameter of the through hole 5 is about 400 μm on the lower surface of the ceramic sheet 4 and about 200 μm on the upper surface of the ceramic sheet 4.
【００４９】次に、本発明の第４の実施例について、図
面を参照して説明する。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００５０】第４の実施例の特徴は、パッド６とパッド
１２の間に核２１が設けられた点にあり、他の構造およ
び機能は第３の実施例のものと同じである。The feature of the fourth embodiment is that a nucleus 21 is provided between the pad 6 and the pad 12, and other structures and functions are the same as those of the third embodiment.
【００５１】図６を参照すると、パッド６とパッド１２
の間には、核２１が設けられる。核２１は、ハンダ８の
加熱工程で溶解しない材料で形成される。核２１は、例
えば、金属またはセラミックである。核２１の上部は、
スルーホール５の内側面に係合している。核２１によ
り、パッド６とパッド１２の間の間隔を、精密に設定す
ることが出来る。Referring to FIG. 6, pad 6 and pad 12
A nucleus 21 is provided between them. The core 21 is formed of a material that does not melt in the heating step of the solder 8. The core 21 is, for example, metal or ceramic. The upper part of the nucleus 21
The inner surface of the through hole 5 is engaged. The nucleus 21 allows the distance between the pad 6 and the pad 12 to be set precisely.
【００５２】次に、本発明の第５の実施例について、図
面を参照して説明する。Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００５３】図７および図８を参照すると、第５の実施
例の電子デバイス組立体は、ＬＳＩチップ１０１と、Ｌ
ＳＩチップ１０１の上面に取り付けられた放熱板１０８
と、ＬＳＩチップ１０１が実装された柔軟性基板１０３
と、柔軟性基板１０３の下面に取り付けられた板１０６
とを有する。Referring to FIGS. 7 and 8, an electronic device assembly according to a fifth embodiment comprises an LSI chip 101
Heat sink 108 attached to the upper surface of SI chip 101
And a flexible substrate 103 on which the LSI chip 101 is mounted.
And a plate 106 attached to the lower surface of the flexible substrate 103
And
【００５４】ＬＳＩチップ１０１の構造は、第１の実施
例のＬＳＩチップ１のものと同じである。ＬＳＩチップ
１０１の端子は、柔軟性基板１０３のインナーリードに
接続されている。ＬＳＩチップ１０１とインナーリード
の接続部分は、封止樹脂１０２により封止されている。The structure of the LSI chip 101 is the same as that of the LSI chip 1 of the first embodiment. The terminals of the LSI chip 101 are connected to the inner leads of the flexible substrate 103. The connecting portion between the LSI chip 101 and the inner lead is sealed with a sealing resin 102.
【００５５】ＬＳＩチップ１０１の上面には、接着剤１
１７が塗布される。この接着剤１１７を介して、放熱板
１０８が、ＬＳＩチップ１０１の上面に取り付けられ
る。接着剤１１７には、良好な熱伝導率が要求される。
例えば、エポキシ系接着剤に銀粉末を混入したものが好
適である。On the upper surface of the LSI chip 101, an adhesive 1
17 is applied. The heat sink 108 is attached to the upper surface of the LSI chip 101 via the adhesive 117. The adhesive 117 is required to have good thermal conductivity.
For example, a material obtained by mixing silver powder into an epoxy adhesive is preferable.
【００５６】柔軟性基板１０３の上面には、導体パター
ン１０４が設けられる。柔軟性基板１０３は、直径約１
５０μｍのスルーホール１０５を有する。スルーホール
１０５は、１．２７ｍｍピッチの格子状に配置されてい
る。スルーホール１０５の内側面には、導体パターン１
２０が設けられる。柔軟性基板１０３の下面のスルーホ
ール１０５の周囲には、パッド１２１が設けられる。パ
ッド１２１は、直径約４００μｍの円形である。A conductive pattern 104 is provided on the upper surface of the flexible substrate 103. The flexible substrate 103 has a diameter of about 1
It has a through hole 105 of 50 μm. The through holes 105 are arranged in a grid pattern at a pitch of 1.27 mm. The conductor pattern 1 is provided on the inner surface of the through hole 105.
20 are provided. Pads 121 are provided around the through holes 105 on the lower surface of the flexible substrate 103. The pad 121 has a circular shape with a diameter of about 400 μm.
【００５７】導体パターン１０４は、スルーホール１０
５を包囲する円形の部分と、この円形部分とインナーリ
ードを接続する線状の部分とを含む。円形部分の直径
は、約２５０μｍである。直線部分の幅および厚さは、
それぞれ、約４０μｍおよび約２５μｍである。The conductor pattern 104 is formed in the through hole 10.
5 and a linear portion connecting the circular portion and the inner lead. The diameter of the circular part is about 250 μm. The width and thickness of the straight part are
They are about 40 μm and about 25 μm, respectively.
【００５８】導体パターン１０４、導体パターン１２
０、および、パッド１２１は、銅で形成され、表面には
金がメッキされている。Conductor pattern 104, conductor pattern 12
The 0 and the pad 121 are formed of copper, and the surface is plated with gold.
【００５９】柔軟性基板１０３の材料は、耐熱性および
寸法安定性が良好で、導体パターン１０４が容易に接着
できるものが選ばれる。本実施例では、厚さ約５０μｍ
のポリイミドが採用されている。この他に、フッ素系フ
ィルム、もしくは、エポキシ系フィルムなども使用でき
る。As the material of the flexible substrate 103, a material having good heat resistance and dimensional stability and capable of easily adhering the conductor pattern 104 is selected. In this embodiment, the thickness is about 50 μm.
Is employed. In addition, a fluorine-based film or an epoxy-based film can be used.
【００６０】板１０６は、柔軟性基板１０３を平坦に保
つためのスティフナとして働く。このため、板１０６は
剛性を有する絶縁性材料から形成されなくてはならな
い。本実施例では、板１０６は、厚さ約２００μｍのア
ルミナ製セラミック基板である。また、加熱時の変形を
防止するため、板１０６の熱膨張率が柔軟性基板１０３
のものとほぼ等しいことが好ましい。この条件を満たす
材料として、ポリイミドおよびポリイミドエーテルを挙
げることが出来る。The plate 106 functions as a stiffener for keeping the flexible substrate 103 flat. For this reason, the plate 106 must be formed from a rigid insulating material. In this embodiment, the plate 106 is an alumina ceramic substrate having a thickness of about 200 μm. Further, in order to prevent deformation during heating, the coefficient of thermal expansion of the
Preferably, it is approximately equal to Materials satisfying this condition include polyimide and polyimide ether.
【００６１】板１０６のうち、柔軟性基板１０３のスル
ーホール１０５と対応する位置には、直径約５００μｍ
の穴１１６が設けられている。穴１１６の内側面にメッ
キを施しても良い。A portion of the plate 106 corresponding to the through hole 105 of the flexible substrate 103 has a diameter of about 500 μm.
Hole 116 is provided. The inner surface of the hole 116 may be plated.
【００６２】板１０６は、接着剤１０７により柔軟性基
板１０３の下面に接着される。柔軟性基板１０３の下面
は接着剤１０７で被覆されるが、パッド１２１は穴１１
６から露出する。接着剤１０７には、耐熱性、絶縁性、
および、耐マイグレーション性が要求される。本実施例
では、エポキシ系接着剤が接着剤１０７として採用され
ている。The plate 106 is bonded to the lower surface of the flexible substrate 103 with an adhesive 107. The lower surface of the flexible substrate 103 is covered with the adhesive 107, but the pad 121 is
Exposed from 6. The adhesive 107 has heat resistance, insulation,
In addition, migration resistance is required. In the present embodiment, an epoxy adhesive is used as the adhesive 107.
【００６３】次に、本実施例の電子デバイス組立体を、
実装基板１０９へ接続するための方法について説明す
る。Next, the electronic device assembly of this embodiment is
A method for connecting to the mounting board 109 will be described.
【００６４】図９（ａ）を参照すると、実装基板１０９
の上面には、柔軟性基板１０３のスルーホール１０５に
対応する位置に、銅製のパッド１１０が設けられてい
る。本実施例では、実装基板１０９はガラスエポキシ基
板である。パッド１１０は、直径約２００μｍの円形で
ある。実装基板１０９の上面のパッド１１０以外の部分
は、ハンダレジスト１１１で被覆される。Referring to FIG. 9A, the mounting substrate 109
A copper pad 110 is provided on the upper surface of the flexible substrate 103 at a position corresponding to the through hole 105. In this embodiment, the mounting board 109 is a glass epoxy board. The pad 110 has a circular shape with a diameter of about 200 μm. Portions other than the pads 110 on the upper surface of the mounting board 109 are covered with a solder resist 111.
【００６５】第１のステップにおいて、パッド１１０上
に、ハンダペースト１１２が塗布される。ハンダペース
ト１１２は、パッド１１０を越えて、その周辺部にも塗
布されても良い。In a first step, a solder paste 112 is applied on the pad 110. The solder paste 112 may be applied beyond the pad 110 and around the pad.
【００６６】図９（ｂ）を参照すると、第２のステップ
において、球状のハンダ１１８が、ハンダペースト１１
２上に載置される。ハンダペースト１１２およびハンダ
１１８は、約２００〜２５０℃で約３０秒〜１分間加熱
され、接合される。接合後のハンダ１１８の高さは、板
１０６の厚さよりも高くなくてはならない。Referring to FIG. 9B, in the second step, the spherical solder 118 is
2 is placed. The solder paste 112 and the solder 118 are heated at about 200 to 250 ° C. for about 30 seconds to 1 minute and joined. The height of the solder 118 after bonding must be higher than the thickness of the plate 106.
【００６７】図９（ｃ）を参照すると、第３のステップ
において、スルーホール１０５が対応するハンダ１１８
上に位置するように、柔軟性基板１０３が位置づけられ
る。Referring to FIG. 9C, in the third step, the through holes 105 correspond to the corresponding solders 118.
The flexible substrate 103 is positioned so as to be positioned above.
【００６８】図９（ｄ）を参照すると、第４のステップ
において、ハンダペースト１１２およびハンダ１１８
が、約２００〜２５０℃で約３０秒〜１分間加熱され
る。この加熱により、ハンダペースト１１２およびハン
ダ１１８は溶解し、その一部はスルーホール１０５の内
部に侵入する。これにより、パッド１１０とパッド１２
１が接続される。この加熱の際、導体パターン１０４を
実装基板１０９に向けて押圧しても良い。スルーホール
１０５に侵入したハンダの一部は、導体パターン１０４
の上面に出現する。このハンダの出現を確認することに
より、パッド１１０とパッド１２１の接続不良を識別で
きる。具体的には、少なくともハンダの一部が柔軟性基
板１０３の上面に出現していれば、接続が正常に完了し
たことが判る。Referring to FIG. 9D, in the fourth step, solder paste 112 and solder 118
Is heated at about 200-250 ° C. for about 30 seconds to 1 minute. Due to this heating, the solder paste 112 and the solder 118 are melted, and a part of the solder paste 112 and the solder 118 enter the through holes 105. As a result, the pad 110 and the pad 12
1 is connected. During this heating, the conductor pattern 104 may be pressed toward the mounting board 109. A part of the solder that has entered the through hole 105
Appear on the upper surface of. By confirming the appearance of the solder, the connection failure between the pad 110 and the pad 121 can be identified. Specifically, if at least a part of the solder appears on the upper surface of the flexible substrate 103, it is understood that the connection has been normally completed.
【００６９】第４のステップにおいて、柔軟性基板１０
３は殆ど変形せず、平坦性を保つ。板１０６に支持され
るためである。柔軟性基板１０３は、実装基板１０９に
対して平行な位置関係を保つ。柔軟性基板１０３全面に
おいて、パッド１１０とパッド１２１の間に均一な間隙
が設けられる。In the fourth step, the flexible substrate 10
No. 3 hardly deforms and keeps flatness. This is because it is supported by the plate 106. The flexible board 103 maintains a parallel positional relationship with the mounting board 109. A uniform gap is provided between the pad 110 and the pad 121 on the entire surface of the flexible substrate 103.
【００７０】次に、第５の実施例の効果について、図面
を参照して説明する。Next, the effect of the fifth embodiment will be described with reference to the drawings.
【００７１】第５の実施例では、剛性を有する板１０６
により、柔軟性基板１０３を支持したため、キャリア基
板である柔軟性基板１０３を平坦に保つ必要はない。例
えば、キャリア基板の引き延ばしは不要であり、このた
めの用具も不要である。In the fifth embodiment, the rigid plate 106
Accordingly, since the flexible substrate 103 is supported, it is not necessary to keep the flexible substrate 103 as a carrier substrate flat. For example, there is no need to extend the carrier substrate, and no tools are required for this purpose.
【００７２】また、第５の実施例では、柔軟性基板１０
３上面へのハンダの出現の有無により接続不良が識別で
きるので、キャリア基板と実装基板との間の接続確認が
容易である。In the fifth embodiment, the flexible substrate 10
(3) Since a connection failure can be identified by the presence or absence of solder on the upper surface, it is easy to check the connection between the carrier substrate and the mounting substrate.
【００７３】次に、本発明の第６の実施例について、図
面を参照して説明する。Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００７４】第６の実施例の特徴は、板１０６の取り付
け位置にあり、他の構造および機能は第５の実施例のも
のと同じである。The feature of the sixth embodiment lies in the mounting position of the plate 106, and other structures and functions are the same as those of the fifth embodiment.
【００７５】図１０を参照すると、第６の実施例では、
柔軟性基板１０３の上面に、板１０６が取り付けられ
る。Referring to FIG. 10, in the sixth embodiment,
The plate 106 is mounted on the upper surface of the flexible substrate 103.
【００７６】第６の実施例は、ハンダ１１８の高さとは
無関係に、板１０６の厚さを設定できるという効果を有
する。The sixth embodiment has an effect that the thickness of the plate 106 can be set irrespective of the height of the solder 118.
【００７７】次に、本発明の第７の実施例について、図
面を参照して説明する。Next, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００７８】第７の実施例の特徴は、板１０６の構造に
あり、他の構造および機能は第５の実施例のものと同じ
である。The feature of the seventh embodiment resides in the structure of the plate 106, and other structures and functions are the same as those of the fifth embodiment.
【００７９】図１１を参照すると、第７の実施例の板１
０６は、金属板１１４とこれを被覆する絶縁被膜１１５
とを含む。絶縁被膜１１５として、有機絶縁膜や、アル
ミナ等のセラミックなどが使用できる。Referring to FIG. 11, the plate 1 of the seventh embodiment
Reference numeral 06 denotes a metal plate 114 and an insulating coating 115 covering the metal plate 114.
And As the insulating film 115, an organic insulating film, a ceramic such as alumina, or the like can be used.
【００８０】次に、本発明の第８の実施例について、図
面を参照して説明する。Next, an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００８１】本実施例の特徴は、スルーホール１０５の
構造にあり、他の構造および機能は第５の実施例のもの
と同じである。The feature of the present embodiment lies in the structure of the through hole 105, and the other structures and functions are the same as those of the fifth embodiment.
【００８２】図１２を参照すると、第８の実施例のスル
ーホール１０５には、テーパが設けられている。具体的
には、スルーホール１０５の直径は、柔軟性基板１０３
下面において約４００μｍ、柔軟性基板１０３上面にお
いて約１５０μｍである。Referring to FIG. 12, the through hole 105 of the eighth embodiment is provided with a taper. Specifically, the diameter of the through hole 105 is
The thickness is about 400 μm on the lower surface and about 150 μm on the upper surface of the flexible substrate 103.
【００８３】次に、本発明の第９の実施例について、図
面を参照して説明する。Next, a ninth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００８４】第９の実施例の特徴は、パッド１１０とパ
ッド１２１の間に核１２２が設けられた点にあり、他の
構造および機能は第８の実施例のものと同じである。The ninth embodiment is characterized in that a nucleus 122 is provided between a pad 110 and a pad 121, and the other structures and functions are the same as those of the eighth embodiment.
【００８５】図１３を参照すると、パッド１１０とパッ
ド１２１の間には、核１２２が設けられる。核１２２
は、ハンダペースト１１２およびハンダ１１８の加熱工
程で溶解しない材料で形成される。核１２２は、例え
ば、金属またはセラミックである。核１２２の上部は、
スルーホール１０５の内側面に係合している。核１２２
により、パッド１１０およびパッド１２１の間の間隔
を、精密に設定することが出来る。Referring to FIG. 13, a core 122 is provided between pad 110 and pad 121. Nucleus 122
Is formed of a material that does not dissolve in the heating step of the solder paste 112 and the solder 118. The core 122 is, for example, metal or ceramic. The upper part of the nucleus 122
The inner surface of the through hole 105 is engaged. Nucleus 122
Thereby, the interval between the pad 110 and the pad 121 can be set precisely.
【００８６】[0086]
【発明の効果】本発明は、キャリア基板に剛性を与えた
ため、キャリア基板を平坦に保つための用具を不要とす
る効果がある。According to the present invention, since the rigidity is given to the carrier substrate, there is an effect that a tool for keeping the carrier substrate flat is unnecessary.
【００８７】また、ハンダがスルーホールを通ってキャ
リア基板の上面に出現したことにより接続確認ができる
ので、キャリア基板と実装基板の間の接続確認が容易で
あるという効果も有する。Further, since the connection can be confirmed by the appearance of the solder on the upper surface of the carrier substrate through the through-hole, the connection between the carrier substrate and the mounting substrate can be easily confirmed.
【図１】本発明の第１の実施例の電子デバイス組立体の
構造を示す図。FIG. 1 is a view showing the structure of an electronic device assembly according to a first embodiment of the present invention.
【図２】第１の実施例の電子デバイス組立体を実装基板
に接続するための方法を示す図。FIG. 2 is a view showing a method for connecting the electronic device assembly according to the first embodiment to a mounting board.
【図３】本発明の第２の実施例の電子デバイス組立体の
構造を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a structure of an electronic device assembly according to a second embodiment of the present invention.
【図４】第２の実施例の電子デバイス組立体を実装基板
に接続するための方法を示す図。FIG. 4 is a view showing a method for connecting the electronic device assembly according to the second embodiment to a mounting board.
【図５】本発明の第３の実施例の電子デバイス組立体の
構造を示す図。FIG. 5 is a view showing the structure of an electronic device assembly according to a third embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第４の実施例の電子デバイス組立体の
構造を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a structure of an electronic device assembly according to a fourth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第５の実施例の電子デバイス組立体の
構造を示す図。FIG. 7 is a view showing the structure of an electronic device assembly according to a fifth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第５の実施例の電子デバイス組立体の
構造を示す図。FIG. 8 is a view showing the structure of an electronic device assembly according to a fifth embodiment of the present invention.
【図９】第５の実施例の電子デバイス組立体を実装基板
に接続するための方法を示す図。FIG. 9 is a view showing a method for connecting the electronic device assembly according to the fifth embodiment to a mounting board.
【図１０】本発明の第６の実施例の電子デバイス組立体
の構造を示す図。FIG. 10 is a view showing the structure of an electronic device assembly according to a sixth embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第７の実施例の電子デバイス組立体
の構造を示す図。FIG. 11 is a view showing the structure of an electronic device assembly according to a seventh embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の第８の実施例の電子デバイス組立体
の構造を示す図。FIG. 12 is a view showing the structure of an electronic device assembly according to an eighth embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の第９の実施例の電子デバイス組立体
の構造を示す図。FIG. 13 is a view showing the structure of an electronic device assembly according to a ninth embodiment of the present invention.
１ ＬＳＩチップ ２ 導体パターン ３ インナーリード ４ セラミックシート ５ スルーホール ６ パッド ７ デバイスホール ８ ハンダ ９ 実装基板 １０ ハンダバンプ １１ パッド １２ パッド ２０ 導体パターン ２１ 核 １０１ ＬＳＩチップ １０２ 封止樹脂 １０３ 柔軟性基板 １０４ 導体パターン １０５ スルーホール １０６ 板 １０７ 接着剤 １０８ 放熱板 １０９ 実装基板 １１０ パッド １１１ ハンダレジスト １１２ ハンダペースト １１４ 金属板 １１５ 絶縁被膜 １１６ 穴 １１７ 接着剤 １１８ ハンダ １２０ 導体パターン １２１ パッド １２２ 核 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 LSI chip 2 Conductor pattern 3 Inner lead 4 Ceramic sheet 5 Through hole 6 Pad 7 Device hole 8 Solder 9 Mounting board 10 Solder bump 11 Pad 12 Pad 20 Conductor pattern 21 Nucleus 101 LSI chip 102 Sealing resin 103 Flexible board 104 Conductor pattern Reference Signs List 105 through hole 106 plate 107 adhesive 108 heat sink 109 mounting board 110 pad 111 solder resist 112 solder paste 114 metal plate 115 insulating film 116 hole 117 adhesive 118 solder 120 conductive pattern 121 pad 122 nucleus
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−259223（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−31869（ＪＰ，Ａ) 実開 昭53−24259（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−152444（ＪＰ，Ｕ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-5-259223 (JP, A) JP-A-8-31869 (JP, A) Japanese Utility Model Application No. 53-24259 (JP, U) Japanese Utility Model Application No. Sho 62- 152444 (JP, U)
Claims (16)
し、スルーホールが設けられ、前記第２の面の前記スル
ーホールの周囲に第１のパッドが設けられた第１の基板
と、 第１および第２の面を有し、前記第１の面に第２のパッ
ドが設けられ、前記第１の面が前記第１の基板の前記第
２の面と対向する第２の基板と、 前記第１の基板の前記第１のパッドと前記第２の基板の
前記第２のパッドとを接続し、少なくとも一部が前記第
１の基板の前記スルーホール内に位置するハンダとを含
み、 前記第１の基板が、 第１および第２の面を有し、前記スルーホールが設けら
れ、前記第２の面に前記第１のパッドが設けられた柔軟
性基板と、 剛性を有し、前記柔軟性基板に取り付けられ、前記柔軟
性基板の前記パッドに対応する位置に穴を有する板と を
含むことを特徴とする電子デバイス組立体。A first pad having stiffness, having first and second surfaces, a through hole provided, and a first pad provided around the through hole on the second surface; A second substrate having a substrate and first and second surfaces, wherein a second pad is provided on the first surface, and wherein the first surface is opposed to the second surface of the first substrate. And a solder connecting the first pad of the first substrate and the second pad of the second substrate, at least a portion of which is located in the through hole of the first substrate. Including
Seen, the first substrate has first and second surfaces, said through hole is provided, et al
And the second surface is provided with the first pad.
And sex board, rigid, attached to the flexible substrate, the flexible
A plate having a hole at a position corresponding to the pad on the conductive substrate .
とする請求項１記載の電子デバイス組立体。2. The electronic device assembly according to claim 1, wherein said plate is made of ceramic .
に取り付けられることを特徴とする請求項１記載の電子
デバイス組立体。3. An electronic device assembly of claim 1, wherein said plate is attached to the second surface of the flexible substrate.
に取り付けられることを特徴とする請求項１記載の電子
デバイス組立体。4. The electronic device assembly of claim 1, wherein said plate is attached to the first side of the flexible substrate.
請求項１記載の電子デバイス組立体。5. The electronic device assembly of claim 1 wherein said plate is characterized in that it comprises an insulator.
る絶縁被膜を含むことを特徴とする請求項１記載の電子
デバイス組立体。Wherein said plate, an electronic device assembly according to claim 1, comprising an insulating coating covering the metal plate and the metal plate.
れた電子デバイスを含むことを特徴とする請求項１記載
の電子デバイス組立体。7. The electronic device assembly according to claim 1, further comprising an electronic device mounted on the first surface of the first substrate.
し、テーパ状に形成されたスルーホールが設けられ、前
記第２の面の前記スルーホールの周囲に第１のパッドが
設けられた第１の基板と、 第１および第２の面を有し、前記第１の面に第２のパッ
ドが設けられ、前記第１の面が前記第１の基板の前記第
２の面と対向する第２の基板と、 前記第１の基板の前記第１のパッドと前記第２の基板の
前記第２のパッドとを接続し、少なくとも一部が前記第
１の基板の前記スルーホール内に位置するハンダとを含
むことを特徴とする電子デバイス組立体。8. rigid, has first and second surfaces, the scan is tapered Ruhoru is provided, the first pad around the through hole of the second surface A first substrate provided, a first and a second surface, a second pad is provided on the first surface, and the first surface is a second pad of the first substrate. A second substrate facing a surface, connecting the first pad of the first substrate and the second pad of the second substrate, at least a part of the through hole of the first substrate; An electronic device assembly comprising: a solder positioned in a hole.
し、スルーホールが設けられ、前記第２の面の前記スル
ーホールの周囲に第１のパッドが設けられた第１の基板
と、 第１および第２の面を有し、前記第１の面に第２のパッ
ドが設けられ、前記第１の面が前記第１の基板の前記第
２の面と対向する第２の基板と、 前記第１の基板の前記第１のパッドと前記第２の基板の
前記第２のパッドとを接続し、少なくとも一部が前記第
１の基板の前記スルーホール内に位置するハンダと、 前記第１の基板の前記第１のパッドと前記第２の基板の
前記第２のパッドの間に位置し、前記ハンダよりも融点
の高い核と を含むことを特徴とする電子デバイス組立
体。9. A first device having rigidity, having first and second surfaces, a through-hole provided, and a first pad provided around the through-hole on the second surface. A second substrate having a substrate and first and second surfaces, wherein a second pad is provided on the first surface, and wherein the first surface is opposed to the second surface of the first substrate. And a solder connecting the first pad of the first substrate and the second pad of the second substrate, at least a portion of which is located in the through hole of the first substrate. And a first pad of the first substrate and a second pad of the second substrate.
Located between the second pads and has a lower melting point than the solder
An electronic device assembly comprising: a core having a high density.
し、スルーホールが設けられ、前記第２の面の前記スル
ーホールの周囲にパッドが設けられた柔軟性基板と、 剛性を有し、前記柔軟性基板に取り付けられ、前記柔軟
性基板の前記パッドに対応する位置に穴を有する板とを
含むことを特徴とする電子デバイス組立体。10. A flexible substrate having stiffness, having first and second surfaces, provided with through holes, and provided with pads around the through holes on the second surface. And a plate attached to the flexible substrate and having a hole at a position corresponding to the pad on the flexible substrate.
スルーホールが設けられ前記第２の面の前記スルーホー
ルの周囲に第１のパッドが設けられた第１の基板と、第
１および第２の面を有し前記第１の面に第２のパッドが
設けられた第２の基板とを接続するための電子デバイス
組立体の製造方法において、 前記第２の基板の前記第２のパッドの上にハンダを設け
る第１のステップと、 前記第１の基板の前記第１のパッドが前記ハンダの上に
位置するように、前記第１の基板を位置づける第２のス
テップと、 前記ハンダを加熱して、前記ハンダの一部を前記第１の
基板の前記スルーホール内に侵入させる第３のステップ
とを含むことを特徴とする電子デバイス組立体の製造方
法。11. A first substrate having rigidity and having first and second surfaces, a through hole provided, and a first pad provided around the through hole on the second surface; A method of manufacturing an electronic device assembly for connecting a second substrate having first and second surfaces and having a second pad provided on the first surface, comprising: A first step of providing solder on a second pad; and a second step of positioning the first substrate such that the first pad of the first substrate is positioned on the solder. A step of heating the solder to allow a part of the solder to enter the through-hole of the first substrate.
ハンダが出現したことを確認する第４のステップを含む
ことを特徴とする請求項１１記載の電子デバイス組立体
の製造方法。12. The method for manufacturing an electronic device assembly according to claim 11, further comprising a fourth step of confirming that the solder has appeared on the first surface of the first substrate.
テップにおいて前記核が前記第１の基板を前記第２の基
板上に支持することを特徴とする請求項１１記載の電子
デバイス組立体の製造方法。13. The electronic device set according to claim 11, wherein the solder has a core, and the core supports the first substrate on the second substrate in the third step. 3D manufacturing method.
とを特徴とする請求項１１記載の電子デバイス組立体の
製造方法。14. The method according to claim 11, wherein the through hole has a taper.
するセラミックシートと、 このセラミックシート上に設けられ前記デバイスホール
に延出するインナーリードと、 前記セラミックシート上に設けられ、前記インナーリー
ドと前記スルーホールを接続する導体パターンとを含む
ことを特徴とする電子デバイス組立体。15. A ceramic sheet having a device hole and a through hole; an inner lead provided on the ceramic sheet and extending to the device hole; and an inner lead and the through hole provided on the ceramic sheet. An electronic device assembly comprising:
１０００μｍのセラミックシートと、 このセラミックシート上に設けられたパッドと、 前記セラミックシート上に設けられ、前記パッドと前記
スルーホールとを接続する導体パターンとを含むことを
特徴とする電子デバイス組立体。16. A thickness having a through hole of about 200 to
An electronic device assembly, comprising: a 1000 μm ceramic sheet; a pad provided on the ceramic sheet; and a conductor pattern provided on the ceramic sheet and connecting the pad and the through hole.
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|---|---|---|---|
| JP7195026A JP2705653B2 (en) | 1994-08-31 | 1995-07-31 | Electronic device assembly and method of manufacturing the same |
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| JP6-206431 | 1994-08-31 | ||
| JP23653194 | 1994-09-30 | ||
| JP6-236531 | 1994-09-30 | ||
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