JP2705029B2 - プラズマによる基板表面処理方法及びそれに使用する装置 - Google Patents
プラズマによる基板表面処理方法及びそれに使用する装置Info
- Publication number
- JP2705029B2 JP2705029B2 JP63145986A JP14598688A JP2705029B2 JP 2705029 B2 JP2705029 B2 JP 2705029B2 JP 63145986 A JP63145986 A JP 63145986A JP 14598688 A JP14598688 A JP 14598688A JP 2705029 B2 JP2705029 B2 JP 2705029B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- plasma generator
- processing chamber
- generator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/42—Plasma torches using an arc with provisions for introducing materials into the plasma, e.g. powder, liquid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプラズマを用いて基板の表面を処理する方法
とその方法を実施する反応装置に関する。
とその方法を実施する反応装置に関する。
［従来の技術］ 上記の方法は、ISPC−VII会議の議事録（アインドホ
ーベン,1985年 698−703頁）やSASP議事録（オーバー
ドローン，オーストリア 1986年,181−187頁）により
知られている。この公知の方法によると、その刊行物に
記載されているように、ガス体の反応物質を用いたプラ
ズマデポジションだけに適している。プラズマ生成と表
面処理は、プラズマが、真空装置の中で超音波拡散によ
って強く流れるプラズマ噴流の形で処理されるべき基板
に移された後、カスケードアークで反応装置内に生起さ
れる限り、空間的に達成される。そしてこの基板は反応
プラズマ部のエネルギーを増大させるために余分な放射
部を形成する。
ーベン,1985年 698−703頁）やSASP議事録（オーバー
ドローン，オーストリア 1986年,181−187頁）により
知られている。この公知の方法によると、その刊行物に
記載されているように、ガス体の反応物質を用いたプラ
ズマデポジションだけに適している。プラズマ生成と表
面処理は、プラズマが、真空装置の中で超音波拡散によ
って強く流れるプラズマ噴流の形で処理されるべき基板
に移された後、カスケードアークで反応装置内に生起さ
れる限り、空間的に達成される。そしてこの基板は反応
プラズマ部のエネルギーを増大させるために余分な放射
部を形成する。
このような方法においてはカスケードアークの例外は
あるが、プラズマは公知の技術によると種々の異なった
形、例えば容量的または誘動的に関連されたラジオ周波
数（RF）波、マイクロ波または他の直流（DC）あるいは
交流アーク（AC）や放電といった方法で生起される。
あるが、プラズマは公知の技術によると種々の異なった
形、例えば容量的または誘動的に関連されたラジオ周波
数（RF）波、マイクロ波または他の直流（DC）あるいは
交流アーク（AC）や放電といった方法で生起される。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記の刊行物に記載された方法を実施しようとすると
数多くの問題に遭遇する。第１に、プラズマ発生器に反
応する混合ガスを直接入れるため、高温（例えば2000ケ
ルビンより高い温度）プラズマ発生用にカソードが用い
られる場合、プラズマが汚染される。この場合これらの
カソードは装置から生じる反応原子（炭素，ハロゲンお
よび酸素など）と好ましくない反応を起し、ガス、ガス
状のもの蒸発物または昇華物といった化合物を生成して
プラズマを汚染しカソード摩耗の原因となる。第２に導
伝性個体（例えばタングステンまたはグラファイト）が
カソードに用いられておりその分子（または細片）の存
在が表面処理工程に好ましくない。この欠点は主として
発生する熱がカソードを部分的に溶かして蒸発させるの
でプラズマの汚染が更に促進される。
数多くの問題に遭遇する。第１に、プラズマ発生器に反
応する混合ガスを直接入れるため、高温（例えば2000ケ
ルビンより高い温度）プラズマ発生用にカソードが用い
られる場合、プラズマが汚染される。この場合これらの
カソードは装置から生じる反応原子（炭素，ハロゲンお
よび酸素など）と好ましくない反応を起し、ガス、ガス
状のもの蒸発物または昇華物といった化合物を生成して
プラズマを汚染しカソード摩耗の原因となる。第２に導
伝性個体（例えばタングステンまたはグラファイト）が
カソードに用いられておりその分子（または細片）の存
在が表面処理工程に好ましくない。この欠点は主として
発生する熱がカソードを部分的に溶かして蒸発させるの
でプラズマの汚染が更に促進される。
第３に、上記刊行物に記載された方法は、仮に表面処
理が液体または固体である物質のみにより行われる場合
に適用できないガス状の反応工程に対して不向きであ
る。第４に、第１の引例刊行物（そこから引用されて更
に第２の刊行物にも記載されている）では、アノード
の、プラズマがそこを通って放射される孔が、所謂ソニ
ックノズルが存在するプラズマチャンネル（4mm）より
小さい径（刊行物では1mm）を有する必要があり、この
ソニックノズルが流れに予期しないよどみをもたらし、
好ましくない箇所に沈着を起す。
理が液体または固体である物質のみにより行われる場合
に適用できないガス状の反応工程に対して不向きであ
る。第４に、第１の引例刊行物（そこから引用されて更
に第２の刊行物にも記載されている）では、アノード
の、プラズマがそこを通って放射される孔が、所謂ソニ
ックノズルが存在するプラズマチャンネル（4mm）より
小さい径（刊行物では1mm）を有する必要があり、この
ソニックノズルが流れに予期しないよどみをもたらし、
好ましくない箇所に沈着を起す。
第５に、刊行物によると基板に作用される熱負荷は、
本質的にエネルギー及びアクチブなプラズマ粒子の密度
化を変えることによってのみ影響されるが、この工程自
体が好ましくない、その理由は表面処理の品質も亦本質
的に変化するからである（例えばプラズマデボジション
の場合の沈着の品質）。紹介されている熱負荷の影響
（主として減少）は耐えられる熱に限度のある基板にと
っては重大である。
本質的にエネルギー及びアクチブなプラズマ粒子の密度
化を変えることによってのみ影響されるが、この工程自
体が好ましくない、その理由は表面処理の品質も亦本質
的に変化するからである（例えばプラズマデボジション
の場合の沈着の品質）。紹介されている熱負荷の影響
（主として減少）は耐えられる熱に限度のある基板にと
っては重大である。
第６に、刊行物記載の方法を採用した場合、材料効率
即ち、実際に作用させる箇所（この場合には基板）に到
達する微量な反応物質に対しては影響されない。
即ち、実際に作用させる箇所（この場合には基板）に到
達する微量な反応物質に対しては影響されない。
本発明の目的は引用した原理で操作される上記欠陥の
ない方法とそれを実施する装置を提供することにある。
ない方法とそれを実施する装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段および作用］ 本発明の処理方法は、少なくとも１つのプラズマ発生
器内で生起されるプラズマで基板の表面を処理する方法
であって、前記プラズマ発生器が少なくとも１つのプラ
ズマ入口によって、圧力がプラズマ発生器内部の圧力よ
り低くなっているプラズマ処理室に連結され、前記プラ
ズマ発生器から生起されるプラズマの流れが前記入口を
通って前記プラズマ処理室に流れるとともに、プラズマ
生成物の流入のための少なくとも一つの反応物用入口が
前記プラズマ発生器に連結されかつプラズマ発生器また
はカスケードアークにて形成される主放電部に対して被
処理基板がもう１つの放電の一部を形成できかつプラズ
マ発生器がフラッシングガスによってフラッシュされ、
フラッシングガスがカソードを過ぎた後、ガス状または
液体反応物が先ずプラズマ発生器の下流側に供給され
る。
器内で生起されるプラズマで基板の表面を処理する方法
であって、前記プラズマ発生器が少なくとも１つのプラ
ズマ入口によって、圧力がプラズマ発生器内部の圧力よ
り低くなっているプラズマ処理室に連結され、前記プラ
ズマ発生器から生起されるプラズマの流れが前記入口を
通って前記プラズマ処理室に流れるとともに、プラズマ
生成物の流入のための少なくとも一つの反応物用入口が
前記プラズマ発生器に連結されかつプラズマ発生器また
はカスケードアークにて形成される主放電部に対して被
処理基板がもう１つの放電の一部を形成できかつプラズ
マ発生器がフラッシングガスによってフラッシュされ、
フラッシングガスがカソードを過ぎた後、ガス状または
液体反応物が先ずプラズマ発生器の下流側に供給され
る。
また、本発明の好適な実施態様によれば、フラッシン
グガスがカソードを過ぎた後、ガス状または液体反応物
が先ずプラズマ発生器の上流側に供給される。更に、本
発明の他の実施態様によれば、フラッシングガスが形成
されている分子がカソード材料と反応する粒子を含まな
い。また、カソードに対する反応物（部分）のバック拡
散が、少なくとも毎秒１メートルの率より好ましくは少
なくとも毎秒10メートルの率で強力に弱められるかまた
は阻止され、操作中にカソードの温度がカソードの溶融
点以下に維持される。更に発明の実施態様によれば、液
体反応物がプラズマ発生器に、その壁に設けた、径が0.
0001から0.5mmの、より好ましくは0.005から0.1mmの径
を有する少なくとも１つの孔を通して入れられ、孔の前
の液圧がプラズマ発生器内の圧力より大きく構成され
る。プラズマ処理室内及び／またはプラズマ発生器内に
少なくとも１つの放電が存在しその放電がガス状になっ
て固体形状の反応物の中へ行われても良く、プラズマ処
理室がポンプアウトされる率が毎秒零から100000リット
ル、より好ましくは50から1000リットルに調節可能でも
ある。更に、プラズマ発生器で生起されるプラズマ噴流
の径が活性の状態に左右され、スキマーによってプラズ
マ噴流を供給することによって活性が影響される。更
に、磁場を生起することによって活性が影響され、プラ
ズマ発生器への反応物の追加が前記プラズマ発生器の最
端部、この場合プラズマ入口で先ず行われる。また、被
処理基板の温度が70から1500ケルビンより好ましくは27
3から1000ケルビンまでの間にセットされる。本発明の
装置は、少なくとも１つのプラズマ入口を介してプラズ
マ処理室に連結された少なくとも１つのプラズマ発生器
と、前記プラズマ発生器に設けられたプラズマ生成物の
流入のための少なくとも１つの反応物用入口と、前記プ
ラズマ発生器に設けられたフラッシングガス用の入口と
からなるとともに、前記プラズマ処理室内においてプラ
ズマ発生器またはカスケードアークにて形成される主放
電部に対して被処理基板が少なくとも１つの他の放電の
部分をなし、プラズマ発生器が反応物の追加をうける少
なくとも１つの入口を有し、前記入口がカソードの後
（下流）に位置している。更に本発明の実施態様によれ
ば、プラズマ発生器が反応物の追加をうける少なくとも
１つの入口を有し、前記入口がカソードの後（下流）に
位置すると共に、カソードが高電子放出特性を有する材
料、好ましくはタングステンに0.1から10％のトリウム
を含有する合金からなる。本発明に係る反応装置は、プ
ラズマ発生器の壁に0.001から0.5mmの径、より好ましく
は0.005から0.1mmの径を有し、反応物が少なくとも１つ
の孔から通過可能とされ、プラズマ処理室及び／または
プラズマ発生器が少なくとも１つの剰余の放電発生手段
を有し、その放電が固体形状の反応物にガス相で作用す
る。また、本発明の実施態様によれば、プラズマ発生器
とプラズマ入口（出口）が流れの方向からみて、形成さ
れるチャンネルに何ら障害が生じないように幾何学的に
配列され、プラズマ発生器とプラズマ入口（出口）とに
よって形成されるチャンネルの径がカソードを基準にし
て流れの方向からみて先細りに形成される。プラズマ処
理室真空装置における該処理室が毎秒零から100000リッ
トルより好ましくは毎秒50から1000リットルの間の数値
でポンプアウトされる率にセットする手段を備えると共
に、プラズマ処理室にスキマーを備えることも可能であ
り、また、プラズマ処理室が磁界を生起する手段を備え
るように構成することも可能である。更に、本発明の実
施態様によれば、プラズマ発生器とプラズマ処理室が基
板の温度を70から1500ケルビン、より好ましくは273か
ら1000ケルビンの間にセットする手段を有して成る。
グガスがカソードを過ぎた後、ガス状または液体反応物
が先ずプラズマ発生器の上流側に供給される。更に、本
発明の他の実施態様によれば、フラッシングガスが形成
されている分子がカソード材料と反応する粒子を含まな
い。また、カソードに対する反応物（部分）のバック拡
散が、少なくとも毎秒１メートルの率より好ましくは少
なくとも毎秒10メートルの率で強力に弱められるかまた
は阻止され、操作中にカソードの温度がカソードの溶融
点以下に維持される。更に発明の実施態様によれば、液
体反応物がプラズマ発生器に、その壁に設けた、径が0.
0001から0.5mmの、より好ましくは0.005から0.1mmの径
を有する少なくとも１つの孔を通して入れられ、孔の前
の液圧がプラズマ発生器内の圧力より大きく構成され
る。プラズマ処理室内及び／またはプラズマ発生器内に
少なくとも１つの放電が存在しその放電がガス状になっ
て固体形状の反応物の中へ行われても良く、プラズマ処
理室がポンプアウトされる率が毎秒零から100000リット
ル、より好ましくは50から1000リットルに調節可能でも
ある。更に、プラズマ発生器で生起されるプラズマ噴流
の径が活性の状態に左右され、スキマーによってプラズ
マ噴流を供給することによって活性が影響される。更
に、磁場を生起することによって活性が影響され、プラ
ズマ発生器への反応物の追加が前記プラズマ発生器の最
端部、この場合プラズマ入口で先ず行われる。また、被
処理基板の温度が70から1500ケルビンより好ましくは27
3から1000ケルビンまでの間にセットされる。本発明の
装置は、少なくとも１つのプラズマ入口を介してプラズ
マ処理室に連結された少なくとも１つのプラズマ発生器
と、前記プラズマ発生器に設けられたプラズマ生成物の
流入のための少なくとも１つの反応物用入口と、前記プ
ラズマ発生器に設けられたフラッシングガス用の入口と
からなるとともに、前記プラズマ処理室内においてプラ
ズマ発生器またはカスケードアークにて形成される主放
電部に対して被処理基板が少なくとも１つの他の放電の
部分をなし、プラズマ発生器が反応物の追加をうける少
なくとも１つの入口を有し、前記入口がカソードの後
（下流）に位置している。更に本発明の実施態様によれ
ば、プラズマ発生器が反応物の追加をうける少なくとも
１つの入口を有し、前記入口がカソードの後（下流）に
位置すると共に、カソードが高電子放出特性を有する材
料、好ましくはタングステンに0.1から10％のトリウム
を含有する合金からなる。本発明に係る反応装置は、プ
ラズマ発生器の壁に0.001から0.5mmの径、より好ましく
は0.005から0.1mmの径を有し、反応物が少なくとも１つ
の孔から通過可能とされ、プラズマ処理室及び／または
プラズマ発生器が少なくとも１つの剰余の放電発生手段
を有し、その放電が固体形状の反応物にガス相で作用す
る。また、本発明の実施態様によれば、プラズマ発生器
とプラズマ入口（出口）が流れの方向からみて、形成さ
れるチャンネルに何ら障害が生じないように幾何学的に
配列され、プラズマ発生器とプラズマ入口（出口）とに
よって形成されるチャンネルの径がカソードを基準にし
て流れの方向からみて先細りに形成される。プラズマ処
理室真空装置における該処理室が毎秒零から100000リッ
トルより好ましくは毎秒50から1000リットルの間の数値
でポンプアウトされる率にセットする手段を備えると共
に、プラズマ処理室にスキマーを備えることも可能であ
り、また、プラズマ処理室が磁界を生起する手段を備え
るように構成することも可能である。更に、本発明の実
施態様によれば、プラズマ発生器とプラズマ処理室が基
板の温度を70から1500ケルビン、より好ましくは273か
ら1000ケルビンの間にセットする手段を有して成る。
本発明による処理方法においては、プラズマは少なく
とも１つのプラズマ発生器で生起されるが、そのプラズ
マ発生器は少なくとも１つのプラズマインレットを介し
てプラズマ圧がプラズマ発生器内の圧力より小さくなっ
ているプラズマ処理室へと連結されている。前記プラズ
マインレットを通ってプラズマの流れが前記発生器から
プラズマ処理室へと流れ、前記プラズマ発生器は少なく
とも１つの反応物用入口に連結し、プラズマ処理室内に
おいてプラズマ発生器またはカスケードアークにて形成
される主放電部に対して被処理基板が少なくとも１つの
余分の放射部分を形成できる。ここで使用されるプラズ
マ発生器の用語はプラズマが生起される部分の意味に、
プラズマ処理室はプラズマ処理が行われる箇所を意味す
るものと考えられるべきである。ここで記載されている
ようなプラズマによる基板面の処理は、プラズマエッチ
ング、プラズマディポジション，プラズマ重合またはプ
ラズマ変形工程の意味に考えられるべきである。即ち、
材料用の層を基板上にのせるかまたは除くかあるいはプ
ラズマを使って基板表面構造の変形を行う工程の意味に
考えられるべきである。
とも１つのプラズマ発生器で生起されるが、そのプラズ
マ発生器は少なくとも１つのプラズマインレットを介し
てプラズマ圧がプラズマ発生器内の圧力より小さくなっ
ているプラズマ処理室へと連結されている。前記プラズ
マインレットを通ってプラズマの流れが前記発生器から
プラズマ処理室へと流れ、前記プラズマ発生器は少なく
とも１つの反応物用入口に連結し、プラズマ処理室内に
おいてプラズマ発生器またはカスケードアークにて形成
される主放電部に対して被処理基板が少なくとも１つの
余分の放射部分を形成できる。ここで使用されるプラズ
マ発生器の用語はプラズマが生起される部分の意味に、
プラズマ処理室はプラズマ処理が行われる箇所を意味す
るものと考えられるべきである。ここで記載されている
ようなプラズマによる基板面の処理は、プラズマエッチ
ング、プラズマディポジション，プラズマ重合またはプ
ラズマ変形工程の意味に考えられるべきである。即ち、
材料用の層を基板上にのせるかまたは除くかあるいはプ
ラズマを使って基板表面構造の変形を行う工程の意味に
考えられるべきである。
本発明によると前記第１の問題点はフラッシングガス
でプラズマ発生器をフラッシングして除くことができ
る。好ましくは先ずガス状または液体の反応物が、フラ
ッシングガスがカソードを通過してからプラズマ発生器
の上流に供給される。ここで用いられるフラッシングガ
スは、プラズマ発生器の部品と不本意に反応する分子と
は無縁のガスの意味に解されるべきである。特にプラズ
マ発生器のカソードは、フラッシングガスを形成する反
応分子の浸透効果から保護されねばならない。本発明に
よると、この効率はフラッシングガスをプラズマ発生器
を通して少なくとも1m/秒の率で供給することにより増
大されるが、好ましくはプラズマ発生器内部で0.1バー
ルより大きく、それにより反応物のカソードへのバック
拡散または部分拡散が強力に緩和あるいは阻止される圧
力がよい。
でプラズマ発生器をフラッシングして除くことができ
る。好ましくは先ずガス状または液体の反応物が、フラ
ッシングガスがカソードを通過してからプラズマ発生器
の上流に供給される。ここで用いられるフラッシングガ
スは、プラズマ発生器の部品と不本意に反応する分子と
は無縁のガスの意味に解されるべきである。特にプラズ
マ発生器のカソードは、フラッシングガスを形成する反
応分子の浸透効果から保護されねばならない。本発明に
よると、この効率はフラッシングガスをプラズマ発生器
を通して少なくとも1m/秒の率で供給することにより増
大されるが、好ましくはプラズマ発生器内部で0.1バー
ルより大きく、それにより反応物のカソードへのバック
拡散または部分拡散が強力に緩和あるいは阻止される圧
力がよい。
第２の欠点はカソードの温度が、作動中にカソード材
料の溶融点以下に維持されると解決される。
料の溶融点以下に維持されると解決される。
本発明の反応装置及びその方法において、カソード溶
融はカソードを高電子エミッション係数を有する材料、
好ましくはタングステンに0.1〜10％トリウムを含有す
る合金から造ることにより避けられる。前に引用した材
料を使う不利益、即ち蒸発により処理表面に起る材料成
分の１つのゆっくりとした凝離から起る不利益は本発明
の方法の実施にあたって顕著な働きをしない。
融はカソードを高電子エミッション係数を有する材料、
好ましくはタングステンに0.1〜10％トリウムを含有す
る合金から造ることにより避けられる。前に引用した材
料を使う不利益、即ち蒸発により処理表面に起る材料成
分の１つのゆっくりとした凝離から起る不利益は本発明
の方法の実施にあたって顕著な働きをしない。
その理由は蒸発されるカソード材料と追加される反応
物の量との比が極めて小さく（例えば１対109より小さ
い）、これが可成り大きなガス効率と一緒になって処理
すべき基盤表面に極めて微量の汚染物をもたらすからで
ある（例えば10億分の１以下）。
物の量との比が極めて小さく（例えば１対109より小さ
い）、これが可成り大きなガス効率と一緒になって処理
すべき基盤表面に極めて微量の汚染物をもたらすからで
ある（例えば10億分の１以下）。
液体反応物を用いた場合の本発明により、第３の問題
点は、径が0.0001から0.5mmより好ましくは0.0005から
0.1mmの単一孔によりプラズマ発生器の壁を通して反応
物が入射されることによって解決される。早すぎる蒸発
を阻止するために孔部での圧力は好ましくはプラズマ発
生器より大きい方がよい。もし液体反応物がプラズマ発
生器の中でプラズマに到達する前に蒸発してしまってい
るならば、ガス状反応物の入射の問題がある。本発明に
おいて固体状の反応物を使うには、プラズマ処理室及び
／またはプラズマ発生器に存する少なくとも１つの放電
手段により液相が効果的に作用する。その場合反応物は
反応粒子（電子やイオン）により高いエネルギー（例え
ば200エレクトロンボルト）で衝撃に曝され、それによ
り蒸発または昇華する。一旦ガス化されると高速度及び
高い効率でフラッシングガスにより処理すべき基板に運
搬される。
点は、径が0.0001から0.5mmより好ましくは0.0005から
0.1mmの単一孔によりプラズマ発生器の壁を通して反応
物が入射されることによって解決される。早すぎる蒸発
を阻止するために孔部での圧力は好ましくはプラズマ発
生器より大きい方がよい。もし液体反応物がプラズマ発
生器の中でプラズマに到達する前に蒸発してしまってい
るならば、ガス状反応物の入射の問題がある。本発明に
おいて固体状の反応物を使うには、プラズマ処理室及び
／またはプラズマ発生器に存する少なくとも１つの放電
手段により液相が効果的に作用する。その場合反応物は
反応粒子（電子やイオン）により高いエネルギー（例え
ば200エレクトロンボルト）で衝撃に曝され、それによ
り蒸発または昇華する。一旦ガス化されると高速度及び
高い効率でフラッシングガスにより処理すべき基板に運
搬される。
本発明によると第４の問題点は、反応装置内のプラズ
マ発生器とプラズマインレットを流れからみてチャンネ
ルに障害が起きないように幾何学的に配列することによ
り解決される。このようにして流れの停滞と材料の好ま
しくない箇所への付着を避けられる。好ましくはプラズ
マ発生器とインレットにより形成されるチャンネル径を
流れの方向で見てテーパ状に小さくすべきである。問題
解決にあたって例えばプラズマ発生器の端部での圧力が
比較的低く、好ましくない高温状態になり易いとかプラ
ズマが空間的に広がるとかいった欠点は、そのような欠
点をもたらす効果を除去するか、それに対して不感状態
にする特製のプラズマ発生器によって除かれる。
マ発生器とプラズマインレットを流れからみてチャンネ
ルに障害が起きないように幾何学的に配列することによ
り解決される。このようにして流れの停滞と材料の好ま
しくない箇所への付着を避けられる。好ましくはプラズ
マ発生器とインレットにより形成されるチャンネル径を
流れの方向で見てテーパ状に小さくすべきである。問題
解決にあたって例えばプラズマ発生器の端部での圧力が
比較的低く、好ましくない高温状態になり易いとかプラ
ズマが空間的に広がるとかいった欠点は、そのような欠
点をもたらす効果を除去するか、それに対して不感状態
にする特製のプラズマ発生器によって除かれる。
本発明によると第５の問題点は、プラズマ処理室がポ
ンプアウトされる率が零と100000リッター／秒の間、好
ましくは50から1000リッター／秒の間で調整可能ならば
解決される。これは（大きく変化させるかまたは段階的
に）流量調節弁を例えばポンプのパイプライン中におい
て操作することによって行なわれる。結果的に得られる
プラズマ噴流は、噴流径と処理すべき基板に運搬される
プラズマ粒子との関連で拡散工程により変化され、その
結果として粒子の密度とエネルギーがほとんど変わらな
くなる。これは基板の調整可能な粒子一束・ローデング
の課題をもたらし、粒子の付着量（従ってエネルギー
も）は実際上他の実験パラメータを変えることなく表面
積のユニット毎にセットできる。
ンプアウトされる率が零と100000リッター／秒の間、好
ましくは50から1000リッター／秒の間で調整可能ならば
解決される。これは（大きく変化させるかまたは段階的
に）流量調節弁を例えばポンプのパイプライン中におい
て操作することによって行なわれる。結果的に得られる
プラズマ噴流は、噴流径と処理すべき基板に運搬される
プラズマ粒子との関連で拡散工程により変化され、その
結果として粒子の密度とエネルギーがほとんど変わらな
くなる。これは基板の調整可能な粒子一束・ローデング
の課題をもたらし、粒子の付着量（従ってエネルギー
も）は実際上他の実験パラメータを変えることなく表面
積のユニット毎にセットできる。
本発明によると第６の問題点は、プラズマ噴流を生起
したプラズマ発生器の径が積極的に影響する限り除かれ
る。この場合、積極的に影響されるとの用語の意味は、
ポンプ速度を変える以外の行程の影響の意味に考えられ
るべきである。もし材料効率が減少される必要があれ
ば、本発明によると、そのような影響は好ましくはすで
に挙げたプラズマ噴流を“スキマー”を通して方向付け
することにより行なわれるべきである。他方、もし効率
を上げる必要があるならば、前述の影響は好ましくは磁
場を上げることで行われる。スキマーはプラズマ噴流の
一部をあたかも噴流の他の部分が処理すべき基板に接し
なかったかの如くカットする。これに対抗して、磁場に
反応する（特に放電された）プラズマ粒子を保持し、こ
の場合にはジェット噴流の減少径と対になる噴流の強度
を増大する。
したプラズマ発生器の径が積極的に影響する限り除かれ
る。この場合、積極的に影響されるとの用語の意味は、
ポンプ速度を変える以外の行程の影響の意味に考えられ
るべきである。もし材料効率が減少される必要があれ
ば、本発明によると、そのような影響は好ましくはすで
に挙げたプラズマ噴流を“スキマー”を通して方向付け
することにより行なわれるべきである。他方、もし効率
を上げる必要があるならば、前述の影響は好ましくは磁
場を上げることで行われる。スキマーはプラズマ噴流の
一部をあたかも噴流の他の部分が処理すべき基板に接し
なかったかの如くカットする。これに対抗して、磁場に
反応する（特に放電された）プラズマ粒子を保持し、こ
の場合にはジェット噴流の減少径と対になる噴流の強度
を増大する。
整理上の観点から、プラズマ発生器へ反応物を加える
のは発生器の任意の箇所、さらには極端な箇所、この場
合にはプラズマインレットにも行うことができる。
のは発生器の任意の箇所、さらには極端な箇所、この場
合にはプラズマインレットにも行うことができる。
本発明によると、処理すべき基板の温度は70から1500
ケルビン好ましくは273から1000ケルビンの間の値にセ
ットできる。本発明による方法が適用される表面処理の
具体的各工程は最適の温度を有し、それによって工程は
最も好ましい態様で進行される。
ケルビン好ましくは273から1000ケルビンの間の値にセ
ットできる。本発明による方法が適用される表面処理の
具体的各工程は最適の温度を有し、それによって工程は
最も好ましい態様で進行される。
［実施例］ 第１図から第６図に示された本発明による実施例は、
プラズマ発生器13（模式的に箱形）がプラズマ処理室３
を備えたチャンバー２と１体のハウジング１からなる。
プラズマ入口たるプラズマインレット４は、先端がプラ
ズマ処理室３に突出しているノズルを有する。生起され
たプラズマ噴流は処理さるべき基板の面９に向けられ、
その基板は冷却チャンネル及び／または備付け加熱エレ
メント（第１図には図示しない）によって70から1000ケ
ルビンの範囲の温度に維持されるホルダー10によって保
持されている。ホルダー10はまたハウジング１に対して
電気的に絶縁され、それによりプラズマ処理室３内で１
つまたはそれ以上の放電部を形成することができる。
プラズマ発生器13（模式的に箱形）がプラズマ処理室３
を備えたチャンバー２と１体のハウジング１からなる。
プラズマ入口たるプラズマインレット４は、先端がプラ
ズマ処理室３に突出しているノズルを有する。生起され
たプラズマ噴流は処理さるべき基板の面９に向けられ、
その基板は冷却チャンネル及び／または備付け加熱エレ
メント（第１図には図示しない）によって70から1000ケ
ルビンの範囲の温度に維持されるホルダー10によって保
持されている。ホルダー10はまたハウジング１に対して
電気的に絶縁され、それによりプラズマ処理室３内で１
つまたはそれ以上の放電部を形成することができる。
液体またはガス状の反応物が用いられる場合、プラズ
マ発生器13にインレット11を介して反応物の入射が行な
われ、一方、フラッシングガス反応装置の半連続運転を
可能にすべくインレット12を介してフラッシングガスが
プラズマ発生器13に入れられる。フラッシングガスはプ
ラズマ発生器13の部品を損う破片を生じない任意の混合
ガス例えば不活性ガスである水素と窒素からなる。フラ
ッシングガスと、273ケルビン、２バールの反応ガス（S
TP（標準温度及び圧力）でm3/secで表す）の入射量の比
率は１から1000、好ましくは８から400の間にある。液
体またはガス状反応物は少なくとも１つの分離し得る及
びイオン化し得る例えば（ハロゲン化された）炭化水素
からなる。
マ発生器13にインレット11を介して反応物の入射が行な
われ、一方、フラッシングガス反応装置の半連続運転を
可能にすべくインレット12を介してフラッシングガスが
プラズマ発生器13に入れられる。フラッシングガスはプ
ラズマ発生器13の部品を損う破片を生じない任意の混合
ガス例えば不活性ガスである水素と窒素からなる。フラ
ッシングガスと、273ケルビン、２バールの反応ガス（S
TP（標準温度及び圧力）でm3/secで表す）の入射量の比
率は１から1000、好ましくは８から400の間にある。液
体またはガス状反応物は少なくとも１つの分離し得る及
びイオン化し得る例えば（ハロゲン化された）炭化水素
からなる。
プラズマ噴流８中に好ましくない生成物が存在しない
ように制御されたプラズマ表面処理加工を行うために、
本発明による工程はプラズマ発生器13内部の圧力を0.1
バール、好ましくは０から3.5の範囲に維持し乍行われ
る。プラズマ室３は0.05バール（＝5kPa）以下の圧力で
及び特にフラッシングガス及び／または反応物の入射量
の調整可能な圧力から独立して200Pa以下で操作され
る。これらの圧力はプラズマ処理室３を例えばルートブ
ロアー（第１図に示さない）を使って出口14の制御弁16
を介してポンプアウトすることで得られるが、出口15を
介したオイル拡散ポンプが反応装置の非使用時の混乱を
避けるためにハウジング１を低圧（10−3Pa）に維持し
ている。スキマー17はプラズマ処理室３の一部を形成
し、そこを通してプラズマ噴流８の径が影響される。必
要ならばマグネットコイル７がプラズマ噴流８の径を更
に変えるため磁場を発生させる。固体形状の反応物はス
パッタリング放電によりカソード６（例えば銅）が反応
物である固相から放たれてプラズマ噴流８と混合され、
アノード18はハウジング１から電気的に絶縁されてい
る。
ように制御されたプラズマ表面処理加工を行うために、
本発明による工程はプラズマ発生器13内部の圧力を0.1
バール、好ましくは０から3.5の範囲に維持し乍行われ
る。プラズマ室３は0.05バール（＝5kPa）以下の圧力で
及び特にフラッシングガス及び／または反応物の入射量
の調整可能な圧力から独立して200Pa以下で操作され
る。これらの圧力はプラズマ処理室３を例えばルートブ
ロアー（第１図に示さない）を使って出口14の制御弁16
を介してポンプアウトすることで得られるが、出口15を
介したオイル拡散ポンプが反応装置の非使用時の混乱を
避けるためにハウジング１を低圧（10−3Pa）に維持し
ている。スキマー17はプラズマ処理室３の一部を形成
し、そこを通してプラズマ噴流８の径が影響される。必
要ならばマグネットコイル７がプラズマ噴流８の径を更
に変えるため磁場を発生させる。固体形状の反応物はス
パッタリング放電によりカソード６（例えば銅）が反応
物である固相から放たれてプラズマ噴流８と混合され、
アノード18はハウジング１から電気的に絶縁されてい
る。
既に説明したように高熱のプラズマ噴流は好ましくは
カスケードアークで生起される。第２図は原理的に、操
作中ノズル状のアノード５から３つのカソード先端20
（１つだけ第２図に示す）に20から200アンペアの直流
を流す、長さ40からデータバス80mm、径が２から6mmの
中央チャンネル19を形成する構造を示している。タング
ステン中に２％のトリウムを含有する合金からなる３個
のカソード先端20は好ましくは中央チャンネル19の回り
を回転するように配置され、冷却水がダクト21に流れる
中空ホルダー22に搭載されている。ホルダー22は少なく
とも部分的に例えば水晶から造られるスリーブ23に包ま
れ、ゴムリング（第２図に示さない）と共働するねじ24
で固定されるがホルダーは真空状態に維持されている。
ダクト21はねじ25によりホルダー22に堅固に固定され
る。
カスケードアークで生起される。第２図は原理的に、操
作中ノズル状のアノード５から３つのカソード先端20
（１つだけ第２図に示す）に20から200アンペアの直流
を流す、長さ40からデータバス80mm、径が２から6mmの
中央チャンネル19を形成する構造を示している。タング
ステン中に２％のトリウムを含有する合金からなる３個
のカソード先端20は好ましくは中央チャンネル19の回り
を回転するように配置され、冷却水がダクト21に流れる
中空ホルダー22に搭載されている。ホルダー22は少なく
とも部分的に例えば水晶から造られるスリーブ23に包ま
れ、ゴムリング（第２図に示さない）と共働するねじ24
で固定されるがホルダーは真空状態に維持されている。
ダクト21はねじ25によりホルダー22に堅固に固定され
る。
アーク中の電圧は例えば20から200ボルト特に50から1
50ボルトの範囲にある。中央チャンネル19内でのプラズ
マ発生の開始は、フラッシュオーバーが起る迄約100Vを
印加することによりアーク圧力を減じて行なわれるが、
それにより大電流（例えば10アンペア以上）が流れる。
その後圧力は急速に（例えば５秒内）希望値まで増加さ
れ、全ての中間電流相が起った後アークが形成される。
カスケード板25は例えば銅で造られており構造が単純で
ある。プラズマ内は高温（1000ケルビン）および高い容
量密度であるため、カスケード板25は（例えば水で）冷
却しなければならない。冷却液（第２図に示していな
い）を運ぶチャンネルはカスケード板25内に導入されて
中央チャンネル19で閉じられているがこの配列により良
好な熱分散が行なわれる。カスケード板25は互いに分離
されており電気的には“0"リング27、スペーサー28（例
えばPVC製）及び窒化ホウ素製の窒化ホウ素リング29の
シール手段で絶縁されている。シールによりアークは0.
05と５バールの圧力に維持される。中央リングの色は白
でありプラズマからの光を反射する。“0"リングの目的
はプラズマ光の吸収の影響で溶けるのを阻止することに
ある。
50ボルトの範囲にある。中央チャンネル19内でのプラズ
マ発生の開始は、フラッシュオーバーが起る迄約100Vを
印加することによりアーク圧力を減じて行なわれるが、
それにより大電流（例えば10アンペア以上）が流れる。
その後圧力は急速に（例えば５秒内）希望値まで増加さ
れ、全ての中間電流相が起った後アークが形成される。
カスケード板25は例えば銅で造られており構造が単純で
ある。プラズマ内は高温（1000ケルビン）および高い容
量密度であるため、カスケード板25は（例えば水で）冷
却しなければならない。冷却液（第２図に示していな
い）を運ぶチャンネルはカスケード板25内に導入されて
中央チャンネル19で閉じられているがこの配列により良
好な熱分散が行なわれる。カスケード板25は互いに分離
されており電気的には“0"リング27、スペーサー28（例
えばPVC製）及び窒化ホウ素製の窒化ホウ素リング29の
シール手段で絶縁されている。シールによりアークは0.
05と５バールの圧力に維持される。中央リングの色は白
でありプラズマからの光を反射する。“0"リングの目的
はプラズマ光の吸収の影響で溶けるのを阻止することに
ある。
アノード５は３個のカソード20に対向した中央チャン
ネル19の端部に位置している。これらは容易に外れる円
錐形のインサートになっており軽くプッシュすることで
水冷却板（銅製）の円錐孔に押し入れられる。冷却水は
入口31を通って冷却板に供給され、そこから出口32によ
り放出される。このインサートは例えば酸化しない銅か
ら造られ、第６図に更にその詳細が示されている。板30
はハウジング１からは絶縁スリーブ33で電気的に絶縁さ
れている。
ネル19の端部に位置している。これらは容易に外れる円
錐形のインサートになっており軽くプッシュすることで
水冷却板（銅製）の円錐孔に押し入れられる。冷却水は
入口31を通って冷却板に供給され、そこから出口32によ
り放出される。このインサートは例えば酸化しない銅か
ら造られ、第６図に更にその詳細が示されている。板30
はハウジング１からは絶縁スリーブ33で電気的に絶縁さ
れている。
例えば積層されたカスケード板はボルト34とナット35
でアノード板30に固定されている。ボルト34はスリーブ
37,キャップ39及びリング38と40でハウジング１から電
気的に絶縁されている。中央チャンネル19内のプラズマ
はウインドホルダー43上のウインドキャップの窓41を通
して観察できる。後者にはフラッシングガスが供給され
るインレット12を有する。
でアノード板30に固定されている。ボルト34はスリーブ
37,キャップ39及びリング38と40でハウジング１から電
気的に絶縁されている。中央チャンネル19内のプラズマ
はウインドホルダー43上のウインドキャップの窓41を通
して観察できる。後者にはフラッシングガスが供給され
るインレット12を有する。
第３図に示すガス状反応物用の入口はその大部分を記
述したが、２枚のカスケード板26と45が対向して形成さ
れ、少なくとも１つの板45にはチャンネル46が設けられ
て、そのチャンネル46を通してガス状の反応物が、例え
ば中央の窒化ホウ素リング29内の0.1mm寸法の凹部を介
して中央チャンネル19に射出される。中央チャンネル29
は冷却チャンネル47とは接しないように配される。
述したが、２枚のカスケード板26と45が対向して形成さ
れ、少なくとも１つの板45にはチャンネル46が設けられ
て、そのチャンネル46を通してガス状の反応物が、例え
ば中央の窒化ホウ素リング29内の0.1mm寸法の凹部を介
して中央チャンネル19に射出される。中央チャンネル29
は冷却チャンネル47とは接しないように配される。
第４図に示す、中央チャンネル19に液体反応物を射出
するための入口は、冷却チャンネル47に触れないように
カスケード板26に合せた少なくとも１つのキャピラリ48
からなる。このキャピラリ径は、中央チャンネル19内に
存在する圧力より高い圧力で供給される液体が、中央チ
ャンネル19に突出するキャピラリの端部でのみ蒸発され
るように選択されねばならない。
するための入口は、冷却チャンネル47に触れないように
カスケード板26に合せた少なくとも１つのキャピラリ48
からなる。このキャピラリ径は、中央チャンネル19内に
存在する圧力より高い圧力で供給される液体が、中央チ
ャンネル19に突出するキャピラリの端部でのみ蒸発され
るように選択されねばならない。
第５図に示す補助的に用いられる放電はカソードより
発生される。カソードが固体の場合には、アノード50の
場合と同様に第１図に示すハウジング１から電気的に絶
縁された反応物を有し、そのカソードにはインサート52
が設けられ、また、第１図に示すプラズマ噴流の対称軸
から一定の距離（例えば10cm）をおいて配置されてい
る。
発生される。カソードが固体の場合には、アノード50の
場合と同様に第１図に示すハウジング１から電気的に絶
縁された反応物を有し、そのカソードにはインサート52
が設けられ、また、第１図に示すプラズマ噴流の対称軸
から一定の距離（例えば10cm）をおいて配置されてい
る。
もし放電が例えば200と1000ボルトとの間の電圧で、
電流密度が50と1000Ma/cm2の間で励起されると、反応物
質はガス状となり（例えば拡散により）プラズマ噴流と
混合する。
電流密度が50と1000Ma/cm2の間で励起されると、反応物
質はガス状となり（例えば拡散により）プラズマ噴流と
混合する。
第６図はプラズマ発生器の好ましくない部分に材料の
付着が起きないようにするために使われる超音波ノズル
の構造の例を示す。インサート52はアノード板30に、最
後のカスケード板26と最後の窒化ホウ素リング29を連結
噛合させて保持リング32で圧入される。初期にはインサ
ート52内の孔は中央チャンネル19より大きな径を有し、
その後その径が大きくなってチャンネルが例えば中央チ
ャンネル19の対称軸と10度以上の角度で突出する。イン
サート52の内壁53は滑らかな仕上げ（表面粗さが0.1ミ
クロン）でなければならない。
付着が起きないようにするために使われる超音波ノズル
の構造の例を示す。インサート52はアノード板30に、最
後のカスケード板26と最後の窒化ホウ素リング29を連結
噛合させて保持リング32で圧入される。初期にはインサ
ート52内の孔は中央チャンネル19より大きな径を有し、
その後その径が大きくなってチャンネルが例えば中央チ
ャンネル19の対称軸と10度以上の角度で突出する。イン
サート52の内壁53は滑らかな仕上げ（表面粗さが0.1ミ
クロン）でなければならない。
好ましくは完全なカスケードアークプラズマ発生器は
比較的大きな真空装置に連結されてプラズマがアノード
ノズル５から出されるようになっている。ポンプ速度
は、副大気プラズマ処理室３内の膨張が超音波特性示す
ような具合に選定されねばならない。その場合アークプ
ラズマの平衡が凍結される。スリーパーティクル及び放
射・組換え工程では長過ぎて、処理すべき基板に届く前
に多くの反応プラズマ分子を発生させることができな
い。アークプラズマ内のガス温度及び電子温度は凡そ10
000ケルビンなので音速が毎秒1750mである。この事実は
質量流を制限し、音速が最小径（大抵の場合、ノズルま
たはアークチャンネルの端部）の部分に到達される。
比較的大きな真空装置に連結されてプラズマがアノード
ノズル５から出されるようになっている。ポンプ速度
は、副大気プラズマ処理室３内の膨張が超音波特性示す
ような具合に選定されねばならない。その場合アークプ
ラズマの平衡が凍結される。スリーパーティクル及び放
射・組換え工程では長過ぎて、処理すべき基板に届く前
に多くの反応プラズマ分子を発生させることができな
い。アークプラズマ内のガス温度及び電子温度は凡そ10
000ケルビンなので音速が毎秒1750mである。この事実は
質量流を制限し、音速が最小径（大抵の場合、ノズルま
たはアークチャンネルの端部）の部分に到達される。
超音波膨張につれ、工程効率が大幅に強化される限り
他の効率ももたらされる。電子はイオンより活動の度合
が大きいので、容易に膨張領域外へ飛び出す。これによ
りそのような空間的放電配分が、それにより生じる電界
強度が電子流をイオン（アンバイボーラディクージョン
概念）と同じ率で分散する程度に電子流を遅らすという
平衡状況の中に造り出される。超音波膨張内の高いガス
速度の場合において電子はプラズマを一緒に保持しその
結果強いプラズマ噴流が生じる。アークプラズマ中のイ
オン化平衡は効率よく処理すべき基板に移される。中性
の微粒子は容易に膨張でき、それらの多くは基板９に届
くことはないだろう。
他の効率ももたらされる。電子はイオンより活動の度合
が大きいので、容易に膨張領域外へ飛び出す。これによ
りそのような空間的放電配分が、それにより生じる電界
強度が電子流をイオン（アンバイボーラディクージョン
概念）と同じ率で分散する程度に電子流を遅らすという
平衡状況の中に造り出される。超音波膨張内の高いガス
速度の場合において電子はプラズマを一緒に保持しその
結果強いプラズマ噴流が生じる。アークプラズマ中のイ
オン化平衡は効率よく処理すべき基板に移される。中性
の微粒子は容易に膨張でき、それらの多くは基板９に届
くことはないだろう。
プラズマ発生器から放射して基板に到達する反応粒子
に必要とする時間はわずかに約１ミリセコンドなので、
プラズマ噴流の比較組成物は組換えまたは他の関連工程
で変化する。
に必要とする時間はわずかに約１ミリセコンドなので、
プラズマ噴流の比較組成物は組換えまたは他の関連工程
で変化する。
［発明の効果］ 以上述べてきたように本発明によれば、欠陥のないプ
ラズマによる基板表面処理方法及び装置が得られる効果
がある。
ラズマによる基板表面処理方法及び装置が得られる効果
がある。
第１図は本発明による反応装置の長手方向の断面図、第
２図はカスケードアーク発生器の正面図、第３図は第２
図に示すカスケードアーク中にガス状反応物質を入れる
入口の部分断面図、第４図は第２図に示すカスケードア
ーク中にどのように反応物質が入れられるかを示す部分
断面図、第５図は個体形状の反応物質が材料を蒸発せし
め、昇華せしめまたはスパッターせしめる放電にどのよ
うに曝されるかを示す部分断面図、第６図はノズルが発
生する流れの停滞を阻止する態様を示す部分断面図であ
る。 図中、１……ハウジング、２……チャンバー、３……プ
ラズマ処理室、４……プラズマインレット、５……アノ
ード、６……カソード、８……プラズマ噴流、９……表
面、10……ホルダー、12……インレット、13……プラズ
マ発生器、14,15……出口、17……スキマー、19……中
央チャンネル。
２図はカスケードアーク発生器の正面図、第３図は第２
図に示すカスケードアーク中にガス状反応物質を入れる
入口の部分断面図、第４図は第２図に示すカスケードア
ーク中にどのように反応物質が入れられるかを示す部分
断面図、第５図は個体形状の反応物質が材料を蒸発せし
め、昇華せしめまたはスパッターせしめる放電にどのよ
うに曝されるかを示す部分断面図、第６図はノズルが発
生する流れの停滞を阻止する態様を示す部分断面図であ
る。 図中、１……ハウジング、２……チャンバー、３……プ
ラズマ処理室、４……プラズマインレット、５……アノ
ード、６……カソード、８……プラズマ噴流、９……表
面、10……ホルダー、12……インレット、13……プラズ
マ発生器、14,15……出口、17……スキマー、19……中
央チャンネル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−61470（ＪＰ，Ａ)
Claims (30)
- 【請求項１】少なくとも一つのプラズマ発生器内で生起
されるプラズマで基板の表面を処理する方法であって、
前記プラズマ発生器が少なくとも一つのプラズマ入口に
よって、圧力がプラズマ発生器内部の圧力より低くなっ
ているプラズマ処理室に連結され、前記プラズマ発生器
から生起されるプラズマの流れが前記入口を通って前記
プラズマ処理室に流れるとともに、プラズマ生成物の流
入のための少なくとも一つの反応物用入口が前記プラズ
マ発生器に連結されかつプラズマ発生器またはカスケー
ドアークにて形成される主放電部に対して被処理基板が
もう一つの放電の一部を形成できかつプラズマ発生器が
フラッシングガスによってフラッシュされ、フラッシン
グガスがカソードを過ぎた後、ガス状または液体反応物
が先ずプラズマ発生器の下流側に供給されることとする
プラズマによる基板表面処理方法。 - 【請求項２】フラッシングガスを形成する分子がカソー
ド材料と反応する粒子を含まないこととする請求項１に
記載のプラズマによる基板表面処理方法。 - 【請求項３】カソードに対する反応物（部分）のバック
拡散が、少なくとも毎秒１メートルの率で強力に弱めら
れるかまたは阻止されることとする請求項１又は請求項
２に記載のプラズマによる基板表面処理方法。 - 【請求項４】カソードに対する反応物（部分）のバック
拡散が、少なくとも毎秒10メートルの率で強力に弱めら
れるかまたは阻止されることとする請求項３に記載のプ
ラズマによる基板表面処理方法。 - 【請求項５】操作中にカソードの温度がカソードの溶融
点以下に維持されていることとする請求項１ないし請求
項４のいずれか一つに記載のプラズマによる基板表面処
理方法。 - 【請求項６】液体反応物がプラズマ発生器に、その壁に
設けた、径が0.0001から0.5mmの径を有する少なくとも
一つの孔を通して入れられることとする請求項１ないし
請求項５のいずれか一つに記載のプラズマによる基板表
面処理方法。 - 【請求項７】液体反応物がプラズマ発生器に、その壁に
設けた、径が0.005から0.1mmの径を有する少なくとも一
つの孔を通して入れられることとする請求項６に記載の
プラズマによる基板表面処理方法。 - 【請求項８】孔の前の液圧がプラズマ発生器内の圧力よ
り大きいこととする請求項６または請求項７に記載のプ
ラズマによる基板表面処理方法。 - 【請求項９】プラズマ処理室内及び／またはプラズマ発
生器内に少なくとも一つの放電が存在しその放電がガス
状になって固体形状の反応物の中へ行われることとする
請求項１ないし請求項８のいずれか一つに記載のプラズ
マによる基板表面処理方法。 - 【請求項１０】プラズマ処理室がポンプアウトされる率
が毎秒零から100000リットルに調節可能であることとす
る請求項１ないし請求項９のいずれか一つに記載のプラ
ズマによる基板表面処理方法。 - 【請求項１１】プラズマ処理室がポンプアウトされる率
が毎秒50から1000リットルに調節可能であることとする
請求項10に記載のプラズマによる基板表面処理方法。 - 【請求項１２】プラズマ発生器で生起されるプラズマ噴
流の径が活性の状態に左右されることとする請求項１な
いし請求項10のいずれか一つに記載のプラズマによる基
板表面処理方法。 - 【請求項１３】スキマーによってプラズマ噴流を供給す
ることによって活性が影響されることとする請求項12に
記載のプラズマによる基板表面処理方法。 - 【請求項１４】磁場を生起することによって活性が影響
されることとする請求項12または請求項13に記載のプラ
ズマによる基板表面処理方法。 - 【請求項１５】プラズマ発生器への反応物の追加が前記
プラズマ発生器の最端部、この場合プラズマ入口で先ず
行われることとする請求項１ないし請求項14のいずれか
一つに記載のプラズマによる基板表面処理方法。 - 【請求項１６】被処理基板の温度が70から1500ケルビン
までの問にセットされていることとする請求項１ないし
請求項15のいずれか一つに記載のプラズマによる基板表
面処理方法。 - 【請求項１７】被処理基板の温度が273から1000ケルビ
ンまでの問にセットされていることとする請求項１ない
し請求項16のいずれか一つに記載のプラズマによる基板
表面処理方法。 - 【請求項１８】少なくとも一つのプラズマ入口を介して
プラズマ処理室に連結された少なくとも一つのプラズマ
発生器と、前記プラズマ発生器に設けられたプラズマ生
成物の流入のための少なくとも一つの反応物用人口と、
前記プラズマ発生器に設けられたフラッシングガス用の
入口とからなるとともに、前記プラズマ処理室内におい
てプラズマ発生器またはカスケードアークにて形成され
る主放電部に対して被処理基板が少なくとも一つの他の
放電の部分をなし、プラズマ発生器が反応物の追加をう
ける少なくとも一つの入口を有し、前記入口がカソード
の後（下流）に位置していることとするプラズマによる
基板の表面を処理する反応装置。 - 【請求項１９】カソードが高電子放出特性を有する材料
を含有する合金からなることとする請求項18に記載のプ
ラズマによる基板の表面を処理する反応装置。 - 【請求項２０】カソードがタングステンに0.1から10％
のトリウムを含有する合金からなることとする請求項19
に記載のプラズマによる基板の表面を処理する反応装
置。 - 【請求項２１】プラズマ発生器の壁に0.001から0.5mmの
径を有し、反応物が少なくとも一つの孔から通過可能と
されることとする請求項18または請求項19に記載のプラ
ズマによる基板の表面を処理する反応装置。 - 【請求項２２】プラズマ発生器の壁に0.005から0.1mmの
径を有し、反応物が少なくとも一つの孔から通過可能と
されることとする請求項21に記載のプラズマによる基板
の表面を処理する反応装置。 - 【請求項２３】プラズマ処理室及び／またはプラズマ発
生器が少なくとも一つの剰余の放電発生手段を有し、そ
の放電が固体形状の反応物にガス相でかかることとする
請求項18ないし請求項22のいずれか一つに記載のプラズ
マによる基板の表面を処理する反応装置。 - 【請求項２４】プラズマ発生器とプラズマ入口（出口）
が流れの方向からみて、形成されるチャンネルに何ら障
害が生じないように幾何学的に配列されていることとす
る請求項18ないし請求項23のいずれか一つに記載のプラ
ズマによる基板の表面を処理する反応装置。 - 【請求項２５】プラズマ発生器とプラズマ入口（出口）
によって形成されるチャンネルの径がカソードを基準に
して流れの方向からみて先細りになっていることとする
請求項24に記載のプラズマによる基板の表面を処理する
反応装置。 - 【請求項２６】プラズマ処理室真空装置における該処理
室が毎秒零から100000リットルの間の数値でポンプアウ
トされる率にセットする手段を備えていることとする請
求項18ないし請求項25のいずれか一つに記載のプラズマ
による基板の表面を処理する反応装置。 - 【請求項２７】プラズマ処置室真空装置における該処理
室が毎秒50から1000リットルの間の数値でポンプアウト
される率にセットする手段を備えていることとする請求
項26に記載のプラズマによる基板の表面を処理する反応
装置。 - 【請求項２８】プラズマ処理室が磁界を生起する手段を
備えていることとする請求項18ないし請求項27のいずれ
か一つに記載のプラズマによる基板の表面を処理する反
応装置。 - 【請求項２９】プラズマ発生器とプラズマ処理室が基板
の温度を70から1500ケルビンの問にセットする手段を有
することとする請求項18ないし請求項28のいずれか一つ
に記載のプラズマによる基板の表面を処理する反応装
置。 - 【請求項３０】プラズマ発生器とプラズマ処理室が基板
の温度を273から1000ケルビンの問にセットする手段を
有することとする請求項29に記載のプラズマによる基板
の表面を処理する反応装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8701530A NL8701530A (nl) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | Werkwijze voor het behandelen van oppervlakken van substraten met behulp van een plasma en reactor voor het uitvoeren van die werkwijze. |
| NL8701530 | 1987-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208450A JPH01208450A (ja) | 1989-08-22 |
| JP2705029B2 true JP2705029B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=19850226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63145986A Expired - Lifetime JP2705029B2 (ja) | 1987-06-30 | 1988-06-15 | プラズマによる基板表面処理方法及びそれに使用する装置 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4871580A (ja) |
| EP (1) | EP0297637B1 (ja) |
| JP (1) | JP2705029B2 (ja) |
| AT (1) | ATE82460T1 (ja) |
| AU (1) | AU596935B2 (ja) |
| CA (1) | CA1324979C (ja) |
| DE (1) | DE3875815T2 (ja) |
| ES (1) | ES2036253T3 (ja) |
| GR (1) | GR3007016T3 (ja) |
| NL (1) | NL8701530A (ja) |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0351847A3 (en) * | 1988-07-21 | 1991-03-20 | Nippon Steel Corporation | Modular segmented cathode plasma generator |
| US5356672A (en) * | 1990-05-09 | 1994-10-18 | Jet Process Corporation | Method for microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin films |
| JP2706861B2 (ja) * | 1991-07-23 | 1998-01-28 | 動力炉・核燃料開発事業団 | クラスター生成装置 |
| US5565247A (en) * | 1991-08-30 | 1996-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming a functional deposited film |
| US5525392A (en) * | 1992-12-10 | 1996-06-11 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording medium having a fluorinated polymeric protective layer formed by an ion beam |
| JPH0822945A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| SE9403988L (sv) * | 1994-11-18 | 1996-04-01 | Ladislav Bardos | Apparat för alstring av linjär ljusbågsurladdning för plasmabearbetning |
| US5571332A (en) * | 1995-02-10 | 1996-11-05 | Jet Process Corporation | Electron jet vapor deposition system |
| US6258287B1 (en) * | 1996-08-28 | 2001-07-10 | Georgia Tech Research Corporation | Method and apparatus for low energy electron enhanced etching of substrates in an AC or DC plasma environment |
| DE19648999C2 (de) * | 1996-11-27 | 2000-08-03 | Afs Entwicklungs & Vertriebs G | Vorrichtung zur Reinigung, Beschichtung und/oder Aktivierung von Kunststoffoberflächen |
| US6110544A (en) * | 1997-06-26 | 2000-08-29 | General Electric Company | Protective coating by high rate arc plasma deposition |
| US6213049B1 (en) | 1997-06-26 | 2001-04-10 | General Electric Company | Nozzle-injector for arc plasma deposition apparatus |
| KR100265289B1 (ko) * | 1998-01-26 | 2000-09-15 | 윤종용 | 플라즈마식각장치의 캐소우드 제조방법 및 이에 따라 제조되는 캐소우드 |
| US6122050A (en) * | 1998-02-26 | 2000-09-19 | Cornell Research Foundation, Inc. | Optical interface for a radially viewed inductively coupled argon plasma-Optical emission spectrometer |
| US6420032B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-07-16 | General Electric Company | Adhesion layer for metal oxide UV filters |
| US6517687B1 (en) | 1999-03-17 | 2003-02-11 | General Electric Company | Ultraviolet filters with enhanced weatherability and method of making |
| US6365016B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-04-02 | General Electric Company | Method and apparatus for arc plasma deposition with evaporation of reagents |
| US6426125B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-07-30 | General Electric Company | Multilayer article and method of making by ARC plasma deposition |
| US6261694B1 (en) | 1999-03-17 | 2001-07-17 | General Electric Company | Infrared reflecting coatings |
| TW588222B (en) * | 2000-02-10 | 2004-05-21 | Asml Netherlands Bv | Cooling of voice coil motors in lithographic projection apparatus |
| NL1017849C2 (nl) * | 2001-04-16 | 2002-10-30 | Univ Eindhoven Tech | Werkwijze en inrichting voor het deponeren van een althans ten dele kristallijne siliciumlaag op een substraat. |
| WO2003017737A2 (en) * | 2001-08-16 | 2003-02-27 | Dow Global Technologies Inc. | Cascade arc plasma and abrasion resistant coatings made therefrom |
| US6948448B2 (en) * | 2001-11-27 | 2005-09-27 | General Electric Company | Apparatus and method for depositing large area coatings on planar surfaces |
| US6681716B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-01-27 | General Electric Company | Apparatus and method for depositing large area coatings on non-planar surfaces |
| ATE402277T1 (de) * | 2002-02-05 | 2008-08-15 | Dow Global Technologies Inc | Chemische dampfphasenabscheidung auf einem substrat mittels eines korona-plasmas |
| RU2200058C1 (ru) * | 2002-02-12 | 2003-03-10 | Открытое акционерное общество "ТВЭЛ" | Способ проведения гомогенных и гетерогенных химических реакций с использованием плазмы |
| US6743524B2 (en) | 2002-05-23 | 2004-06-01 | General Electric Company | Barrier layer for an article and method of making said barrier layer by expanding thermal plasma |
| NL1020923C2 (nl) * | 2002-06-21 | 2003-12-23 | Otb Group Bv | Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een katalysator. |
| NL1021185C2 (nl) * | 2002-07-30 | 2004-02-03 | Fom Inst Voor Plasmafysica | Inrichting voor het behandelen van een oppervlak van een substraat en een plasmabron. |
| US20040229051A1 (en) | 2003-05-15 | 2004-11-18 | General Electric Company | Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices |
| US20060109455A1 (en) * | 2002-11-28 | 2006-05-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical inspection system and radiation source for use therein |
| NL1022155C2 (nl) * | 2002-12-12 | 2004-06-22 | Otb Group Bv | Werkwijze, alsmede inrichting voor het behandelen van een oppervlak van ten minste één substraat. |
| US6969953B2 (en) * | 2003-06-30 | 2005-11-29 | General Electric Company | System and method for inductive coupling of an expanding thermal plasma |
| US7282244B2 (en) * | 2003-09-05 | 2007-10-16 | General Electric Company | Replaceable plate expanded thermal plasma apparatus and method |
| NL1025096C2 (nl) * | 2003-12-21 | 2005-06-23 | Otb Group Bv | Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten. |
| US20050139256A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Korman Charles S. | Solar cell assembly for use in an outer space environment or a non-earth environment |
| US20050139253A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Korman Charles S. | Solar cell assembly for use in an outer space environment or a non-earth environment |
| US20050139255A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Korman Charles S. | Solar cell assembly for use in an outer space environment or a non-earth environment |
| CN1965104A (zh) * | 2004-03-09 | 2007-05-16 | 埃克阿泰克有限责任公司 | 膨胀式热等离子沉积系统 |
| US7354845B2 (en) | 2004-08-24 | 2008-04-08 | Otb Group B.V. | In-line process for making thin film electronic devices |
| US7703413B2 (en) * | 2004-06-28 | 2010-04-27 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Expanded thermal plasma apparatus |
| WO2006126133A2 (en) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Cascade arc radiation source with oxygen scavenging means |
| WO2008007944A1 (en) * | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Technische Universiteit Eindhoven | Method and device for treating a substrate by means of a plasma |
| EP1895818B1 (en) * | 2006-08-30 | 2015-03-11 | Sulzer Metco AG | Plasma spraying device and a method for introducing a liquid precursor into a plasma gas system |
| ES2534215T3 (es) | 2006-08-30 | 2015-04-20 | Oerlikon Metco Ag, Wohlen | Dispositivo de pulverización de plasma y un método para la introducción de un precursor líquido en un sistema de gas de plasma |
| DE102006042501B4 (de) * | 2006-09-07 | 2010-11-25 | Eisenmann Anlagenbau Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Anlage zum Trocknen von Gegenständen |
| CA2658210A1 (en) | 2008-04-04 | 2009-10-04 | Sulzer Metco Ag | Method and apparatus for the coating and for the surface treatment of substrates by means of a plasma beam |
| NL2003514C2 (en) | 2009-09-18 | 2011-03-21 | Otb Solar Bv | Thin film deposition apparatus and method for the same. |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2245779B1 (ja) * | 1973-09-28 | 1978-02-10 | Cit Alcatel |
-
1987
- 1987-06-30 NL NL8701530A patent/NL8701530A/nl not_active Application Discontinuation
-
1988
- 1988-06-02 EP EP88201112A patent/EP0297637B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-02 AT AT88201112T patent/ATE82460T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-06-02 ES ES198888201112T patent/ES2036253T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-02 DE DE8888201112T patent/DE3875815T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-13 US US07/206,181 patent/US4871580A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-15 CA CA000569491A patent/CA1324979C/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-15 JP JP63145986A patent/JP2705029B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-21 AU AU18222/88A patent/AU596935B2/en not_active Expired
-
1993
- 1993-02-10 GR GR930400258T patent/GR3007016T3/el unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GR3007016T3 (ja) | 1993-07-30 |
| EP0297637B1 (en) | 1992-11-11 |
| AU596935B2 (en) | 1990-05-17 |
| ATE82460T1 (de) | 1992-11-15 |
| JPH01208450A (ja) | 1989-08-22 |
| AU1822288A (en) | 1989-01-05 |
| CA1324979C (en) | 1993-12-07 |
| DE3875815D1 (de) | 1992-12-17 |
| US4871580A (en) | 1989-10-03 |
| NL8701530A (nl) | 1989-01-16 |
| ES2036253T3 (es) | 1993-05-16 |
| EP0297637A1 (en) | 1989-01-04 |
| DE3875815T2 (de) | 1993-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2705029B2 (ja) | プラズマによる基板表面処理方法及びそれに使用する装置 | |
| EP0064163B1 (en) | High speed plasma etching system | |
| US4492620A (en) | Plasma deposition method and apparatus | |
| US4980610A (en) | Plasma generators | |
| Musil | Microwave plasma: its characteristics and applications in thin film technology | |
| US6765216B2 (en) | Method and apparatus for producing atomic flows of molecular gases | |
| JPH0543785B2 (ja) | ||
| AU2002332200B2 (en) | Method for carrying out homogeneous and heterogeneous chemical reactions using plasma | |
| JP2700280B2 (ja) | イオンビーム発生装置および成膜装置および成膜方法 | |
| US20040188019A1 (en) | Device for treating a surface of a substrate, and a plasma source | |
| De Graaf et al. | Hydrogen atom cleaning of archeological artefacts | |
| JPH0813151A (ja) | プラズマｃｖｄ方法及び装置 | |
| RU2312932C2 (ru) | Устройство вакуумно-плазменной обработки изделий | |
| Xu et al. | Production of intense atomic nitrogen beam used for doping and synthesis of nitride film | |
| RU2063472C1 (ru) | Способ плазменной обработки деталей и устройство для его осуществления | |
| RU2567770C2 (ru) | Способ получения покрытий алмазоподобного углерода и устройство для его осуществления | |
| JPS6247472A (ja) | 立方晶チツ化ホウ素膜の形成方法 | |
| Durandet et al. | Pure silicon plasma in a helicon plasma deposition system | |
| Khomich et al. | Low-pressure uniform plasma generator based on hollow cathode for ion plasma technologies | |
| Zhang et al. | Application of a toroidal plasma source to TiN thin film deposition | |
| Blandino et al. | Magnetoplasmadynamic (MPD) accelerator assisted synthesis of diamond | |
| AU602109B2 (en) | Improvements in plasma generators | |
| Yoshida | Properties of a microwave-enhanced magnetron plasma excited by electron cyclotron resonance | |
| JPH0695501B2 (ja) | エッチング方法 | |
| Bugaev et al. | Studies and application of intense low-energy electron and ion beams |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009 Year of fee payment: 11 |