JP2700889B2 - 光磁気記録素子 - Google Patents
光磁気記録素子Info
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光強度変調によりオーバーライトが可能とな
った光磁気記録素子に関するものである。
った光磁気記録素子に関するものである。
［従来技術］ 光磁気ディスクを用いた記録方式によれば、集束レー
ザー光を記録媒体に投光して局部加熱し、これによって
ビットを書き込むことができ、そして磁気光学効果を利
用して読出しており、また、記録ビットを消去し、改め
てビットを書き込むこともできる。
ザー光を記録媒体に投光して局部加熱し、これによって
ビットを書き込むことができ、そして磁気光学効果を利
用して読出しており、また、記録ビットを消去し、改め
てビットを書き込むこともできる。
このよな書き換えを光変調記録方式で行う場合には記
録と消去を別々に行わねばならず、そのために光磁気デ
ィスクを少なくとも２回転させねばならず、リアルタイ
ムで書き換えることができない。
録と消去を別々に行わねばならず、そのために光磁気デ
ィスクを少なくとも２回転させねばならず、リアルタイ
ムで書き換えることができない。
これに対して、近時、キュリー温度が異なる二層の磁
性膜を積層し、そして、低キュリー点の磁性膜を記録再
生層とし、他方の高キュリー点の磁性膜を記録補助層と
し、この積層磁性体を用いて単一光ビームの光変調によ
りオーバーライトを可能とした光磁気記録素子が特開昭
62-175948号公報に提案されている。
性膜を積層し、そして、低キュリー点の磁性膜を記録再
生層とし、他方の高キュリー点の磁性膜を記録補助層と
し、この積層磁性体を用いて単一光ビームの光変調によ
りオーバーライトを可能とした光磁気記録素子が特開昭
62-175948号公報に提案されている。
この単一光ビーム光強度変調オーバライトは以下の通
りである。
りである。
第１図によれば、光磁気ディスク１は記録再生層２と
記録補助層３が積層されて成り、しかも、記録のための
バイアス磁石４と初期化磁石５が設置されている。
記録補助層３が積層されて成り、しかも、記録のための
バイアス磁石４と初期化磁石５が設置されている。
上記両層2,3は希土類金属と遷移金属の非晶質合金か
ら成り、それぞれ膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有す
るビットが配列されており、両層2,3のそれぞれのビッ
トは実質上1:1に対応している。そして、バイアス磁石
４の配置部位に対応した記録再生層２のビットにレーザ
ービーム光６を照射して記録の読出し又は書き換えを行
うことができる。
ら成り、それぞれ膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有す
るビットが配列されており、両層2,3のそれぞれのビッ
トは実質上1:1に対応している。そして、バイアス磁石
４の配置部位に対応した記録再生層２のビットにレーザ
ービーム光６を照射して記録の読出し又は書き換えを行
うことができる。
上記の記録再生層２と記録補助層３がいずれも遷移金
属リッチの合金層により形成された場合の記録方式は次
の通りである。ここで、上記遷移金属リッチとは補償組
成よりも遷移金属含有比率が大きくなった組成を指し、
これに対して、補償組成よりも希土類金属含有比率が大
きくなった組成を希土類金属リッチと呼ぶ。
属リッチの合金層により形成された場合の記録方式は次
の通りである。ここで、上記遷移金属リッチとは補償組
成よりも遷移金属含有比率が大きくなった組成を指し、
これに対して、補償組成よりも希土類金属含有比率が大
きくなった組成を希土類金属リッチと呼ぶ。
光磁気ディスク１が回転されると、各々のビットは初
期化磁石５の磁場Hiniとバイアス磁石４の磁場Hbに順次
印加される。磁場Hiniは磁場Hbに比べて著しく大きく、
そして、磁場Hiniは記録再生層２の保磁力に比べて小さ
く、しかも、記録補助層３の保磁力に比べて大きく、そ
のため、各々のビットが磁場Hiniに印加された場合、記
録再生層２のビットは変化しないが、記録補助層３のビ
ットは磁界方向、即ち、同図中上に向きに揃えられる。
期化磁石５の磁場Hiniとバイアス磁石４の磁場Hbに順次
印加される。磁場Hiniは磁場Hbに比べて著しく大きく、
そして、磁場Hiniは記録再生層２の保磁力に比べて小さ
く、しかも、記録補助層３の保磁力に比べて大きく、そ
のため、各々のビットが磁場Hiniに印加された場合、記
録再生層２のビットは変化しないが、記録補助層３のビ
ットは磁界方向、即ち、同図中上に向きに揃えられる。
次に各々のビットは磁場Hbが印加されるが、レーザー
ビーム光６のビーム強度の大きさにより記録再生層２の
磁化方向が決定される。
ビーム光６のビーム強度の大きさにより記録再生層２の
磁化方向が決定される。
高レベルのビーム強度をもつ光が照射された場合には
両層2,3のビット磁化方向は磁界Hbの方向、即ち同図中
下向きに揃えられ、他方、低レベルのビーム強度をもつ
光が照射された場合には記録補助層２のビット磁化方向
は変わらないが、記録再生層２のビット磁化方向は磁場
Hbの方向に揃えられる。
両層2,3のビット磁化方向は磁界Hbの方向、即ち同図中
下向きに揃えられ、他方、低レベルのビーム強度をもつ
光が照射された場合には記録補助層２のビット磁化方向
は変わらないが、記録再生層２のビット磁化方向は磁場
Hbの方向に揃えられる。
上記記録方式を第２図に示された磁化（Ｍ）−印加磁
界（Ｈ）のヒステリシスループにより補助説明すると次
の通りである。
界（Ｈ）のヒステリシスループにより補助説明すると次
の通りである。
同図中、横軸は印加磁界、縦軸は磁化であり、ポイン
トｂ−ｃ−ｅ−ｆ−ｇ−ｈ−ｉ−ｊ−ｂで表わされる実
線は記録再生層２と記録補助層３のそれぞれの磁化を加
えた全体としてのＭ−Ｈヒステリシスループであり、ま
た、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は記録再生層２と
記録補助層３のそれぞれのビット磁化方向を表してお
り、（Ａ）はｆ−ｇ間、（Ｂ）はｈ−ｉ間、（Ｃ）はｊ
−ｂ間、（Ｄ）はｃ−ｅ間のビット磁化状態を示す。そ
して、磁場Hiniが印加される前は両層2,3は（Ａ）又は
（Ｃ）の磁化状態にあり、次いで磁場Hiniが印加された
場合（Ａ）の磁化状態は変わらないが、（Ｃ）の磁化状
態は（Ｄ）の磁化状態に変わる。そこで、（Ａ）又は
（Ｄ）の磁化状態に低レベルのビーム強度をもつ光を照
射した場合、（Ａ）の磁化状態は変わらないが、（Ｄ）
の磁化状態は（Ａ）の磁化状態に変わる。他方、（Ａ）
又は（Ｄ）の磁化状態に高レベルのビーム強度をもつ光
を照射し、しかも、磁場Hbが第１図に示すように下向き
に加えられた場合、（Ａ）と（Ｄ）の磁化状態はいずれ
も（Ｃ）の磁化状態に変わる。
トｂ−ｃ−ｅ−ｆ−ｇ−ｈ−ｉ−ｊ−ｂで表わされる実
線は記録再生層２と記録補助層３のそれぞれの磁化を加
えた全体としてのＭ−Ｈヒステリシスループであり、ま
た、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は記録再生層２と
記録補助層３のそれぞれのビット磁化方向を表してお
り、（Ａ）はｆ−ｇ間、（Ｂ）はｈ−ｉ間、（Ｃ）はｊ
−ｂ間、（Ｄ）はｃ−ｅ間のビット磁化状態を示す。そ
して、磁場Hiniが印加される前は両層2,3は（Ａ）又は
（Ｃ）の磁化状態にあり、次いで磁場Hiniが印加された
場合（Ａ）の磁化状態は変わらないが、（Ｃ）の磁化状
態は（Ｄ）の磁化状態に変わる。そこで、（Ａ）又は
（Ｄ）の磁化状態に低レベルのビーム強度をもつ光を照
射した場合、（Ａ）の磁化状態は変わらないが、（Ｄ）
の磁化状態は（Ａ）の磁化状態に変わる。他方、（Ａ）
又は（Ｄ）の磁化状態に高レベルのビーム強度をもつ光
を照射し、しかも、磁場Hbが第１図に示すように下向き
に加えられた場合、（Ａ）と（Ｄ）の磁化状態はいずれ
も（Ｃ）の磁化状態に変わる。
以上の通り、単一光ビームのビーム強度を高レベル又
は低レベルに設定することによって記録再生層２のビッ
トが二値化され、そして、光磁気ディスクを一回転させ
るだけでリアルタイムにオーバーライトができる。
は低レベルに設定することによって記録再生層２のビッ
トが二値化され、そして、光磁気ディスクを一回転させ
るだけでリアルタイムにオーバーライトができる。
ところで、上記のような単一光ビーム光強度変調オー
バーライトに要求される所要特性には下記の３点があ
る。
バーライトに要求される所要特性には下記の３点があ
る。
…記録再生層のビット磁化方向が、キュリー点以上に
昇温された後の冷却過程で記録補助層のビット磁化方向
に揃う。
昇温された後の冷却過程で記録補助層のビット磁化方向
に揃う。
…記録補助層のビット磁化方向が、低レベルのレーザ
ー強度では反転しないが、高レベルのレーザー強度では
磁場Hbにより反転する。
ー強度では反転しないが、高レベルのレーザー強度では
磁場Hbにより反転する。
…記録補助層のビット磁化方向は磁場Hiniにより磁化
反転され、その状態が磁場Hiniが除かれても維持され
る。
反転され、その状態が磁場Hiniが除かれても維持され
る。
上記所要特性のうち、をＭ−Ｈヒステリシスループ
により表した場合、第２図に示す通りの特性が得られ
る。
により表した場合、第２図に示す通りの特性が得られ
る。
同図中、破線は記録補助層３のヒステリシスループを
表わし、Hcは記録補助層３の保磁力、Hwは両層2,3の間
で作用している交換結合力によるヒステリシスループの
シフト量であり、当然、交換結合力が作用しない場合に
はHw＝０となる。
表わし、Hcは記録補助層３の保磁力、Hwは両層2,3の間
で作用している交換結合力によるヒステリシスループの
シフト量であり、当然、交換結合力が作用しない場合に
はHw＝０となる。
また、記録補助層３を初期化磁石５によって磁化反転
させ、しかも、その磁場Hiniを取り去っても反転状態が
維持されている場合、この過程はポイントａよりポイン
トｂ及びポイントｃを経てポイントｄに至る経路により
表される。
させ、しかも、その磁場Hiniを取り去っても反転状態が
維持されている場合、この過程はポイントａよりポイン
トｂ及びポイントｃを経てポイントｄに至る経路により
表される。
そして、上記の所要特性は記録補助層の厚みを所定
以上に大きくした場合に得られる。
以上に大きくした場合に得られる。
その厚みは磁性媒体の種類にもよるが、450Å以上に
設定しなければならず、450Å未満の場合にはHwが大き
くなり、Hw＞Hcとなる。
設定しなければならず、450Å未満の場合にはHwが大き
くなり、Hw＞Hcとなる。
Hw＞HcのＮ−Ｈヒステリシスループは第３図に示す通
りであり、初期化磁石５により印加されるとポイントｋ
よりポイント１及びポイントｍに至るが、その印加がな
くなるとポイントｍよりポイントｎを介してポイントｋ
に戻り、結局、磁場Hiniが実質的に印加されなかったこ
とになる。
りであり、初期化磁石５により印加されるとポイントｋ
よりポイント１及びポイントｍに至るが、その印加がな
くなるとポイントｍよりポイントｎを介してポイントｋ
に戻り、結局、磁場Hiniが実質的に印加されなかったこ
とになる。
上述の通り、記録補助層の厚みは450Å以上必要とす
るが、実用上昇温時における記録補助層のビットの安定
性を考慮した場合、HwとHcの差を更に大きくしなければ
ならず、その差をHw-Hc＜−1000 Oeに設定しなければな
らない。
るが、実用上昇温時における記録補助層のビットの安定
性を考慮した場合、HwとHcの差を更に大きくしなければ
ならず、その差をHw-Hc＜−1000 Oeに設定しなければな
らない。
従ってHw-Hc＜−1000 Oeの条件が満足されるように記
録補助層の厚みを更に大きくしなければならない。本発
明者等は記録補助層の実用上の厚みが600Å以上である
と考える。
録補助層の厚みを更に大きくしなければならない。本発
明者等は記録補助層の実用上の厚みが600Å以上である
と考える。
［発明が解決しょうとする問題点］ しかしながら、上記構成の光磁気ディスクは記録補助
層を形成したために磁性体層全体の厚みが大きくなり、
その結果、高レベルのビーム強度をもつ光を照射し、両
層2,3のビット磁化方向を同時に反転させる場合、レー
ザービーム光のパワーが大きくなる。
層を形成したために磁性体層全体の厚みが大きくなり、
その結果、高レベルのビーム強度をもつ光を照射し、両
層2,3のビット磁化方向を同時に反転させる場合、レー
ザービーム光のパワーが大きくなる。
しかも、記録再生層と記録補助層は両層の界面を介し
て交換結合により磁気的につながっており、そのため、
繰り返して書き換えが行われた場合、その昇温及び冷却
により上記界面が変化し、その結果、光磁気特性が劣化
する。
て交換結合により磁気的につながっており、そのため、
繰り返して書き換えが行われた場合、その昇温及び冷却
により上記界面が変化し、その結果、光磁気特性が劣化
する。
［発明の目的］ 従って、本発明の目的は記録補助層の厚みを小さくし
ても単一光ビーム光強度変調オーバーライトが可能とな
った光磁気記録素子を提供することにある。
ても単一光ビーム光強度変調オーバーライトが可能とな
った光磁気記録素子を提供することにある。
本発明の他の目的は書き込みに用いられるレーザービ
ーム光のパワーを小さくすることができた光磁気記録素
子を提供することにある。
ーム光のパワーを小さくすることができた光磁気記録素
子を提供することにある。
本発明の更に他の目的は光磁気初期特性が長期間に亘
って安定に維持された光磁気記録素子を提供することに
ある。
って安定に維持された光磁気記録素子を提供することに
ある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明によれば、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有
する記録再生層と記録補助層が積層されてオーバーライ
トが可能となった光磁気記録素子において、非晶質合金
からなる前記記録再生層と前記記録補助層の間にこれら
両層と実質上固溶しない銅からなる非磁性相層を３〜10
Åの厚みで形成したことを特徴とする光磁気記録素子が
提供される。
する記録再生層と記録補助層が積層されてオーバーライ
トが可能となった光磁気記録素子において、非晶質合金
からなる前記記録再生層と前記記録補助層の間にこれら
両層と実質上固溶しない銅からなる非磁性相層を３〜10
Åの厚みで形成したことを特徴とする光磁気記録素子が
提供される。
以下、本発明を詳細に説明する。
第４図は本発明光磁気記録素子の基本的層構成を示
し、図中、７はガラス又はプラスチックなどから成る被
膜形成用の基板であり、この基板７の上に記録再生層
８、非磁性体層９及び記録補助層10が順次形成されてい
る。
し、図中、７はガラス又はプラスチックなどから成る被
膜形成用の基板であり、この基板７の上に記録再生層
８、非磁性体層９及び記録補助層10が順次形成されてい
る。
上記記録再生層８及び記録補助層10はいずれも膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性体層であり、この
両層8,10の間に非磁性体層９が形成されている。
垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性体層であり、この
両層8,10の間に非磁性体層９が形成されている。
この非磁性体層９は両層8,10のキュリー点以下の温度
範囲内で磁性体構成元素と実質上固溶しない銅により形
成されている。
範囲内で磁性体構成元素と実質上固溶しない銅により形
成されている。
上記磁性体層8,10には例えば希土類金属と遷移金属の
組合わせから成る非晶質合金があり、この合金としてTb
Fe,TbFeCo,GdTbFe,DyFeCo,GdDyFe,NdDyFeCo,NdGdDyFe,N
dTbFeCo,GdDyTbFe,GdCoなどがある。そして、これらの
磁性合金よりキュリー温度が異なる二種類の合金を選
び、或いは同一成分の合金より組成比をかえてキュリー
温度が異なる二種類の合金とし、低キュリー点の磁性合
金を用いて記録再生層を形成し、他方、高キュリー点の
磁性合金を用いて記録補助層を形成する。
組合わせから成る非晶質合金があり、この合金としてTb
Fe,TbFeCo,GdTbFe,DyFeCo,GdDyFe,NdDyFeCo,NdGdDyFe,N
dTbFeCo,GdDyTbFe,GdCoなどがある。そして、これらの
磁性合金よりキュリー温度が異なる二種類の合金を選
び、或いは同一成分の合金より組成比をかえてキュリー
温度が異なる二種類の合金とし、低キュリー点の磁性合
金を用いて記録再生層を形成し、他方、高キュリー点の
磁性合金を用いて記録補助層を形成する。
前記非磁性体層９を上記非晶質合金と固溶しない銅を
用いて形成する。
用いて形成する。
非磁性体層９の厚みは３〜10Å、好適には５〜９Åの
範囲内に設定する必要があり、この厚みが３Å未満の場
合には記録補助層の厚みを小さくできず、一方10Åを超
えた場合には記録再生層と記録補助層の間の交換結合が
弱まり、低レベルのビーム強度をもつ光が照射された場
合に記録再生層のビット磁化方向が記録補助層のビット
磁化方向と一致しない。
範囲内に設定する必要があり、この厚みが３Å未満の場
合には記録補助層の厚みを小さくできず、一方10Åを超
えた場合には記録再生層と記録補助層の間の交換結合が
弱まり、低レベルのビーム強度をもつ光が照射された場
合に記録再生層のビット磁化方向が記録補助層のビット
磁化方向と一致しない。
かくして本発明の光磁気記録素子によれば、上記非磁
性体層を形成したことによって記録補助層の厚みを小さ
くすることができ、これにより、磁性体層全体の厚みが
小さくなり、その結果、レーザビーム光のパワーが小さ
くなる。
性体層を形成したことによって記録補助層の厚みを小さ
くすることができ、これにより、磁性体層全体の厚みが
小さくなり、その結果、レーザビーム光のパワーが小さ
くなる。
本発明者等が繰り返し行った実験によれば、非磁性体
層がない場合、記録補助層が600Å以上の厚みを必要と
したのに対し、本発明の光磁気記録素子においてはその
厚みを100〜400Å、好適には150〜300Åの範囲内に設定
することができた。
層がない場合、記録補助層が600Å以上の厚みを必要と
したのに対し、本発明の光磁気記録素子においてはその
厚みを100〜400Å、好適には150〜300Åの範囲内に設定
することができた。
また、非磁性体層がない素子を線速4m/s、記録周波数
1.6MHzの条件下で記録した場合、5.0mw以上のレーザー
ビーム光のパワーを必要としたが、これに対して本発明
の光磁気記録素子を用いた場合にはそのパワーを5.0mw
未満、最小4.7mwにまで設定することができた。
1.6MHzの条件下で記録した場合、5.0mw以上のレーザー
ビーム光のパワーを必要としたが、これに対して本発明
の光磁気記録素子を用いた場合にはそのパワーを5.0mw
未満、最小4.7mwにまで設定することができた。
［実施例］ 次に本発明の実施例を述べる。
（例１） 交流マグネトロンスパッタリング装置を用いてガラス
基板の上に誘導体層（窒化シリコンを主要成分とし、こ
れはＹ原子、Al原子及びＯ原子が含有された層であり、
これは所謂YSiAlON層…イットリウムサイアロン層と呼
ばれる層である）を725Åの厚みで形成し、この層の上
にTbFe垂直磁化膜（原子組成比Tb0.22 Fe0.78）を600
Åの厚みで形成して記録再生層とした。
基板の上に誘導体層（窒化シリコンを主要成分とし、こ
れはＹ原子、Al原子及びＯ原子が含有された層であり、
これは所謂YSiAlON層…イットリウムサイアロン層と呼
ばれる層である）を725Åの厚みで形成し、この層の上
にTbFe垂直磁化膜（原子組成比Tb0.22 Fe0.78）を600
Åの厚みで形成して記録再生層とした。
次いで銅（Cu）から成る非磁性体層を形成し、続けて
GbTbFe垂直磁化膜（原子組成比(Gd0.6 Tb0.4)0.21Fe
0.79）を形成して記録補助層とした。然る後、この記録
補助層の上にYSiAlON層を1000Åの厚みで形成して保護
層とした。
GbTbFe垂直磁化膜（原子組成比(Gd0.6 Tb0.4)0.21Fe
0.79）を形成して記録補助層とした。然る後、この記録
補助層の上にYSiAlON層を1000Åの厚みで形成して保護
層とした。
本例においては、このようにして同一装置内で上記各
層を順次、形成するに当たって、非磁性体層の厚みを０
Å,2Å,5Å及び10Åに設定し、しかも、それぞれの厚み
に対して記録補助層の厚みを幾通りも変え、これによ
り、種々の光磁気記録素子を製作した。
層を順次、形成するに当たって、非磁性体層の厚みを０
Å,2Å,5Å及び10Åに設定し、しかも、それぞれの厚み
に対して記録補助層の厚みを幾通りも変え、これによ
り、種々の光磁気記録素子を製作した。
かくして得られた各々の光磁気記録素子について、Hw
-Hcを測定したところ、第５図に示す通りの結果が得ら
れた。
-Hcを測定したところ、第５図に示す通りの結果が得ら
れた。
尚、Hw-Hcの測定にはカー効果測定装置及び振動試料
型磁化測定装置（Vibration Sample Magnetometer）を
用いた。
型磁化測定装置（Vibration Sample Magnetometer）を
用いた。
同図中、横軸は記録補助層の厚みであり、縦軸はHw-H
cの値であり、そしてo,p,q及びｒはそれぞれ非磁性体層
の厚みが０Å,2Å,5Å及び10Åの場合の特性曲線を表
す。
cの値であり、そしてo,p,q及びｒはそれぞれ非磁性体層
の厚みが０Å,2Å,5Å及び10Åの場合の特性曲線を表
す。
この結果より明らかな通り、非磁性体層がない場合に
はHw-Hc＜−1000 Oeを実現するために記録補助層の厚み
を600Å以上に設定する必要があった。
はHw-Hc＜−1000 Oeを実現するために記録補助層の厚み
を600Å以上に設定する必要があった。
これに対して、非磁性体層を形成した場合、Hw-Hc＜
−1000 Oeを実現するために記録補助層の厚みを小さく
することができ、また、非磁性体層の厚みが大きくなる
のに伴って記録補助層の厚みが小さくなる傾向にあるこ
とが判る。
−1000 Oeを実現するために記録補助層の厚みを小さく
することができ、また、非磁性体層の厚みが大きくなる
のに伴って記録補助層の厚みが小さくなる傾向にあるこ
とが判る。
（例２） 本例においては、（例１）にて製作される光磁気記録
素子について、Hw-Hcが−1000 Oeとなるような非磁性体
層の厚みと記録補助層の厚みの関係を求めた。
素子について、Hw-Hcが−1000 Oeとなるような非磁性体
層の厚みと記録補助層の厚みの関係を求めた。
この結果は第６図に示す通りであり、横軸は非磁性体
層の厚み、縦軸は記録補助層の厚みであり、そして、ｓ
はその維持曲線である。
層の厚み、縦軸は記録補助層の厚みであり、そして、ｓ
はその維持曲線である。
同図より明らかな通り、Hw-Hcが−1000 Oeに設定した
場合、非磁性体層の厚みが大きくなるのに伴って記録補
助層の厚みが小さくなることが判る。
場合、非磁性体層の厚みが大きくなるのに伴って記録補
助層の厚みが小さくなることが判る。
また、本発明者等が行った実験によれば、上記非磁性
体層の厚みが10Åを超えた場合には記録再生層と記録補
助層の間の交換結合が弱くなり、そのため、低レベルの
ビーム強度をもつ光を照射した場合、記録再生層と記録
補助層のそれぞれの磁化方向が一致しなくなった。
体層の厚みが10Åを超えた場合には記録再生層と記録補
助層の間の交換結合が弱くなり、そのため、低レベルの
ビーム強度をもつ光を照射した場合、記録再生層と記録
補助層のそれぞれの磁化方向が一致しなくなった。
（例３） 次に本例においては、（例１）にて得られた本発明光
磁気記録素子（非磁性体層及び記録補助層のそれぞれの
厚みが５Å及び300Åである）と、この素子より非磁性
体層が形成されていない光磁気記録素子を20℃及び200
℃の温度間で昇温・冷却を繰り返し行い、Hwの経時変化
を追ったところ、第７図に示す通りの結果が得られた。
磁気記録素子（非磁性体層及び記録補助層のそれぞれの
厚みが５Å及び300Åである）と、この素子より非磁性
体層が形成されていない光磁気記録素子を20℃及び200
℃の温度間で昇温・冷却を繰り返し行い、Hwの経時変化
を追ったところ、第７図に示す通りの結果が得られた。
同図中、横軸は温度サイクル回数であり、縦軸はテス
ト開始前のHwに対する測定Hwの比率であり、そして、●
印及び×印はそれぞれ本発明及び比較例のプロットであ
り、ｔ及びｕはそれぞれの特性曲線である。
ト開始前のHwに対する測定Hwの比率であり、そして、●
印及び×印はそれぞれ本発明及び比較例のプロットであ
り、ｔ及びｕはそれぞれの特性曲線である。
この結果より明らかな通り、本発明の光磁気記録素子
はHwの変化がほとんど認められないが、然るに比較例の
素子はHwが温度サイクルにより顕著に低下することが判
る。
はHwの変化がほとんど認められないが、然るに比較例の
素子はHwが温度サイクルにより顕著に低下することが判
る。
本発明の光磁気記録素子に上記のような経時劣化が認
められない理由として、本発明者等は記録再生層と記録
補助層の間で両層の構成元素が相互に拡散しなくなった
ためであると考える。
められない理由として、本発明者等は記録再生層と記録
補助層の間で両層の構成元素が相互に拡散しなくなった
ためであると考える。
上述の通り、本実施例は記録再生層と記録補助層がい
ずれも遷移金属リッチな組成である場合について述べら
れているが、これ以外に両層の組成上に特徴に応じて第
１表に示すような８種類の組合せ（ｉ〜Viii）があり、
本発明者等はいずれの組合せの光磁気記録素子について
も本実施例と同じ効果が得られることを確認した。
ずれも遷移金属リッチな組成である場合について述べら
れているが、これ以外に両層の組成上に特徴に応じて第
１表に示すような８種類の組合せ（ｉ〜Viii）があり、
本発明者等はいずれの組合せの光磁気記録素子について
も本実施例と同じ効果が得られることを確認した。
尚、第１表中Tcompは補償温度、RTは室温、Tcはキュ
リー温度を示す。
リー温度を示す。
［発明の効果］ 以上の通り、本発明の光磁気記録素子によれば、所定
の厚みの非磁性体層を記録再生層と記録補助層の間に形
成しており、これによって磁性膜全体の厚みが小さくな
り、その結果、書込みに要するレーザービーム光のパワ
ーを小さくできた。
の厚みの非磁性体層を記録再生層と記録補助層の間に形
成しており、これによって磁性膜全体の厚みが小さくな
り、その結果、書込みに要するレーザービーム光のパワ
ーを小さくできた。
また、本発明の光磁気記録素子によれば、光磁気初期
特性が経時的に劣化せず、長期間に亘たって安定に維持
されるという利点も有する。
特性が経時的に劣化せず、長期間に亘たって安定に維持
されるという利点も有する。
第１図は単一光ビーム光強度変調オーバーライトの説明
図、第２図及び第３図は磁化−印加磁界のヒステリシス
ループの線図、第４図は本発明光磁気記録素子の基本的
層構成を示す断面図、第５図は記録補助層の厚みと［Hw
-Hc］の関係を示す線図、第６図は非磁性体層の厚みと
記録補助層の厚みの関係を示す線図、第７図は規格化さ
れたHwの経時変化を表わす線図である。 2,8……記録再生層 3,10……記録補助層 ４……バイアス磁石 ５……初期化磁石 ９……非磁性体層
図、第２図及び第３図は磁化−印加磁界のヒステリシス
ループの線図、第４図は本発明光磁気記録素子の基本的
層構成を示す断面図、第５図は記録補助層の厚みと［Hw
-Hc］の関係を示す線図、第６図は非磁性体層の厚みと
記録補助層の厚みの関係を示す線図、第７図は規格化さ
れたHwの経時変化を表わす線図である。 2,8……記録再生層 3,10……記録補助層 ４……バイアス磁石 ５……初期化磁石 ９……非磁性体層
Claims (1)
- 【請求項１】膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する記
録再生層と記録補助層が積層されてオーバーライトが可
能となった光磁気記録素子において、非晶質合金からな
る前記記録再生層と前記記録補助層の間にこれら両層と
実質上固溶しない銅からなる非磁性相層を３〜10Åの厚
みで形成したことを特徴とする光磁気記録素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046451A JP2700889B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 光磁気記録素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046451A JP2700889B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 光磁気記録素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220239A JPH01220239A (ja) | 1989-09-01 |
| JP2700889B2 true JP2700889B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=12747524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046451A Expired - Fee Related JP2700889B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 光磁気記録素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2700889B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02230532A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-12 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| US7764454B2 (en) | 2004-07-13 | 2010-07-27 | The Regents Of The University Of California | Exchange-bias based multi-state magnetic memory and logic devices and magnetically stabilized magnetic storage |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117354A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPS63239637A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Canon Inc | 光磁気記録媒体およびその記録方法 |
| JPS6450257A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Nikon Corp | Multi-layered magneto-optical recording medium controlled in exchange bonding strength |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046451A patent/JP2700889B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01220239A (ja) | 1989-09-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |