JP2698688B2 - 光量調整方法 - Google Patents
光量調整方法Info
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- JP2698688B2 JP2698688B2 JP13829590A JP13829590A JP2698688B2 JP 2698688 B2 JP2698688 B2 JP 2698688B2 JP 13829590 A JP13829590 A JP 13829590A JP 13829590 A JP13829590 A JP 13829590A JP 2698688 B2 JP2698688 B2 JP 2698688B2
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- Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 発明は、原稿読取装置、複写装置、ファクシミリ装置
等に用いることのできる原稿照明光源の光量調整方法に
関する。
等に用いることのできる原稿照明光源の光量調整方法に
関する。
［従来の技術］ 一般に、従来のディジタル複写装置の照射光量制御と
しては、例えば第５図に示すように、原稿照射光手段と
してのハロゲンランプ８等を用いて原稿を照射し、所定
の反射光量測定領域（第２図の100）内の原稿からの反
射光10を、反射光量測定手段としてのCCD（電荷結合素
子）センサ１で画素単位で電気信号11に変換し、この電
気信号11を反射光量算出手段２で反射光量12に変換し、
この反射光量12を続く照射光量制御手段４への入力信号
となし、この制御手段４で反射光量12に基いてハロゲン
ランプ８の点灯電圧をコントロールするためのコントロ
ール電圧値15を演算出力し、ランプ点灯手段７でコント
ロール電圧値15に基いて点灯電圧を可変することによっ
てハロゲンランプ８の照射光量を帰還制御している。こ
こで、通常、原稿の種類，濃度分布によっては適正な照
射光量が異なるため、目標反射光量演算手段３によって
上記の反射光量12に基いて目標光量13を算出し、原稿反
射光10の光量がこの目標光量13に収束するように照射光
量制御手段４を介して負帰還をかける制御系を構成して
いる。
しては、例えば第５図に示すように、原稿照射光手段と
してのハロゲンランプ８等を用いて原稿を照射し、所定
の反射光量測定領域（第２図の100）内の原稿からの反
射光10を、反射光量測定手段としてのCCD（電荷結合素
子）センサ１で画素単位で電気信号11に変換し、この電
気信号11を反射光量算出手段２で反射光量12に変換し、
この反射光量12を続く照射光量制御手段４への入力信号
となし、この制御手段４で反射光量12に基いてハロゲン
ランプ８の点灯電圧をコントロールするためのコントロ
ール電圧値15を演算出力し、ランプ点灯手段７でコント
ロール電圧値15に基いて点灯電圧を可変することによっ
てハロゲンランプ８の照射光量を帰還制御している。こ
こで、通常、原稿の種類，濃度分布によっては適正な照
射光量が異なるため、目標反射光量演算手段３によって
上記の反射光量12に基いて目標光量13を算出し、原稿反
射光10の光量がこの目標光量13に収束するように照射光
量制御手段４を介して負帰還をかける制御系を構成して
いる。
通常、このような制御系を具えた装置では、ランプ点
灯手段７へのコントロール信号15はアナログ信号である
が、照射光量制御手段４の回路内ではディジタル信号で
あるため、非常に高価なD/A（デジタル／アナログ）コ
ンバータを備える必要があった。
灯手段７へのコントロール信号15はアナログ信号である
が、照射光量制御手段４の回路内ではディジタル信号で
あるため、非常に高価なD/A（デジタル／アナログ）コ
ンバータを備える必要があった。
そこで、そのようなD/Aコンバータを用いずに照射光
量制御手段４から操作パネル上の表示手段（図示しな
い）を用いて装置の使用者に対して照射光量の増減要求
を出力表示し、その増減要求に従って使用者が手動のコ
ントロール電圧設定手段（図示しない）を操作してラン
プ８の点灯電圧を調整させ、それにより照射光量の増減
制御を実現するという構成が考えられる。
量制御手段４から操作パネル上の表示手段（図示しな
い）を用いて装置の使用者に対して照射光量の増減要求
を出力表示し、その増減要求に従って使用者が手動のコ
ントロール電圧設定手段（図示しない）を操作してラン
プ８の点灯電圧を調整させ、それにより照射光量の増減
制御を実現するという構成が考えられる。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述のように手動で点灯電圧を操作す
る場合には、以下に述べるような解決すべき課題が発生
する。
る場合には、以下に述べるような解決すべき課題が発生
する。
すなわち、前述の反射光量測定範囲が比較的広い場合
には、この範囲をCCDセンサ１で走査する時間がかかる
ために、照射光量が目標光量に収束するまでに長時間を
要してしまうという点である。
には、この範囲をCCDセンサ１で走査する時間がかかる
ために、照射光量が目標光量に収束するまでに長時間を
要してしまうという点である。
本発明の目的は、上述の点に鑑み、光量調整時間の大
幅な短縮が可能な光量調整方法を提供することにある。
幅な短縮が可能な光量調整方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明は、光源により原稿
を照明し、第１の測定範囲から得られる受光量を各画素
毎に記憶する第１の工程と、記憶した全画素の平均受光
量に応じて目標平均受光量を設定する第２の工程と、第
２の工程で設定した目標平均受光量に応じて光源の発光
量を設定する第３の工程と、第３の工程で設定した発光
量で原稿を照明し、第１の測定範囲内の第１の測定範囲
より小さな第２の測定範囲から得られる平均受光量に応
じて第１の測定範囲全体の平均受光量を演算する第４の
工程と、第４の工程で得た第１の測定範囲全体の平均受
光量に応じて光源の発光量を制御する第５の工程と、を
有することを特徴とする。
を照明し、第１の測定範囲から得られる受光量を各画素
毎に記憶する第１の工程と、記憶した全画素の平均受光
量に応じて目標平均受光量を設定する第２の工程と、第
２の工程で設定した目標平均受光量に応じて光源の発光
量を設定する第３の工程と、第３の工程で設定した発光
量で原稿を照明し、第１の測定範囲内の第１の測定範囲
より小さな第２の測定範囲から得られる平均受光量に応
じて第１の測定範囲全体の平均受光量を演算する第４の
工程と、第４の工程で得た第１の測定範囲全体の平均受
光量に応じて光源の発光量を制御する第５の工程と、を
有することを特徴とする。
［実施例］ 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の原稿照射光量制御回路の
回路構成を示す。同図において、１はCCDセンサであ
り、128個の読み取り画素から成り、読み出しクロック
（不図示）に従って原稿からの反射光を電気信号11に逐
次変換していく。CCDセンサ１から得られた電気信号11
は反射光量算出手段２によって反射光量データに変換さ
れ、原稿上の画素を示す第２図のa0,a1,a3…am＊ｎの画
素の順で内部メモリにそれ等の反射光量データVa0,Va1,
Va3…,Vam＊ｎが格納されていく。ここで、そのメモリ
の容量に制限がある場合には、何画素かおきに間引いて
メモリに格納して行く方法もとれるが、以下では説明の
簡単化のために画素の間引きは行わないこととする。
回路構成を示す。同図において、１はCCDセンサであ
り、128個の読み取り画素から成り、読み出しクロック
（不図示）に従って原稿からの反射光を電気信号11に逐
次変換していく。CCDセンサ１から得られた電気信号11
は反射光量算出手段２によって反射光量データに変換さ
れ、原稿上の画素を示す第２図のa0,a1,a3…am＊ｎの画
素の順で内部メモリにそれ等の反射光量データVa0,Va1,
Va3…,Vam＊ｎが格納されていく。ここで、そのメモリ
の容量に制限がある場合には、何画素かおきに間引いて
メモリに格納して行く方法もとれるが、以下では説明の
簡単化のために画素の間引きは行わないこととする。
次に、本実施例における原稿照射光量の制御手順につ
いて説明する。第３図のフローチャートはその制御手順
を示す。
いて説明する。第３図のフローチャートはその制御手順
を示す。
まず、ハロゲンランプ８をランプ点灯手段７を介して
基準と成る点灯電圧で点灯し（STEP1）、反射光量算出
手段２によりそのときの原稿反射濃度を反射光量測定範
囲内（第２図の破線100の枠内）の全画素についてサン
プリングする（STEP2）。さらに、そのサンプルデータ
を上述のメモリへ順次格納しておく（STEP3）。次に、
そのメモリに格納したサンプルデータから目標反射光量
演算手段３によりそのデータの最大値，最小値，平均
値，反射光量度数分布等の情報を算出して原稿の特徴を
抽出する。例えば、全体的に暗いとか、濃度の分布範囲
が広い等の特徴から、個々の原稿の特徴に応じた目標平
均反射光量を設定する（STEP4）。以下に述べるように
反射光量測定範囲内の全画素についてのサンプルデータ
の平均値がこの目標反射光量に一致するように照射光量
制御を行なうこととなる。
基準と成る点灯電圧で点灯し（STEP1）、反射光量算出
手段２によりそのときの原稿反射濃度を反射光量測定範
囲内（第２図の破線100の枠内）の全画素についてサン
プリングする（STEP2）。さらに、そのサンプルデータ
を上述のメモリへ順次格納しておく（STEP3）。次に、
そのメモリに格納したサンプルデータから目標反射光量
演算手段３によりそのデータの最大値，最小値，平均
値，反射光量度数分布等の情報を算出して原稿の特徴を
抽出する。例えば、全体的に暗いとか、濃度の分布範囲
が広い等の特徴から、個々の原稿の特徴に応じた目標平
均反射光量を設定する（STEP4）。以下に述べるように
反射光量測定範囲内の全画素についてのサンプルデータ
の平均値がこの目標反射光量に一致するように照射光量
制御を行なうこととなる。
次に、反射光量測定範囲内の全画素の中から１点を特
定測定点として選出する（STEP5）。この選出基準とし
ては例えばサンプルデータが最大値であった画素を選出
する。選出された点を以下、『特定測定点』と称する。
以降は反射光量測定範囲内の全画素についてのサンプリ
ングを行なって平均反射光量を算出するのではなく、特
定測定点のデータのみから平均反射光量を算出する。特
定測定点のデータからの平均反射光量の算出法について
は後述するが、まずSTEP6において特定測定点の目標反
射光量（以下、特定測定点目標反射光量と称する）を算
出する。
定測定点として選出する（STEP5）。この選出基準とし
ては例えばサンプルデータが最大値であった画素を選出
する。選出された点を以下、『特定測定点』と称する。
以降は反射光量測定範囲内の全画素についてのサンプリ
ングを行なって平均反射光量を算出するのではなく、特
定測定点のデータのみから平均反射光量を算出する。特
定測定点のデータからの平均反射光量の算出法について
は後述するが、まずSTEP6において特定測定点の目標反
射光量（以下、特定測定点目標反射光量と称する）を算
出する。
続くSTEP7で照射光量制御手段４により特定測定点目
標反射光量の特定測定点目標反射光量への収束判定を行
ない、収束していなければ表示手段５にコントロール電
圧設定手段６を操作すべき旨の表示を行う（STEP8）。
この表示に従って、使用者は手動のコントロール電圧設
定手段６を操作してランプ点灯手段７を介してハロゲン
ランプ８の点灯電圧を変え、ハロゲンランプ８の原稿照
射光量を増減させる。その間も目標反射光量へ収束する
までSTEP7〜STEP9の処理をループし続ける。その際、ST
EP9では先の特定測定点のみのサンプリングを行うた
め、反射光量測定範囲内の全画素についてのサンプリン
グを行う場合に較べて、表示→サンプリング→収束判定
の周期が短くなる。
標反射光量の特定測定点目標反射光量への収束判定を行
ない、収束していなければ表示手段５にコントロール電
圧設定手段６を操作すべき旨の表示を行う（STEP8）。
この表示に従って、使用者は手動のコントロール電圧設
定手段６を操作してランプ点灯手段７を介してハロゲン
ランプ８の点灯電圧を変え、ハロゲンランプ８の原稿照
射光量を増減させる。その間も目標反射光量へ収束する
までSTEP7〜STEP9の処理をループし続ける。その際、ST
EP9では先の特定測定点のみのサンプリングを行うた
め、反射光量測定範囲内の全画素についてのサンプリン
グを行う場合に較べて、表示→サンプリング→収束判定
の周期が短くなる。
次に、特定測定点のデータからの平均反射光量の算出
方法について説明する。
方法について説明する。
第３図のSTEP2で得られた反射光量測定範囲内の画素
と、その反射光量の関係を第４図の実線の曲線で示す。
いま、各画素の反射光量Vi（ｉは１〜ｍ＊ｎまでの画素
番号とする）で表わすと、第２図の反射光量測定範囲10
0内の全画素の平均反射光量Ｅは次式（１）から求ま
る。
と、その反射光量の関係を第４図の実線の曲線で示す。
いま、各画素の反射光量Vi（ｉは１〜ｍ＊ｎまでの画素
番号とする）で表わすと、第２図の反射光量測定範囲10
0内の全画素の平均反射光量Ｅは次式（１）から求ま
る。
Ｅ＝（V1＋V2＋V3＋…＋Vm＊ｎ）/m＊ｎ …（１） ここで、反射光量の最大値をVkとすると、（１）式か
ら（２）式が導かれる。
ら（２）式が導かれる。
Ｅ＝（k1Vk＋k2Vk＋k3Vk＋…＋km＊nVk）/m＊ｎ （ここで、ki＝Vi/Vkである） ＝SkVk/m＊ｎ …（２） （ここで、Sk＝k1＋k2＋k3＋…＋km＊ｎである） そこで、第３図のSTEP3においてメモリに格納した各
画素の反射光量からSkを演算して求める。原稿が同一で
あれば、kiは照射光量に関係なく一定値となるため、Sk
は定数となる。但し、kiが照射光量に関係なく一定値と
なるには、CCDセンサ１の各画素でシェーディング補正
が成されていることが前提となっている。
画素の反射光量からSkを演算して求める。原稿が同一で
あれば、kiは照射光量に関係なく一定値となるため、Sk
は定数となる。但し、kiが照射光量に関係なく一定値と
なるには、CCDセンサ１の各画素でシェーディング補正
が成されていることが前提となっている。
さて、上記の理由から反射光量測定範囲内の全画素の
反射光量を測定して、ある特定測定点（ｋ番目の画素）
についてSkの値を一旦算出しておけば、換言すると、Sk
＝K1＋K2＋K3＋…＋Km＊ｎ＝1/Vk・（V1＋V2＋…＋Vm＊
ｎ）なので、以降は特定測定点のみの反射光量Vkを測定
することによって平均反射光量Ｅが得られる。特定測定
点をｊ番目のものとすれば、Sj＝1/Vj・（V1＋V2＋…＋
Vm＊ｎ）を算出しておけば、以降はVjを測定するだけで
よい。
反射光量を測定して、ある特定測定点（ｋ番目の画素）
についてSkの値を一旦算出しておけば、換言すると、Sk
＝K1＋K2＋K3＋…＋Km＊ｎ＝1/Vk・（V1＋V2＋…＋Vm＊
ｎ）なので、以降は特定測定点のみの反射光量Vkを測定
することによって平均反射光量Ｅが得られる。特定測定
点をｊ番目のものとすれば、Sj＝1/Vj・（V1＋V2＋…＋
Vm＊ｎ）を算出しておけば、以降はVjを測定するだけで
よい。
その他の実施例 上記の実施例では特定測定点を１点と定めたが、複数
点を指定してもよい。例えば、特定測定点を５番目,6番
目,8番目の画素に選定した場合を考える。
点を指定してもよい。例えば、特定測定点を５番目,6番
目,8番目の画素に選定した場合を考える。
この場合の平均反射光量Ｅは次式（３）から求まる。
Ｅ＝（V1＋V2＋V3＋…＋Vm＊ｎ）/m＊ｎ ＝（V1＊（V5＋V6＋V8）／（V5＋V6＋V8） V2＊（V5＋V6＋V8）／（V5＋V6＋V8）＋ ・・・・・・・・ ＋ Ｖ（ｍ＊ｎ）＊（V5＋V6＋V8）／（V5＋V6＋V8）/m
＊ｎ ＝（K1＋K2＋…＋Ｋ（ｍ＊ｎ））＊（V5＋V6＋V8）/m
＊ｎ ＝Sk＊（V5＋V6＋V8）/m＊ｎ …（３） ここでKi＝Vi/（V5＋V6＋V8）である。
＊ｎ ＝（K1＋K2＋…＋Ｋ（ｍ＊ｎ））＊（V5＋V6＋V8）/m
＊ｎ ＝Sk＊（V5＋V6＋V8）/m＊ｎ …（３） ここでKi＝Vi/（V5＋V6＋V8）である。
上式（３）においてSkは定数となる。従って、Ｅは
（V5＋V6＋V8）のみの関数となり、前実施例と同様に、
特定測定点の反射光量（V5＋V6＋V8）を測定することで
反射光量測定範囲内の平均反射光量Ｅを同定できる。特
定測定点が１点の場合にはCCDセンサ１の不良で測定デ
ータに信頼性が得られない場合があるが、本実施例の様
に複数個の特定測定点を設ければ信頼性が向上する。そ
の際の特定測定点の物理的位置は反射光量測定範囲内で
ランダムに選定する必要はなく、CCDセンサ１の隣接す
る画素に選定すれば、センサ１を移動させる必要がな
く、特定測定点が１点の場合とほぼ同じ時間で測定が完
了する利点がある。
（V5＋V6＋V8）のみの関数となり、前実施例と同様に、
特定測定点の反射光量（V5＋V6＋V8）を測定することで
反射光量測定範囲内の平均反射光量Ｅを同定できる。特
定測定点が１点の場合にはCCDセンサ１の不良で測定デ
ータに信頼性が得られない場合があるが、本実施例の様
に複数個の特定測定点を設ければ信頼性が向上する。そ
の際の特定測定点の物理的位置は反射光量測定範囲内で
ランダムに選定する必要はなく、CCDセンサ１の隣接す
る画素に選定すれば、センサ１を移動させる必要がな
く、特定測定点が１点の場合とほぼ同じ時間で測定が完
了する利点がある。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、測定時間の大
幅な短縮が可能となる効果が得られる。
幅な短縮が可能となる効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の原稿照射光量制御回路の回
路構成を示すブロック図、 第２図は原稿と反射光量測定範囲の関係を示す平面図、 第３図は本発明実施例における原稿照射光量制御手順を
示すフローチャート、 第４図は第２図の反射光量測定範囲内の画素の反射光量
の一例を示すグラフ、 第５図は従来例の原稿照射光量制御回路の回路構成を示
すブロック図である。 １……CCDセンサ、 ２……反射光量算出手段、 ３……目標反射光量演算手段、 ４……照射光量制御手段、 ５……表示手段、 ６……コントロール電圧設定手段、 ７……ランプ点灯手段、 ８……ハロゲンランプ、 ９……原稿。
路構成を示すブロック図、 第２図は原稿と反射光量測定範囲の関係を示す平面図、 第３図は本発明実施例における原稿照射光量制御手順を
示すフローチャート、 第４図は第２図の反射光量測定範囲内の画素の反射光量
の一例を示すグラフ、 第５図は従来例の原稿照射光量制御回路の回路構成を示
すブロック図である。 １……CCDセンサ、 ２……反射光量算出手段、 ３……目標反射光量演算手段、 ４……照射光量制御手段、 ５……表示手段、 ６……コントロール電圧設定手段、 ７……ランプ点灯手段、 ８……ハロゲンランプ、 ９……原稿。
Claims (1)
- 【請求項１】光源により原稿を照明し、第１の測定範囲
から得られる受光量を各画素毎に記憶する第１の工程
と、 記憶した全画素の平均受光量に応じて目標平均受光量を
設定する第２の工程と、 第２の工程で設定した目標平均受光量に応じて光源の発
光量を設定する第３の工程と、 第３の工程で設定した発光量で原稿を照明し、第１の測
定範囲内の第１の測定範囲より小さな第２の測定範囲か
ら得られる平均受光量に応じて第１の測定範囲全体の平
均受光量を演算する第４の工程と、 第４の工程で得た第１の測定範囲全体の平均受光量に応
じて光源の発光量を制御する第５の工程と、 を有することを特徴とする光量調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13829590A JP2698688B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 光量調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13829590A JP2698688B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 光量調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432828A JPH0432828A (ja) | 1992-02-04 |
| JP2698688B2 true JP2698688B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=15218548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13829590A Expired - Fee Related JP2698688B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 光量調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2698688B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH075737A (ja) * | 1993-01-01 | 1995-01-10 | Minolta Co Ltd | 画像濃度制御装置 |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP13829590A patent/JP2698688B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0432828A (ja) | 1992-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |