JPH06224762A - 画像入力装置 - Google Patents
画像入力装置Info
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- JPH06224762A JPH06224762A JP5012796A JP1279693A JPH06224762A JP H06224762 A JPH06224762 A JP H06224762A JP 5012796 A JP5012796 A JP 5012796A JP 1279693 A JP1279693 A JP 1279693A JP H06224762 A JPH06224762 A JP H06224762A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学系の光量むらや撮像素子のゲイン特性の
ばらつき等に起因する誤差を排除して撮像素子の出力を
正確にデジタル信号へ変換できる画像入力装置を提供す
る。 【構成】 光源２の光量を最大にしたときおよび光源２
を消灯したときの撮像素子４の各感光部の出力をＡＤ変
換器７でデジタル信号に変換して上限値メモリ２６およ
び下限値メモリ２７にそれぞれ格納する。目的とする被
写体Ｈを撮像素子４で撮影したときの出力をＡＤ変換器
７でＡＤ変換する際、撮像素子４の出力に同期してメモ
リ２６，２７の記憶信号を順に出力し、ＡＤ変換器７の
上限基準電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLを各感光部の最
大出力および最小出力に設定する。
ばらつき等に起因する誤差を排除して撮像素子の出力を
正確にデジタル信号へ変換できる画像入力装置を提供す
る。 【構成】 光源２の光量を最大にしたときおよび光源２
を消灯したときの撮像素子４の各感光部の出力をＡＤ変
換器７でデジタル信号に変換して上限値メモリ２６およ
び下限値メモリ２７にそれぞれ格納する。目的とする被
写体Ｈを撮像素子４で撮影したときの出力をＡＤ変換器
７でＡＤ変換する際、撮像素子４の出力に同期してメモ
リ２６，２７の記憶信号を順に出力し、ＡＤ変換器７の
上限基準電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLを各感光部の最
大出力および最小出力に設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造工程
でフォトマスクやウエハを検査する場合等に使用する画
像入力装置に関する。
でフォトマスクやウエハを検査する場合等に使用する画
像入力装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の画像入力装置として、例えば図
３に示すものが知られている。図示の装置は、表面１ａ
に被検査物Ｈが載置されたステージ１をその裏面側に配
置した光源２で透過照明し、透過光を対物レンズ３を介
してＣＣＤ等の撮像素子４で受光する。撮像素子４は複
数の感光部をステージ１の左右方向（矢印Ｘ方向）に並
べたいわゆる１次元固体撮像素子であり、かかる撮像素
子４による被検査物Ｈの任意の列の撮影とステージ１の
前後方向（矢印Ｙ方向）の移動とが繰り返されて被検査
物Ｈの全体像が撮影される。
３に示すものが知られている。図示の装置は、表面１ａ
に被検査物Ｈが載置されたステージ１をその裏面側に配
置した光源２で透過照明し、透過光を対物レンズ３を介
してＣＣＤ等の撮像素子４で受光する。撮像素子４は複
数の感光部をステージ１の左右方向（矢印Ｘ方向）に並
べたいわゆる１次元固体撮像素子であり、かかる撮像素
子４による被検査物Ｈの任意の列の撮影とステージ１の
前後方向（矢印Ｙ方向）の移動とが繰り返されて被検査
物Ｈの全体像が撮影される。
【０００３】撮像素子４の出力はバッファアンプ５およ
びサンプルホールド回路６を介してＡＤ変換器７に入力
される。ＡＤ変換器７では、基準電源８から増幅器９を
介して供給される上限基準電圧ＶUと、接地により０ボ
ルトに設定された下限基準電圧ＶLとに基づいてサンプ
ルホールド回路６から送られる撮像素子４の出力を逐次
デジタル信号に変換する（以下、デジタル信号への変換
をＡＤ変換と略称することもある）。上限基準電圧ＶU
は、図４に示すように撮像素子４の出力の最大値Ａに略
等しい一定値に設定され、撮像素子４の出力は上限基準
電圧ＶUに一致するときを最大階調、下限基準電圧ＶLに
一致するときを最小階調として比例的に量子化される。
変換されたデジタル信号は画像処理装置１０に供給さ
れ、被検査物Ｈの認識や解析等に利用される。なお、Ａ
Ｄ変換の際に撮像素子４の出力を上限基準電圧ＶUと略
等しい最大値Ａが得られるまで増幅することもある。
びサンプルホールド回路６を介してＡＤ変換器７に入力
される。ＡＤ変換器７では、基準電源８から増幅器９を
介して供給される上限基準電圧ＶUと、接地により０ボ
ルトに設定された下限基準電圧ＶLとに基づいてサンプ
ルホールド回路６から送られる撮像素子４の出力を逐次
デジタル信号に変換する（以下、デジタル信号への変換
をＡＤ変換と略称することもある）。上限基準電圧ＶU
は、図４に示すように撮像素子４の出力の最大値Ａに略
等しい一定値に設定され、撮像素子４の出力は上限基準
電圧ＶUに一致するときを最大階調、下限基準電圧ＶLに
一致するときを最小階調として比例的に量子化される。
変換されたデジタル信号は画像処理装置１０に供給さ
れ、被検査物Ｈの認識や解析等に利用される。なお、Ａ
Ｄ変換の際に撮像素子４の出力を上限基準電圧ＶUと略
等しい最大値Ａが得られるまで増幅することもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した装置では、光
源２の光量むらや対物レンズ３の収差により被写体Ｈの
単調部分（パターン等が存在しない部分）を撮影しても
撮像素子４の各感光部への入射光量は一定とならない。
また、撮像素子４が複数の感光部を備える場合、各感光
部のゲイン特性は一定でなく、入射光量が０のときの出
力（以下、オフセット出力と呼ぶ）も感光部毎に相違す
る。このため、被検査物Ｈの単調部分を撮影したときの
サンプルホールド回路６の出力波形は図４に実線で示す
ように一定とならない。このような出力波形を、一定な
上限基準電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLを基準にＡＤ変
換すると、被検査物Ｈが単調であるにも拘らず各感光部
の出力が異なる階調に変換され、正しいデジタル信号を
画像処理装置１０へ供給できない。
源２の光量むらや対物レンズ３の収差により被写体Ｈの
単調部分（パターン等が存在しない部分）を撮影しても
撮像素子４の各感光部への入射光量は一定とならない。
また、撮像素子４が複数の感光部を備える場合、各感光
部のゲイン特性は一定でなく、入射光量が０のときの出
力（以下、オフセット出力と呼ぶ）も感光部毎に相違す
る。このため、被検査物Ｈの単調部分を撮影したときの
サンプルホールド回路６の出力波形は図４に実線で示す
ように一定とならない。このような出力波形を、一定な
上限基準電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLを基準にＡＤ変
換すると、被検査物Ｈが単調であるにも拘らず各感光部
の出力が異なる階調に変換され、正しいデジタル信号を
画像処理装置１０へ供給できない。
【０００５】撮像素子の出力から上述した誤差を取り除
いて正確なデジタル信号を得る装置として、特公平１−
１３０８３号には、図５に示すように照明光学系１１の
光量を最大光量および最小光量（入射光を遮光手段１２
で遮光した状態）に設定したときの撮像素子１３の出力
をＡＤ変換器１４でＡＤ変換して補正値メモリ１５，１
６に各々格納し、所望の被写体を撮影したときにＡＤ変
換器１４からデジタルメモリ１７に取り込まれるデジタ
ル信号と、補正値メモリ１５，１６の記憶内容とに基づ
いてＣＰＵ１８で正しいデジタル量を演算するものが開
示されている。しかし、かかる装置ではＡＤ変換器１４
から出力されるデジタル信号のすべてに対して上記の演
算処理を行なうので、回路規模が大きくなる。
いて正確なデジタル信号を得る装置として、特公平１−
１３０８３号には、図５に示すように照明光学系１１の
光量を最大光量および最小光量（入射光を遮光手段１２
で遮光した状態）に設定したときの撮像素子１３の出力
をＡＤ変換器１４でＡＤ変換して補正値メモリ１５，１
６に各々格納し、所望の被写体を撮影したときにＡＤ変
換器１４からデジタルメモリ１７に取り込まれるデジタ
ル信号と、補正値メモリ１５，１６の記憶内容とに基づ
いてＣＰＵ１８で正しいデジタル量を演算するものが開
示されている。しかし、かかる装置ではＡＤ変換器１４
から出力されるデジタル信号のすべてに対して上記の演
算処理を行なうので、回路規模が大きくなる。
【０００６】本発明の目的は、照明光学系の光量むら、
撮影光学系の収差、撮像素子の各感光部のゲイン特性や
オフセット出力のばらつきに起因する撮像素子の出力の
誤差を低減して撮像素子からの出力を従来よりも正確に
デジタル信号へ変換でき、回路規模も小さくできる画像
入力装置を提供することにある。
撮影光学系の収差、撮像素子の各感光部のゲイン特性や
オフセット出力のばらつきに起因する撮像素子の出力の
誤差を低減して撮像素子からの出力を従来よりも正確に
デジタル信号へ変換でき、回路規模も小さくできる画像
入力装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】一実施例を示す図１に対
応付けて説明すると、本発明は、入射する光の強度に応
じて出力が増減する感光部を備えた撮像素子４と、所定
の基準電圧ＶU，ＶLに基づいて撮像素子４の感光部の出
力をデジタル信号に変換する変換手段７とを備えた画像
入力装置に適用される。そして、上述した目的は、撮像
素子４が撮影する撮影面１ａの輝度を基準となる値に設
定したときの撮像素子４の感光部の出力に対応する基準
信号を記憶する基準出力記憶手段２６，２７と、撮影面
１ａに形成された被写体Ｈの画像を撮像手段４で撮影し
たときの撮像素子４の感光部の出力をデジタル信号に変
換する際に、基準出力記憶手段２６,２７の記憶内容に
基づいて変換手段７の基準電圧ＶU，ＶLを設定する基準
電圧設定手段２６〜３２とを有することにより達成され
る。請求項２の装置では、基準出力記憶手段２６が、撮
影面１ａを照明する照明光学系２の光量を最大に設定し
たときの感光部の出力に対応する上限基準信号を記憶す
る。請求項３の装置は、基準出力記憶手段２６，２７
が、撮影面１ａの基準となる輝度を複数設定したときの
各設定値別に撮像素子４の感光部の出力に対応する基準
信号を記憶する複数の記憶部２６，２７を有する。請求
項４の装置では、基準出力記憶手段の複数の記憶部２
６，２７のうち少なくとも一の記憶部２６が撮影面１ａ
を照明する照明光学系２の光量を最大に設定したときの
感光部の出力に対応する上限基準信号を記憶し、他の少
なくとも一の記憶部２７が、照明光学系の光量２を最小
に設定したときの感光部の出力に対応する下限基準信号
を記憶する。
応付けて説明すると、本発明は、入射する光の強度に応
じて出力が増減する感光部を備えた撮像素子４と、所定
の基準電圧ＶU，ＶLに基づいて撮像素子４の感光部の出
力をデジタル信号に変換する変換手段７とを備えた画像
入力装置に適用される。そして、上述した目的は、撮像
素子４が撮影する撮影面１ａの輝度を基準となる値に設
定したときの撮像素子４の感光部の出力に対応する基準
信号を記憶する基準出力記憶手段２６，２７と、撮影面
１ａに形成された被写体Ｈの画像を撮像手段４で撮影し
たときの撮像素子４の感光部の出力をデジタル信号に変
換する際に、基準出力記憶手段２６,２７の記憶内容に
基づいて変換手段７の基準電圧ＶU，ＶLを設定する基準
電圧設定手段２６〜３２とを有することにより達成され
る。請求項２の装置では、基準出力記憶手段２６が、撮
影面１ａを照明する照明光学系２の光量を最大に設定し
たときの感光部の出力に対応する上限基準信号を記憶す
る。請求項３の装置は、基準出力記憶手段２６，２７
が、撮影面１ａの基準となる輝度を複数設定したときの
各設定値別に撮像素子４の感光部の出力に対応する基準
信号を記憶する複数の記憶部２６，２７を有する。請求
項４の装置では、基準出力記憶手段の複数の記憶部２
６，２７のうち少なくとも一の記憶部２６が撮影面１ａ
を照明する照明光学系２の光量を最大に設定したときの
感光部の出力に対応する上限基準信号を記憶し、他の少
なくとも一の記憶部２７が、照明光学系の光量２を最小
に設定したときの感光部の出力に対応する下限基準信号
を記憶する。
【０００８】
【作用】請求項１の装置では、目的とする被写体Ｈの画
像を撮影したときの撮像素子４の感光部の出力をデジタ
ル信号に変換する際、基準出力記憶手段２６，２７が記
憶する基準信号に基づいて変換手段７の基準電圧ＶU，
ＶLが設定される。請求項２の装置では、基準出力記憶
手段２６が記憶する上限基準信号に基づいて変換手段７
の基準電圧ＶUが設定される。請求項３の装置では、基
準出力記憶手段の複数の記憶部２６，２７が記憶する基
準信号に基づいて複数の基準電圧ＶU，ＶLが設定され
る。請求項４の装置では、一の記憶部２６が記憶する上
限基準信号に基づいて変換手段７の一の基準電圧ＶUが
設定され、他の一の記憶部２７が記憶する下限基準信号
に基づいて変換手段７の他の一の基準電圧ＶLが設定さ
れる。
像を撮影したときの撮像素子４の感光部の出力をデジタ
ル信号に変換する際、基準出力記憶手段２６，２７が記
憶する基準信号に基づいて変換手段７の基準電圧ＶU，
ＶLが設定される。請求項２の装置では、基準出力記憶
手段２６が記憶する上限基準信号に基づいて変換手段７
の基準電圧ＶUが設定される。請求項３の装置では、基
準出力記憶手段の複数の記憶部２６，２７が記憶する基
準信号に基づいて複数の基準電圧ＶU，ＶLが設定され
る。請求項４の装置では、一の記憶部２６が記憶する上
限基準信号に基づいて変換手段７の一の基準電圧ＶUが
設定され、他の一の記憶部２７が記憶する下限基準信号
に基づいて変換手段７の他の一の基準電圧ＶLが設定さ
れる。
【０００９】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。
【００１０】
【実施例】以下、図１および図２を参照して本発明の一
実施例を説明する。なお、上述した図３の従来例と共通
する部分には同一符号を付し、説明を省略する。図１に
おいて２１は撮像素子４の駆動周波数を制御する撮像素
子制御部であり、撮像素子４は撮像素子制御部２１から
指示された周期で各感光部の電荷を順に出力する。撮像
素子４の各感光部の電荷は、ステージ１の左端側に位置
する感光部から右方へ向けて順に出力される。以下では
撮像素子４の感光部を区別する場合、出力順に合わせて
ステージ１の左端側に位置するものから１番目の感光
部，２番目の感光部……と順に呼び、出力順が最後すな
わちステージ１の右端側に位置する感光部を５１２番目
とする。
実施例を説明する。なお、上述した図３の従来例と共通
する部分には同一符号を付し、説明を省略する。図１に
おいて２１は撮像素子４の駆動周波数を制御する撮像素
子制御部であり、撮像素子４は撮像素子制御部２１から
指示された周期で各感光部の電荷を順に出力する。撮像
素子４の各感光部の電荷は、ステージ１の左端側に位置
する感光部から右方へ向けて順に出力される。以下では
撮像素子４の感光部を区別する場合、出力順に合わせて
ステージ１の左端側に位置するものから１番目の感光
部，２番目の感光部……と順に呼び、出力順が最後すな
わちステージ１の右端側に位置する感光部を５１２番目
とする。
【００１１】サンプルホールド回路６を経た撮像素子４
の出力はＡＤ変換器７でデジタル信号に変換され、バス
セレクタ２２，２３，２４の切り換え状態に応じて信号
バス２５経由で上限値メモリ２６、下限値メモリ２７ま
たは画像処理装置１０のいずれかに供給される。上限値
メモリ２６および下限値メモリ２７（以下、これらをメ
モリ２６，２７と略称することもある）は、撮像素子制
御部２１から送られる入出力選択信号によって入力状態
に切り換えられたとき、ＡＤ変換器７から到来するデジ
タル信号をカウンタ２８から送られるアドレス信号に対
応したアドレスに記憶する。カウンタ２８は、撮像素子
４の出力開始に伴って撮像素子制御部２１から送られる
撮像素子４の駆動周期に同期したクロックパルスをカウ
ントし、その積算値をアドレス信号として出力する。こ
れにより、撮像素子４の１番目の感光部の出力がメモリ
２６，２７の１番目のアドレス、２番目の感光部の出力
がメモリ２６，２７の２番目のアドレスというように、
撮像素子４の各感光部の出力順序とメモリ２６，２７の
アドレスとが対応する。なお、メモリ２６，２７に格納
される信号の詳細は後述する。
の出力はＡＤ変換器７でデジタル信号に変換され、バス
セレクタ２２，２３，２４の切り換え状態に応じて信号
バス２５経由で上限値メモリ２６、下限値メモリ２７ま
たは画像処理装置１０のいずれかに供給される。上限値
メモリ２６および下限値メモリ２７（以下、これらをメ
モリ２６，２７と略称することもある）は、撮像素子制
御部２１から送られる入出力選択信号によって入力状態
に切り換えられたとき、ＡＤ変換器７から到来するデジ
タル信号をカウンタ２８から送られるアドレス信号に対
応したアドレスに記憶する。カウンタ２８は、撮像素子
４の出力開始に伴って撮像素子制御部２１から送られる
撮像素子４の駆動周期に同期したクロックパルスをカウ
ントし、その積算値をアドレス信号として出力する。こ
れにより、撮像素子４の１番目の感光部の出力がメモリ
２６，２７の１番目のアドレス、２番目の感光部の出力
がメモリ２６，２７の２番目のアドレスというように、
撮像素子４の各感光部の出力順序とメモリ２６，２７の
アドレスとが対応する。なお、メモリ２６，２７に格納
される信号の詳細は後述する。
【００１２】メモリ２６，２７は、撮像素子制御部２１
から送られる入出力選択信号によって出力状態に切り換
えられたとき、カウンタ２８からのアドレス信号に対応
するアドレスに格納された信号をＤＡ変換器２９，３０
に出力する。この出力時には、撮像素子４の１番目の感
光部の出力に同期して１番目のアドレスの信号が出力さ
れ、２番目の感光部の出力に同期して２番目のアドレス
の信号が出力されるというように、撮像素子４の出力順
序とメモリ２６，２７の出力順序とが同期する。
から送られる入出力選択信号によって出力状態に切り換
えられたとき、カウンタ２８からのアドレス信号に対応
するアドレスに格納された信号をＤＡ変換器２９，３０
に出力する。この出力時には、撮像素子４の１番目の感
光部の出力に同期して１番目のアドレスの信号が出力さ
れ、２番目の感光部の出力に同期して２番目のアドレス
の信号が出力されるというように、撮像素子４の出力順
序とメモリ２６，２７の出力順序とが同期する。
【００１３】ＤＡ変換器２９，３０から出力されるアナ
ログ信号は電圧補正器３１，３２でそれぞれ補正されて
電圧セレクタ３３，３４に供給される。電圧セレクタ３
３，３４は電圧補正器３１，３２から出力される電圧Ｖ
UX，ＶLXと、基準電源３５，３６の電圧ＶUF，ＶLFとの
いずれかをＡＤ変換器７の上限基準電圧ＶUおよび下限
基準電圧ＶLとして選択する。３７，３８は電圧補正器
３１，３２の補正用電源であり、メモリ２６，２７から
出力されるデジタル信号はＤＡ変換器２９，３０および
電圧補正器３１，３２を経ることでＡＤ変換前の電圧信
号に等しくなる。基準電源３５の電圧ＶUFは撮像素子４
の各感光部の最大出力よりも大きく設定され、基準電源
３６の電圧ＶLFは撮像素子４の各感光部のオフセット出
力よりも小さく設定される。
ログ信号は電圧補正器３１，３２でそれぞれ補正されて
電圧セレクタ３３，３４に供給される。電圧セレクタ３
３，３４は電圧補正器３１，３２から出力される電圧Ｖ
UX，ＶLXと、基準電源３５，３６の電圧ＶUF，ＶLFとの
いずれかをＡＤ変換器７の上限基準電圧ＶUおよび下限
基準電圧ＶLとして選択する。３７，３８は電圧補正器
３１，３２の補正用電源であり、メモリ２６，２７から
出力されるデジタル信号はＤＡ変換器２９，３０および
電圧補正器３１，３２を経ることでＡＤ変換前の電圧信
号に等しくなる。基準電源３５の電圧ＶUFは撮像素子４
の各感光部の最大出力よりも大きく設定され、基準電源
３６の電圧ＶLFは撮像素子４の各感光部のオフセット出
力よりも小さく設定される。
【００１４】次に、本実施例の装置の画像入力動作を説
明する。本実施例の装置では、目的とする被写体の画像
の取り込みに先立ってメモリ２６，２７への基準信号の
取り込みを行なう。まず、上限値メモリ２６にＡＤ変換
器７の出力信号が供給されるようにバスセレクタ２２〜
２４を切り換え、かつ電圧セレクタ３３，３４により基
準電源３５，３６の電圧ＶUF，ＶLFをＡＤ変換器７の上
限基準電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLとして選択する。
この状態で光源２の光量を撮像素子４が飽和しない範囲
内での最大値に設定して被写体Ｈの単調部分を撮影し、
撮像素子４から出力される各感光部の出力を順次ＡＤ変
換器７でデジタル信号に変換するとともに、撮像素子制
御部２１からの入出力選択信号により上限値メモリ２６
を入力状態に切り換えてＡＤ変換器７の出力信号を上限
値メモリ２６に取り込む。このとき、撮像素子４のｎ番
目の感光部の出力に対応するデジタル信号が上限値メモ
リ２６のｎ番目のアドレスに格納されるのは既述の通り
である。
明する。本実施例の装置では、目的とする被写体の画像
の取り込みに先立ってメモリ２６，２７への基準信号の
取り込みを行なう。まず、上限値メモリ２６にＡＤ変換
器７の出力信号が供給されるようにバスセレクタ２２〜
２４を切り換え、かつ電圧セレクタ３３，３４により基
準電源３５，３６の電圧ＶUF，ＶLFをＡＤ変換器７の上
限基準電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLとして選択する。
この状態で光源２の光量を撮像素子４が飽和しない範囲
内での最大値に設定して被写体Ｈの単調部分を撮影し、
撮像素子４から出力される各感光部の出力を順次ＡＤ変
換器７でデジタル信号に変換するとともに、撮像素子制
御部２１からの入出力選択信号により上限値メモリ２６
を入力状態に切り換えてＡＤ変換器７の出力信号を上限
値メモリ２６に取り込む。このとき、撮像素子４のｎ番
目の感光部の出力に対応するデジタル信号が上限値メモ
リ２６のｎ番目のアドレスに格納されるのは既述の通り
である。
【００１５】次に下限値メモリ２７にＡＤ変換器７の出
力信号が供給されるようにバスセレクタ２２〜２４を切
り換えるとともに、撮像素子制御部２１からの入出力選
択信号により下限値メモリ２７を入力状態に切り換えた
後、光源２を消灯した状態で被写体Ｈの同一部分を撮影
し、ＡＤ変換器７からのデジタル信号を下限値メモリ２
７に取り込む。このときも上記と同様に、撮像素子４の
ｎ番目の感光部の出力に対応するデジタル信号が下限値
メモリ２７のｎ番目のアドレスに格納される。
力信号が供給されるようにバスセレクタ２２〜２４を切
り換えるとともに、撮像素子制御部２１からの入出力選
択信号により下限値メモリ２７を入力状態に切り換えた
後、光源２を消灯した状態で被写体Ｈの同一部分を撮影
し、ＡＤ変換器７からのデジタル信号を下限値メモリ２
７に取り込む。このときも上記と同様に、撮像素子４の
ｎ番目の感光部の出力に対応するデジタル信号が下限値
メモリ２７のｎ番目のアドレスに格納される。
【００１６】メモリ２６，２７へのデータの取り込みが
終わった後、画像処理装置１０にＡＤ変換器７の出力信
号が供給されるようにバスセレクタ２２〜２４を切り換
え、かつ電圧セレクタ３３，３４により電圧補正器３
１，３２の出力電圧ＶUX，ＶLXをＡＤ変換器７の上限基
準電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLとして選択する。この
状態で光源２を適正光量（上述の最大値以内）に設定
し、被写体Ｈを撮影して撮像素子４の出力をＡＤ変換器
７に供給し、上限基準電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLに
基づいてデジタル信号に変換する。同時に、撮像素子制
御部２１からのメモリ２６，２７へ供給される入出力選
択信号によりメモリ２６，２７を出力状態に切り換え
る。
終わった後、画像処理装置１０にＡＤ変換器７の出力信
号が供給されるようにバスセレクタ２２〜２４を切り換
え、かつ電圧セレクタ３３，３４により電圧補正器３
１，３２の出力電圧ＶUX，ＶLXをＡＤ変換器７の上限基
準電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLとして選択する。この
状態で光源２を適正光量（上述の最大値以内）に設定
し、被写体Ｈを撮影して撮像素子４の出力をＡＤ変換器
７に供給し、上限基準電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLに
基づいてデジタル信号に変換する。同時に、撮像素子制
御部２１からのメモリ２６，２７へ供給される入出力選
択信号によりメモリ２６，２７を出力状態に切り換え
る。
【００１７】上記の被写体Ｈの撮影時においては、撮像
素子４のｎ番目の感光部の出力がＡＤ変換器７でＡＤ変
換されるとき、メモリ２６，２７のｎ番目のアドレスに
格納されたデジタル信号がＤＡ変換器２９，３０および
電圧補正器３１，３２によりＡＤ変換前の電圧に戻され
た上でＡＤ変換器７の上限基準電圧ＶUおよび下限基準
電圧ＶLとして供給される。上限値メモリ２６のｎ番目
のアドレスのデジタル信号は光源２の光量を撮像素子４
が飽和しない範囲内での最大値に設定したときの撮像素
子４のｎ番目の感光部の出力に対応し、下限値メモリ２
７のｎ番目のアドレスのデジタル信号は光源２を消灯し
たときの撮像素子４のｎ番目の感光部の出力に対応する
ので、ＡＤ変換器７では、常にＡＤ変換の対象となる感
光部の最大出力および最小出力が上限基準電圧ＶUおよ
び下限基準電圧ＶLとして設定されてＡＤ変換が行なわ
れる。
素子４のｎ番目の感光部の出力がＡＤ変換器７でＡＤ変
換されるとき、メモリ２６，２７のｎ番目のアドレスに
格納されたデジタル信号がＤＡ変換器２９，３０および
電圧補正器３１，３２によりＡＤ変換前の電圧に戻され
た上でＡＤ変換器７の上限基準電圧ＶUおよび下限基準
電圧ＶLとして供給される。上限値メモリ２６のｎ番目
のアドレスのデジタル信号は光源２の光量を撮像素子４
が飽和しない範囲内での最大値に設定したときの撮像素
子４のｎ番目の感光部の出力に対応し、下限値メモリ２
７のｎ番目のアドレスのデジタル信号は光源２を消灯し
たときの撮像素子４のｎ番目の感光部の出力に対応する
ので、ＡＤ変換器７では、常にＡＤ変換の対象となる感
光部の最大出力および最小出力が上限基準電圧ＶUおよ
び下限基準電圧ＶLとして設定されてＡＤ変換が行なわ
れる。
【００１８】光源２の光量を最大に設定したときの感光
部の出力には、光源２の光量むら、対物レンズ３の収
差、感光部自身のゲイン特性による出力むらがすべて含
まれ、光源２を消灯したときの感光部の出力はオフセッ
ト出力に他ならない。したがって、すべての撮像素子４
の感光部の出力が、自身の最大出力および最小出力（オ
フセット出力）を上限基準電圧ＶUおよび下限基準電圧
ＶLとしてＡＤ変換される本実施例の装置では、感光部
毎の誤差要因に影響されない正確なデジタル信号が得ら
れる。
部の出力には、光源２の光量むら、対物レンズ３の収
差、感光部自身のゲイン特性による出力むらがすべて含
まれ、光源２を消灯したときの感光部の出力はオフセッ
ト出力に他ならない。したがって、すべての撮像素子４
の感光部の出力が、自身の最大出力および最小出力（オ
フセット出力）を上限基準電圧ＶUおよび下限基準電圧
ＶLとしてＡＤ変換される本実施例の装置では、感光部
毎の誤差要因に影響されない正確なデジタル信号が得ら
れる。
【００１９】図２は、被写体Ｈの撮影時にＡＤ変換器７
に供給されるサンプルホールド回路６の出力、上限基準
電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLの関係の一例を示すもの
である。図から明らかなように、上限基準電圧ＶUは光
源２の光量むら、対物レンズ３の収差、感光部自身のゲ
イン特性による出力むらによって感光部毎に変動し、下
限基準電圧ＶLは感光部のオフセット出力に応じて変動
する。ここで、サンプルホールド回路６の出力波形を仮
に一定電圧ＶUF，ＶLFを基準としてＡＤ変換したなら
ば、ｎ1番目の感光部の出力は最大出力であるにも拘ら
ず最大階調よりも小さく変換され、ｎ2番目の感光部の
出力はオフセット出力に一致するにも拘らず最小階調よ
り大きく変換される。この点、本実施例ではｎ1，ｎ2番
目の感光部の出力波形をそれぞれの最大出力と最小出力
に基づいてＡＤ変換するので、ｎ1番目の感光部の出力
は最大階調、ｎ2番目の感光部の出力は最小階調に変換
される。他の全ての感光部についても同様である。
に供給されるサンプルホールド回路６の出力、上限基準
電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLの関係の一例を示すもの
である。図から明らかなように、上限基準電圧ＶUは光
源２の光量むら、対物レンズ３の収差、感光部自身のゲ
イン特性による出力むらによって感光部毎に変動し、下
限基準電圧ＶLは感光部のオフセット出力に応じて変動
する。ここで、サンプルホールド回路６の出力波形を仮
に一定電圧ＶUF，ＶLFを基準としてＡＤ変換したなら
ば、ｎ1番目の感光部の出力は最大出力であるにも拘ら
ず最大階調よりも小さく変換され、ｎ2番目の感光部の
出力はオフセット出力に一致するにも拘らず最小階調よ
り大きく変換される。この点、本実施例ではｎ1，ｎ2番
目の感光部の出力波形をそれぞれの最大出力と最小出力
に基づいてＡＤ変換するので、ｎ1番目の感光部の出力
は最大階調、ｎ2番目の感光部の出力は最小階調に変換
される。他の全ての感光部についても同様である。
【００２０】本実施例ではＡＤ変換器７の上限基準電圧
ＶUおよび下限基準電圧ＶLを撮像素子４の駆動周期に同
期して変化させて撮像素子４の出力を正確なデジタル信
号に変換しているので、撮像素子４の出力信号を一定の
基準電圧に基づいてデジタル信号に変換した後にＣＰＵ
で補正演算する図５の例と比較すると、メモリ個数が減
少するとともに演算回路が不要となり、回路規模が小さ
くなる。
ＶUおよび下限基準電圧ＶLを撮像素子４の駆動周期に同
期して変化させて撮像素子４の出力を正確なデジタル信
号に変換しているので、撮像素子４の出力信号を一定の
基準電圧に基づいてデジタル信号に変換した後にＣＰＵ
で補正演算する図５の例と比較すると、メモリ個数が減
少するとともに演算回路が不要となり、回路規模が小さ
くなる。
【００２１】なお、実施例では上限基準電圧ＶUおよび
下限基準電圧ＶLの双方を変化させたが、下限基準電圧
ＶLの近傍では光源２の光量むらや対物レンズ３の収差
による誤差が極めて小さいので、オフセット出力のむら
が無視し得る程度に小さければ下限基準電圧ＶLを一定
電圧（例えばＶLF）に固定してもよい。上限基準電圧Ｖ
Uのみ可変とした場合でも、光源２からの光量が大きい
領域ではゲイン特性やオフセット出力のむらに起因する
誤差のみならずこれらよりも遥かに大きな光学系のむら
に起因する誤差が撮像素子４の出力に重畳されるので、
本発明を適用する効果は大きい。また、上限基準電圧Ｖ
Uのみを変化させた場合、下限基準電圧ＶLを変化させる
構成を省略できるので回路が一層簡素化される。
下限基準電圧ＶLの双方を変化させたが、下限基準電圧
ＶLの近傍では光源２の光量むらや対物レンズ３の収差
による誤差が極めて小さいので、オフセット出力のむら
が無視し得る程度に小さければ下限基準電圧ＶLを一定
電圧（例えばＶLF）に固定してもよい。上限基準電圧Ｖ
Uのみ可変とした場合でも、光源２からの光量が大きい
領域ではゲイン特性やオフセット出力のむらに起因する
誤差のみならずこれらよりも遥かに大きな光学系のむら
に起因する誤差が撮像素子４の出力に重畳されるので、
本発明を適用する効果は大きい。また、上限基準電圧Ｖ
Uのみを変化させた場合、下限基準電圧ＶLを変化させる
構成を省略できるので回路が一層簡素化される。
【００２２】上限基準電圧ＶUおよび下限基準電圧ＶLは
必ずしも撮像素子４の感光部の最大出力、最小出力に一
致させる必要はなく、最大出力に一定値を加算し、最小
出力から一定値を減算した値を用いてもよい。特に撮像
素子４の出力範囲の一部に限定してＡＤ変換を行なうと
きは、メモリ２６，２７への信号の取り込み時の光源２
の光量をＡＤ変換の対象範囲に合わせて調整すればよ
い。
必ずしも撮像素子４の感光部の最大出力、最小出力に一
致させる必要はなく、最大出力に一定値を加算し、最小
出力から一定値を減算した値を用いてもよい。特に撮像
素子４の出力範囲の一部に限定してＡＤ変換を行なうと
きは、メモリ２６，２７への信号の取り込み時の光源２
の光量をＡＤ変換の対象範囲に合わせて調整すればよ
い。
【００２３】本実施例では、１次元撮像素子を用いたが
本発明はこれに限るものではなく、感光部を縦横に配列
した２次元撮像素子や単一の感光部によるポイントセン
サを用いてもよい。ポイントセンサを用いる場合には感
光部毎のゲイン特性やオフセット出力の相違を考慮する
必要がないものの、光源２の光量むらや対物レンズ３の
収差による出力むらは依然として残るので、本発明の適
用により出力むらの解消が期待できる。
本発明はこれに限るものではなく、感光部を縦横に配列
した２次元撮像素子や単一の感光部によるポイントセン
サを用いてもよい。ポイントセンサを用いる場合には感
光部毎のゲイン特性やオフセット出力の相違を考慮する
必要がないものの、光源２の光量むらや対物レンズ３の
収差による出力むらは依然として残るので、本発明の適
用により出力むらの解消が期待できる。
【００２４】以上の実施例と請求項との対応において、
ステージ１の表面１ａが撮影面を、光源２が照明光学系
を、ＡＤ変換器７が変換手段を、メモリ２６，２７が基
準出力記憶手段を、カウンタ２８・メモリ２６，２７・
ＤＡ変換器２９，３０・電圧補正器３１，３２が基準電
圧設定手段を構成する。また、上限値メモリ２６および
下限値メモリ２７が基準出力記憶手段の記憶部を構成
し、上限値メモリ２６が一の記憶部を、下限値メモリ２
７が他の一の記憶部を構成する。
ステージ１の表面１ａが撮影面を、光源２が照明光学系
を、ＡＤ変換器７が変換手段を、メモリ２６，２７が基
準出力記憶手段を、カウンタ２８・メモリ２６，２７・
ＤＡ変換器２９，３０・電圧補正器３１，３２が基準電
圧設定手段を構成する。また、上限値メモリ２６および
下限値メモリ２７が基準出力記憶手段の記憶部を構成
し、上限値メモリ２６が一の記憶部を、下限値メモリ２
７が他の一の記憶部を構成する。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、撮像
素子の出力をデジタル信号に変換する際の基準電圧が、
基準出力記憶手段が記憶する基準信号に基づいて設定さ
れるので、被写体を照射する照明光学系の光量むらや被
写体像を撮像素子上に結像させる撮影光学系の収差、あ
るいは撮像素子の感光部のゲイン特性やオフセット出力
の差に起因する撮像素子の出力の誤差を低減して、撮像
素子の出力を従来よりも正確にデジタル信号へ変換でき
る。デジタル信号に変換された撮像素子の出力のすべて
について補正演算を行なう従来例より回路規模も小さく
なる。請求項２の装置では、照明光学系の光量を最大と
したときの撮像素子の感光部の出力に基づいて変換手段
の基準電圧が設定されるので、照明光学系の光量むらや
撮影光学系の収差の影響が最も大きく現れる領域での撮
像素子の出力誤差を解消して撮像素子の出力を正確にデ
ジタル信号に変換でき、かつ基準電圧を設定する回路が
１系統で足りるので回路規模も一層簡素化できる。請求
項３の装置では、変換手段の基準電圧を複数設定できる
ので、撮像素子の出力を一層正確にデジタル信号へ変換
できる。請求項４の装置では、上限基準信号に基づいて
設定した基準電圧をＡＤ変換の際の上限に、下限基準信
号に基づいて設定した基準電圧をＡＤ変換の際の下限に
とすることで、照明光学系の光量むら、撮影光学系の収
差、撮像素子の感光部のゲイン特性やオフセット出力の
差に起因するすべての誤差を排除して撮像素子の出力を
極めて正確にデジタル信号へ変換できる。
素子の出力をデジタル信号に変換する際の基準電圧が、
基準出力記憶手段が記憶する基準信号に基づいて設定さ
れるので、被写体を照射する照明光学系の光量むらや被
写体像を撮像素子上に結像させる撮影光学系の収差、あ
るいは撮像素子の感光部のゲイン特性やオフセット出力
の差に起因する撮像素子の出力の誤差を低減して、撮像
素子の出力を従来よりも正確にデジタル信号へ変換でき
る。デジタル信号に変換された撮像素子の出力のすべて
について補正演算を行なう従来例より回路規模も小さく
なる。請求項２の装置では、照明光学系の光量を最大と
したときの撮像素子の感光部の出力に基づいて変換手段
の基準電圧が設定されるので、照明光学系の光量むらや
撮影光学系の収差の影響が最も大きく現れる領域での撮
像素子の出力誤差を解消して撮像素子の出力を正確にデ
ジタル信号に変換でき、かつ基準電圧を設定する回路が
１系統で足りるので回路規模も一層簡素化できる。請求
項３の装置では、変換手段の基準電圧を複数設定できる
ので、撮像素子の出力を一層正確にデジタル信号へ変換
できる。請求項４の装置では、上限基準信号に基づいて
設定した基準電圧をＡＤ変換の際の上限に、下限基準信
号に基づいて設定した基準電圧をＡＤ変換の際の下限に
とすることで、照明光学系の光量むら、撮影光学系の収
差、撮像素子の感光部のゲイン特性やオフセット出力の
差に起因するすべての誤差を排除して撮像素子の出力を
極めて正確にデジタル信号へ変換できる。
【図１】本発明の一実施例に係る装置の概略を示す図。
【図２】図１のＡＤ変換器に入力される撮像素子の各感
光部の出力、上限基準電圧および下限基準電圧の対応関
係を示す図。
光部の出力、上限基準電圧および下限基準電圧の対応関
係を示す図。
【図３】従来の画像入力装置の一例を示す図。
【図４】図３の装置のＡＤ変換器に入力される撮像素子
の各感光部の出力、上限基準電圧および下限基準電圧の
対応関係を示す図。
の各感光部の出力、上限基準電圧および下限基準電圧の
対応関係を示す図。
【図５】従来の他の画像入力装置の例を示す図。
１ ステージ １ａ ステージの表面（撮影面） ２ 光源 ４ 撮像素子 ７ ＡＤ変換器 ２１ 撮像素子制御部 ２６ 上限値メモリ ２７ 下限値メモリ ２８ カウンタ ２９，３０ ＤＡ変換器 ３１，３２ 電圧補正器 ＶU ＡＤ変換器の上限基準電圧 ＶL ＡＤ変換器の下限基準電圧
Claims (4)
- 【請求項１】 入射する光の強度に応じて出力が増減す
る感光部を備えた撮像素子と、 所定の基準電圧に基づいて前記撮像素子の感光部の出力
をデジタル信号に変換する変換手段とを備えた画像入力
装置において、 前記撮像素子が撮像する撮影面の輝度を基準となる値に
設定したときの前記撮像素子の感光部の出力に対応する
基準信号を記憶する基準出力記憶手段と、 前記撮影面に形成された被写体の画像を前記撮像手段で
撮影したときの前記撮像素子の感光部の出力をデジタル
信号に変換する際に、前記基準出力記憶手段の記憶内容
に基づいて前記変換手段の前記基準電圧を設定する基準
電圧設定手段と、 を有することを特徴とする画像入力装置。 - 【請求項２】 前記基準出力記憶手段は、前記撮影面を
照明する照明光学系の光量を最大に設定したときの前記
感光部の出力に対応する上限基準信号を記憶することを
特徴とする請求項１記載の画像入力装置。 - 【請求項３】 前記基準出力記憶手段は、前記撮影面の
基準となる輝度を複数設定したときの各設定値別に前記
撮像素子の感光部の出力に対応する基準信号を記憶する
複数の記憶部を有することを特徴とする請求項１記載の
画像入力装置。 - 【請求項４】 前記基準出力記憶手段の前記複数の記憶
部のうち少なくとも一の記憶部は、前記撮影面を照明す
る照明光学系の光量を最大に設定したときの前記感光部
の出力に対応する上限基準信号を記憶し、他の少なくと
も一の記憶部は、前記照明光学系の光量を最小に設定し
たときの前記感光部の出力に対応する下限基準信号を記
憶することを特徴とする請求項３記載の画像入力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5012796A JPH06224762A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 画像入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5012796A JPH06224762A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 画像入力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224762A true JPH06224762A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11815364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5012796A Pending JPH06224762A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 画像入力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224762A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6798452B1 (en) | 1997-07-28 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplifying solid-state imaging device, method for driving the same and physical quantity distribution sensing semiconductor device |
| WO2006064618A1 (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 利得可変なアナログ・デジタル変換器、利得可変なアナログ・デジタル変換器の利得調整方法、及び利得可変なアナログ・デジタル変換器を含むシステム |
| WO2007074518A1 (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-05 | Fujitsu Limited | 固体撮像素子及び暗電流成分除去方法 |
-
1993
- 1993-01-28 JP JP5012796A patent/JPH06224762A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6798452B1 (en) | 1997-07-28 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplifying solid-state imaging device, method for driving the same and physical quantity distribution sensing semiconductor device |
| WO2006064618A1 (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 利得可変なアナログ・デジタル変換器、利得可変なアナログ・デジタル変換器の利得調整方法、及び利得可変なアナログ・デジタル変換器を含むシステム |
| US7504973B2 (en) | 2004-12-17 | 2009-03-17 | Panasonic Corporation | Gain-variable analog/digital converter, gain adjustment method for gain-variable analog/digital converter, and system including gain-variable analog/digital converter |
| WO2007074518A1 (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-05 | Fujitsu Limited | 固体撮像素子及び暗電流成分除去方法 |
| JPWO2007074518A1 (ja) * | 2005-12-27 | 2009-06-04 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子及び暗電流成分除去方法 |
| KR100955637B1 (ko) * | 2005-12-27 | 2010-05-06 | 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 암전류 성분 제거 방법 |
| JP4602413B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2010-12-22 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 固体撮像素子及び暗電流成分除去方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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