JP2697649B2

JP2697649B2 - 半導体装置およびその製造方法

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Publication number: JP2697649B2
Application number: JP6327574A
Authority: JP
Inventors: 隆佐甲
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1994-12-28
Filing date: 1994-12-28
Publication date: 1998-01-14
Anticipated expiration: 2013-01-14
Also published as: JPH08186171A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置およびその製
造方法に関し、特に電極配線用のコンタクト孔部の構造
およびその形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の微細化及び高密度化は依然
として精力的に進められ、現在では０．２５μｍの寸法
基準で設計された２５６メガビットＤＲＡＭ（ダイナミ
ック・ランダム・アクセス・メモリー）等の超高集積の
半導体デバイスが開発試作されている。このような半導
体デバイスの高集積化に伴い、半導体素子構造の形成に
必須となっているフォトリソグラフィー工程でのマスク
の目合わせマージンの更なる縮小化あるいは不要化が強
く要求されるようになってきた。

【０００３】通常、半導体デバイスの製造では、半導体
基板上に金属膜、半導体膜、絶縁体膜等の各種材料で形
成されたパターンが順次積層され、微細構造の半導体素
子が形成される。この半導体素子用のパターンを積層す
る場合には、フォトリソグラフィー工程において、前工
程で形成した下層のパターンにマスクの目合わせをし、
次の上層パターンを形成することが要求される。しかし
このフォトリソグラフィ−工程で上層／下層パターン間
の位置合わせズレが発生する。そこで、当位置合わせズ
レを見込してマスク上のパターン間隔に余裕をもたせ、
パターン間隔にマージンを設定することが必要とされ
る。しかし、当マージンはパターンの高密度化の阻害要
因となる。そこで、特に配線の多層化においてはコンタ
クト孔と配線のパターン間のマージン不要化が必須にな
ってきている。

【０００４】以下に、従来の技術によるコンタクト孔部
と配線との位置合わせ及び接続方法について説明する。
図７は従来のコンタクト孔と配線の製造工程順の断面図
であり、図８はこの従来方法で形成したコンタクト孔と
配線との接続関係を示す。

【０００５】図７（ａ）に示すように、シリコン基板１
０１の表面部に拡散層１０２が形成される。そして、こ
のシリコン基板１０１表面を被覆するようにして、層間
絶縁膜１０３が堆積される。さらに、公知のフォトリソ
グラフィー技術により形成したレジストマスク１０４を
用いたドライエッチングにより層間絶縁膜１０３が加工
される。このようにしてコンタクト孔１０５が形成され
る。

【０００６】次に、図７（ｂ）に示すように減圧のＣＶ
Ｄ（化学的気相成長）法によりリン不純物の添加された
ポリシリコン膜１０６が、コンタクト孔１０５内および
層間絶縁膜１０３上に堆積される。

【０００７】次に、図７（ｃ）に示すようにドライエッ
チングにより、前述のリン添加したポリシリコン膜１０
６はエッチバックされ、コンタクト孔１０５内にポリシ
リコンでコンタクトプラグ１０７が形成される。このよ
うにして更に金属膜１０８がスパッタあるいはメタルＣ
ＶＤ法等で堆積される。ここで、この金属膜１０８は、
タングステン、チタン等の高融点金属またはこれら高融
点金属シリサイドあるいはアルミ金属の薄膜である。

【０００８】次に、図７（ｄ）に示すようにフォトリソ
グラフィー技術で、配線用レジストマスク１０９を形成
する。そして、これをドライエッチングのマスクにし
て、金属膜１０８が加工され配線１１０が形成される。
この配線用レジストマスク１０９の形成工程で、下層の
コンタクトプラグ１０７にマスクの目合わせが必要にな
る。ここで、この目合わせの精度が悪いと、前述したよ
うにパターン間のズレが生じる。このような場合に、こ
の配線用レジストマスク１０９をエッチングマスクにし
て金属膜１０８を加工するとコンタクトプラグ１０７の
一部でドライエッチングされることが生じる。。

【０００９】そして、このドライエッチング後は、図８
に示すようにコンタクトプラグ１０７と配線１１０はコ
ンタクトプラグ接触部１０７ａでのみ電気接続される。
ここで、コンタクトプラグ１０７には、配線と電気接続
しないコンタクトプラグ非接触部１０７ｂが形成され
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】現在のフォトリソグラ
フィー工程で用いられる露光装置の目合わせ精度は、７
０ｎｍ〜１００ｎｍである。従って、０．２５μｍの寸
法基準で設計される半導体デバイスの製造においては、
先述の従来技術の方法では目合わせズレによりコンタク
ト孔と配線用レジストマスクとが重ならずに位置ズレす
ることが多発する。この位置ズレした状態で配線のドラ
イエッチングを行うと、エッチング中にコンタクト孔の
上部が露出しコンタクトプラグがエッチングガスに曝さ
れることになる。そして、この配線のエッチング工程で
コンタクトプラグの一部がエッチングされ、コンタクト
孔内に空洞が生じるようになる。このようにして発生す
る空洞は、コンタクト孔部での配線の断線あるいは配線
の信頼性の低下を引き起すようになる。

【００１１】そこで、コンタクト孔のパターンと配線の
パターンの目合わせマージンを大きくすることが必要に
なる。そして、半導体素子の微細化が難しくなり、半導
体デバイスの高密度化あるいは半導体装置の高集積化が
阻害されるようになる。

【００１２】更に、前述したフォトリソグラフィー工程
で目合わせズレが生じると、図８で示したようにコンタ
クトプラグ１０７と配線とはコンタクトプラグ接触部１
０７ａでのみ電気接続され、電気接続されないコンタク
トプラグ非接触部１０７ｂが形成される。そして、この
コンタクトプラグと配線との接触抵抗が増大する。この
接触抵抗の増大は、微細化した半導体装置の性能に対し
より大きな悪影響を及すようになる。

【００１３】本発明の目的は、上述のような問題を解決
し、半導体素子の微細化および高密度化を容易にし半導
体装置の高集積化を促進するとともに、これらの半導体
装置の高品質化を容易にするものである。

【００１４】

【問題を解決するための手段】このために本発明の半導
体装置では、半導体基板の表面に形成された拡散層と前
記拡散層上の層間絶縁膜を介して形成された配線との接
続あるいは層間絶縁膜を挟んで形成された多層配線の下
層の配線と上層の配線の接続において、前記層間絶縁膜
上の前記配線の側壁部を覆い前記層間絶縁膜の材質とは
異なり、かつ、前記配線および前記層間絶縁膜と高いエ
ッチング選択比を有する絶縁薄膜が形成され、前記層間
絶縁膜および前記層間絶縁膜上の前記配線を貫通する１
つの孔が形成され、更に、前記孔に導電体材が充填され
て、前記拡散層と前記配線とがあるいは前記下層の配線
と前記上層の配線とが前記導電体材を介して電気的接続
される。

【００１５】ここで、前記配線の材質とは異種の導電体
材が、前記配線に形成された前記孔に埋設される。

【００１６】本発明の半導体装置の製造方法は、前記層
間絶縁膜上に前記配線を配設する工程と、前記配設した
配線の間隙に前記層間絶縁膜の材質とは異種の絶縁膜を
埋設する工程と、前記配線の所定の領域をエッチングし
更に前記所定の領域直下の前記層間絶縁膜をエッチング
して前記孔を形成する工程と、前記孔に導電体材を埋設
する工程とを含む。

【００１７】ここで、前記層間絶縁膜はシリコン酸化
膜、ＢＰＳＧ膜（ボロンガラスとリンガラスを含有する
シリコン酸化膜）または有機系絶縁膜であり、前記異種
の絶縁膜はシリコンオキシナイトライド膜あるいはシリ
コン窒化膜である。

【００１８】あるいは、前記配線および前記導電体材が
多結晶シリコンで構成され、前記孔に導電体材を埋設し
た後に前記多結晶シリコン表面上に金属膜を被着させる
工程と、前記多結晶シリコンと前記金属膜を反応させシ
リサイド層を形成する工程とを含む。

【００１９】さらには、前記下層の配線を配設する工程
と、前記配設した前記下層の配線の間隙にシリコンオキ
シナイトライド膜あるいはシリコン窒化膜を埋設する工
程と、前記下層の配線および前記シリコンオキシナイト
ライド膜あるいはシリコン窒化膜を被覆する前記層間絶
縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に前記上層の
配線を配設する工程とを含む。

【００２０】

【実施例】次に、本発明について図面に基づいて説明す
る。図１及び図２は本発明の第１の実施例を説明する工
程順の断面図である。図１（ａ）に示すように、シリコ
ン基板１の表面の所定の領域に拡散層２が形成される。
そして、このシリコン基板１上に第１層間絶縁膜３がＣ
ＶＤ法で形成される。ここで、この第１層間絶縁膜は膜
厚が５００ｎｍ程度のシリコン酸化膜である。このよう
にした後、ＣＶＤ法によリ膜厚が２００ｎｍ程度のポリ
シリコン薄膜が成膜される。次にフォトリソグラフィー
技術およびドライエッチング技術により、前述のポリシ
リコン薄膜が微細加工され、線幅が０．３μｍ程度のポ
リシリコン配線４が形成される。

【００２１】次に、図１（ｂ）に示すように絶縁薄膜５
がポリシリコン配線４および第１層間絶縁膜３を被覆す
るようにしてプラズマＣＶＤ法で堆積される。ここで、
この絶縁薄膜５は膜厚が２５０ｎｍのＳｉＯＮ（シリコ
ンオキシナイトライド）膜である。次に、ＣＭＰ（化学
的機械研磨）法でこのＳｉＯＮ膜は研磨され、図１
（ｃ）に示すようにポリシリコン配線４間に第１配線間
絶縁膜６が形成される。

【００２２】次に、図１（ｄ）に示すようにコンタクト
孔形成用のレジストマスク７が公知のフォトリソグラフ
ィー技術で形成される。そして、このレジストマスク７
をドライエッチングマスクとして、ポリシリコン配線４
および第１層間絶縁膜３が順次にドライエッチングさ
れ、その口径寸法が０．２５μｍのコンタクト孔８が前
述の拡散層２上に形成される。

【００２３】ここで、ポリシリコン配線４のドライエッ
チングにおいては、図１（ｄ）に示されるように、レジ
ストマスク７に位置ズレが生じ第１配線間絶縁膜６が露
出してもこの第１配線間絶縁膜６はエッチングされない
ようにする必要がある。このために、このポリシリコン
配線４のドライエッチングでは反応ガスとしてＣｌ₂、
ＨＢｒおよびＯ₂の混合ガスが用いられる。更に、第１
層間絶縁膜３のドライエッチングの場合にも第１配線間
絶縁膜６はエッチングされないようにする必要がある。
このために、この第１層間絶縁膜３のドライエッチング
での反応ガスとしてＣ₄Ｆ₈とＣＯの混合ガスが用いら
れる。

【００２４】次に、図２（ａ）に示すように、リン添加
したポリシリコン膜９が全面を被覆するように堆積され
る。ここで、このポリシリコン膜９はＣＶＤ法で形成さ
れその膜厚は５００ｎｍ程度に設定される。このように
した後、ＣＭＰ法でこのポリシリコン膜９が研磨され、
先に形成されたコンタクト孔８に埋設される。このよう
にして図２（ｂ）に示すようにポリシリコンプラグ１０
が形成される。

【００２５】次に、図２（ｂ）に示すように全面にチタ
ン薄膜１１が形成される。ここで、このチタン薄膜１１
はスパッタ法で堆積され、その膜厚は１００ｎｍに設定
される。そして、６００℃程度の熱処理が施され、チタ
ン薄膜１１とポリシリコン配線４およびポリシリコンプ
ラグ１０表面とがシリサイド反応してチタンシリサイド
が形成される。このようにした後、未反応のチタン薄膜
１１は、例えばＮＨ₄ＯＨとＨ₂Ｏ₂の混合した化学薬
液で選択的にエッチング除去される。このようにして、
図２（ｃ）に示すようにシリサイド配線１２が形成され
る。

【００２６】以上のようにして形成されたコンタクト孔
部と配線の平面図を図３に示す。図３に示されるよう
に、ポリシリコンプラグ１０とシリサイド配線１２と
は、前述したような目合わせズレが生じた場合でも、互
いに整合して形成される。すなわち、ポリシリコンプラ
グ１０のパターンはシリサイド配線１２のパターンに対
し自己整合的に形成される。

【００２７】本実施例では、第１配線間絶縁膜６として
ＳｉＯＮ膜が用いられる場合について説明した。これ以
外に第１配線間絶縁膜として、第１層間絶縁膜３および
ポリシリコン配線４とドライエッチングの選択比がとれ
る絶縁膜が使用される。例えばこのような絶縁膜とし
て、シリコン窒化膜あるいは過剰シリコンを含むシリコ
ン酸化膜が用いられる。ここで、このポリシリコン配線
４にはリンあるいはヒ素等の不純物が添加されていても
よい。

【００２８】また、図２（ｃ）においてシリサイド配線
の材料としてチタンシリサイドの場合を説明した。これ
以外にタングステンシリサイド、モリブデンシリサイ
ド、タンタルシリサイドあるいはコバルトシリサイドで
も、本発明への適用は有効になることに言及しておく。

【００２９】次に、第２の実施例について図４と図５に
基づいて説明する。図４は本発明の第２の実施例を工程
順に示す断面図である。また、図５はこの実施例で形成
された配線とコンタクトプラグとの関係を示す斜視断面
図である。

【００３０】図４（ａ）に示すように、第１層間絶縁膜
３上にポリシリコン配線４およびシリサイド配線１２が
形成され、さらに、第１配線間絶縁膜６が形成される。
そして、これらを被覆するようにして、第２層間絶縁膜
１３が形成される。ここで、この第２層間絶縁膜１３
は、膜厚が８００ｎｍのシリコン酸化膜である。次に、
アルミ薄膜がスパッタ法で形成される。このアルミ薄膜
の膜厚は５００ｎｍである。そして、公知のフォトリソ
グラフィー技術と微細加工技術によりこのアルミ薄膜は
加工され、アルミ配線１４が形成される。ここで、この
アルミ配線１４の線幅は０．３５μｍ程度に設定され
る。

【００３１】次に、第１の実施例で説明した第１配線間
絶縁膜と同様にして、図４（ｂ）に示すように、第２配
線間絶縁膜１５が形成される。ここで、この第２配線間
絶縁膜１５はＳｉＯＮ膜であり、その製法は第１の実施
例で説明したのと同じである。次に、図４（ｃ）に示す
ようにレジストマスク１６が公知のフオトリソグラフィ
ー技術により形成される。この場合も第１の実施例と同
様に目合わせズレが生じているものとする。

【００３２】このレジストマスク１６をドライエッチン
グのマスクにして、前述のアルミ配線１４および第２層
間絶縁膜１３が順次にドライエッチングされる。ここ
で、アルミ配線１４のエッチング工程で第２配線間絶縁
膜１５のエッチングが生じないようにする必要がある。
このために、このドライエッチングの反応ガスはＢＣｌ
₃、Ｃｌ₂とＣＦ₄の混合ガスが用いられる。

【００３３】次に、第２層間絶縁膜１３がドライエッチ
ングされる。この場合も第２配線間絶縁膜１５のエッチ
ングが進まないようにドライエッチングの条件を設定す
る必要がある。このために、このドライエッチング工程
での反応ガスには、Ｃ₄Ｆ₈とＣＯの混合ガスが使用さ
れる。このように反応ガスを設定することで、第２配線
間絶縁膜であるＳｉＯＮ膜のエッチングは防止される。
なお、第２層間絶縁膜１３のエッチングが終了し第１配
線間絶縁膜６およびシリサイド配線１２が露出しても、
これらの第１配線間絶縁膜６とシリサイド配線１２のエ
ッチングは進行しない。このようにして、コンタクト孔
８が第２層間絶縁膜１３に形成されることになる。ここ
で、このコンタクト孔８の口径寸法は０．３μｍ程度に
設定される。

【００３４】次に、レジストマスク１６を除去した後、
図４（ｄ）に示すようにコンタクトプラグが形成され
る。このコンタクトプラグは、第１導電体材１７と第２
導電体材１８とで構成される。ここで、第１導電体材は
チタン薄膜に窒化チタンを積層した膜であり、第２導電
体材はタングステン金属膜である。

【００３５】次に、このように形成されるアルミ配線１
４とコンタクトプラグの関係を、図５で説明する。図５
に示されるように、コンタクトプラグの上部では、コン
タクトプラグを形成する第１導電体材１７および第２導
電体材１８は共に、アルミ配線１４に埋込まれるように
して形成される。このために、アルミ配線１４と第１導
電体材１７との接触部は、図５に示すシリンダー形状の
コンタクトプラグ側面部１７ａとなり、その接触面積は
図８で説明した接触部１０７ａの面積より大きくするこ
とが容易になる。このため、先述したようなコンタクト
プラグと配線の接触抵抗が大幅に低減するようになる。

【００３６】以上この実施例では、第２層間絶縁膜１３
がシリコン酸化膜の場合について説明した。しかし、こ
の他にＢＰＳＧ（ボロンガラス、リンガラスを含むシリ
コン酸化物）膜あるいはポリイミド等の有機絶縁膜の適
用も有効であることに言及しておく。また配線の材料と
してアルミ金属以外にタングステン等の高融点金属ある
いは銅等の金属の適用も可能であることに触れておく。

【００３７】次に、第３の実施例について図６に基づい
て説明する。この実施例は、コンタクト孔用のレジスト
マスクの１パターンで複数のコンタクト孔を形成する場
合についてのものである。ここで、図６（ａ）は前述の
レジストマスクのパターンを説明する平面図であり、図
６（ｂ）はコンタクト孔を形成した場合の図６（ａ）の
Ａ−Ｂで切断した断面図である。

【００３８】この実施例では、基本的には第１の実施例
と同様に配線およびコンタクトプラグが形成されるもの
とする。この実施例の第１の実施例との相違は、前述の
コンタクト孔用のレジストマスクの形成方法にある。す
なわち、第１の実施例で示した図１（ｄ）の工程におい
て、図６（ａ）に示すように、複数のポリシリコン配線
４と複数の第１配線間絶縁膜６に跨がるコンタクト孔用
のレジストマスク７が形成される。そして、図６（ａ）
に示すコンタクト開口７’が形成される。このようなレ
ジストマスク７を用いて、先述したようにして複数のポ
リシリコン配線４および第１層間絶縁膜３がドライエッ
チングされ、複数のコンタクト孔８が形成される。

【００３９】このようにした後、このコンタクト孔への
ポリシリコンプラグの埋設あるいはシリサイド配線は第
１の実施例で説明したと同一に形成される。

【００４０】この実施例では、コンタクト孔と配線の目
合わせ精度は大幅に緩和される。更に、図６（ｂ）に示
されるように、前述のポリシリコンプラグ１０は最終的
にはシリシド配線１２に自己整合的に形成されるように
なる。このようにして、更に高密度化された多層の配線
形成が容易になる。

【００４１】以上の本発明の実施例において、配線間絶
縁膜として単層の絶縁膜が形成される場合について説明
した。この配線間絶縁膜は、積層して形成された複数の
絶縁膜で構成されてもよいことに言及しておく。

【００４２】

【発明の効果】以上に説明したように本発明では、コン
タクト孔形成時のフォトリソグラフィー工程において目
合わせズレが生じたとしても、コンタクト孔形成のドラ
イエッチングの際に、配線間に存在する配線間絶縁膜が
エッチングのマスクとしての役割を果す。このために、
コンタクト孔あるいはコンタクトプラグは配線のパター
ン内のみに形成される。

【００４３】このような構造になるために、コンタクト
孔パターンと配線用レジストマスクとが目合わせズレし
てしまい、この目合わせズレした状態で配線のドライエ
ッチングを行った場合でも、この配線のエッチング工程
でコンタクトプラグの一部がエッチングされて、コンタ
クト孔内に空洞が生じるようなことは全く生じなくな
る。そして、コンタクト孔部での配線の断線あるいは配
線の信頼性の低下は発生しなくなる。

【００４４】このようにして、コンタクト孔のパターン
と配線のパターンの目合わせマージンは不要になり、半
導体素子の微細化により半導体デバイスの高密度化ある
いは半導体装置の高集積化はより促進される。

【００４５】更に、コンタクトプラグの上部では、コン
タクトプラグを形成する導電体材が配線に埋込まれるよ
うにして形成される。このために、配線とコンタクトプ
ラグとの接触部はシリンダー形状になり、その接触面積
は従来の技術の図８で説明したコンタクトプラグ接触部
１０７ａの面積より大きくなる。そして、先述したよう
なコンタクトプラグと配線の接触抵抗が大幅に低減す
る。

【００４６】このように本発明は、半導体素子の微細化
および高密度化を容易にし半導体装置の高集積化を促進
するとともに、これらの半導体装置の高品質化を容易に
するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を工程順に説明する略断
面図である。

【図２】本発明の第１の実施例を工程順に説明する略断
面図である。

【図３】本発明の第１の実施例を説明するための平面図
である。

【図４】本発明の第２の実施例を工程順に説明する略断
面図である。

【図５】本発明の第２の実施例を説明するための斜視断
面図である。

【図６】本発明の第３の実施例を説明するための平面図
とその断面図である。

【図７】従来の方法を工程順に示した断面図である。

【図８】従来の方法を説明するための斜視断面図であ
る。

【符号の説明】

１，１０１シリコン基板２，１０２拡散層３第１層間絶縁膜４ポリシリコン配線５絶縁薄膜６第１配線間絶縁膜７，１６，１０４レジストマスク７’ コンタクト開口８，１０５コンタクト孔９，１０６ポリシリコン膜１０ポリシリコンプラグ１１チタン薄膜１２シリサイド配線１３第２層間絶縁膜１４アルミ金属配線１５第２配線間絶縁膜１７第１導電体材１７ａコンタクトプラグ側面部１８第２導電体材１０３層間絶縁縁膜１０７コンタクトプラグ１０７ａコンタクトプラグ接触部１０７ｂコンタクトプラグ非接触部１０８金属膜１０９配線用レジストマスク１１０配線

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板の表面に形成された拡散層と
前記拡散層上の層間絶縁膜を介して形成された配線との
接続あるいは層間絶縁膜を挟んで形成された多層配線の
下層の配線と上層の配線の接続において、前記層間絶縁
膜上の前記配線の側壁部を覆い前記層間絶縁膜の材質と
は異なり、かつ、前記配線および前記層間絶縁膜と高い
エッチング選択比を有する絶縁薄膜が形成され、前記層
間絶縁膜および前記層間絶縁膜上の前記配線を貫通する
１つの孔が形成され、更に、前記孔に導電体材が充填さ
れて、前記拡散層と前記配線とがあるいは前記下層の配
線と前記上層の配線とが前記導電体材を介して電気的接
続されていることを特徴とした半導体装置。
【請求項２】前記配線の材質とは異種の導電体材が、
前記配線に形成された前記孔に埋設されていることを特
徴とした請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】前記層間絶縁膜上に前記配線を配設する
工程と、前記配設した配線の間隙に前記層間絶縁膜の材
質とは異種の絶縁膜を埋設する工程と、前記配線の所定
の領域をエッチングし更に前記所定の領域直下の前記層
間絶縁膜をエッチングして前記孔を形成する工程と、前
記孔に導電体材を埋設する工程とを含むことを特徴とし
た請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項４】前記層間絶縁膜がシリコン酸化膜、ＢＰ
ＳＧ膜（ボロンガラスとリンガラスを含有するシリコン
酸化膜）または有機系絶縁膜であり、前記異種の絶縁膜
がシリコンオキシナイトライド膜あるいはシリコン窒化
膜であることを特徴とした請求項３記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項５】前記配線および前記導電体材が多結晶シ
リコンで構成され、前記孔に導電体材を埋設した後に前
記多結晶シリコン表面上に金属膜を被着させる工程と、
前記多結晶シリコンと前記金属膜を反応させシリサイド
層を形成する工程とを含むことを特徴とした請求項３ま
たは請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】前記下層の配線を配設する工程と、前記
配設した前記下層の配線の間隙にシリコンオキシナイト
ライド膜あるいはシリコン窒化膜を埋設する工程と、前
記下層の配線および前記シリコンオキシナイトライド膜
あるいはシリコン窒化膜を被覆する前記層間絶縁膜を形
成する工程と、前記層間絶縁膜上に前記上層の配線を配
設する工程とを含むことを特徴とした請求項４記載の半
導体装置の製造方法。