JP2692446B2 - Ｎ型シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
Ｎ型シリコン単結晶の製造方法Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＮ型シリコン単結晶の製
造方法、特にはＮ型シリコン単結晶を歩留よく引上げる
ことができ、微少欠陥が３個／cm2 以下であるシリコン
ウエハ−を与えるＮ型シリコン単結晶の製造方法に関す
るものである。
造方法、特にはＮ型シリコン単結晶を歩留よく引上げる
ことができ、微少欠陥が３個／cm2 以下であるシリコン
ウエハ−を与えるＮ型シリコン単結晶の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶の製造は引上げ用原料で
ある高純度の多結晶シリコンをルツボ中に装入し、これ
をアルゴンガス雰囲気の常圧下で融解し、この融液にシ
リコン種結晶を浸漬し、これを引上げるという方法で行
なわれているが、このルツボについてはシリコンの融点
である1,414 ℃の高温に耐えるということから通常は天
然石英ガラスで作られたものが使用されている。
ある高純度の多結晶シリコンをルツボ中に装入し、これ
をアルゴンガス雰囲気の常圧下で融解し、この融液にシ
リコン種結晶を浸漬し、これを引上げるという方法で行
なわれているが、このルツボについてはシリコンの融点
である1,414 ℃の高温に耐えるということから通常は天
然石英ガラスで作られたものが使用されている。
【０００３】しかし、この天然石英ガラスは不純物とし
ての各種金属を可成り多量に含有しており、したがって
得られるシリコン単結晶が不純物を含んだものとなるこ
とから、このルツボについてはこの不純物を取り除いた
ものが種々提案されている。すなわち、これについては
表１に示したように遷移金属とＢとを低いレベルとした
もの［ルツボＡと略記する］（特公昭58-49519号公報参
照）、Na、 K、 Li を0.2ppm以下、Cuを0.02ppm 以下とし
てウエハ−の品質、微小欠陥の発生を抑制する方法［ル
ツボＢと略記する］（特平昭１-6158 号公報参照）、Ｂ
だけでなく、P、 As も低レベルとしたもの［ルツボＣと
略記する］（特開昭62-96388号公報参照）、Al、 Fe、 N
a、 K、 Ca を0.1ppm以下としたもの［ルツボＤと略記す
る］（米国特許第4,979,973 号明細書参照）などが提案
されている。
ての各種金属を可成り多量に含有しており、したがって
得られるシリコン単結晶が不純物を含んだものとなるこ
とから、このルツボについてはこの不純物を取り除いた
ものが種々提案されている。すなわち、これについては
表１に示したように遷移金属とＢとを低いレベルとした
もの［ルツボＡと略記する］（特公昭58-49519号公報参
照）、Na、 K、 Li を0.2ppm以下、Cuを0.02ppm 以下とし
てウエハ−の品質、微小欠陥の発生を抑制する方法［ル
ツボＢと略記する］（特平昭１-6158 号公報参照）、Ｂ
だけでなく、P、 As も低レベルとしたもの［ルツボＣと
略記する］（特開昭62-96388号公報参照）、Al、 Fe、 N
a、 K、 Ca を0.1ppm以下としたもの［ルツボＤと略記す
る］（米国特許第4,979,973 号明細書参照）などが提案
されている。
【０００４】
【表１】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、シリコン半導
体素子はその高集積度化の傾向が次第に加速され、64M、
256Mから１G にまで進んでおり、これらについてはその
最小線幅が0.2 μm といわれており、64M でも欠陥密度
が３個/cm2以下では歩留りが向上せず、ビットコストが
16M を上回ってしまうことが予想され、特にMPUの高集
積度化、高速化、メモリの高速化などの傾向はエピタキ
シャルウエハ−、Ｎ型ウエハ−のCMOS、 Bi-CMOS タイプ
への要求が出てくると思われるが、Ｎ型単結晶について
はP 型に比較して歩留りが悪いために、その歩留り向
上、欠陥の減少が強く望まれている。
体素子はその高集積度化の傾向が次第に加速され、64M、
256Mから１G にまで進んでおり、これらについてはその
最小線幅が0.2 μm といわれており、64M でも欠陥密度
が３個/cm2以下では歩留りが向上せず、ビットコストが
16M を上回ってしまうことが予想され、特にMPUの高集
積度化、高速化、メモリの高速化などの傾向はエピタキ
シャルウエハ−、Ｎ型ウエハ−のCMOS、 Bi-CMOS タイプ
への要求が出てくると思われるが、Ｎ型単結晶について
はP 型に比較して歩留りが悪いために、その歩留り向
上、欠陥の減少が強く望まれている。
【０００６】Ｎ型シリコン単結晶は５価の元素をド−プ
することによって製造される。この５価の元素は３価の
元素と簡単に結合し化合物となる。表２からわかるよう
にルツボからはAlやＢ等の３価の元素が溶解するが、こ
れがＰやSbのような５価のド−プ元素と縮合して抵抗値
を狂わせ歩留が極端に悪くなるのである。また、この化
合物は微小欠陥の発生の原因となり時間を置くことによ
って、あるいは熱処理によって微小欠陥が多くなること
になる。また、Fe、Ni、Crなどの遷移金属も微小欠陥を
融因する元素として働くが、これもまた、推定ではある
が同様の原理によるものと思われる。
することによって製造される。この５価の元素は３価の
元素と簡単に結合し化合物となる。表２からわかるよう
にルツボからはAlやＢ等の３価の元素が溶解するが、こ
れがＰやSbのような５価のド−プ元素と縮合して抵抗値
を狂わせ歩留が極端に悪くなるのである。また、この化
合物は微小欠陥の発生の原因となり時間を置くことによ
って、あるいは熱処理によって微小欠陥が多くなること
になる。また、Fe、Ni、Crなどの遷移金属も微小欠陥を
融因する元素として働くが、これもまた、推定ではある
が同様の原理によるものと思われる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不利
を解決したＮ型シリコン単結晶の製造方法に関するもの
であり、これはシリコン単結晶を合成石英ガラス製ルツ
ボから引上げることを特徴とするものである。
を解決したＮ型シリコン単結晶の製造方法に関するもの
であり、これはシリコン単結晶を合成石英ガラス製ルツ
ボから引上げることを特徴とするものである。
【０００８】すなわち、本発明者らはＮ型シリコン単結
晶を歩留りよく製造する方法については種々検討した結
果、これについてはこのシリコン単結晶を引上げるため
のルツボを合成石英ガラス製のものとしたところ、従来
歩留の悪かったＮ型シリコンを歩留よく引上げることが
できるし、またこのようにして得られたＮ型シリコン単
結晶から得られるシリコンウエハ−は結晶欠陥が極めて
少なく、これが３個／cm2 以下のものとなることを見出
し、ここに使用する合成石英ガラス製ルツボについての
研究を進めて本発明を完成させた。以下にこれをさらに
詳述する。
晶を歩留りよく製造する方法については種々検討した結
果、これについてはこのシリコン単結晶を引上げるため
のルツボを合成石英ガラス製のものとしたところ、従来
歩留の悪かったＮ型シリコンを歩留よく引上げることが
できるし、またこのようにして得られたＮ型シリコン単
結晶から得られるシリコンウエハ−は結晶欠陥が極めて
少なく、これが３個／cm2 以下のものとなることを見出
し、ここに使用する合成石英ガラス製ルツボについての
研究を進めて本発明を完成させた。以下にこれをさらに
詳述する。
【０００９】
【作用】本発明はＮ型シリコン単結晶の製造方法に関す
るものであり、これはＮ型シリコン単結晶の引上げを合
成石英ガラス製ルツボで行なうものである。
るものであり、これはＮ型シリコン単結晶の引上げを合
成石英ガラス製ルツボで行なうものである。
【００１０】本発明によるＮ型シリコン単結晶の製造は
シリコン単結晶を合成石英ガラス製のルツボから引上げ
るものであるが、この合成石英ガラス製ルツボは例えば
メチルシリケ−トのようなアルコキシシランをアンモニ
アを用いて加水分解重縮合し、乾燥後閉孔化し、ガラス
化するという、いわゆるゾル−ゲルによって得られた合
成石英ガラスで作られたものとされるが、この合成石英
ガラスはコロイダルシリカの焼結体からなる非晶質のも
のである。
シリコン単結晶を合成石英ガラス製のルツボから引上げ
るものであるが、この合成石英ガラス製ルツボは例えば
メチルシリケ−トのようなアルコキシシランをアンモニ
アを用いて加水分解重縮合し、乾燥後閉孔化し、ガラス
化するという、いわゆるゾル−ゲルによって得られた合
成石英ガラスで作られたものとされるが、この合成石英
ガラスはコロイダルシリカの焼結体からなる非晶質のも
のである。
【００１１】本発明によるＮ型シリコン単結晶の製造は
合成石英ルツボを四塩化けい素を酸水素火炎中での火炎
加水分解でシリカ微粒子とし、これを溶融して石英ガラ
スから作ると、得られる石英ガラスはOH基量が1、000ppm
以上のものとなるために高温粘性が低く、真空中の高温
で変形、発泡するという不利があり、本発明には使用す
ることができないし、上記したゾル−ゲルによる場合で
もこのシリカがゲルであると細孔が小さくて低い温度で
閉孔化するためにこれがガスや水を含んだものとなるの
で、結晶化により脱ガス、脱水を行なうのであるが、こ
れには結晶化の工程で不純物が混入されるのでよくな
い。しかし、このシリカをコロイダルシリカとすると細
孔が大きく、加熱により容易に脱ガス、脱水することが
できるのでこれは結晶化は不要であり、不純物も入らな
いものとなるし、この金属不純物量は原料としてのアル
コキシシランを充分精製すれば合成石英ガラス製ルツボ
に含まれる不純物量をAl、 Feが100ppb以下、Ni、 Crが50
ppb 以下、B,P を10ppb 以下のものとすることができ、
さらには1,400 ℃における粘性値が1010ポイズ以上のも
のとすることができるという有利性が与えられる。
合成石英ルツボを四塩化けい素を酸水素火炎中での火炎
加水分解でシリカ微粒子とし、これを溶融して石英ガラ
スから作ると、得られる石英ガラスはOH基量が1、000ppm
以上のものとなるために高温粘性が低く、真空中の高温
で変形、発泡するという不利があり、本発明には使用す
ることができないし、上記したゾル−ゲルによる場合で
もこのシリカがゲルであると細孔が小さくて低い温度で
閉孔化するためにこれがガスや水を含んだものとなるの
で、結晶化により脱ガス、脱水を行なうのであるが、こ
れには結晶化の工程で不純物が混入されるのでよくな
い。しかし、このシリカをコロイダルシリカとすると細
孔が大きく、加熱により容易に脱ガス、脱水することが
できるのでこれは結晶化は不要であり、不純物も入らな
いものとなるし、この金属不純物量は原料としてのアル
コキシシランを充分精製すれば合成石英ガラス製ルツボ
に含まれる不純物量をAl、 Feが100ppb以下、Ni、 Crが50
ppb 以下、B,P を10ppb 以下のものとすることができ、
さらには1,400 ℃における粘性値が1010ポイズ以上のも
のとすることができるという有利性が与えられる。
【００１２】本発明で使用される合成石英ガラス製ルツ
ボは上記したゾル−ゲル法で得られたコロイダルシリカ
の非結質の焼結体からなる合成石英ガラス粉末を成形用
型内に供給して型内に粉体層を形成させ、これをア−ク
放電で溶融させて型内に合成石英ガラスからなる透明層
を形成させることによって製造すればよい。
ボは上記したゾル−ゲル法で得られたコロイダルシリカ
の非結質の焼結体からなる合成石英ガラス粉末を成形用
型内に供給して型内に粉体層を形成させ、これをア−ク
放電で溶融させて型内に合成石英ガラスからなる透明層
を形成させることによって製造すればよい。
【００１３】本発明によるＮ型シリコン単結晶の製造は
このようにして製造した合成石英ガラス製ルツボの中に
高純度の多結晶シリコンを装入し、これを外部からの加
熱によって融解したのち、この融液中にＮ型のシリコン
種結晶を浸漬し、これを引上げるという従来公知の方法
で行なえばよいが、これによればこの合成石英ガラス製
ルツボを形成している合成石英ガラスが１，４００℃で
の粘性値が１０１０ポイズ以上のものであるので、この
工程中にそれが変形することがなく、シリコン単結晶の
引上げを容易に行なうことができるし、この場合には溶
損が少ないということからＮ型シリコン単結晶を歩留よ
く製造することができ、さらにはこの合成石英ガラスに
含まれている金属不純物量が前記したように非常に少な
いものであることからこのようにして得たＮ型シリコン
単結晶をスライスし、さらに熱処理工程を経て得たウエ
ハーの微小欠陥が３個／ｃｍ２以下になるという有利性
が与えられる。
このようにして製造した合成石英ガラス製ルツボの中に
高純度の多結晶シリコンを装入し、これを外部からの加
熱によって融解したのち、この融液中にＮ型のシリコン
種結晶を浸漬し、これを引上げるという従来公知の方法
で行なえばよいが、これによればこの合成石英ガラス製
ルツボを形成している合成石英ガラスが１，４００℃で
の粘性値が１０１０ポイズ以上のものであるので、この
工程中にそれが変形することがなく、シリコン単結晶の
引上げを容易に行なうことができるし、この場合には溶
損が少ないということからＮ型シリコン単結晶を歩留よ
く製造することができ、さらにはこの合成石英ガラスに
含まれている金属不純物量が前記したように非常に少な
いものであることからこのようにして得たＮ型シリコン
単結晶をスライスし、さらに熱処理工程を経て得たウエ
ハーの微小欠陥が３個／ｃｍ２以下になるという有利性
が与えられる。
【００１４】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例 1)合成石英ガラス製ルツボの製造 ５リットルのSUS 製丸型連続フラスコの内面をテトラフ
ルオロエチレン樹脂でコ−ティングした反応器に、アン
モニア水27リットル／時とメチルシリケ−ト24.5リット
ル／時とを滴下してコロイダルシリカを生成させ、この
シリカを遠心脱水器で脱水してから超純水で４回洗浄し
た。
ルオロエチレン樹脂でコ−ティングした反応器に、アン
モニア水27リットル／時とメチルシリケ−ト24.5リット
ル／時とを滴下してコロイダルシリカを生成させ、この
シリカを遠心脱水器で脱水してから超純水で４回洗浄し
た。
【００１５】ついでこのシリカを石英ルツボに入れ、電
気炉中で室温より昇温して３００℃３時間、８００℃３
時間、１，０００℃３時間、各温度への昇温時間をそれ
ぞれ０．５、４、２時間として空気中で昇温加熱処理し
たのち、これをカーボン型に入れ、減圧下に室温より昇
温して１，２００℃２時間、１，５００℃３時間、１，
７５０℃１時間、各温度への昇温時間をそれぞれ２，
２，２時間として昇温加熱して合成石英ガラスとし、得
られたインゴットを２０重量％のＨＦで１時間洗浄し、
乾燥後ジョークラッシャーとデスクミルで粉砕し、篩別
して４５〜６０メッシュに調製したのち、２０重量％の
ＨＣｌで酸洗浄し、パイン油で浮遊選鉱してから５重量
％のＨＦで１５分間洗浄し、１，０５０℃で加熱処理
し、磁力選鉱機にかけて合成石英ガラス粉とした。
気炉中で室温より昇温して３００℃３時間、８００℃３
時間、１，０００℃３時間、各温度への昇温時間をそれ
ぞれ０．５、４、２時間として空気中で昇温加熱処理し
たのち、これをカーボン型に入れ、減圧下に室温より昇
温して１，２００℃２時間、１，５００℃３時間、１，
７５０℃１時間、各温度への昇温時間をそれぞれ２，
２，２時間として昇温加熱して合成石英ガラスとし、得
られたインゴットを２０重量％のＨＦで１時間洗浄し、
乾燥後ジョークラッシャーとデスクミルで粉砕し、篩別
して４５〜６０メッシュに調製したのち、２０重量％の
ＨＣｌで酸洗浄し、パイン油で浮遊選鉱してから５重量
％のＨＦで１５分間洗浄し、１，０５０℃で加熱処理
し、磁力選鉱機にかけて合成石英ガラス粉とした。
【００１６】つぎにこの合成石英ガラス粉を回転する成
形用型内に供給して厚さ14mmの粉体層を形成させ、ア−
ク放電によって内部から溶融させ、15分後にさらにこの
型内に合成石英ガラスを供給して内面に厚さ１mmの透明
層を形成させてルツボを作り、この外壁未溶融部を除去
し、カッティングにより高さを揃えて合成石英ガラス製
ルツボを作ったが、このルツボにおける各金属の分析結
果は表２に示したとおりであった。
形用型内に供給して厚さ14mmの粉体層を形成させ、ア−
ク放電によって内部から溶融させ、15分後にさらにこの
型内に合成石英ガラスを供給して内面に厚さ１mmの透明
層を形成させてルツボを作り、この外壁未溶融部を除去
し、カッティングにより高さを揃えて合成石英ガラス製
ルツボを作ったが、このルツボにおける各金属の分析結
果は表２に示したとおりであった。
【００１７】２）シリコン単結晶の製造 上記のようにして得た１８インチの合成石英ガラス製ル
ツボの中にシリコン単結晶引上げ用原料としての高純度
多結晶シリコン２０ｋｇを装入し、アルゴンガス雰囲気
の常圧下にこの多結晶シリコンを融解したのち、細粒状
のアンチモンを２０ｍｇ添加し３０分間放置した。その
後、ルツボと種結晶とを互いに反対方向に回転させなが
ら種結晶を多結晶シリコンの融液に接触させてシリコン
単結晶の引上げを開始させた。
ツボの中にシリコン単結晶引上げ用原料としての高純度
多結晶シリコン２０ｋｇを装入し、アルゴンガス雰囲気
の常圧下にこの多結晶シリコンを融解したのち、細粒状
のアンチモンを２０ｍｇ添加し３０分間放置した。その
後、ルツボと種結晶とを互いに反対方向に回転させなが
ら種結晶を多結晶シリコンの融液に接触させてシリコン
単結晶の引上げを開始させた。
【００１８】ついでシリコン単結晶が目的の直径に達し
たところで引上げ速度を２．０ｍｍ／分、アルゴンガス
流量を５０ｌ／分、アルゴンガス圧を２０ｍｍＨｇに設
定し、このようにして成長させたシリコン単結晶棒を取
り外し、これを０．５ｍｍ厚さにスライスし、鏡面に仕
上げて直径６インチのシリコンウエハーを作成し、この
ウエハーの金属成分をしらべたところ、表２に示したと
おりの結果が得られた。
たところで引上げ速度を２．０ｍｍ／分、アルゴンガス
流量を５０ｌ／分、アルゴンガス圧を２０ｍｍＨｇに設
定し、このようにして成長させたシリコン単結晶棒を取
り外し、これを０．５ｍｍ厚さにスライスし、鏡面に仕
上げて直径６インチのシリコンウエハーを作成し、この
ウエハーの金属成分をしらべたところ、表２に示したと
おりの結果が得られた。
【００１９】また、このウエハ−についてはこれを窒素
ガス雰囲気中に650℃で30分間、1,350 ℃で15時間保持
したのち室温まで冷却し、ウエハ−表面の酸化膜をフッ
酸で除去し、セコエッチング液(HF-CrO3-H2O溶液）中で
撹拌しながら15分間エッチングし、光学顕微鏡で微小欠
陥を観察したところ、これは最良で0.03個／cm2 、最悪
で2.5 個／cm2 、平均1.2 個／cm2 であった。
ガス雰囲気中に650℃で30分間、1,350 ℃で15時間保持
したのち室温まで冷却し、ウエハ−表面の酸化膜をフッ
酸で除去し、セコエッチング液(HF-CrO3-H2O溶液）中で
撹拌しながら15分間エッチングし、光学顕微鏡で微小欠
陥を観察したところ、これは最良で0.03個／cm2 、最悪
で2.5 個／cm2 、平均1.2 個／cm2 であった。
【００２０】比較例 実施例で使用した合成石英ガラス製ルツボをその金属含
有量が表２に示したとおりである天然石英ガラス製のル
ツボとしたほかは実施例と同じ方法でＮ型シリコン単結
晶の引上げを行ない、これから直径６インチのシリコン
ウエハーをスライスしてこのウエハーの金属成分をしら
べたところ、これは表２に示したとおりであり、このウ
エハーについての微小欠陥を実施例と同じ方法でしらべ
たところ、これは最良で４．８個／ｃｍ２、最悪で８．
５個／ｃｍ２、平均で５．２個／ｃｍ２であった。
有量が表２に示したとおりである天然石英ガラス製のル
ツボとしたほかは実施例と同じ方法でＮ型シリコン単結
晶の引上げを行ない、これから直径６インチのシリコン
ウエハーをスライスしてこのウエハーの金属成分をしら
べたところ、これは表２に示したとおりであり、このウ
エハーについての微小欠陥を実施例と同じ方法でしらべ
たところ、これは最良で４．８個／ｃｍ２、最悪で８．
５個／ｃｍ２、平均で５．２個／ｃｍ２であった。
【００２１】
【表２】
【００２２】
【発明の効果】本発明はＮ型シリコン単結晶の製造方法
に関するものであり、これは前記したようにシリコン単
結晶を合成石英ガラス製ルツボから引上げることを特徴
とするものであり、この合成石英ガラス製ルツボはアル
コキシシランの加水分解重縮合によって得た非晶質のコ
ロイダルシリカの焼結物で、その表面および合成層にお
ける不純物含有量がＡｌ、Ｆｅが１００ｐｐｂ以下、Ｎ
ｉ、Ｃｒが５０ｐｐｂ以下、Ｂ，Ｐが１０ｐｐｂ以下の
ものとされるのであるが、これによればＮ型シリコン単
結晶の引上げを歩留よく行なうことができるし、この単
結晶から得られるウエハーの微小欠陥を３個／ｃｍ２以
下とすることができるという有利性が与えられる。
に関するものであり、これは前記したようにシリコン単
結晶を合成石英ガラス製ルツボから引上げることを特徴
とするものであり、この合成石英ガラス製ルツボはアル
コキシシランの加水分解重縮合によって得た非晶質のコ
ロイダルシリカの焼結物で、その表面および合成層にお
ける不純物含有量がＡｌ、Ｆｅが１００ｐｐｂ以下、Ｎ
ｉ、Ｃｒが５０ｐｐｂ以下、Ｂ，Ｐが１０ｐｐｂ以下の
ものとされるのであるが、これによればＮ型シリコン単
結晶の引上げを歩留よく行なうことができるし、この単
結晶から得られるウエハーの微小欠陥を３個／ｃｍ２以
下とすることができるという有利性が与えられる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝田 政俊 新潟県中頚城郡頚城村大字西福島28番地 の１ 信越化学工業株式会社 合成技術 研究所内 (72)発明者 松村 光男 福井県武生市北府２丁目13番60号 信越 石英株式会社 武生工場内 (72)発明者 松井 宏 福井県武生市北府２丁目13番60号 信越 石英株式会社 武生工場内 (72)発明者 古瀬 信一 福島県西白河郡西郷村小田倉字大平150 番地 信越半導体株式会社 白河工場内 (56)参考文献 特開 平３−252387（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】シリコン単結晶を合成石英ガラス製ルツボ
から引上げることを特徴とするＮ型シリコン単結晶の製
造方法。 - 【請求項２】シリコンウエハ−の欠陥密度が３個／cm2
以下である請求項１に記載したＮ型シリコン単結晶の製
造方法。 - 【請求項３】合成石英ガラス製ルツボがアルコキシシラ
ンの加水分解重縮合によって得た非晶質のコロイダルシ
リカの焼結物であり、その表面および合成層における不
純物含有量がAl、 Feが100ppb以下、Ni、 Crが50ppb 以
下、B、P が10ppb 以下のものである請求項１に記載した
Ｎ型シリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3245151A JP2692446B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | Ｎ型シリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3245151A JP2692446B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | Ｎ型シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558770A JPH0558770A (ja) | 1993-03-09 |
| JP2692446B2 true JP2692446B2 (ja) | 1997-12-17 |
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ID=17129383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3245151A Expired - Fee Related JP2692446B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | Ｎ型シリコン単結晶の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2692446B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5782996B2 (ja) | 2011-11-01 | 2015-09-24 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3245151A patent/JP2692446B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558770A (ja) | 1993-03-09 |
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