JP2691385B2 - 半導体メモリー装置 - Google Patents
半導体メモリー装置Info
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Description
導体メモリーのうち、フローティングゲイトとコントロ
ールゲイトを有し、コントロールゲイトに高電圧を印加
することによって、フローティングゲイトにキャリヤを
捕獲せしめ、これによって記憶保持動作をおこなう方式
の半導体メモリー装置(いわゆるEPROM、EEPR
OMあるいはフラッシュメモリー)に関する。
リヤの導入によってゲイト絶縁膜等の絶縁膜が損傷を受
け、書き込み・消去の回数が制限され、ひいては利用分
野が限られていたのに対して、書き込み・消去の回数を
著しく向上せしめ、従来にはない、あるいは従来には他
の記憶方法によってなされていた分野での利用をもくろ
むものである。
ROM等の利用分野に加えて、例えば、従来、RAMと
呼ばれるメモリー装置によって担われていた各種記憶装
置をも本発明の利用分野とするものである。
機能化に関して、多くの研究開発が進められている。特
にMOSFETと呼ばれる絶縁ゲイト電界効果型半導体
素子の微細化技術の進歩は目ざましい。MOSとは、金
属 (Metal)−酸化物 (Oxide)−半導体 (Semi- condeuct
or) の頭文字を取ったものである。金属は、純粋な金属
でなくとも、十分に導電率の大きな半導体材料や、半導
体と金属の合金なども含めた広い意味で使用される。ま
た、金属と半導体の間の酸化物のかわりに、純粋な酸化
物だけではなく、窒化物等の絶縁物も用いられることも
あり、そのような場合には、厳密にはMOSという用語
は正しくないが、以下、本明細書では、窒化物その他の
絶縁物を含めて、このような構造を有する電界効果型素
子をMOSFET、あるいはMOSトランジスタと称す
る。
板の上にゲイト酸化物(ゲイト絶縁物)として、酸化珪
素等の酸化物(絶縁物)が形成され、その上にゲイト電
極として作用する金属あるいは半導体等が設けられ、こ
のゲイト電極の電位を制御することによって、下地の半
導体の導電性を制御するものである。
的に独立した半導体膜(これをフローティングゲイトと
いう)を形成し、その上に再び絶縁膜を形成して、ゲイ
ト電極(これをコントロールゲイトという)を設けると
不揮発性メモリーの素子として使用できることが知られ
ている。このような構造を有するメモリーは、通常、E
PROMあるいはEEPROMとして市販されているも
のである。その原理は、コントロールゲイト電極に強い
電界をかけることによって、中間のフローテイングゲイ
ト膜に電子やホールといった電荷をトラップさせ、これ
を特定の導電型に帯電させることによって、下地の半導
体の導電性を半永久的に固定してしまおうとするもので
ある。もちろん、例えば、紫外線の照射や電気的な効果
によって、フローテイングゲイトに注入された電荷が取
り除かれてしまった場合には、もとの状態に戻り、つま
りデータは消去される。このような、フローティングゲ
イトを有するMOSトランジスタ単独あるいは、それと
他のトランジスタとを組み合わせて半導体メモリー装置
が構成される。
RAMやSRAM等のRAMと違って、記憶保持のため
に電源が不要であり、また、特にDRAMと比較した場
合に、キャパシタが不要であるので、今後、16Mビッ
ト以上のメモリーを作製せんとする場合には、ビット当
たりのセル面積が小さくでき、高集積化に適するという
ことで、近年特に研究が盛んになった。消去の操作が電
気的におこなえるEEPROMは、特に注目を集めてい
る。
ゲイトを有するMOSFETは、無限回の書込み・消去
が可能なわけではない。この点が他のRAMと異なる点
であり、それゆえROMの1つとして分類される理由で
ある。現在、市販されているEEPROMの書込み・消
去の保証された回数は1万〜10万回である。しかしな
がら、このようなメモリー装置をコンピュータの一時的
なデータのメモリー装置として、現在のRAMに代わっ
て使用せんとする場合には、10万回以上、好ましくは
100万回の書込み・消去が保証されることが必要であ
る。
制限されていたのは、フローティングゲイトにキャリヤ
を注入したり、取り出したりする際に、フローティング
ゲイトの下のゲイト酸化膜が著しい損傷を受けるからで
あった。すなわち、高エネルギーのキャリヤーが絶縁膜
(通常は酸化珪素)の中を通過する為に、絶縁膜中の原
子間の結合が切断されて、トラップ準位等の欠陥が形成
されるからであった。一度、このような欠陥が形成され
ると、ここを通じてキャリヤーが容易に移動して、フロ
ーティングゲイトに蓄積されていた電荷が逃げ、記憶装
置として動作しないか、あるいは記憶の信頼性が著しく
低下してしまう。
膜に原子間の結合の強い材料を用いることが望ましい。
例えば、窒化珪素や酸化窒化珪素、炭化珪素、酸化アル
ミニウム等はそのような目的に適している。しかしなが
ら、このような絶縁材料は、半導体基板(珪素)との界
面の状態がよくない。そのため、トラップ準位が生じ
て、MOSのチャネル領域の導通を制御することが困難
となったり、移動度が低下したりする問題が生じる。
メモリーという特殊な不揮発性メモリーとして、DRA
Mにとってかわるメモリー素子と目されているが、書込
み回数の制限が障害となって、まだマーケットは大きく
なっていない。
に、書込み・消去の回数が必要とされるよりも少ないE
PROM、EEPROMの現状を鑑みてなされたもの
で、書込み・消去の回数が10万回以上、望ましくは1
00万回以上保証されるフローティングゲイト構造を提
案するものである。
うに、窒化珪素、酸化窒化珪素、炭化珪素あるいは酸化
アルミニウムの原子間結合が強く、電荷の移動に伴って
欠陥が生じにくいという特徴を積極的に利用し、問題の
解決を図らんとするものである。
ネル形成領域上に形成することは、チャネルの導通を不
安定にし、また、移動度を下げるので望ましくない。そ
こで、本発明では、このような絶縁材料を、電荷がフロ
ーティングゲイトへ移動する経路中にのみ限定して使用
することによって、この困難に対処するものである。
ルおよびその作製方法を示した。このようなEEPRO
Mは以下のように作製される。まず、図2(A)に示さ
れるように半導体基板201上に、フォトレジストのよ
うなマスク材料202を用いて選択的にソース領域20
3とドレイン領域204が形成される。
て薄い酸化珪素膜205が一様に形成される。しかしな
がら、そのドレイン上の一部には穴206が形成される
(図2(B))。
の穴206にも酸化珪素膜が形成され、その部分は他よ
り薄い酸化珪素膜207が形成される。そして、このド
レインの一部と、チャネル領域の一部を覆って、フロー
ティングゲイト208が、多結晶珪素等の材料によって
形成される。このようにして図2(C)を得る。
て、フローティングゲイトの一部、もしくは全部を覆っ
て、コントロールゲイト210が形成される(図2
(D))。このようにして、EEPROMの必要な素子
構造が形成される。ここまでに使用されるマスクの枚数
は、フォトレジスト202の形成、穴206の形成、フ
ローティングゲイト208の形成、コントロールゲイト
210の形成の4枚である。必要によっては、この後、
ソース領域やドレイン領域に電極が形成される。
イトに高い電圧を印加すると、ゲイト絶縁膜の薄い部分
207からフローティングゲイトに電荷が注入される。
しかしながら、従来のEEPROM等では、この部分の
酸化珪素の原子間の結合が電荷の移動によって破壊さ
れ、トラップ準位を形成することがよくあった。そし
て、このようなトラップ準位を伝って、フローテンイン
グゲイトに蓄積されていた電荷が流出してしまった。
縁膜が薄い部分のみを選択的に窒化珪素、酸化窒化珪
素、炭化珪素や酸化アルミニウム等の原子間の結合の強
い材料によって形成するものである。その典型的な例は
図1に示される。
ず、図1(A)に示すように半導体基板101上に選択
的にフォトレジスト等のマスク材料102を形成し、選
択的にソース領域203とドレイン領域204が形成さ
れる。
珪素、酸化窒化珪素、炭化珪素あるいは酸化アルミニウ
ムの薄い被膜105を形成する。この膜の厚さはフォウ
ロー・ノードハイム効果によって電流(F−N電流)が
流れる程度の厚さであることが必要であり、その厚さは
1〜100nm、好ましくは1〜20nm、より好まし
くは2〜5nmが適している。窒化珪素に関しては、そ
の製法としては熱窒化法を使用すればこのような厚さの
窒化珪素膜を均等に形成することができる。
窒素濃度の30%以下であることが必要である。それ以
上では、電界に対する耐性が劣化する。化学式で示せ
ば、SiOx Ny において、x≦0.3yである。ま
た、炭化珪素を使用せんとすれば、その化学式はSix
C1-x (0≦x<1)で表される材料が好ましい。この
ようにして、絶縁物105を形成した様子を図1(B)
に示す。
法によって酸化し、表面に酸化珪素膜106を形成す
る。しかしながら、絶縁物105の上には熱酸化膜が成
長しないのでその部分の厚さは変わらない。酸化珪素膜
106の厚さは絶縁物105の厚さよりも大きいことが
必要であり、10〜50nmが適している。さらに、そ
の上に、図1(C)に示すようにフローティングゲイト
107を形成する。
やフッ素を0.01〜5at%含有していると、欠陥の
生じる確率が減少し、ゲイト絶縁膜の信頼性が向上す
る。このような微量の塩素もしくはフッ素を添加するに
は、イオン打ち込み法やイオンドーピング法等のイオン
照射技術を用いればよい。また、信頼性をさらに向上さ
せるためには、酸化珪素膜中に含有される水素の濃度を
5at%以下、好ましくは0.01at%以下とすれば
よい。水素は珪素との結合が緩やかで強い電界によって
容易に珪素から離脱し、欠陥を生じるからである。
を形成してから、コントロールゲイト109を形成し、
EEPROM素子の構造を得ることができる。
して垂直に形成した、いわゆる縦チャネル型の素子につ
いても適用できる。縦チャネル型の素子のEEPROM
等への応用については、本発明人らの発明である特願平
3−290720(平成3年10月8日出願)に述べら
れている。このような構造のEEPROMは従来の平面
的な構造のものに比べて高集積化が可能である。また、
作製プロセスも容易であり、例えば、マスクの枚数を減
らすことができる。
型のEEPROM素子に適用したものの作製方法の例を
示す。まず、表面に高濃度の不純物がドープされた領域
302(後にEEPROM素子のドレインとなる)を有
する半導体基板301(図において基板底面は省略)上
に選択的にフォトレジストのようなマスク材料303を
形成し、これを一定の深さまでエッチングする。そし
て、マスク材料303で覆われていない部分が、不純物
のドープされていない領域に達する前に、一旦エッチン
グをやめ、全体に窒化珪素、酸化窒化珪素、炭化珪素あ
るいは酸化アルミニウムの絶縁膜304を形成する。こ
の膜の厚さや組成は先に述べたものと同じ条件が要求さ
れる。このようにして、図3(A)を得る。
とする深さまでエッチングする。この工程によって凸状
の部分が形成されるが、図3(B)に示すように、その
側面には絶縁物被膜304の一部である絶縁物305が
残存している。
酸化すると、絶縁物305で覆われていない部分には酸
化珪素膜306が形成される。このとき形成される酸化
珪素膜の厚さも先の条件に適合するものである必要があ
る。この様子を図3(C)に示す。この酸化珪素膜にお
いても、先に述べたように水素濃度を5at%以下、好
ましくは0.01at%以下とし、フッ素もしくは塩素
を0.01〜5at%添加することによって、ゲイト絶
縁膜の信頼性を向上せしめることができ、したがって、
本発明と組み合わせることによって、相乗的にEEPR
OMの信頼性を高めることができる。
の作製プロセスが利用できる。すなわち、図3(D)に
示すように全体に均一に多結晶珪素膜307を形成し、
これを方向性エッチング法によってエッチングして、凸
状の部分の側面にフローティングゲイトとなる部分30
8を形成する(図4(A))。
熱酸化法等の方法によって形成し(図4(B))。これ
ら全体に多結晶珪素あるいは他の適当な導電材料の被膜
を形成して、これも方向性エッチングによって、凸状の
部分の側面に、コントロールゲイトとなる部分310を
残存させ、さらに、このコントロールゲイトの部分31
0をマスクとしてセルフアライン的に不純物拡散をおこ
ない、ソース領域311を形成する。こうして、図4
(C)のような構造の素子を得ることができる。図3の
例では、2つのEEPROM素子が形成されている。
化珪素あるいは酸化アルミニウムといった絶縁物はMO
Sのチャネル形成領域には密着していないことが以上の
例からわかるであろう。例えば、図1の絶縁物105に
しても、図3の絶縁物305にしても、ドレイン上にの
み形成されている。したがって、MOSFETの動作に
関しては何ら問題がない。
ク数を特に増やすことなく実施できることも本発明の特
徴である。すなわち、図1の例では絶縁物105を形成
するにあたって、マスクプロセスが必要であるが、この
工程は従来のEEPROMで行われていたドレイン上へ
の絶縁膜の穴(図2では206のい対応)の形成に対応
するものであるから、マスクプロセスの全体の回数は変
わらない。また、要求される精度も従来のものと同じで
ある。
到っては、絶縁物305を形成する為のマスクプロセス
は存在しない。したがって、本発明を使用しても、その
ために歩留りが低下することは全く期待できない。
て説明する。図1には、従来の平面型のEEPROM素
子に対して本発明を適用した作製方法の例を示してい
る。まず、不純物濃度が1015cm-3程度のP型シリコ
ンウェファー101上に図には示さないが、公知のLO
COS技術によって素子分離領域を形成する。その後、
フォトレジストを厚さ1μm程度塗布し、フォトリソグ
ラフィー法によって、マスク102を形成する。このマ
スクの幅は後に形成されるFETのチャネル長を決定す
る。例えば2μmとする。そして、公知のイオン注入法
によって砒素イオンを注入し、ソース領域103とドレ
イン領域104を形成した。不純物の濃度は、0.1×
1020 〜5.0×1020cm-3、例えば、1.2×1
020cm-3とする。
除去して、シリコンウェファーの清浄な面を露出させ、
この上に厚さ2〜100nm、例えば5nmの窒化珪素
膜を熱窒化法によって形成する。熱窒化の条件は、アン
モニアNH3 の流量を1l/分とし、反応炉中で、基板
を600〜850℃、例えば725℃に加熱して、2時
間おこなった。
イン領域上に窒化珪素膜105だけを残した。(図1
(B))
00nm、例えば70nmの酸化珪素膜を基板表面に形
成する。このとき、窒化珪素膜105のある部分は酸化
されない。
厚さ50nm、リン濃度2×1020cm-3の多結晶珪素
膜を形成し、これを選択的に除去して、多結晶珪素のフ
ローティングゲイト107を形成する(図1(C))。
素膜108を形成する。この結果形成される酸化珪素膜
の厚さは、基板表面とフローティングゲイト上で異なる
が、例えばフローティングゲイト上で50nmとなるよ
うにする。
を厚さ300nm程度形成し、これをエッチングして、
コントロールゲイト109を形成する(図1(D))。
そして、ソース領域、ドレイン領域に必要な電極を形成
する。あるいは、ソース領域、ドレイン領域を配線とし
て使用する場合には、特に金属配線等で配線を形成する
必要はない。このようにして、EEPROM素子が形成
される。
と従来の方法(図2)で作製したEEPROM素子との
書込み/消去回数によるしきい値電圧の変化を試験し
た。その結果を図4に示す。図から明らかなように本発
明によって、書込み・消去の回数が増大したことが示さ
れた。
4を用いて説明する。図3、図4には、縦チャネル型の
EEPROM素子に対して本発明を適用した作製方法の
例を示している。まず、不純物濃度が1015cm-3程度
のP型シリコンウェファー301上に、不純物濃度0.
1×1020〜2.0×1020cm-3程度のN型の領域3
02を形成する。その深さは0.1〜5.0μm、例え
ば1.5μmとする。不純物拡散技術としては公知の各
種の技術を用いればよい。そして、これに、フォトレジ
ストを厚さ5μm程度形成し、フォトリソグラフィー法
によって、パターニングをおこない、特定の部分303
だけ残置させる。そして、この状態で公知の方向性エッ
チング法(バイアス反応性イオンエッチング法等)によ
って、基板を垂直にエッチングし、凸状の部分を形成す
る。そして、その途中でエッチングを停止する。例え
ば、不純物領域302の深さの80%(1.2μm程
度)までエッチングしたときにエッチングを中断する。
D法によって、厚さ2〜10nm、例えば5nmの窒化
珪素膜304を形成する(図3(A))。ここで、熱C
VD法や熱窒化法を用いた場合にはフォトレジスト30
3が損傷を受けるので好ましくない。
的とする深さまでエッチングする。例えば、もとの半導
体基板方面から2.5μm程度までエッチングする。こ
のときには、図3(B)に示すように、先に形成された
窒化珪素膜は不純物領域302の側面に窒化珪素305
として残される。
厚さ20nm程度の酸化珪素膜306を形成する。ただ
し、窒化珪素305の存在する部分には酸化珪素膜は形
成されない(図3(C))。
0nm程度の多結晶珪素膜を形成し、方向性エッチング
によってエッチングをおこない、多結晶珪素膜を凸状の
部分の側面に残置せしめ、これをフローティングゲイト
とする(図4(A))。
(B)に示すように、適当な厚さの酸化珪素膜309形
成する。そして、再び、厚さ300nmの多結晶珪素を
全体に形成し、これを方向性エッチング法によって除去
することによってコントロールゲイト310を形成す
る。そして、このコントロールゲイトをマスクとして不
純物ドープをおこない、ソース領域311を作製する。
こうしてEEPROM素子が作製された。これらの工程
で使用されたマスクの枚数は1枚である。
Mについて、200万回の書込み消去の試験をおこなっ
たところ、この試験によって、フローティングゲイトに
電荷がある時とないときのMOSトランジスタのしきい
値電圧の差が5V以下になったものは、全体の5%に過
ぎなかった。比較のために、窒化珪素膜を有しない同じ
構造のEEPROM素子を作製し、同じ試験をおこなっ
たところ、60%がしきい値電圧の差が5V以下になっ
た。このように、本発明の効果があることが明らかにさ
れた。
MOSメモリー装置の書込み・消去回数を増大させるこ
とができた。また、本発明によって、作製歩留りが低下
するようなことは特に認められなかった。特に本発明に
よって、100万回以上の書込み・消去をおこなった場
合であっても、素子の劣化が認められなかった。例え
ば、1分間に1回の書換をおこなった場合であっても、
100万回の書換をすることができれば、1000時間
以上も使用できるということであり、従来のRAMが用
いられていたコンピュータの一時記憶装置としても使用
できる。
方法の概略を示す。
方法の概略を示す。
工程の概略を示す。
工程の概略を示す。
ROM素子の特性を示す。
Claims (1)
- 【請求項1】フローティングゲイトを有し、電気的に書
き込み、消去をおこなう半導体メモリー装置において、 ドレイン領域は、半導体基板の凸部の上部に設けられて
おり、 フローティングゲイトは前記凸部の側面に設けられてお
り、 前記ドレイン領域とフローティングゲイトの間には窒化
珪素、酸化窒化珪素、炭化珪素もしくは酸化アルミニウ
ムの薄膜が選択的に設けられていることを特徴とする半
導体メモリー装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30779892A JP2691385B2 (ja) | 1991-10-29 | 1992-10-21 | 半導体メモリー装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30991491 | 1991-10-29 | ||
JP3-309914 | 1991-10-29 | ||
JP30779892A JP2691385B2 (ja) | 1991-10-29 | 1992-10-21 | 半導体メモリー装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05206412A JPH05206412A (ja) | 1993-08-13 |
JP2691385B2 true JP2691385B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=26565265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30779892A Expired - Fee Related JP2691385B2 (ja) | 1991-10-29 | 1992-10-21 | 半導体メモリー装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2691385B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7268387B2 (en) | 2001-05-31 | 2007-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and an electronic device |
KR100986807B1 (ko) | 2006-10-30 | 2010-10-08 | 가부시키가이샤 덴소 | 탄화규소 반도체 장치를 제조하는 방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5923056A (en) * | 1996-10-10 | 1999-07-13 | Lucent Technologies Inc. | Electronic components with doped metal oxide dielectric materials and a process for making electronic components with doped metal oxide dielectric materials |
US6300187B2 (en) | 1998-11-24 | 2001-10-09 | Micron Technology, Inc. | Capacitor and method of forming a capacitor |
KR101420695B1 (ko) * | 2013-01-16 | 2014-07-17 | 계명대학교 산학협력단 | 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬 |
US11611000B2 (en) | 2017-10-03 | 2023-03-21 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Nonvolatile storage element and analog circuit provided with same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5643002Y2 (ja) * | 1973-08-21 | 1981-10-08 | ||
JPS62262465A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Fujitsu Ltd | 不揮発性記憶素子の製造方法 |
JP2646591B2 (ja) * | 1987-11-27 | 1997-08-27 | ソニー株式会社 | 不揮発性メモリ装置 |
JPH02114569A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Matsushita Electron Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JPH02114568A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Matsushita Electron Corp | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
EP0405205A3 (en) * | 1989-06-12 | 1992-05-13 | Seiko Instruments Inc. | Method of producing mos type semiconductor device |
-
1992
- 1992-10-21 JP JP30779892A patent/JP2691385B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IEEE TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES,VOL.36 NO.5,1989 P.879−889 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7268387B2 (en) | 2001-05-31 | 2007-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and an electronic device |
KR100986807B1 (ko) | 2006-10-30 | 2010-10-08 | 가부시키가이샤 덴소 | 탄화규소 반도체 장치를 제조하는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05206412A (ja) | 1993-08-13 |
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