JP2689919B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JP2689919B2 JP2689919B2 JP22512794A JP22512794A JP2689919B2 JP 2689919 B2 JP2689919 B2 JP 2689919B2 JP 22512794 A JP22512794 A JP 22512794A JP 22512794 A JP22512794 A JP 22512794A JP 2689919 B2 JP2689919 B2 JP 2689919B2
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- Japan
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光素子に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉ基板上のIII −Ｖ族（あるいはII−
VI族）半導体レーザ素子（ＬＤ）は、他の電子デバイス
との融合・集積化という利点があり、多くの研究が行わ
れている。しかし、Ｓｉ基板上のIII −Ｖ族（あるいは
II−VI族）半導体の結晶成長においては、基板とエピタ
キシャル成長層との間に格子不整合があり、エピタキシ
ャル成長層に転位が入りやすい。
VI族）半導体レーザ素子（ＬＤ）は、他の電子デバイス
との融合・集積化という利点があり、多くの研究が行わ
れている。しかし、Ｓｉ基板上のIII −Ｖ族（あるいは
II−VI族）半導体の結晶成長においては、基板とエピタ
キシャル成長層との間に格子不整合があり、エピタキシ
ャル成長層に転位が入りやすい。
【０００３】ＧａＡｓ基板上のＺｎＳｅ等のII−VI族材
料の結晶成長においても、基板と成長層の格子定数が数
％異なっている。そのため成長層に転位が入り、成長結
晶の品位が著しく低下するという問題がある。更に、成
長前にＡｓ照射下に置かずにＧａＡｓ基板を６３０℃以
上に昇温して基板表面の酸化膜を蒸発させるので、Ａｓ
抜けによる表面荒れが生じやすくなる。また、II−VI族
材料の成長温度である３００℃以下まで、およそ３００
℃〜３５０℃程降温させる過程で、基板表面は、Ｏ、Ｃ
等の不純物を吸着すると思われる。とくに、Ａｌを含む
緩衝層を成長させた基板では、Ｏの表面吸着が大きいと
思われる。また、II−VI族とIII −Ｖ族の異種族材料間
には、結晶の硬さや粘り強さに差がある。II−VI族の成
長においては、以上に述べた格子不整合、基板の表面荒
れ、不純物吸着、異種族材料界面等の原因により成長結
晶に貫通転位が入りやすい。
料の結晶成長においても、基板と成長層の格子定数が数
％異なっている。そのため成長層に転位が入り、成長結
晶の品位が著しく低下するという問題がある。更に、成
長前にＡｓ照射下に置かずにＧａＡｓ基板を６３０℃以
上に昇温して基板表面の酸化膜を蒸発させるので、Ａｓ
抜けによる表面荒れが生じやすくなる。また、II−VI族
材料の成長温度である３００℃以下まで、およそ３００
℃〜３５０℃程降温させる過程で、基板表面は、Ｏ、Ｃ
等の不純物を吸着すると思われる。とくに、Ａｌを含む
緩衝層を成長させた基板では、Ｏの表面吸着が大きいと
思われる。また、II−VI族とIII −Ｖ族の異種族材料間
には、結晶の硬さや粘り強さに差がある。II−VI族の成
長においては、以上に述べた格子不整合、基板の表面荒
れ、不純物吸着、異種族材料界面等の原因により成長結
晶に貫通転位が入りやすい。
【０００４】青色発光素子として研究、開発が進められ
ているサファイア基板上のＧａＮ（III −Ｖ族材料）
は、１５．４％もの格子不整合がある。日経エレクトロ
ニクス１９９４年６０２巻９８ページには、ＩｎＧａＮ
／ＡｌＧａＮのダブルヘテロ構造高輝度青色発光ダイオ
ードの構造図が記載されている。成長温度を下げてＧａ
Ｎ緩衝層を成長させることで、転位を低減させている。
ただし、転位低減のための超格子構造は、備え付けられ
ていない。また、基板のサファイアは、高抵抗基板しか
ないので、ｎ電極をサファイア基板から取ることができ
ず、ｎ電極は、ｎ型ＧａＮ層に取り付けられており、基
板表面側にｐ、ｎの電極が形成されている。ただし、II
−VI族半導体発光素子では、ｎ型（あるいはｐ型）のＧ
ａＡｓ基板を用いているので、このような電極取りをし
た報告例はない。
ているサファイア基板上のＧａＮ（III −Ｖ族材料）
は、１５．４％もの格子不整合がある。日経エレクトロ
ニクス１９９４年６０２巻９８ページには、ＩｎＧａＮ
／ＡｌＧａＮのダブルヘテロ構造高輝度青色発光ダイオ
ードの構造図が記載されている。成長温度を下げてＧａ
Ｎ緩衝層を成長させることで、転位を低減させている。
ただし、転位低減のための超格子構造は、備え付けられ
ていない。また、基板のサファイアは、高抵抗基板しか
ないので、ｎ電極をサファイア基板から取ることができ
ず、ｎ電極は、ｎ型ＧａＮ層に取り付けられており、基
板表面側にｐ、ｎの電極が形成されている。ただし、II
−VI族半導体発光素子では、ｎ型（あるいはｐ型）のＧ
ａＡｓ基板を用いているので、このような電極取りをし
た報告例はない。
【０００５】一般に、基板と異なる材料のエピタキシャ
ル成長層を成長させる場合、格子不整合による転位が発
生し、エピタキシャル成長層の結晶品質を損なうという
問題がある。
ル成長層を成長させる場合、格子不整合による転位が発
生し、エピタキシャル成長層の結晶品質を損なうという
問題がある。
【０００６】この問題に対しては、従来、転位密度の低
減方法して、基板の格子定数から成長層の格子定数に徐
々に格子定数を変化させた緩衝層を積む等の方法が行わ
れてきた。あるいは、緩衝層に歪超格子構造を導入する
ことで、転位の成長方向への進行を食い止める方法も研
究されている。例えば、１９９３年のアプライド・フィ
ジックス・レター６３巻１５号には、ＩｎＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｓあるいはＧａＡｓ／ＧａＰの界面に、１原子層の
ＩｎＡｓと１あるいは２原子層のＧａＡｓを１周期とす
る超短周期歪超格子、あるいは１原子層のＧａＰと１あ
るいは３原子層のＧａＡｓを１００周期程度、数百ｎｍ
の厚さに成長させた短周期歪超格子層を挿入すること
で、貫通転位の発生を効果的に抑えることができること
を報告している。
減方法して、基板の格子定数から成長層の格子定数に徐
々に格子定数を変化させた緩衝層を積む等の方法が行わ
れてきた。あるいは、緩衝層に歪超格子構造を導入する
ことで、転位の成長方向への進行を食い止める方法も研
究されている。例えば、１９９３年のアプライド・フィ
ジックス・レター６３巻１５号には、ＩｎＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｓあるいはＧａＡｓ／ＧａＰの界面に、１原子層の
ＩｎＡｓと１あるいは２原子層のＧａＡｓを１周期とす
る超短周期歪超格子、あるいは１原子層のＧａＰと１あ
るいは３原子層のＧａＡｓを１００周期程度、数百ｎｍ
の厚さに成長させた短周期歪超格子層を挿入すること
で、貫通転位の発生を効果的に抑えることができること
を報告している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法で緩衝層に
超格子構造を挿入し、発光層に転位が入ることを食い止
めたとしても、基板と成長層の界面付近の転位は残る。
得られた成長結晶で発光素子を作り、通電させると、こ
れらの転位が増殖し、結晶品質が劣化するため、素子の
動作寿命は、著しく低下してしまう。現在II−VI族材料
を用いた青色ＬＤなどの動作寿命が数秒と短いのは、主
にこのためであると思われる。
超格子構造を挿入し、発光層に転位が入ることを食い止
めたとしても、基板と成長層の界面付近の転位は残る。
得られた成長結晶で発光素子を作り、通電させると、こ
れらの転位が増殖し、結晶品質が劣化するため、素子の
動作寿命は、著しく低下してしまう。現在II−VI族材料
を用いた青色ＬＤなどの動作寿命が数秒と短いのは、主
にこのためであると思われる。
【０００８】また、ＧａＡｓ基板上のＺｎＳｅ等のII−
VI族半導体材料の結晶成長においては、基板と成長層の
バンドギャップが大きく異なるので、II−VI族材料を用
いた青色ＬＤ等の発光素子を作る場合、基板界面での急
激なバンドギャップ差の低減による低抵抗化が課題とな
っている。これに対し、ＧａＡｓのバンドギャップと、
成長するII−VI族半導体材料のバンドギャップとの中間
の大きさのバンドギャップを持ったＡｌＧａＡｓや、Ａ
ｌＧａＩｎＰ系のIII −Ｖ族半導体材料等を緩衝層とし
てＧａＡｓ基板上に成長させてから、II−VI族半導体材
料を成長させる等の提案がなされている。しかしなが
ら、II−VI族とIII −Ｖ族材料は、相互に汚染し合うの
で、この方法は、II−VI族用とIII −Ｖ族用の２つの成
長室が必要となり、成長装置が大がかりとなる。また、
基板を搬送する手間がかかるという欠点がある。
VI族半導体材料の結晶成長においては、基板と成長層の
バンドギャップが大きく異なるので、II−VI族材料を用
いた青色ＬＤ等の発光素子を作る場合、基板界面での急
激なバンドギャップ差の低減による低抵抗化が課題とな
っている。これに対し、ＧａＡｓのバンドギャップと、
成長するII−VI族半導体材料のバンドギャップとの中間
の大きさのバンドギャップを持ったＡｌＧａＡｓや、Ａ
ｌＧａＩｎＰ系のIII −Ｖ族半導体材料等を緩衝層とし
てＧａＡｓ基板上に成長させてから、II−VI族半導体材
料を成長させる等の提案がなされている。しかしなが
ら、II−VI族とIII −Ｖ族材料は、相互に汚染し合うの
で、この方法は、II−VI族用とIII −Ｖ族用の２つの成
長室が必要となり、成長装置が大がかりとなる。また、
基板を搬送する手間がかかるという欠点がある。
【０００９】本発明の目的は、基板界面付近の転位の増
殖による結晶品質の劣化がなく、素子の長寿命化、高出
力化を図ることができる半導体発光素子を提供すること
にある。
殖による結晶品質の劣化がなく、素子の長寿命化、高出
力化を図ることができる半導体発光素子を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板と若干の
格子不整合を有する半導体発光素子において、基板上に
アンドープ歪超格子層と前記歪超格子層を挟むアンドー
プ層からなる転位を減らすためのアンドープ多層膜緩衝
層を有し、前記多層膜緩衝層上に発光層を含む成長層を
設け、前記成長層上にｎ型とｐ型の２つの電極を備えた
ことを特徴としている。
格子不整合を有する半導体発光素子において、基板上に
アンドープ歪超格子層と前記歪超格子層を挟むアンドー
プ層からなる転位を減らすためのアンドープ多層膜緩衝
層を有し、前記多層膜緩衝層上に発光層を含む成長層を
設け、前記成長層上にｎ型とｐ型の２つの電極を備えた
ことを特徴としている。
【００１１】
【作用】基板界面付近の欠陥・転位密度の大きい多層膜
緩衝層の領域は、高抵抗なので、電流は流れない。その
ため、転位の増殖による結晶品質の劣化がなくなる。電
流は、低抵抗の欠陥・転位のない、ｎあるいはｐクラッ
ド層を流れるので、ＬＤ素子等の半導体発光素子の長寿
命化、高出力化を図ることができる。
緩衝層の領域は、高抵抗なので、電流は流れない。その
ため、転位の増殖による結晶品質の劣化がなくなる。電
流は、低抵抗の欠陥・転位のない、ｎあるいはｐクラッ
ド層を流れるので、ＬＤ素子等の半導体発光素子の長寿
命化、高出力化を図ることができる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】図１は、本発明の一実施例を示すII−VI族
半導体レーザの断面構造図である。図１に示すII−VI族
半導体レーザは、ｎ−電極１、高抵抗ＧａＡｓ基板２、
アンドープＺｎＳｅ層３、アンドープ歪超格子層４、ｎ
型ＺｎＳｅバッファ層５、ｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層
６、ＺｎＳｅ活性層７、ｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層８、
ｐ型ＺｎＣｄＳｅバンド緩衝層９、ｐ型ＺｎＳｅキャッ
プ層１０、ｐ−電極１１およびＳｉＯ2 膜１２により構
成されている。
半導体レーザの断面構造図である。図１に示すII−VI族
半導体レーザは、ｎ−電極１、高抵抗ＧａＡｓ基板２、
アンドープＺｎＳｅ層３、アンドープ歪超格子層４、ｎ
型ＺｎＳｅバッファ層５、ｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層
６、ＺｎＳｅ活性層７、ｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層８、
ｐ型ＺｎＣｄＳｅバンド緩衝層９、ｐ型ＺｎＳｅキャッ
プ層１０、ｐ−電極１１およびＳｉＯ2 膜１２により構
成されている。
【００１４】アンドープ歪超格子層４は、層厚１０ｎｍ
のＺｎＳｅと層厚１０ｎｍのＺｎＳＳｅを交互に１０周
期積層させた構造を有している。本発明の特徴である、
基板界面付近に生ずる転位の進行を抑えるための多層膜
緩衝層は、アンドープ歪超格子層４とそれを挟むアンド
ープＺｎＳｅ層３からなる。
のＺｎＳｅと層厚１０ｎｍのＺｎＳＳｅを交互に１０周
期積層させた構造を有している。本発明の特徴である、
基板界面付近に生ずる転位の進行を抑えるための多層膜
緩衝層は、アンドープ歪超格子層４とそれを挟むアンド
ープＺｎＳｅ層３からなる。
【００１５】有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）や分子
線エピタキシー法（ＭＢＥ）等のエピタキシャル成長法
により、以上の層構造を成長後、表面にＳｉＯ2 マスク
を形成し、エッチングによりｎクラッド層表面を出し、
その表面にｎ−電極を形成させる。エッチングにより生
じた側壁には、ＳｉＯ2 膜１２を形成させる。
線エピタキシー法（ＭＢＥ）等のエピタキシャル成長法
により、以上の層構造を成長後、表面にＳｉＯ2 マスク
を形成し、エッチングによりｎクラッド層表面を出し、
その表面にｎ−電極を形成させる。エッチングにより生
じた側壁には、ＳｉＯ2 膜１２を形成させる。
【００１６】本実施例において、歪超格子層４として、
ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅの歪超格子層の代わりに、ＺｎX
Ｓ1-X Ｓｅ／ＺｎY Ｓ1-Y Ｓｅなどの、組成の異なる１
種類の３元（および４元）の混晶からなる歪超格子層
や、ＭｇＳ／ＺｎＳ等の歪超格子層を用いても良い。ま
た（ＺｎＳｅ）ｍ（ＭｇＳｅ）ｎ等の超短周期歪超格子
層を用いることもできる。
ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅの歪超格子層の代わりに、ＺｎX
Ｓ1-X Ｓｅ／ＺｎY Ｓ1-Y Ｓｅなどの、組成の異なる１
種類の３元（および４元）の混晶からなる歪超格子層
や、ＭｇＳ／ＺｎＳ等の歪超格子層を用いても良い。ま
た（ＺｎＳｅ）ｍ（ＭｇＳｅ）ｎ等の超短周期歪超格子
層を用いることもできる。
【００１７】アンドープ高抵抗のＺｎＳｅ層３の代わり
に、ＺｎＳＳｅ層あるいはＺｎＣｄＳＳｅ層を用いるこ
ともできる。クラッド層６，８には、ＺｎＳＳｅだけで
なく、ｎおよびｐ型のＺｎＣｄＳＳｅを用いても良い。
活性層７は、ＺｎＳｅの代わりに、ＺｎＳＳｅあるいは
ＺｎＣｄＳｅを用いても良い。
に、ＺｎＳＳｅ層あるいはＺｎＣｄＳＳｅ層を用いるこ
ともできる。クラッド層６，８には、ＺｎＳＳｅだけで
なく、ｎおよびｐ型のＺｎＣｄＳＳｅを用いても良い。
活性層７は、ＺｎＳｅの代わりに、ＺｎＳＳｅあるいは
ＺｎＣｄＳｅを用いても良い。
【００１８】エッチングの代わりに、ＳｉＯ2 マスクを
用いた選択成長を用いて同様のデバイス形状を作り、電
極を形成してもよい。
用いた選択成長を用いて同様のデバイス形状を作り、電
極を形成してもよい。
【００１９】本発明において、基板の種類は、サファイ
ア、ＩｎＰ、Ｓｉ、ＧａＰ等のＧａＡｓ以外の基板でも
良く、基盤の導伝型は、高抵抗基板の代わりに、ｎ型で
もｐ型でも良い。また、基板側のクラッド層の伝導型を
ｎ型の代わりにｐ型に選ぶことも可能である。
ア、ＩｎＰ、Ｓｉ、ＧａＰ等のＧａＡｓ以外の基板でも
良く、基盤の導伝型は、高抵抗基板の代わりに、ｎ型で
もｐ型でも良い。また、基板側のクラッド層の伝導型を
ｎ型の代わりにｐ型に選ぶことも可能である。
【００２０】本発明は、ＬＤ素子等の半導体発光素子の
内部構造の詳細によらないので、歪量子井戸ＬＤ構造等
のさまざまな構造を有する半導体発光素子に対して適用
することができる。
内部構造の詳細によらないので、歪量子井戸ＬＤ構造等
のさまざまな構造を有する半導体発光素子に対して適用
することができる。
【００２１】
【発明の効果】基板界面付近の欠陥・転位密度の大きい
多層膜緩衝層の領域は、高抵抗なので、電流は、低抵抗
の欠陥・転位のない、ｎあるいはｐクラッド層を流れ
る。それによって、ＬＤ素子等の半導体発光素子の長寿
命化、高出力化を図ることができる。
多層膜緩衝層の領域は、高抵抗なので、電流は、低抵抗
の欠陥・転位のない、ｎあるいはｐクラッド層を流れ
る。それによって、ＬＤ素子等の半導体発光素子の長寿
命化、高出力化を図ることができる。
【００２２】本発明の実施例の構造では、電極が、Ｇａ
Ａｓ基板ではなく、II−VI族材料のクラッド層に取り付
けられているので、従来のＧａＡｓ基板とII−VI族エピ
タキシャル成長層との間の大きなバンドギャップ差によ
る素子の高抵抗化の問題を回避でき、ＬＤ素子の低抵抗
化による低電圧動作が可能になる。また、低容量化によ
る高速変調動作も可能になる。更に、一つの成長室で成
長できるので、II−VI族、III −Ｖ族の結合による相互
汚染の心配がなく、手軽に、高性能のII−VI族材料を用
いた青色ＬＤが成長できるという利点がある。
Ａｓ基板ではなく、II−VI族材料のクラッド層に取り付
けられているので、従来のＧａＡｓ基板とII−VI族エピ
タキシャル成長層との間の大きなバンドギャップ差によ
る素子の高抵抗化の問題を回避でき、ＬＤ素子の低抵抗
化による低電圧動作が可能になる。また、低容量化によ
る高速変調動作も可能になる。更に、一つの成長室で成
長できるので、II−VI族、III −Ｖ族の結合による相互
汚染の心配がなく、手軽に、高性能のII−VI族材料を用
いた青色ＬＤが成長できるという利点がある。
【００２３】ＩｎＰ基板では、基板とII−VI族エピタキ
シャル成長層との間の大きなバンドギャップ差による高
抵抗化の問題を回避でき、ＬＤ素子の低抵抗化による低
電圧動作の効果がより大きい。
シャル成長層との間の大きなバンドギャップ差による高
抵抗化の問題を回避でき、ＬＤ素子の低抵抗化による低
電圧動作の効果がより大きい。
【００２４】また、本発明は、二つの電極が基板の表面
側にあるので、他の光素子および電子素子との集積化に
適している。
側にあるので、他の光素子および電子素子との集積化に
適している。
【図１】本発明の半導体発光素子の一実施例を示す構造
断面図である。
断面図である。
【図２】従来の半導体発光素子の構造断面図である。
１ ｎ−電極 ２ 高抵抗ＧａＡｓ基板 ３ アンドープＺｎＳｅ層 ４ アンドープ歪超格子層 ５ ｎ型ＺｎＳｅバッファ層 ６ ｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層 ７ ＺｎＳｅ活性層 ８ ｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層 ９ ｐ型ＺｎＣｄＳｅバンド緩衝層 １０ ｐ型ＺｎＳｅキャップ層 １１ ｐ−電極 １２ ＳｉＯ2 膜
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と若干の格子不整合を有する半導体
発光素子において、基板上にアンドープ歪超格子層と前
記歪超格子層を挟むアンドープ層からなる転位を減らす
ためのアンドープ多層膜緩衝層を有し、前記多層膜緩衝
層上に発光層を含む成長層を設け、前記成長層上にｎ型
とｐ型の２つの電極を備えたことを特徴とする半導体発
光素子。 - 【請求項２】 前記アンドープ歪超格子層は組成の異な
る１種類の混晶からなることを特徴とする請求項１記載
の半導体発光素子。 - 【請求項３】 ＧａＡｓ基板と若干の格子不整合を有す
るII−VI族の半導体発光素子において、ＺｎＳｅ層とＺ
ｎＳＳｅ層を交互に複数層積層した構造を有するアンド
ープ歪超格子層とアンドープ歪超格子層を挟むアンドー
プＺｎＳｅ層からなりＧａＡｓ基板と成長層の間に転位
を減らすために設けられた高抵抗の多層膜緩衝層と、前
記多層膜緩衝層上に発光層を含む成長層を設け、前記成
長層上にｎ型とｐ型の２つの電極とを備えたことを特徴
とする半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記アンドープ歪超格子層のＺｎＳｅ層
とＺｎＳＳｅ層に代えて、ＺｎＳX Ｓｅ1-X 層とＺｎ
ＳY Ｓｅ1-Y 層の組成の異なる１種類の３元混晶を交
互に複数層積層した構造を用いたことを特徴とする請求
項３記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記アンドープ歪超格子層のＺｎＳｅ層
とＺｎＳＳｅ層に代えて、ＭｇＳ層とＺｎＳ層を交互に
複数層積層した構造を用いたことを特徴とする請求項３
記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記アンドープ歪超格子層が、短周期歪
超格子層であることを特徴とする請求項３記載の半導体
発光素子。 - 【請求項７】 前記アンドープＺｎＳｅ層に代えてＺｎ
ＳＳｅ層またはＺｎＣｄＳＳｅ層を用いたことを特徴と
する請求項３記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22512794A JP2689919B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22512794A JP2689919B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888444A JPH0888444A (ja) | 1996-04-02 |
| JP2689919B2 true JP2689919B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=16824390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22512794A Expired - Lifetime JP2689919B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2689919B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1322597C (zh) | 1999-08-23 | 2007-06-20 | 日本板硝子株式会社 | 发光闸流晶体管及自扫描型发光装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831620B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1996-03-27 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2588280B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1997-03-05 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
| JPH05243613A (ja) * | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-09-20 JP JP22512794A patent/JP2689919B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９９４年秋季応物学会予稿集 ２９ｐ−Ｓ−４ Ｐ．９３５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0888444A (ja) | 1996-04-02 |
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