JP2688278B2 - レーザ用スイッチ - Google Patents
レーザ用スイッチInfo
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- JP2688278B2 JP2688278B2 JP2256238A JP25623890A JP2688278B2 JP 2688278 B2 JP2688278 B2 JP 2688278B2 JP 2256238 A JP2256238 A JP 2256238A JP 25623890 A JP25623890 A JP 25623890A JP 2688278 B2 JP2688278 B2 JP 2688278B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は多数の電界効果トランジスタ等の高速スイ
ッチ素子を用い、これらの高速スイッチ素子を同時にON
・OFFするようにしたレーザ用スイッチであって、特
に、放電励起レーザ装置等における高電圧スイッチとし
て用いて好適なレーザ用スイッチに関するものである。
ッチ素子を用い、これらの高速スイッチ素子を同時にON
・OFFするようにしたレーザ用スイッチであって、特
に、放電励起レーザ装置等における高電圧スイッチとし
て用いて好適なレーザ用スイッチに関するものである。
第６図は従来の放電励起レーザ装置としてのエキシマ
レーザ（Excimer:Excited Dimer）装置に用いられる放
電回路を示す回路図である。図において、10は高圧電
源、11は高圧電源10の一端に接続された充電用のリアク
トル、２はリアクトル11に直列に接続された充電用のコ
ンデンサ、９はコンデンサ２と高圧電源10の他端との間
に設けられた放電用の一対の電極、13は電極９間の放電
により発生したレーザ光、12は電極９と並列に接続され
た充電用のリアクトル、８は電極９と並列に接続されコ
ンデンサ２から電荷が転送されるコンデンサ、１はリア
クトル11とコンデンサ２との接続点と高圧電源10の他端
との間に接続された電荷転送用の高電圧スイッチとして
のサイラトロンである。なお、一対の電極９は希ガス、
ハロゲンガス等の放電ガス中に配されている。
レーザ（Excimer:Excited Dimer）装置に用いられる放
電回路を示す回路図である。図において、10は高圧電
源、11は高圧電源10の一端に接続された充電用のリアク
トル、２はリアクトル11に直列に接続された充電用のコ
ンデンサ、９はコンデンサ２と高圧電源10の他端との間
に設けられた放電用の一対の電極、13は電極９間の放電
により発生したレーザ光、12は電極９と並列に接続され
た充電用のリアクトル、８は電極９と並列に接続されコ
ンデンサ２から電荷が転送されるコンデンサ、１はリア
クトル11とコンデンサ２との接続点と高圧電源10の他端
との間に接続された電荷転送用の高電圧スイッチとして
のサイラトロンである。なお、一対の電極９は希ガス、
ハロゲンガス等の放電ガス中に配されている。
第７図は上記第６図の放電回路を用いたエキシマレー
ザ装置を示す斜視図であり、第６図と同一部分には同一
符号が付されている。尚、第６図の高圧電源10及びリア
クトル11,12は図示を省略されている。
ザ装置を示す斜視図であり、第６図と同一部分には同一
符号が付されている。尚、第６図の高圧電源10及びリア
クトル11,12は図示を省略されている。
第７図において、高電圧スイッチとしてのサイラトロ
ン１は導電材から成る円筒形の容器６に収納され、この
容器６の一端には絶縁体から成る蓋７が設けられてい
る。
ン１は導電材から成る円筒形の容器６に収納され、この
容器６の一端には絶縁体から成る蓋７が設けられてい
る。
上記充電用のコンデンサ２は複数個設けられ一列に配
されている。このコンデンサ２の一端とサイラトロン１
の一端とは略Ｌ字状を成る導電板４を介して接続されて
いる。また、コンデンサ２の他端は細長い導電板３に接
続されている。また、細長い箱状の導電材から有る容器
５が設けられ、この容器５には上記放電ガスが満たされ
ると共に、一対の細長い放電用の電極９が設けられ、そ
の一方の電極９は上記導電板３に設けられ、他方の電極
９はこの容器５の底部に設けられている。またこの容器
５の一端は上記容器６を介してサイラトロン１の他端に
接続されている。
されている。このコンデンサ２の一端とサイラトロン１
の一端とは略Ｌ字状を成る導電板４を介して接続されて
いる。また、コンデンサ２の他端は細長い導電板３に接
続されている。また、細長い箱状の導電材から有る容器
５が設けられ、この容器５には上記放電ガスが満たされ
ると共に、一対の細長い放電用の電極９が設けられ、そ
の一方の電極９は上記導電板３に設けられ、他方の電極
９はこの容器５の底部に設けられている。またこの容器
５の一端は上記容器６を介してサイラトロン１の他端に
接続されている。
また、容器５の両側の内壁と導電板３の両側面との間
には電荷が転送される上記コンデンサ８が複数個接続さ
れている。
には電荷が転送される上記コンデンサ８が複数個接続さ
れている。
以上の構成により、第６図と等価な放電回路が構成さ
れる。
れる。
次に動作について説明する。
第６図において、サイラトロン１がOFFの状態で、高
圧電源10が投入されると、先ず、高圧電源10−リアクト
ル11−コンデンサ２−リアクトル12−高圧電源10の充電
ループが形成されてコンデンサ２が充電される。次いで
サイラトロン１が点弧すると、コンデンサ２−サイラト
ロン１−コンデンサ８の電荷転送ループが形成されて、
コンデンサ２が放電し、その電荷がコンデンサ８に転送
される。従って、このコンデンサ８の両端電圧、即ち、
一対の電極９間の電圧が上昇し、放電電圧に達すると電
極９間に放電が生じる。この放電により容器５内のガス
が励起され、その際にパルス状のレーザ光13が発生す
る。
圧電源10が投入されると、先ず、高圧電源10−リアクト
ル11−コンデンサ２−リアクトル12−高圧電源10の充電
ループが形成されてコンデンサ２が充電される。次いで
サイラトロン１が点弧すると、コンデンサ２−サイラト
ロン１−コンデンサ８の電荷転送ループが形成されて、
コンデンサ２が放電し、その電荷がコンデンサ８に転送
される。従って、このコンデンサ８の両端電圧、即ち、
一対の電極９間の電圧が上昇し、放電電圧に達すると電
極９間に放電が生じる。この放電により容器５内のガス
が励起され、その際にパルス状のレーザ光13が発生す
る。
上述した従来の放電回路においては、高電圧スイッチ
としてサイラトロン１を用いている。しかしながらサイ
ラトロン１はインダクタンスが大きく、このため電極９
間の電圧の立上りが遅くなって、安定な放電が得られ
ず、また、予熱時間を要したり、さらには温度に対して
敏感であるため、温度制御のための装置を設ける必要が
ある等の種々の欠点がある。
としてサイラトロン１を用いている。しかしながらサイ
ラトロン１はインダクタンスが大きく、このため電極９
間の電圧の立上りが遅くなって、安定な放電が得られ
ず、また、予熱時間を要したり、さらには温度に対して
敏感であるため、温度制御のための装置を設ける必要が
ある等の種々の欠点がある。
この対策として、本出願人は、サイラトロンに代えて
多数の高速スイッチ素子を用いたレーザ用スイッチを提
案している。第８図は複数の高速スイッチ素子14の直列
回路の複数個を並列に接続することにより、レーザ用ス
イッチ15を構成した例を示す。このレーザ用スイッチ15
を第６図のサイラトロン１に代えて接続し、全ての高速
スイッチ素子14を同時にONと成すことにより、上記コン
デンサ２の放電電流を流すことができる。
多数の高速スイッチ素子を用いたレーザ用スイッチを提
案している。第８図は複数の高速スイッチ素子14の直列
回路の複数個を並列に接続することにより、レーザ用ス
イッチ15を構成した例を示す。このレーザ用スイッチ15
を第６図のサイラトロン１に代えて接続し、全ての高速
スイッチ素子14を同時にONと成すことにより、上記コン
デンサ２の放電電流を流すことができる。
従来の高速スイッチ素子14を用いたレーザ用スイッチ
15は以上のように構成されているので、前述したエキシ
マレーザ装置のような放電励起型パルスレーザ装置で
は、放電回路のスイッチング速度がレーザ媒質の励起効
率に影響し、より効率よく励起を行うためには放電回路
に高速スイッチを用いる必要がある。ところが一般にス
イッチング速度の速いスイッチほど定格電圧・定格電流
が小さく、これらを用いるにはそれぞれのスイッチを直
並列接続しなければならない。
15は以上のように構成されているので、前述したエキシ
マレーザ装置のような放電励起型パルスレーザ装置で
は、放電回路のスイッチング速度がレーザ媒質の励起効
率に影響し、より効率よく励起を行うためには放電回路
に高速スイッチを用いる必要がある。ところが一般にス
イッチング速度の速いスイッチほど定格電圧・定格電流
が小さく、これらを用いるにはそれぞれのスイッチを直
並列接続しなければならない。
ここで、複数個の高速スイッチを直並列接続して一つ
のスイッチとして用いる場合、直並列数が多いと ・配線によるインダクタンス分が増加する。
のスイッチとして用いる場合、直並列数が多いと ・配線によるインダクタンス分が増加する。
・配線の信頼性が低下する。
・配線作業、保守作業が煩雑。
などの問題点が生じる。例えばエキシマレーザ用放電回
路の高速スイッチ素子14として、高速性に有利なMOSFET
（定格900V、15A）を30KV、4000Aに耐えるスイッチとし
て用いるには、34×267＝9078個の（固体スイッチ）素
子14を直並列しなければならず、上記問題点が顕在化す
る。
路の高速スイッチ素子14として、高速性に有利なMOSFET
（定格900V、15A）を30KV、4000Aに耐えるスイッチとし
て用いるには、34×267＝9078個の（固体スイッチ）素
子14を直並列しなければならず、上記問題点が顕在化す
る。
特に回路中のインダクタンスが増加すると、スイッチ
ング速度が低下し、また充電用コンデンサ２からコンデ
ンサ８への移行効率が低下する等の理由でレーザの発振
効率が低下する。そのため回路中のインダクタンスをで
きるだけ小さくしなければならない等の課題があった。
ング速度が低下し、また充電用コンデンサ２からコンデ
ンサ８への移行効率が低下する等の理由でレーザの発振
効率が低下する。そのため回路中のインダクタンスをで
きるだけ小さくしなければならない等の課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされ
たもので、回路インダクタンスをより低減することので
きる高速スイッチ素子を用いたレーザ用スイッチを得る
ことを目的としている。
たもので、回路インダクタンスをより低減することので
きる高速スイッチ素子を用いたレーザ用スイッチを得る
ことを目的としている。
この発明に係るレーザ用スイッチは、スイッチング時
間が１μｓ以下の複数個の高速スイッチ素子が同時に導
通可能となるように接続された回路が、内蔵されたモジ
ュールを直並列に接続して構成し、直並列したモジュー
ルを２枚の導電板で保持するとともに、モジュールのド
レイン電極およびソース電極を板状に形成し、内部の高
速スイッチ素子の各ドレイン電極を共通にドレイン電極
に接続し、内部の高速スイッチ素子の各ソース電極をソ
ース電極の内部延長部分に共通に接続したものである。
間が１μｓ以下の複数個の高速スイッチ素子が同時に導
通可能となるように接続された回路が、内蔵されたモジ
ュールを直並列に接続して構成し、直並列したモジュー
ルを２枚の導電板で保持するとともに、モジュールのド
レイン電極およびソース電極を板状に形成し、内部の高
速スイッチ素子の各ドレイン電極を共通にドレイン電極
に接続し、内部の高速スイッチ素子の各ソース電極をソ
ース電極の内部延長部分に共通に接続したものである。
この発明におけるレーザ用スイッチは、内蔵されたモ
ジュールを直並列に接続して構成し、直並列したモジュ
ールを２枚の導電板で保持するとともに、モジュールの
ドレイン電極およびソース電極を板状に形成し、内部の
高速スイッチ素子の各ドレイン電極を共通にドレイン電
極に接続し、内部の高速スイッチ素子の各ソース電極を
ソース電極の内部延長部分に共通に接続することによ
り、配線数を少なくすると共に回路インダクタンスが低
減される。
ジュールを直並列に接続して構成し、直並列したモジュ
ールを２枚の導電板で保持するとともに、モジュールの
ドレイン電極およびソース電極を板状に形成し、内部の
高速スイッチ素子の各ドレイン電極を共通にドレイン電
極に接続し、内部の高速スイッチ素子の各ソース電極を
ソース電極の内部延長部分に共通に接続することによ
り、配線数を少なくすると共に回路インダクタンスが低
減される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図においては第６図及び第８図と同一部分には同一符
号を付して説明を省略する。なおこの実施例では、高速
スイッチ素子14として電界効果トランジスタ（以下、FE
T14と言う）を用いている。
１図においては第６図及び第８図と同一部分には同一符
号を付して説明を省略する。なおこの実施例では、高速
スイッチ素子14として電界効果トランジスタ（以下、FE
T14と言う）を用いている。
第１図において、16は複数（図示では３個）のFET14
を並列にした回路を内蔵して一体化したモジュールであ
る。この実施例においては、多数のモジュール16を図示
のように直並列に接続することにより、レーザ用スイッ
チ15が構成されている。
を並列にした回路を内蔵して一体化したモジュールであ
る。この実施例においては、多数のモジュール16を図示
のように直並列に接続することにより、レーザ用スイッ
チ15が構成されている。
第２図はモジュール16の外観を示すもので、この図で
は複数のモジュール16を配列した場合を示している。
は複数のモジュール16を配列した場合を示している。
モジュール16の一側面には第１の電極板としての板状
のドレイン電極板17が設けられると共に、異る側面から
第２の電極板としての板状のソース電極板18が屈曲され
て突設されている。さらに別の側面には線状又はピン状
の第３の電極としてのゲート電極19が設けられている。
モジュール16の内部には３個のFET14の並列回路が設け
られている。これらのFET14の各ドレイン電極が上記ド
レイン電極板17に共通に接続され各ソース電極が上記ソ
ース電極板18の内部延長部分に共通に接続され、さらに
各ゲート電極19が上記ゲート電極19に共通に接続されて
いる。
のドレイン電極板17が設けられると共に、異る側面から
第２の電極板としての板状のソース電極板18が屈曲され
て突設されている。さらに別の側面には線状又はピン状
の第３の電極としてのゲート電極19が設けられている。
モジュール16の内部には３個のFET14の並列回路が設け
られている。これらのFET14の各ドレイン電極が上記ド
レイン電極板17に共通に接続され各ソース電極が上記ソ
ース電極板18の内部延長部分に共通に接続され、さらに
各ゲート電極19が上記ゲート電極19に共通に接続されて
いる。
次に動作について説明する。
モジュール16のゲート電極19に駆動回路（図示せず）
よりトリガ信号を加えることにより、モジュール16内の
各FET14がONとなってドレイン電極板17からソース電極
板18に電流が流れる。従って、第１図の放電回路におい
て、全てのモジュール16のゲート電極19にトリガ信号を
同時に加えることによって、レーザ用スイッチ15全体が
ONとなってコンデンサ２の電荷をコンデンサ８転送する
ことができる。
よりトリガ信号を加えることにより、モジュール16内の
各FET14がONとなってドレイン電極板17からソース電極
板18に電流が流れる。従って、第１図の放電回路におい
て、全てのモジュール16のゲート電極19にトリガ信号を
同時に加えることによって、レーザ用スイッチ15全体が
ONとなってコンデンサ２の電荷をコンデンサ８転送する
ことができる。
以上のように、このレーザ用スイッチ15は多数のモジ
ュール16の直並列回路で構成されているので配線数が少
くなり且つドレイン電極板17及びソース電極板18を板状
に形成したので、回路インダクタンを低減することがで
き、スイッチング特性を改善することができる。
ュール16の直並列回路で構成されているので配線数が少
くなり且つドレイン電極板17及びソース電極板18を板状
に形成したので、回路インダクタンを低減することがで
き、スイッチング特性を改善することができる。
第３図は第１図の回路における電圧・電流のスイッチ
ング特性を示す。同図（ａ）のΔｔは初期電圧の90％か
ら10％まで変化するのに要するスイッチング時間と定義
される。この発明によれば、モジュール化することによ
り、上記スイッチング時間Δｔを充分短くすることがで
きる。
ング特性を示す。同図（ａ）のΔｔは初期電圧の90％か
ら10％まで変化するのに要するスイッチング時間と定義
される。この発明によれば、モジュール化することによ
り、上記スイッチング時間Δｔを充分短くすることがで
きる。
第４図はこの発明の効果を説明するための特性図であ
り、点線はモジュール化する前の特性を、実線はモジュ
ール化した場合の特性を示す。モジュール化するとスイ
ッチ部のインダクタンス分が減る。そのためコンデンサ
８の電圧の最大値V2Mが上昇し、レーザ媒質の励起効率
が上がる。これにより、より効率よくレーザ出力を得る
ことができる。
り、点線はモジュール化する前の特性を、実線はモジュ
ール化した場合の特性を示す。モジュール化するとスイ
ッチ部のインダクタンス分が減る。そのためコンデンサ
８の電圧の最大値V2Mが上昇し、レーザ媒質の励起効率
が上がる。これにより、より効率よくレーザ出力を得る
ことができる。
第５図はこの発明によるレーザ用スイッチ15をエキシ
マレーザ装置に用いた場合の実施例を示す概略的な構成
図であり、第７図と対応する部分には同一符号が付され
ている。
マレーザ装置に用いた場合の実施例を示す概略的な構成
図であり、第７図と対応する部分には同一符号が付され
ている。
第５図において、レーザ用スイッチ15は多数のモジュ
ール16を積層して構成されている。このレーザ用スイッ
チ15は２つの導電板20と21とによって保持されている。
導電板20は鉤形に形成され、その先端部が最上段のモジ
ュール16に接続され、下端が充電用のコンデンサ２に接
続されている。また導電板21は屈曲された形状を成し先
端面が最下段のモジュール16と接続されると共に、下端
が容器５及びコンデンサ８に接続されている。
ール16を積層して構成されている。このレーザ用スイッ
チ15は２つの導電板20と21とによって保持されている。
導電板20は鉤形に形成され、その先端部が最上段のモジ
ュール16に接続され、下端が充電用のコンデンサ２に接
続されている。また導電板21は屈曲された形状を成し先
端面が最下段のモジュール16と接続されると共に、下端
が容器５及びコンデンサ８に接続されている。
上記構成によれば、コンデンサ２に充電した後、モジ
ュール駆動部（図示せず）により全てのモジュール16を
制御して全てのFET14をONと成すことにより、コンデン
サ２の電荷が導電板20、レーザ用スイッチ15、導電板21
を通じてコンデンサ８に転送される。
ュール駆動部（図示せず）により全てのモジュール16を
制御して全てのFET14をONと成すことにより、コンデン
サ２の電荷が導電板20、レーザ用スイッチ15、導電板21
を通じてコンデンサ８に転送される。
なお、上記実施例では高速スイッチ素子としてFET14
を用いたが、IBGT、サイリスタ等の素子を用いてもよ
い。
を用いたが、IBGT、サイリスタ等の素子を用いてもよ
い。
また上記実施例では、モジュール16内の複数のFET14
を並列接続としたが、直列接続又は直並列接続としても
よい。
を並列接続としたが、直列接続又は直並列接続としても
よい。
以上のようにこの発明によれば、スイッチング時間が
１μｓ以下の複数個の高速スイッチ素子が同時に導通可
能となるように接続された回路が、内蔵されたモジュー
ルを直並列に接続して構成し、直並列したモジュールを
２枚の導電板で保持するとともに、モジュールのドレイ
ン電極およびソース電極を板状に形成し、内部の高速ス
イッチ素子の各ドレイン電極を共通にドレイン電極に接
続し、内部の高速スイッチ素子の各ソース電極をソース
電極の内部延長部分に共通に接続する構成としたので、
電荷転送ループの回路インダクタンスの低減化を図り、
放電電圧の増加およびレーザ発振効率の増加を得るとと
もに、高速のスイッチング特性が得られ、また、配線数
を少なくすることができるために、配線作業および保守
作業が容易になる等の効果が得られる。
１μｓ以下の複数個の高速スイッチ素子が同時に導通可
能となるように接続された回路が、内蔵されたモジュー
ルを直並列に接続して構成し、直並列したモジュールを
２枚の導電板で保持するとともに、モジュールのドレイ
ン電極およびソース電極を板状に形成し、内部の高速ス
イッチ素子の各ドレイン電極を共通にドレイン電極に接
続し、内部の高速スイッチ素子の各ソース電極をソース
電極の内部延長部分に共通に接続する構成としたので、
電荷転送ループの回路インダクタンスの低減化を図り、
放電電圧の増加およびレーザ発振効率の増加を得るとと
もに、高速のスイッチング特性が得られ、また、配線数
を少なくすることができるために、配線作業および保守
作業が容易になる等の効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例によるレーザ用スイッチを
放電回路に適用した場合の回路図、第２図はレーザ用ス
イッチを構成するモジュールの実施例を示す斜視図、第
３図はスイッチング特性を示す特性図、第４図はこの発
明と従来例との放電回路の特性を示す特性図、第５図は
レーザ用スイッチをレーザ装置に適用した場合の実施例
を示す斜視図、第６図は従来のレーザ装置における放電
回路を示す回路図、第７図は従来のサイラトロンを用い
たレーザ装置を示す斜視図、第８図は従来のFETを用い
たレーザ用スイッチを示す回路図である。 14は電界効果トランジスタ（FET）、15はレーザ用スイ
ッチ、16はモジュール、17はドレイン電極板、18はソー
ス電極板、19はゲート電極。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
放電回路に適用した場合の回路図、第２図はレーザ用ス
イッチを構成するモジュールの実施例を示す斜視図、第
３図はスイッチング特性を示す特性図、第４図はこの発
明と従来例との放電回路の特性を示す特性図、第５図は
レーザ用スイッチをレーザ装置に適用した場合の実施例
を示す斜視図、第６図は従来のレーザ装置における放電
回路を示す回路図、第７図は従来のサイラトロンを用い
たレーザ装置を示す斜視図、第８図は従来のFETを用い
たレーザ用スイッチを示す回路図である。 14は電界効果トランジスタ（FET）、15はレーザ用スイ
ッチ、16はモジュール、17はドレイン電極板、18はソー
ス電極板、19はゲート電極。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
フロントページの続き (72)発明者 永井 治彦 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社中央研究所内 (72)発明者 岩田 明彦 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−316491（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−304683（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−132036（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭56−113490（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】スイッチング時間が１μｓ以下の複数個の
高速スイッチ素子が同時に導通可能となるように接続さ
れた回路が、内蔵されたモジュールを直並列に接続して
構成し、該直並列したモジュールを２枚の導電板で保持
するとともに、該モジュールのドレイン電極およびソー
ス電極を板状に形成し、内部の前記高速スイッチ素子の
各ドレイン電極を共通にドレイン電極に接続し、内部の
前記高速スイッチ素子の各ソース電極を前記ソース電極
の内部延長部分に共通に接続するレーザ用スイッチ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256238A JP2688278B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | レーザ用スイッチ |
| US07/757,419 US5305338A (en) | 1990-09-25 | 1991-09-10 | Switch device for laser |
| GB9119426A GB2250131B (en) | 1990-09-25 | 1991-09-11 | Switch device for laser |
| DE4131949A DE4131949C2 (de) | 1990-09-25 | 1991-09-25 | Schalteinrichtungen für ein entladungserregtes Impulslasergerät |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256238A JP2688278B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | レーザ用スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133379A JPH04133379A (ja) | 1992-05-07 |
| JP2688278B2 true JP2688278B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=17289856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2256238A Expired - Fee Related JP2688278B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | レーザ用スイッチ |
Country Status (1)
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1990
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