JPH11103525A - スイッチング装置 - Google Patents

スイッチング装置

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JPH11103525A
JPH11103525A JP9263880A JP26388097A JPH11103525A JP H11103525 A JPH11103525 A JP H11103525A JP 9263880 A JP9263880 A JP 9263880A JP 26388097 A JP26388097 A JP 26388097A JP H11103525 A JPH11103525 A JP H11103525A
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switching
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gate
mosfet
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俊也 真保
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スイッチング装置において、繰り返し長時間
使用しても消費電力を抑制することができるようにす
る。 【解決手段】 ゲートに印加される電圧によって導通状
態と非導通状態とに制御可能なMOSFET1A,2
A,1B,2Bと、MOSFETのゲートとソースとの
間に接続されたコンデンサ3A,3Bと、ゲートとソー
スとの間にコンデンサ3A,3Bと並列に接続され、パ
ルス状の充電信号の入力によりコンデンサ3A,3Bの
充電を行ない、MOSFET1A,2A,1B,2Bを
導通状態に保持する充電手段4A,4Bと、ゲートとソ
ースとの間にコンデンサ3A,3Bと並列に接続され、
パルス状の放電信号の入力によりコンデンサ3A,4A
の放電を行ない、MOSFET1A,2A,1B,2B
を非導通状態に保持する放電手段5A,5Bとでスイッ
チング装置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、切換頻度の高いス
イッチング対象に用いて好適の、スイッチング装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】近年、さまざまなスイッチング装置が開
発されている。例えば、実公平4−41632号公報で
は、2個のMOSFETを直列に接続しているスイッチ
回路において、制御電圧VC のパルス状のサージ電圧な
どに起因するノイズ成分からスイッチ回路を保護するこ
とを目的として、各MOSFETのゲート側端子と、各
MOSFETのソース側どうしの間に直列接続された2
つの抵抗の相互間の端子との間にコンデンサを接続して
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、スイッチン
グ対象が切換頻度の高いものであれば、スイッチング動
作に要する電力を極力抑制するようにして、極めて低電
力でスイッチ制御ができるようにしたい。このようなス
イッチング対象の1つとして、蓄電装置の電圧均衡化回
路がある。
【0004】ここで、かかる蓄電装置について説明す
る。すなわち、例えば、現在の電気自動車の電源として
は、多数の蓄電池(以下、バッテリという)を直列接続
したもの(組電池)を使用している。このように多数の
組電池を直列接続した組電池の場合、組電池の出力は、
最も低い電圧の電池に依存するため、各組電池を均等に
使用することができず、各電池の能力を最大限に発揮さ
せることができない。
【0005】ところで、図5に示すように、リチウムイ
オン電池の場合、放電量に依存して出力電圧が決定する
が、このリチウムイオン電池のように、放電量に依存し
て出力電圧が決定されるものでは、各電池の電圧を等し
くすることで、各電池の放電量(逆に言うと、充電量又
は残存容量)を等しくすることができ、各電池の電圧が
等しくなるように調整しながら、充電を行なうようにす
ればよい。
【0006】そこで、蓄電池(バッテリ)の電圧均衡化
回路が従来から提供されており、図6に示すように構成
されている。図6に示す回路は、組電池の電圧均衡化回
路の1セル分(あるいは1モジュール分)を抜粋したも
のであり、各バッテリに同回路が装備される。そして、
このような回路をそなえた状態での充電動作が行なわれ
るが、充電動作の末期に該回路による放電動作が行なわ
れる。
【0007】すなわち、充電の進行によりバッテリ10
1の端子電圧が上昇するが、この状態を電圧監視回路
(電圧検出回路)104が監視しており、セルの両端電
圧VBが設定電圧以上になった場合に放電スイッチ10
2をオン状態(閉状態)に移行させる。これにより、放
電抵抗器103への通電が行なわれ、電気エネルギが熱
に変換されることにより消費される。
【0008】この消費により、セル電圧VBが設定電圧
以下の電圧になれば、放電スイッチ102をオフ状態
(開状態)に移行させることが行なわれる。このような
放電スイッチ102のオン,オフが繰り返されることに
より、バッテリセルの電圧VBは、設定電圧に調整され
る。なお、実際の回路では、放電スイッチ102の代わ
りにパワートランジスタ等の電力素子を使用し、オンオ
フ制御ではなく、リニア制御により電圧を調整する等の
方法が一般的である。
【0009】しかしながら、上述の回路による場合、設
定電圧を超過したエネルギが放電抵抗器103により熱
の形で浪費されてしまい、電力損失が大きくなるととも
に、放熱対策を考慮しなければならないことが大きな問
題となる。また、満充電に近づいた時セル電圧VBが上
昇した場合にだけ均衡化が可能であり、放電時や車両を
使用していない間の空き時間などを利用した電圧均衡化
を行なえず、ハイブリッド電気自動車のように発電走行
時に満充電まで充電しないものには利用できない。
【0010】さらに、放電抵抗器や放熱板およびスイッ
チング用の素子など大容量のものを使用しなければなら
ず、装置が大型化したり、放熱のために冷却装置が必要
になるなど構造が単純にならないという課題もある。こ
れに対して、特開平6−319287号公報には、放電
方式ではない均衡化回路を用いた技術が開示されてい
る。この技術は、直列接続された組電池の両端にコンデ
ンサを接続して、各バッテリセル(充電単電池)を略均
一に充電するものであるが、大容量コンデンサが必要で
あり、各バッテリセルの端子電圧を検出しながら所要の
充電対象となるバッテリセルを選択する制御は制御ロジ
ックが複雑である。
【0011】そこで、直列に接続されたバッテリに対し
て、各バッテリと対応した数のコンデンサを設け、各コ
ンデンサを対応したバッテリとそれぞれ並列接続させる
第1の接続モードと、上記の各コンデンサを対応するバ
ッテリに隣接したバッテリとそれぞれ並列接続させる第
2の接続モードとを交互に切り換えるようにすること
で、各バッテリの電圧の均衡化を図ることが考えられ
る。
【0012】この場合は、コンデンサを介して電荷をバ
ッテリ間で移動させることにより、各バッテリの電圧が
均衡化されるのである。しかしながら、このような構成
では、各バッテリの電圧が均衡化されるまでモード切換
のためのスイッチングを繰り返して長時間駆動させる必
要があるが、このスイッチングに大きな駆動消費電力を
要してしまうと、バッテリの長寿命化という本来の目的
に反してしまう。したがって、このモード切換スイッチ
は出来るだけ駆動消費電力が小さいものが要望されてい
た。
【0013】このように、省電型のスイッチング装置が
要望される現状において、前述の実公平4−41632
号公報の技術は立ち上がりの速いサージパルスが入力さ
れたときのMOSFETの破壊防止を目的としており、
かかる技術では、スイッチの低消費電力化を十分に達成
することができない。本発明は、上述の課題に鑑み創案
されたもので、繰り返し長時間使用しても消費電力を抑
制することができるようにした、スイッチング装置を提
供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の本発明のスイッチング装置では、M
OSFETを導通状態にする場合は、MOSFETのゲ
ートとソースとの間に接続された充電手段にパルス状の
充電信号を入力する。充電手段はこのパルス状の充電信
号を受けてMOSFETのゲートに電圧を印加し、MO
SFETを導通状態にするとともに、ゲートとソースと
の間に充電手段と並列に接続されたコンデンサの充電も
行なう。充電手段によるゲートへの電圧の印加はパルス
状の充電信号を受けている間のみ行なわれるが、その後
はコンデンサに充電された電荷によりMOSFETの導
通状態が保持される。
【0015】また、MOSFETを非導通状態に切り換
える場合は、MOSFETのゲートとソースとの間に接
続された放電手段にパルス状の充電信号を入力する。放
電手段はこのパルス状の放電信号を受けてコンデンサに
充電されている電荷を放電すし、これによりMOSFE
Tのゲート電圧が低下してMOSFETは非導通状態へ
切り換わる。
【0016】請求項2記載の本発明のスイッチング装置
では、スイッチング回路のMOSFETを導通状態にす
るは、MOSFETのゲートとソースとの間に接続され
た充電手段にパルス状の充電信号を入力する。充電手段
はこのパルス状の充電信号を受けてMOSFETのゲー
トに電圧を印加し、MOSFETを導通状態にするとと
もに、ゲートとソースとの間に充電手段と並列に接続さ
れたコンデンサの充電も行なう。充電手段によるゲート
への電圧の印加はパルス状の充電信号を受けている間の
み行なわれるが、その後はコンデンサに充電された電荷
によりMOSFETの導通状態が保持される。
【0017】また、MOSFETを非導通状態に切り換
える場合は、MOSFETのゲートとソースとの間に接
続された放電手段にパルス状の充電信号を入力する。放
電手段はこのパルス状の放電信号を受けてコンデンサに
充電されている電荷を放電すし、これによりMOSFE
Tのゲート電圧が低下してMOSFETは非導通状態へ
切り換わる。
【0018】このようにしてスイッチング回路のMOS
FETを導通状態と非導通状態に切換制御することによ
り、直列に接続された複数の蓄電手段と蓄電手段に並列
に接続された蓄電器との接続を切り換えることを特徴と
している。請求項3記載の本発明のスイッチング装置で
は、第1の接続モードでは蓄電器を蓄電手段により充電
し、第2の接続モードでは蓄電手段を蓄電器により充電
するが、この第1の接続モードと第2の接続モードとの
切換は蓄電手段と蓄電器との接続を切り換えることによ
り選択的に、かつ繰り返して行なうことができるように
なっている。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、図面により、本発明の一実
施形態としてのスイッチング装置を説明すると、図1〜
図3は本発明の一実施形態としてのスイッチング装置を
示すものである。まず、本実施形態のスイッチング装置
が適用される蓄電装置の電圧均衡化装置について説明す
ると、図2はその模式的回路構成図である。
【0020】図2に示すように、本スイッチング装置が
適用される蓄電装置では、複数の蓄電手段としての蓄電
池(バッテリセル)B11,B12が直列に接続されて
おり、これにより組電池が構成されている。なお、この
例では、2個のバッテリを接続した例を示しているが、
勿論、バッテリ数はこれに限定されるものではない。そ
して、電圧均衡化装置としては、これらの蓄電池B1
1,B12に対して蓄電器(コンデンサ)C11が並列
接続されて設けられ、さらに、蓄電器C11と各蓄電池
B11,B12との間には、接続切換手段としてのスイ
ッチS11,S12が介装された構成になっている。
【0021】ここで、蓄電池B11,B12の相互間に
は端子S11B,S12Aが、蓄電池B11の一端側
(端子A側)には端子S11Aが、蓄電池B12の他端
側(端子B側)には端子S12Bがそれぞれ接続されて
いる。また、蓄電器C11の一端側には端子S11A又
は端子S11Bに選択的に接続切り換え可能なスイッチ
S11が、又、蓄電器C11の他端側には端子S12A
又は端子S12Bに選択的に接続切り換え可能なスイッ
チS12がそれぞれ設けられている。
【0022】そして、これらのスイッチS11,S12
は連動して切り換えられるように構成され、それぞれが
端子S11A,S12Aに接続した状態(第1の接続モ
ードM1)と、それぞれが端子S11B,S12Bに接
続した状態(第2の接続モードM2)との間で、一斉に
同期して切り換えられるように構成されている。なお、
第1の接続モードM1では、蓄電器C11は蓄電池B1
1と並列接続された状態となり、第2の接続モードM2
では、蓄電器C11は蓄電池B12と並列接続された状
態となる。
【0023】ここで、電圧均衡化原理について説明する
と、まずはじめに、蓄電池B11の電圧がV1、蓄電池
B12の電圧がV2(V1>V2)であったものとす
る。図2に示すように、スイッチS11,S12が上側
へ揺動され、それぞれ端子S11A,S12Aに接続さ
れて、コンデンサC11と蓄電池B11とが並列接続に
なると、蓄電池B11の電圧及びコンデンサC11の電
位差はそれぞれV1′となる。このV1′は、V1より
も電池1からコンデンサへ流入した電荷に応じた分(微
小量)v1 だけ低い電圧(=V1−v1 )である。
【0024】次に、スイッチS11,S12が下側へ揺
動され、端子S11B,S12Bに接続されて、コンデ
ンサC11と蓄電池B12とが並列接続になると、蓄電
池B12の電圧及びコンデンサC11の電位差はそれぞ
れV2′となる。このV2′は、V2よりも電池2から
コンデンサへ流入した電荷分(微小量)v2 だけ高い電
圧(=V2+v2 )である。
【0025】このようにして、コンデンサC11を介
し、蓄電池B11から蓄電池B12へ電荷が移送されて
蓄電池B11の電圧はV1から徐々に減少し、蓄電池B
12の電圧はV2から徐々に増加して、やがて蓄電池B
11,蓄電池B12の電圧は等しい値V12(V1>V12
>V2)となるのである。次に、本スイッチング装置の
構成について詳細に説明すると、図1はその回路構成図
であり、ここでは図2におけるスイッチS11に対応し
た部分を例に説明する。
【0026】図1に示すように、本スイッチング装置で
は、スイッチS11の端子としてパワーMOSFET
(以下、単にMOSFETという)1A,2A,1B,
2Bが用いられており、図2における端子S11Aとし
てはMOSFET1A,2Aが、端子S11Bとしては
MOSFET1B,2Bがそれぞれ過電流防止用のヒュ
ーズ20A,20Bとともに配設されている。そして、
それぞれの2つのMOSFET1A,2A及びMOSF
ET1B,2Bはソースを互いに連結されドレイン側を
回路に接続されている。
【0027】まず、端子S11A、つまりMOSFET
1A,2Aのスイッチングを行なうスイッチング回路S
C11Aについて説明すると、図1に示すように、MO
SFET1A,2Aのソースとゲートの間にはコンデン
サ3Aが接続されている。このコンデンサ3Aは、MO
SFET1A,2Aのゲートに電圧を印加するために設
けられたものであり、コンデンサ3Aの充電電圧がMO
SFET1A,2Aのソース−ゲート間の閾値電圧より
も高ければ、MOSFET1A,2Aは導通状態になり
端子S11Aがオンになったことになる。なお、MOS
FET1Aとコンデンサ3Aとの間には抵抗7Aが、M
OSFET2Aとコンデンサ3Aとの間には抵抗8Aが
緩衝用に接続されている。
【0028】コンデンサ3Aの充電は、コンデンサ3A
と並列に接続された充電手段4Aにより行なわれるよう
になっている。そして、この充電手段4Aは直列に接続
された複数個のフォトダイオード40Aと、フォトダイ
オード40Aの近傍に配設されたLED41Aとで構成
されている。LED41Aはフォトダイオード40Aに
光を照射できるように位置決めされており、12V電源
20a,20bにトランジスタ6A及び緩衝用の抵抗1
2Aとともに直列に接続されている。そして、トランジ
スタ6Aのベースに駆動信号パルスを印加してトランジ
スタ6Aを導通状態にすることにより、LED41Aは
電源を供給されて発光するようになっている。
【0029】そして、LED41Aとフォトダイオード
40Aとは光学的に結合された状態(フォトカプラ)に
なっており、LED41Aが発光した光はフォトダイオ
ード40Aに照射され、フォトダイオード40Aはこの
光を受けて起電力を発生し、この光起電力によりコンデ
ンサ3Aの充電が行なわれるようになっている。なお、
フォトダイオード40Aとコンデンサ3Aとの間には逆
電圧防止用のダイオード10Aと緩衝用の抵抗14Aが
直列に接続されている。
【0030】一方、コンデンサ3Aの放電は、上述の充
電手段4Aとともにコンデンサ3Aと並列に接続された
放電手段5Aにより行なわれるようになっている。そし
て、この放電手段5Aは、コンデンサ3Aと並列に接続
されたフォトトランジスタ50Aと、フォトトランジス
タ50Aの近傍に配設されたLED51Aとで構成され
ている。
【0031】LED51Aはフォトトランジスタ50A
に光を照射できるように位置決めされており、LED4
1Aと同様に、12V電源20a,20bにトランジス
タ6B及び緩衝用の抵抗13Aとともに直列に接続され
ている。そして、トランジスタ6Bのベースに駆動信号
パルスを印加してトランジスタ6Bをオンすることによ
り、LED51Aは電源を供給されて発光するようにな
っている。
【0032】そして、LED51Aとフォトトランジス
タ50Aとは光学的に結合された状態(フォトカプラ)
になっており、LED51Aが発光した光はフォトトラ
ンジスタ50Aに照射され、フォトトランジスタ50A
はこの光を受けて導通状態になり、これによりコンデン
サ3Aの両端が短絡されて放電が行なわれるようになっ
ている。
【0033】また、これらの充電手段4A,放電手段5
Aとともにコンデンサ3Aには抵抗9Aが接続されてい
るが、この抵抗9Aは端子S11Aのオフ時にMOSF
ET1B,2Bの作用によりコンデンサ3Aが充電され
てしまうことを防止するために設けられた抵抗値の大き
い抵抗である。次に、端子S11B、つまりMOSFE
T1B,2Bのスイッチングを行なうスイッチング回路
SC11Bについて説明すると、図2に示すように、ス
イッチング回路SC11Bは上述のスイッチング回路S
C11Aと同構成である。ただし、LED41B,LE
D51BはそれぞれLED51A,LED41Aと並列
に12V電源20a,20bに接続されており、トラン
ジスタ6Aが導通状態になることによりLED41A,
LED51Bへ同時に電源供給が行なわれ、トランジス
タ6Bが導通状態になることによりLED41B,LE
D51Aへ同時に電源供給が行なわれるようになってい
る。
【0034】本発明の一実施形態としてのスイッチング
回路は上述のごとく構成されているので、図3(a)に
示すような駆動信号パルスをトランジスタ6A,6Bに
入力することにより、以下のような動作を行なう。な
お、図3(a)における実線で示すパルスはトランジス
タ6Aに入力するパルス1(充電信号)を示し、点線で
示すパルスはトランジスタ6Bに入力するパルス2(放
電信号)を示している。また、図3(b)は図3(a)
に対応した端子S11A,S11Bのオンオフのタイミ
ング図であり、実線は端子S11A、点線は端子S11
Bのタイミング図を示す。
【0035】図3(a)に示すように、トランジスタ6
A,トランジスタ6Bには1sec毎に交互に駆動信号
パルス(5V,10msec)が印加される。まず、ト
ランジスタ6Aのベースに駆動信号パルスが印加される
と(時点t1 )、トランジスタ6Aはこの駆動信号パル
スが印加されている間はエミッタ−コレクタ間が導通状
態になり、トランジスタ6Aと直列に互いに並列に接続
されたLED41A,LED51Bに電源が供給され、
LED41A,LED51Bは光を発生する。
【0036】LED41Aの発光により、フォトダイオ
ード40Aは光を照射されて光起電力を発生し、MOS
FET1A,2Aのゲートに電圧を印加する。また、同
時にMOSFET1A,2Aと並列に接続されているコ
ンデンサ3Aの充電も行なう。この光起電力がMOSF
ET1A,2Aのソース−ゲート間の閾値電圧よりも高
くなったときMOSFET1A,2Aは導通状態とな
り、端子S11Aがオンになるが、トランジスタ6Aの
ベースに駆動信号パルスが入力されてから、フォトダイ
オード40Aの光起電力が閾値電圧を越えるまでには微
小な時間を要し、駆動信号パルスの入力からMOSFE
T1A,2Aが導通状態になるまでには若干のタイムラ
グが発生する(時点t3 )。なお、MOSFET1A,
2Aはソースを互いに連結されているので双方のソース
−ゲート間の電圧は同一であり光起電力が閾値電圧を越
えたとき同時に導通状態になる。
【0037】そして、フォトダイオード40Aが光起電
力を発生するのは、LED41Aから光を照射されてい
る間、つまりトランジスタ6Aのベースに入力された駆
動信号パルスの幅の時間だけであり、その後はフォトダ
イオード40AによるMOSFET1A,2Aのゲート
への印加電圧は消滅する。ところが、フォトダイオード
40Aが光起電力を発生している間にコンデンサ3Aは
充電が行なわれており、フォトダイオード40Aの光起
電力が消滅した後は、このコンデンサ3Aに充電された
電荷によりMOSFET1A,2Aのソース−ゲート間
の電圧が保持される。したがって、MOSFET1A,
2Aはこのコンデンサ3Aの電圧により導通状態に保持
される。
【0038】一方、LED51Bの発光により、フォト
トランジスタ50Bのエミッタ−コレクタ間が導通状態
になる。これによりコンデンサ3Bの両端は短絡状態と
なり、充電手段4Bにより充電されて蓄えられていた電
荷は急激に放電される。そして、このコンデンサ3Bの
放電によりコンデンサ3Bの両端の電圧、すなわちMO
SFET1B,2Bのソース−ゲート間電圧も急激に下
降し、MOSFET1B,2B(端子S11B)は非導
通状態となる(時点t2 )。なお、このコンデンサ3B
の放電によるソース−ゲート間電圧の下降は、前述のフ
ォトダイオード40Aの光起電力の上昇よりも急激であ
るため、MOSFET1B,2Bが非導通状態になるタ
イミング(時点t2 )はMOSFET1A,2Aが導通
状態になるタイミング(時点t3 )よりも若干(約4m
sec)早い。
【0039】そして、トランジスタ6Aに駆動信号パル
ス1が入力されてから1sec後には、トランジスタ6
Bに駆動信号パルス2が入力される(時点t4 )。この
駆動信号パルス2によりトランジスタ6Bが導通状態と
なり、放電手段5Aはコンデンサ3Aの放電を行ない、
充電手段4BはMOSFET1B,2Bのゲートへの電
圧の印加とコンデンサ3Bの充電とを行なう。そして、
これにより、まずMOSFET1A,2A(端子S11
A)が非導通状態となり(時点t5 )、遅れてMOSF
ET1B,2B(端子S11B)が導通状態になる(時
点t6 )。
【0040】以上のスイッチS11と同様の動作をスイ
ッチS12についても行なうことにより、蓄電池B1
1,B12と充電器C11との接続の切換(第1接続モ
ードと第2接続モードとの切換)が行なわれる。なお、
スイッチS12の接続切換はスイッチS11と同じくト
ランジスタ6A,6Bへの駆動信号パルスの入力により
行なわれ、これによりスイッチS11と同期して接続切
換が行なわれる。
【0041】このように、本発明の一実施形態としての
スイッチング装置によれば、トランジスタ6A,6Bに
交互に駆動信号パルスを入力することにより、MOSF
ET1A,2A,MOSFET1B,2Bを導通状態又
は非導通状態にすることができ、これにより端子S11
A,S11Bのオン又はオフができるので、低消費電力
でスイッチS11を駆動することができる。
【0042】また、MOSFET1A,2AとMOSF
ET1B,2Bとは、同一の駆動信号パルスにより導通
状態又は非導通状態となり、かつ非導通状態になるタイ
ミングが導通状態になるタイミングよりも早いため、蓄
電池B11,B12や充電器C11がショートすること
がなく安全である。さらに、駆動信号パルスのパルス間
隔を変化させることによりスイッチS11,S12の切
換間隔を調整することができ、また駆動信号パルスの入
力を連続して行なうことにより繰り返しスイッチS1
1,S12の接続切換を行なうことができる。これによ
り、蓄電池B11,B12や充電器C11の性能に応じ
て効率よく蓄電池B11,B12の電圧均衡化を行なう
ことができる。
【0043】なお、図4は直列接続された複数の蓄電池
B11,B12,B13に直列接続された複数の蓄電器
C11,C12,C13を並列に配設し、その間に本ス
イッチング装置に係るスイッチS11,S12,S13
を接続した場合の蓄電装置の回路構成図である。ただ
し、ここでは蓄電池数は3つのみ示しているが、さらに
同様な構成で増設することももちろん可能である。
【0044】この場合、図4に示すように、各スイッチ
S11,S12,S13における充電手段4A,4
A′,4A″及び放電手段5B,5B′,5B″への駆
動信号パルスを一つのトランジスタ6Aから入力し、充
電手段5A,5A′,5A″及び放電手段4B,4
B′,4B″への駆動信号パルスを一つのトランジスタ
6Bから入力する。これにより、各スイッチS11,S
12,S13を一斉に作動させることができ、効率よく
第1の接続モードと第2の接続モードとの切換を行なう
ことができる。また、各スイッチS11,S12,S1
3が同時に切り換わることなく連動して切り換わること
により各蓄電池B11,B12,B13や蓄電器C1
1,C12,C13がショートすることがなく安全であ
る。
【0045】以上、本実施形態では、蓄電装置の電圧均
衡化装置に本スイッチング装置を用いる場合を説明した
が、本スイッチング装置の用途は当然ながらこれに限定
されることなく、種々のスイッチング対象に対して適用
可能であり、特に、切換頻度の高いスイッチング対象に
ついて適用することが効果的である。そして、本発明の
スイッチング装置の構成は上述した実施形態に限定され
るものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々
変形して実施することができる。
【0046】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1,2記載
の本発明のスイッチング装置によれば、パルス状の充電
信号及び放電信号を入力することでMOSFETを導通
状態と非導通状態とに切り換え、コンデンサによりその
状態を保持することによりスイッチングを行なうことが
できるので、スイッチングに必要な駆動電力は少なくて
済み、低消費電力化が可能である。
【0047】さらに、請求項2記載の本発明のスイッチ
ング装置によれば、蓄電装置の電圧均衡化を省電力で行
なうことができる。
【0048】請求項3記載の本発明のスイッチング装置
によれば、充電信号及び放電信号のパルス間隔を変化さ
せることによりスイッチング回路の切換間隔を調整する
ことができ、また充電信号及び放電信号の入力を連続し
て行なうことにより繰り返しスイッチング回路の接続切
換を行なうことができる。これにより、蓄電手段や蓄電
器の性能に応じて効率よく複数の蓄電池の電圧均衡化を
行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態としてのスイッチング装置
の回路構成図である。
【図2】本発明の一実施形態としてのスイッチング装置
が適用される蓄電装置の模式的な回路構成図である。
【図3】本発明の一実施形態としてのスイッチング装置
のスイッチの切換タイミングを示す図であり、(a)は
駆動信号パルスの入力タイミングを示す図、(b)は
(a)に対応したスイッチの切換タイミングを示す図で
ある。
【図4】本発明の一実施形態としてのスイッチング装置
が適用された蓄電装置の具体的な回路構成図である。
【図5】本発明の課題を説明するための図であって、電
池の特性を示すグラフである。
【図6】本発明の課題を説明するための図であって、従
来の蓄電装置の模式的回路構成図である。
【符号の説明】 1A,2A,1B,2B MOSFET 3A,3B コンデンサ 4A,4B 充電手段 5A,5B 放電手段 6A,6B トランジスタ 40A,40B フォトダイオード 50A,50B フォトトランジスタ 41A,41B,51A,51B LED B11,B12,B13 蓄電池(蓄電手段) C11,C12,C13 蓄電器(コンデンサ) S11,S12 スイッチ S11A,S11B,S12A,S12B 端子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ゲートに印加される電圧によって導通状
    態と非導通状態とに制御可能なMOSFETと、 該MOSFETの該ゲートとソースとの間に接続された
    コンデンサと、 該ゲートと該ソースとの間に該コンデンサと並列に接続
    され、パルス状の充電信号の入力により該コンデンサの
    充電を行ない、該MOSFETを導通状態に保持する充
    電手段と、 該ゲートと該ソースとの間に該コンデンサと並列に接続
    され、パルス状の放電信号の入力により該コンデンサの
    放電を行ない、該MOSFETを非導通状態に保持する
    放電手段とをそなえていることを特徴とする、スイッチ
    ング装置。
  2. 【請求項2】 直列に接続された複数の蓄電手段と、 該蓄電手段に並列に接続された蓄電器の接続を切り換え
    るスイッチング回路とからなり、 該スイッチング回路が、 ゲートに印加される電圧によって導通状態と非導通状態
    とに制御可能なMOSFETと、 該MOSFETの該ゲートとソースとの間に接続された
    コンデンサと、 該ゲートと該ソースとの間に該コンデンサと並列に接続
    され、パルス状の充電信号の入力により該コンデンサの
    充電を行ない、該MOSFETを導通状態に保持する充
    電手段と、 該ゲートと該ソースとの間に該コンデンサと並列に接続
    され、パルス状の放電信号の入力により該コンデンサの
    放電を行ない、該MOSFETを非導通状態に保持する
    放電手段とをそなえていることを特徴とする、スイッチ
    ング装置。
  3. 【請求項3】 該蓄電手段と該蓄電器との接続を切り換
    えることにより、該蓄電器を該蓄電手段により充電する
    第1の接続モードと該蓄電手段を該蓄電器により充電す
    る第2の接続モードとの切換が選択的に行なわれるとと
    もに、該第1の接続モードと該第2の接続モードとの切
    換が繰り返して行なわれることを特徴とする、請求項2
    記載のスイッチング装置。
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