JP2685582B2 - Lead frame and semiconductor device using the same - Google Patents

Lead frame and semiconductor device using the same

Info

Publication number
JP2685582B2
JP2685582B2 JP13132589A JP13132589A JP2685582B2 JP 2685582 B2 JP2685582 B2 JP 2685582B2 JP 13132589 A JP13132589 A JP 13132589A JP 13132589 A JP13132589 A JP 13132589A JP 2685582 B2 JP2685582 B2 JP 2685582B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
lead
resin
dam
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP13132589A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH02310955A (en
Inventor
博通 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP13132589A priority Critical patent/JP2685582B2/en
Publication of JPH02310955A publication Critical patent/JPH02310955A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2685582B2 publication Critical patent/JP2685582B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はリードフレームを作製する技術及びそのリー
ドフレームを用いて半導体装置を構成する技術、特に、
ダムバーを設けた場合の切断処理に起因して発生する諸
問題を解消するために用いて効果のある技術、及び新規
のリードフレームを用いた半導体装置の構成技術に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention relates to a technique for producing a lead frame and a technique for constructing a semiconductor device using the lead frame, in particular,
The present invention relates to a technique effective for solving various problems caused by a cutting process when a dam bar is provided, and a technique for forming a semiconductor device using a new lead frame.

〔従来の技術〕 近年、IC/LSIデバイスは高性能化、多様化の傾向にあ
る。特に、ロジックデバイスの1つであるASIC(Applic
ation Specific IC)と呼ばれる特定用途専用のICが注
目されている。特に、ロジック用のIC/LSIデバイスは多
様化の傾向にあり、これに伴って実装密度が高くなって
いるために多ピン化の傾向にある。
[Prior Art] In recent years, IC / LSI devices have been tending toward higher performance and diversification. In particular, ASIC (Applic
(IC), which is a special purpose IC called "ation specific IC". In particular, logic IC / LSI devices tend to be diversified, and the packaging density is also increasing accordingly, so that the number of pins is increasing.

また、モールドタイプのIC/LSIでは、36mmフィルムに
似た形状の金属製のリードフレームにダイボンデイング
をし、半導体チップの各電極とリードフレームとをAuワ
イヤなどで接続した後、モールド樹脂で固定して作製さ
れる。
Also, in mold type IC / LSI, die bonding is performed on a metal lead frame with a shape similar to a 36 mm film, each electrode of the semiconductor chip and the lead frame are connected with Au wires, etc., and then fixed with mold resin. Is produced.

このようなモールドタイプのIC/LSIに用いられるリー
ドフレームの一例を示したのが、第9図である。
FIG. 9 shows an example of a lead frame used in such a mold type IC / LSI.

第9図に示すように、リードフレームは、アウターリ
ード1、該アンターリード1端部に形成されたインナー
リード2、アウターリード1の一部の隣接間を所定のピ
ッチで連結固定するダムバー3、及び各インナーリード
2の対向部に配設されるタブ4より構成されている。
As shown in FIG. 9, the lead frame includes an outer lead 1, an inner lead 2 formed at an end of the outer lead 1, and a dam bar 3 for connecting and fixing a part of the outer lead 1 adjacent to each other at a predetermined pitch. And a tab 4 arranged at the facing portion of each inner lead 2.

上記リードフレームを用いて半導体装置を作る場合、
タブ4上に半導体チップを位置決めして接着する。次
に、ワイヤボンディング技術によりチップのボンディン
グパッドとリードフレームの所定の領域を電気的に接続
する。更に、ワイヤボンディングの終了したリードフレ
ームを金型の中に並べ、この金型の中にエポキシ樹脂
(モールド樹脂)を流し込んで樹脂成形する。このと
き、ダムバー3は、注入された樹脂が漏れ出るのを防止
するように機能する。この後、樹脂の周囲に突出してい
るリードを所定の長さに切断すると共に、ダムバー3を
切断する。これにより、独立したアウターリード1が形
成される。
When making a semiconductor device using the lead frame,
The semiconductor chip is positioned and bonded on the tab 4. Next, the bonding pad of the chip and a predetermined region of the lead frame are electrically connected by the wire bonding technique. Further, the lead frame after wire bonding is arranged in a mold, and an epoxy resin (mold resin) is poured into the mold for resin molding. At this time, the dam bar 3 functions to prevent the injected resin from leaking out. Then, the leads protruding around the resin are cut into a predetermined length, and the dam bar 3 is cut. Thereby, the independent outer lead 1 is formed.

なお、この種のリードフレームに関するものとして、
例えば、特開昭61−152051号公報及び「電子材料」1988
年4月号、85頁〜90頁「ASIC汎用リードフレームの特
徴」に記載がある。
As for this kind of lead frame,
For example, JP-A-61-152051 and "Electronic Materials" 1988
April issue, pages 85 to 90, "Features of ASIC general-purpose lead frame".

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

ところが、前記のようにダムバーが形成されているリ
ードフレームを用いた半導体装置においては、リードピ
ッチが小さくなり、或いは多ピンを目的として多段積み
リードフレーム構造にすると、ダムバーの切断分離が困
難になる。
However, in the semiconductor device using the lead frame in which the dam bar is formed as described above, the lead pitch becomes small, or if the multi-tiered lead frame structure is used for the purpose of multiple pins, it becomes difficult to cut and separate the dam bar. .

このため、多ピン化及び多段積みリードフレーム構造
を実現するに対して、ダムバー存在が障害となってい
た。
Therefore, the existence of the dam bar has been an obstacle to realizing a multi-pin structure and a multi-layered lead frame structure.

そこで、本発明の目的は、ダムバーを不要にし、ダム
バーの切断分離処理を不必要にすることのできる技術を
提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a technique that does not require a dam bar and does not require cutting and separating processing of the dam bar.

本発明の他の目的は、ダムバーを有しないリードフレ
ームを用いて多ピン化及び多段積み化を可能にする技術
を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique that enables a multi-pin structure and a multi-tier stacking by using a lead frame having no dam bar.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろ
う。
The above and other objects and novel features of the present invention are as follows.
It will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本願において開示される発明のうち、代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
The outline of a typical invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、半導体素子を搭載するタブ部、前記半導体
素子に金属細線を介して接続されるインナーリード、該
インナーリード部に一体に接続されたアウターリード部
とを備えたリードフレームにおいて、樹脂モールド時に
該モールドによって覆われる部位もしくは前記樹脂モー
ルドの外縁近傍の部位の前記インナーリード部に突起ま
たは切り欠け部を設け、この突起間または切り欠け部間
に、絶縁材によるダム止め部材を設けるようにしたもの
である。
That is, in a lead frame having a tab portion on which a semiconductor element is mounted, an inner lead connected to the semiconductor element via a thin metal wire, and an outer lead portion integrally connected to the inner lead portion, the Protrusions or cutouts are provided on the inner lead portion in the portion covered by the mold or in the vicinity of the outer edge of the resin mold, and a dam stopper member made of an insulating material is provided between the protrusions or the cutouts. Is.

〔作用〕[Action]

上記した手段によれば、インナーリード間に設けた絶
縁材によるダム止め部材が、従来のリードに一体に形成
されたダムバーの機能を果たすと共に、これが非導電体
であるために電気導体を形成することがない。したがっ
て、樹脂モールド後に敢えて除去する必要がなくなり、
切断除去処理が不要になる。よって多ピン化が可能にな
る。
According to the above-mentioned means, the dam stop member made of an insulating material provided between the inner leads functions as a dam bar integrally formed with a conventional lead, and since it is a non-conductor, it forms an electric conductor. Never. Therefore, it is not necessary to remove it after resin molding,
The cutting and removing process becomes unnecessary. Therefore, it is possible to increase the number of pins.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明によるリードフレームを一実施例を示
す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a lead frame according to the present invention.

第1図においては、第9図と同一であるもには同一引
用数字を用いたので、重複する説明は省略する。本実施
例の特徴とするところは、従来インナーリード部に設け
ていたダムバー3を無くし、ダムバー3が設けられてい
た位置に、各インナーリード2間を互いに結合するよう
ダム止め部材5を設けるようにしたものである。
In FIG. 1, the same reference numerals are used for the same parts as those in FIG. 9, and thus the duplicate description will be omitted. The feature of this embodiment is that the dam bar 3 conventionally provided in the inner lead portion is eliminated, and the dam stop member 5 is provided at the position where the dam bar 3 is provided so as to connect the inner leads 2 to each other. It is the one.

このダム止め部材5は、非導電性の材料、例えば、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガラス繊維などの強化繊維
入りエポキシ樹脂などを用い、これをリード間に固着さ
せることにより構成される。そして、ダム止め部材5を
リード間に固着させるに際しては、搬送途中に剥離脱落
することのないように、リードの側端部に係着部材を設
けている。
The dam stopping member 5 is formed by using a non-conductive material, for example, an epoxy resin, an acrylic resin, or an epoxy resin containing reinforcing fibers such as glass fibers, and fixing the same between the leads. Further, when the dam stopping member 5 is fixed between the leads, an engaging member is provided at the side end portion of the lead so that the dam stopping member 5 is not peeled off during transportation.

すなわち、第2図に示すように側部に突起6を設け、
或いは第3図に示すように切欠部7を設けて、リード間
に固着させたダム止め部材5が確実に係着されるように
し、ダム止め部材5の脱落を防止している。
That is, as shown in FIG. 2, the protrusion 6 is provided on the side portion,
Alternatively, as shown in FIG. 3, the notch 7 is provided so that the dam stopping member 5 fixed between the leads can be securely engaged, and the dam stopping member 5 is prevented from falling off.

ダム止め部材5の形成方法としては、リードフレーム
をプレスによって所定のパターンに打ち抜き後、従来、
ダムバーが形成されていた部位に前記樹脂材を流し込ん
て固化させればよい。なお、必要に応じて不要部分(は
み出し部分)を除去する。
The dam stopping member 5 can be formed by punching a lead frame into a predetermined pattern by pressing,
The resin material may be poured into a portion where the dam bar was formed and solidified. The unnecessary portion (protruding portion) is removed if necessary.

このダム止め部材5は、絶縁材であるため、リード間
にブリッジされていても、電気的な影響を回路に与える
ことはない。したがって、ダム止め部材5を除去するこ
となく、ワイヤボンディング後の樹脂モールドを行うこ
とが可能になる。ダム止め部材5の除去が不要であるた
め、従来技術の課題であった切断除去に伴う諸問題を生
じることがない。
Since the dam stopping member 5 is an insulating material, even if it is bridged between the leads, it does not affect the circuit electrically. Therefore, the resin molding after wire bonding can be performed without removing the dam stopping member 5. Since it is not necessary to remove the dam stopping member 5, various problems associated with cutting and removing, which are problems of the conventional technique, do not occur.

本発明は、第1図に示したような、2方向にリードが
形成されたリードフレームに適用して有効であるのは勿
論であるが、第4図に示すような4方向にリードが形成
され、かつアウターリード1と一体にダムバー3が設け
られていない構造のリードフレーム8には、特に適して
いる。この場合、多ピンになってリード間隔が接近する
ので、第5図に示す如く、各インナーリード2を互いに
結合するように帯状にダム止め部材5を形成する。
The present invention is of course effective when applied to a lead frame having leads formed in two directions as shown in FIG. 1, but leads are formed in four directions as shown in FIG. It is particularly suitable for the lead frame 8 having a structure in which the dam bar 3 is not provided integrally with the outer lead 1. In this case, since the number of pins is increased and the lead interval is close, the dam stopping member 5 is formed in a strip shape so as to connect the inner leads 2 to each other, as shown in FIG.

次に、上記構成によるリードフレームを用いた半導体
装置の実施例を説明する。
Next, an embodiment of a semiconductor device using the lead frame having the above structure will be described.

第6図は本発明による半導体装置の一実施例を示す断
面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing an embodiment of the semiconductor device according to the present invention.

第6図に示す半導体装置の製造工程を説明すると、ま
ず、第1図に示すリードフレームのタブ4の上に半導体
素子10を自動パターン認識装置を用いて載置する。タブ
4上にはAg入りのエポキシ樹脂(Agペースト)が前工程
で塗布されており、半導体素子10を押し付けるのみで半
導体素子10は仮止めされる。ついで、150〜200℃でAg入
りエポキシ樹脂を硬化させ、樹脂内のAgによって半導体
素子10とリードフレームが電気的に接続される。
The manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 6 will be described. First, the semiconductor element 10 is placed on the tab 4 of the lead frame shown in FIG. 1 using an automatic pattern recognition device. An epoxy resin containing Ag (Ag paste) is applied on the tab 4 in the previous step, and the semiconductor element 10 is temporarily fixed only by pressing the semiconductor element 10. Then, the epoxy resin containing Ag is cured at 150 to 200 ° C., and the semiconductor element 10 and the lead frame are electrically connected by Ag in the resin.

次に、Auワイヤ11を用い、自動ボンダによって半導体
素子10のボンディングパッドとリードフレームの所定の
領域を電気的に接続、すなわちワイヤボンディングを行
う。更に、ワイヤボンディングの終了したリードフレー
ムを金型の中に並べ、この金型の中にエポキシ樹脂(モ
ールド樹脂)を流し込んで樹脂モールド12を形成する。
この後、樹脂の周囲に突出しているアウターリードを所
定の長さに切断する。これにより、独立したアウターリ
ード1が形成される。
Next, using the Au wire 11, the bonding pad of the semiconductor element 10 and a predetermined region of the lead frame are electrically connected, that is, wire bonding is performed by an automatic bonder. Further, the lead frames after wire bonding are arranged in a mold, and an epoxy resin (mold resin) is poured into the mold to form a resin mold 12.
Then, the outer leads protruding around the resin are cut into a predetermined length. Thereby, the independent outer lead 1 is formed.

このとき、第7図に示すように、ダム止め部材5が、
樹脂の硬化したモールドレジンが外にはみ出す状態にな
る場合がある。この場合には、何らかの方法によりこれ
を除去する。或いは、製品の性能に影響を与えるもので
は無いので、そのまま放置してもよい。
At this time, as shown in FIG. 7, the dam stopping member 5 is
There is a case where the mold resin in which the resin is hardened is protruding to the outside. In this case, it is removed by some method. Alternatively, since it does not affect the performance of the product, it may be left as it is.

第8図は半導体装置の他の実施例を示す主要部の断面
図である。
FIG. 8 is a sectional view of a main portion showing another embodiment of the semiconductor device.

本実施例は、リードを多段積み構造としたものであ
り、第8図に示すように、アウターリード1aに重ねるよ
うにしてアウターリード1bを配設したことを特徴として
いる。この場合、上下の電極が接触することがないよう
に、絶縁体13がリード間に介挿されている。この絶縁体
13には、例えば、エポキシ系絶縁テープが用いられる。
This embodiment has a multi-layered structure of leads, and is characterized in that, as shown in FIG. 8, the outer leads 1b are arranged so as to overlap the outer leads 1a. In this case, the insulator 13 is interposed between the leads so that the upper and lower electrodes do not come into contact with each other. This insulator
An epoxy insulating tape is used for 13, for example.

このように、リードを多段積み構造とすることによ
り、例えば2段積みにすることによって平面上のリード
数の2倍のワイヤ数を処理できることになり、高密度実
装が可能になる。これが実現できるのも、リードに一体
にダムバーを不要にできたからである。
In this way, by forming the leads in a multi-tiered structure, for example, two-tiered leads can process the number of wires twice as many as the number of leads on a plane, and high-density mounting becomes possible. This can be achieved because the dam bar can be eliminated integrally with the lead.

以上、本発明によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものでは無く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは言うまでもない。
Although the invention made by the present invention has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention. .

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものに
よって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りで
ある。
The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

(1).すなわち、半導体素子を搭載するタブ部、前記
半導体素子に金属細線を介して接続されるインナーリー
ド部、該インナーリード部に一体に接続されたアウター
リード部とを備えたリードフレームであって、樹脂モー
ルド時に該樹脂モールドによって覆われる部位もしくは
前記樹脂モールドの外縁近傍の部位の前記インナーリー
ド部に突起または切り欠け部を設け、この突起間または
切り欠け部間に、絶縁材によるダム止め部材を設けるよ
うにしたので、リードに一体形成したダムバーが不要に
なり、かつダムバーの切断分離処理を不必要にすること
ができる。又、インナーリード部に設けられた突起また
は切り欠け部によりダム止め部材が確実に係着され、ダ
ム止め部材の脱落を防止することができる。
(1). That is, a lead frame having a tab portion on which a semiconductor element is mounted, an inner lead portion connected to the semiconductor element through a thin metal wire, and an outer lead portion integrally connected to the inner lead portion, which is a resin Protrusions or notches are provided on the inner lead portion at a portion covered by the resin mold during molding or a portion near the outer edge of the resin mold, and a dam stopper member made of an insulating material is provided between the protrusions or the notches. As a result, the dam bar formed integrally with the lead becomes unnecessary, and the cutting and separating process of the dam bar can be made unnecessary. In addition, the dam stop member is securely engaged by the protrusion or the notch provided on the inner lead portion, and the dam stop member can be prevented from falling off.

(2).上記(1)により、半導体装置の多ピン化が図
れると共に多段積みリードフレーム構造の実現も可能に
なる。特に、多ピンロジックの半導体装置に適してい
る。
(2). According to the above (1), the number of pins of the semiconductor device can be increased and a multi-tiered lead frame structure can be realized. In particular, it is suitable for a multi-pin logic semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明によるリードフレームの一実施例を示す
平面図、 第2図及び第3図は本発明に係るダム止め部材の設置部
のリード構造を示す平面図、 第4図は本発明によるリードフレームの他の実施例を示
す平面図、 第5図は第4図のリードフレームに対応するダム止め部
材の形成例を示す平面図、 第6図は本発明による半導体装置の一実施例を示す断面
図、 第7図は第6図の半導体装置のダム止め部材の除去を説
明する平面図、 第8図は本発明による半導体装置の他の実施例を示す断
面図、 第9図は従来のリードフレームを構造を示す平面図であ
る。 1,1a,1b……アウターリード、2……インナーリード、
4……タブ、5……ダム止め部材、6……突起、7……
切欠部7、8……リードフレーム、10……半導体素子、
11……Auワイヤ、12……樹脂モールド、13……絶縁体。
1 is a plan view showing an embodiment of a lead frame according to the present invention, FIGS. 2 and 3 are plan views showing a lead structure of an installation portion of a dam stop member according to the present invention, and FIG. 4 is a view showing the present invention. 5 is a plan view showing another embodiment of the lead frame according to FIG. 5, FIG. 5 is a plan view showing an example of forming a dam stop member corresponding to the lead frame shown in FIG. 4, and FIG. 6 is an embodiment of a semiconductor device according to the present invention. FIG. 7 is a plan view for explaining the removal of the dam stop member of the semiconductor device of FIG. 6, FIG. 8 is a cross-sectional view showing another embodiment of the semiconductor device according to the present invention, and FIG. It is a top view which shows the structure of the conventional lead frame. 1,1a, 1b …… Outer lead, 2 …… Inner lead,
4 ... Tab, 5 ... Dam stop member, 6 ... Protrusion, 7 ...
Notches 7, 8 ... Lead frame, 10 ... Semiconductor element,
11 …… Au wire, 12 …… Resin mold, 13 …… Insulator.

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体素子を搭載するタブ部、前記半導体
素子に金属細線を介して接続されるインナーリード部、
該インナーリード部に一体に接続されたアウターリード
部とを備えたリードフレームであって、樹脂モールド時
に該樹脂モールドによって覆われる部位もしくは前記樹
脂モールドの外縁近傍の部位の前記インナーリード部に
突起または切り欠け部を設け、この突起間または切り欠
け部間に絶縁材によるダム止め部材を設けたことを特徴
とするリードフレーム。
1. A tab portion on which a semiconductor element is mounted, an inner lead portion connected to the semiconductor element via a thin metal wire,
A lead frame having an outer lead portion integrally connected to the inner lead portion, the protrusion being formed on the inner lead portion at a portion covered by the resin mold during resin molding or a portion near an outer edge of the resin mold. A lead frame, characterized in that cutouts are provided, and a dam stop member made of an insulating material is provided between the protrusions or between the cutouts.
【請求項2】前記リードフレームは、各々を異なる接続
先にした複数枚が厚み方向に絶縁して積層されているこ
とを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
2. The lead frame according to claim 1, wherein a plurality of the lead frames each having a different connection destination are laminated while being insulated in the thickness direction.
【請求項3】前記ダム止め部材は前記インナーリード部
の突起間または切り欠け部間に樹脂材を流し込んで固化
させることにより形成されたことを特徴とする請求項1
記載のリードフレーム。
3. The dam stopping member is formed by pouring a resin material between the projections or the notch portions of the inner lead portion and solidifying the resin material.
Lead frame as described.
【請求項4】請求項1、2または3記載のリードフレー
ムに半導体チップを搭載し、組立の完了した所定部分を
樹脂モールドして構成したことを特徴とする半導体装
置。
4. A semiconductor device comprising a lead frame according to claim 1, 2 or 3, on which a semiconductor chip is mounted, and a predetermined portion which has been assembled is resin-molded.
JP13132589A 1989-05-26 1989-05-26 Lead frame and semiconductor device using the same Expired - Fee Related JP2685582B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13132589A JP2685582B2 (en) 1989-05-26 1989-05-26 Lead frame and semiconductor device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13132589A JP2685582B2 (en) 1989-05-26 1989-05-26 Lead frame and semiconductor device using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02310955A JPH02310955A (en) 1990-12-26
JP2685582B2 true JP2685582B2 (en) 1997-12-03

Family

ID=15055312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13132589A Expired - Fee Related JP2685582B2 (en) 1989-05-26 1989-05-26 Lead frame and semiconductor device using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2685582B2 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04259520A (en) * 1991-02-13 1992-09-16 Nippon Steel Corp Resin mold and flexible tape
WO1994023452A1 (en) * 1993-03-29 1994-10-13 National Semiconductor Corporation Plastic encapsulated integrated circuit package with fully slotted dambar
US5637914A (en) * 1994-05-16 1997-06-10 Hitachi, Ltd. Lead frame and semiconductor device encapsulated by resin
JP2820645B2 (en) * 1994-08-30 1998-11-05 アナム インダストリアル カンパニー インコーポレーティド Semiconductor lead frame
US5949132A (en) * 1995-05-02 1999-09-07 Texas Instruments Incorporated Dambarless leadframe for molded component encapsulation
US5939775A (en) * 1996-11-05 1999-08-17 Gcb Technologies, Llc Leadframe structure and process for packaging intergrated circuits
US5929512A (en) * 1997-03-18 1999-07-27 Jacobs; Richard L. Urethane encapsulated integrated circuits and compositions therefor
US20100176533A1 (en) * 2007-09-05 2010-07-15 Nok Corporation Seal manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02310955A (en) 1990-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW575955B (en) Leadframe and method of manufacturing a semiconductor device using the same
US6911353B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing same
JP3454920B2 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
EP0108502B1 (en) A plastics moulded semiconductor device and a method of producing it
US9362210B2 (en) Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
US6262490B1 (en) Substrate strip for use in packaging semiconductor chips
KR0145768B1 (en) Method for manufacturing a semiconductor package using lead frame
JP3170199B2 (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same, and substrate frame
JPH08222681A (en) Resin sealed semiconductor device
JP2685582B2 (en) Lead frame and semiconductor device using the same
JP3137323B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2533012B2 (en) Surface mount semiconductor device
JP2533011B2 (en) Surface mount semiconductor device
KR100221918B1 (en) Chip scale package
KR100253388B1 (en) Method for fabricating semiconductor package
JPS61241954A (en) Semiconductor device
JPS6340351A (en) Lead frame
JPS63104457A (en) Lead frame
JPH06140551A (en) Semiconductor device
JPS63160262A (en) Lead frame and semiconductor device using the same
JPH06177312A (en) Semiconductor device and lead frame
JP2714002B2 (en) Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device
JPH02202042A (en) Resin-sealed semiconductor device
JP2003174136A (en) Resin mold semiconductor device
KR20030079170A (en) Lead-frame and method for manufacturing semi-conductor package using such

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees