JPH02310955A - Lead frame and semiconductor device using same - Google Patents

Lead frame and semiconductor device using same

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JPH02310955A
JPH02310955A JP13132589A JP13132589A JPH02310955A JP H02310955 A JPH02310955 A JP H02310955A JP 13132589 A JP13132589 A JP 13132589A JP 13132589 A JP13132589 A JP 13132589A JP H02310955 A JPH02310955 A JP H02310955A
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Abstract

PURPOSE:To realize high pin counts and multitier mounting by a method wherein a dam stopper member composed of an insulating material is installed between inner lead parts at parts covered with a mold during a resin molding operation or at parts near an outer edge of a resin mold. CONSTITUTION:Dam bars 3 which have been installed at inner lead parts are abolished; dam stopper members 5 are installed, so as to connect individual inner leads 2 to each other, in positions where the dam bars 3 have been installed. The dam stopper members 5 are constituted in such a way that a nonconductive material, e.g. an epoxy resin, an acrylic resin, an epoxy resin containing a reinforcing fiber, such as a glass fiber or the like, or the like is used and that this resin is fixed and bonded between the leads. When the dam stopper members 5 are fixed and bonded between the leads, coupling and bonding members are installed at side-end parts of the leads in such a way that they are not exfoliated and do not fall off during a conveyance operation. That is to say, protrusions 6 are formed or cutout parts are formed at side parts in such a way that the dam stopper members 5 fixed and bonded between the leads are coupled and bonded surely; the dam stopper members 5 are prevented from falling off.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はリードフレームを作製する技術及びそのリード
フレームを用いて半導体装置を構成する技術、特に、ダ
ムバーを設けた場合の切断処理に起因して発生する諸問
題を解消するために用いて効果のある技術、及び新規の
リードフレームを用いた半導体装置の構成技術に関する
ものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a technology for manufacturing a lead frame and a technology for configuring a semiconductor device using the lead frame, and particularly to a cutting process when a dam bar is provided. The present invention relates to techniques that can be effectively used to solve various problems that occur in semiconductor devices, and techniques for configuring semiconductor devices using new lead frames.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、fc/LSIデバイスは高性能化、多様化の傾向
にある。特に、ロジックデバイスの1つであるA S 
I C(Application 5pecific 
IC)と呼ばれる特定用途専用のICが注目されている
In recent years, fc/LSI devices are becoming more sophisticated and diversified. In particular, one of the logic devices, A S
IC (Application 5 specific
ICs dedicated to specific uses, called ICs, are attracting attention.

特に、ロジック用のIC/LSIデバイスは多様化の傾
向にあり、これに伴って実装密度が高くなっているため
に多ピン化の傾向にある。
In particular, logic IC/LSI devices are becoming more diverse, and as a result of this, their packaging density is increasing, leading to a trend toward increasing the number of pins.

また、モールドタイプのIC/LSIでは、36oI1
1フイルムに似た形状の金属製のリードフレームにグイ
ボンディングをし、半導体チップの各電極とリードフレ
ームとをAuワイヤなどで接続した後、モールド樹脂で
固定して作製される。
In addition, in mold type IC/LSI, 36oI1
It is manufactured by bonding to a metal lead frame shaped like a single film, connecting each electrode of the semiconductor chip to the lead frame with Au wires, etc., and then fixing it with mold resin.

このようなモールドタイプのIC/LSIに用いられる
リードフレームの一例を示したのが、第9図である。
FIG. 9 shows an example of a lead frame used in such a mold type IC/LSI.

第9図に示すように、リードフレームは、アウターリー
ド1、該アウターリード1の端部に形成されたインナー
リード2、アウターリード1の一部の隣接間を所定のピ
ッチで連結固定するダムバー3、及び各インナーリード
2の対向部に配設されるタブ4より構成されている。
As shown in FIG. 9, the lead frame includes an outer lead 1, an inner lead 2 formed at the end of the outer lead 1, and a dam bar 3 that connects and fixes adjacent parts of the outer lead 1 at a predetermined pitch. , and a tab 4 disposed at the opposing portion of each inner lead 2.

上記リードフレームを用いて半導体装置を作る場合、タ
ブ4上に半導体チップを位置決めして接着する。次に、
ワイヤボンディング技術によりチップのポンディングパ
ッドとリードフレームの所定の領域を電気的に接続する
。更に、ワイヤボンディングの終了したリードフレーム
を金型の中に並べ、この金型の中にエポキシ樹脂(モー
ルド樹脂)を流し込んで樹脂成形する。このとき、ダム
バー3は、注入された樹脂が漏れ出るのを防止するよう
に機能する。この後、樹脂の周囲に突出しているリード
を所定の長さに切断すると共に、ダムバー3を切断する
。これにより、独立したアウターリード1が形成される
When manufacturing a semiconductor device using the above lead frame, a semiconductor chip is positioned and bonded onto the tab 4. next,
The bonding pad of the chip and a predetermined area of the lead frame are electrically connected using wire bonding technology. Further, the wire-bonded lead frames are arranged in a mold, and epoxy resin (mold resin) is poured into the mold to perform resin molding. At this time, the dam bar 3 functions to prevent the injected resin from leaking out. Thereafter, the leads protruding around the resin are cut to a predetermined length, and the dam bar 3 is also cut. As a result, independent outer leads 1 are formed.

なお、この種のリードフレームに関するものとして、例
えば、特開昭6]−152051号公報及び「電子材料
J 1988年4月号、85頁〜90頁rAsIc汎用
リードフレームの特徴」に記載がある。
Note that this type of lead frame is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 152051/1988 and "Characteristics of rAsIc General-purpose Lead Frame", pages 85 to 90, April 1988 issue of Electronic Materials J.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、前記のようにダムバーが形成されているリー
ドフレームを用いた半導体装置においては、リードピッ
チが小さくなり、或いは多ピンを目的として多段積みリ
ードフレーム構造にすると、ダムバーの切断分離が困難
になる。
However, in a semiconductor device using a lead frame in which a dam bar is formed as described above, when the lead pitch becomes small or a multi-tiered lead frame structure is used for the purpose of increasing the number of pins, it becomes difficult to cut and separate the dam bar. .

このため、多ビン化及び多段積みリードフレーム構造を
実現するに対して、ダムバーの存在が障害となっていた
Therefore, the presence of the dam bar has been an obstacle to realizing a multi-bin and multi-tiered lead frame structure.

そこで、本発明の目的は、ダムバーを不要にし、ダムバ
ーの切断分離処理を不必要にすることのできる技術を提
供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a technique that can eliminate the need for a dam bar and eliminate the need for cutting and separating the dam bar.

本発明の他の目的は、ダムバーを有しないリードフレー
ムを用いて多ビン化及び多投積み化を可能にする技術を
提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique that enables multi-bin and multi-throw stacking using a lead frame without a dam bar.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、半導体素子を搭載するタブ部、前記半導体素
子に金属細線を介して接続されるインナーリード部、該
インナーリード部に一体に接続されたアウターリード部
とを備えたリードフレームにおいて、樹脂モールド時に
該モールドによって覆われる部位もしくは前記樹脂モー
ルドの外縁近傍の部位の前記インナーリード部の相互間
に、絶縁材によるダム止め部材を設けるようにしたもの
である。
That is, in a lead frame equipped with a tab portion on which a semiconductor element is mounted, an inner lead portion connected to the semiconductor element via a thin metal wire, and an outer lead portion integrally connected to the inner lead portion, during resin molding. A dam stop member made of an insulating material is provided between the inner lead portions at a portion covered by the mold or a portion near the outer edge of the resin mold.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、インナーリード間に設けた絶縁
材によるダム止め部材が、従来のリードに一体に形成さ
れたダムバーの機能を果たすと共に、これが非導電体で
あるために電気導体を形成することがない。したがって
、樹脂モールド後に敢えて除去する必要がなくなり、切
断除去処理が不要になる。よって多ピ゛ン化が可能にな
る。
According to the above-mentioned means, the dam stop member made of an insulating material provided between the inner leads functions as a dam bar integrally formed with the conventional lead, and since it is a non-conductor, it forms an electrical conductor. Never. Therefore, there is no need to intentionally remove the resin after molding, and cutting and removal processing becomes unnecessary. Therefore, it becomes possible to have multiple pins.

〔実施例〕 第1図は本発明によるリードフレームの一実施例を示す
平面図である。
[Embodiment] FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a lead frame according to the present invention.

第1図においては、第9図と同一であるものには同一引
用数字を用いたので、重複する説明は省略する。本実施
例の特徴とするところは、従来インナーリード部に設け
ていたダムバー3を無くし、ダムバー3が設けられてい
た位置に、各インナーリード2間を互いに結合するよう
ダム止め部材5を設けるようにしたものである。
In FIG. 1, the same reference numerals are used for the same parts as in FIG. 9, so redundant explanations will be omitted. The feature of this embodiment is that the dam bar 3 that was conventionally provided on the inner lead part is eliminated, and a dam stopper member 5 is provided at the position where the dam bar 3 was provided so as to connect each inner lead 2 to each other. This is what I did.

このダム止め部材5は、非導電性の材料二例えば、エポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ガラス繊維などの強化繊維入
りエポキシ樹脂などを用い、これをリード間に固着させ
ることにより構成される。
The dam stop member 5 is constructed by using a non-conductive material such as epoxy resin, acrylic resin, epoxy resin containing reinforcing fibers such as glass fiber, etc., and fixing this between the leads.

そして、ダム止め部材5をリード間に固着させるに際し
ては、搬送途中に剥離脱落することのないように、リー
ドの側端部に係着部材を設けている。
When the dam stopper member 5 is fixed between the leads, an engaging member is provided at the side end of the lead so that the dam stopper member 5 does not come off during transportation.

すなわち、第2図に示すように側部に突起6を設け、或
いは第3図に示すように切欠部7を設けて、リード間に
固着させたダム止め部材5が確実に係着されるようにし
、ダム止め部材5の脱落を防止している。
That is, a protrusion 6 is provided on the side as shown in FIG. 2, or a notch 7 is provided as shown in FIG. 3 to ensure that the dam stopper 5 fixed between the leads is securely engaged. This prevents the dam stopper member 5 from falling off.

ダム止め部材5の形成方法としては、リードフレームを
プレスによって所定のパターンに打ち抜き後、従来、ダ
ムバーが形成されていた部位に前記樹脂材を流し込んで
固化させればよい。なお、必要に応じて不要部分(はみ
出し部分)を除去する。
The dam stop member 5 can be formed by punching out the lead frame into a predetermined pattern using a press, and then pouring the resin material into the area where the dam bar was conventionally formed and solidifying it. Note that unnecessary parts (protruding parts) are removed as necessary.

このダム止め部材5は、絶縁材であるため、リード間に
ブリッジされていても、電気的な影響を回路に与えるこ
とはない。したがって、ダム止め部材5を除去すること
なく、ワイヤボンディング後の樹脂モールドを行うこと
が可能になる。ダム止め部材5の除去が不要であるため
、従来技術の課題であった切断除去に伴う諸問題を生じ
ることがない。
Since this dam stop member 5 is made of an insulating material, even if it is bridged between the leads, it does not affect the circuit electrically. Therefore, resin molding after wire bonding can be performed without removing the dam stopper member 5. Since it is not necessary to remove the dam stop member 5, various problems associated with cutting and removal, which were problems in the prior art, do not occur.

本発明は、第1図に示したような、2方向にリードが形
成されたリードフレームに適用して有効であるのは勿論
であるが、第4図に示すような4方向にリードが形成さ
れ、かつアウターリードlと一体にダムバー3が設けら
れていない構造のリードフレーム8には、特に適してい
る。この場合、多ピンになってリード間隔が接近するの
で、第5図に示す如く、各インナーリード2を互いに結
合するように帯状にダム止め部材5を形成する。
The present invention is of course effective when applied to a lead frame in which leads are formed in two directions as shown in FIG. 1, but also in a lead frame in which leads are formed in four directions as shown in FIG. It is particularly suitable for a lead frame 8 having a structure in which the dam bar 3 is not provided integrally with the outer lead l. In this case, since the number of pins becomes large and the lead spacing becomes close, the dam stop member 5 is formed in a band shape so as to connect each inner lead 2 to each other, as shown in FIG.

次に、上記構成によるリードフレームを用いた半導体装
置の実施例を説期する。
Next, an example of a semiconductor device using a lead frame having the above structure will be described.

第6図は本発明による半導体装置の一実施例を示す断面
図である。
FIG. 6 is a sectional view showing an embodiment of the semiconductor device according to the present invention.

第6図に示す半導体装置の製造工程を説明すると、まず
、第1図に示すリードフレームのタブ4の上に半導体素
子10を自動パターン認識装置を用いて載置する。タブ
4上にはAg入りのエポキシ樹゛脂(Agペースト)が
前工程で塗布されており、半導体素子10を押し付ける
のみで半導体素子10°は仮止めされる。ついで、15
0〜200℃でAg入りエポキシ樹脂を硬化させ、樹脂
内のAgによって半導体素子10とリードフレームが電
気的に接続される。
To explain the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 6, first, the semiconductor element 10 is placed on the tab 4 of the lead frame shown in FIG. 1 using an automatic pattern recognition device. An epoxy resin containing Ag (Ag paste) is applied on the tab 4 in the previous step, and the semiconductor element 10 is temporarily fixed by simply pressing the semiconductor element 10 thereon. Then, 15
The Ag-containing epoxy resin is cured at 0 to 200° C., and the semiconductor element 10 and the lead frame are electrically connected by the Ag in the resin.

次に、Auワイヤ11を用い、自動ボンダによって半導
体素子lOのポンディングパッドとリードフレームの所
定の領域を電気的に接続、すなわちワイヤボンディング
を行う。更に、ワイヤボンディングの終了したリードフ
レームを金型の中に並べ、この金型の中にエポキシ樹脂
(モールド樹脂)を流し込んで樹脂モールド12を形成
する。
Next, using the Au wire 11, the bonding pad of the semiconductor element IO and a predetermined region of the lead frame are electrically connected, ie, wire bonded, using an automatic bonder. Furthermore, the lead frames that have undergone wire bonding are arranged in a mold, and an epoxy resin (mold resin) is poured into the mold to form a resin mold 12.

この後、樹脂の周囲に突出しているアウターリードlを
所定の長さに切断する。これにより、独立したアウター
リード1が形成される。
Thereafter, the outer lead l protruding around the resin is cut to a predetermined length. As a result, independent outer leads 1 are formed.

このとき、第7図に示すように、ダム止め部材5が、樹
脂の硬化したモールドレジンが外にはみ出す状態になる
場合がある。この場合には、何らかの方法によりこれを
除去する。或いは、製品の性能に影響を与えるものでは
無いので、そのまま放置してもよい。
At this time, as shown in FIG. 7, the dam stop member 5 may be in a state where the hardened mold resin protrudes outside. In this case, remove it by some method. Alternatively, since it does not affect the performance of the product, it may be left as is.

第8図は半導体装置の他の実施例を示す主要部の断面図
である。
FIG. 8 is a sectional view of the main parts of another embodiment of the semiconductor device.

本実施例は、リードを多段積み構造としたものであり、
第8図に示すように、アウターリード1aに重ねるよう
にしてアウターリードlbを配設したことを特徴として
いる。この場合、上下の電極が接触することがないよう
に、絶縁体13がリード間に介挿されている。この絶縁
体13には、例えば、エポキシ系絶縁テープが用いられ
る。
In this example, the leads are stacked in multiple layers.
As shown in FIG. 8, the device is characterized in that an outer lead lb is arranged so as to overlap the outer lead 1a. In this case, an insulator 13 is inserted between the leads so that the upper and lower electrodes do not come into contact with each other. For this insulator 13, for example, an epoxy insulating tape is used.

このように、リードを多段積み構造とすることにより、
例えば2段積みにす乞ことによって平面上のリード数の
2倍のワイヤ数を処理できることになり、高密度実装が
可能になる。これが実現できるのも、リードに一体のダ
ムバーを不要にできたからである。
In this way, by making the leads multi-tiered,
For example, by stacking them in two layers, it becomes possible to process twice the number of wires as the number of leads on a plane, and high-density packaging becomes possible. This is possible because it eliminates the need for a dam bar integrated into the lead.

以上、本発明によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のでは無く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることは言うまでもない。
Although the invention made by the present invention has been specifically explained based on Examples above, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. .

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
Among the inventions disclosed in this application, the effects obtained by typical ones are as follows.

(1)、すなわち、半導体素子を搭載するタブ部、前記
半導体素子に金属細線を介して接続されるインナーリー
ド部、該インナーリード部に一体に接続されたアウター
リード部とを備えたリードフレームであって、樹脂モー
ルド時に該樹脂モールドによって覆われる部位もしくは
前記樹脂モールドの外縁近傍の部位の前記インナーリー
ド部の相互間に、絶縁材によるダム止め部材を設けるよ
うにしたので、リードに一体形成したダムバーが不要に
なり、かつダムバーの切断分離処理を不必要にすること
ができる。
(1), that is, a lead frame including a tab portion on which a semiconductor element is mounted, an inner lead portion connected to the semiconductor element via a thin metal wire, and an outer lead portion integrally connected to the inner lead portion. Therefore, a dam stopper member made of an insulating material is provided between the inner lead portions at a portion covered by the resin mold during resin molding or a portion near the outer edge of the resin mold, so that the dam stop member is formed integrally with the lead. The dam bar becomes unnecessary, and the process of cutting and separating the dam bar becomes unnecessary.

(2)、上記(1)により、半導体装置の多ビン化が図
れると共に多段積みリードフレーム構造の実現も可能に
なる。特に、多ビンロジックの半導体装置に適している
(2) With the above (1), it is possible to increase the number of semiconductor devices and also realize a multi-tiered lead frame structure. It is particularly suitable for multi-bin logic semiconductor devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明によるリードフレームの一実施例を示す
平面図、 第2図及び第3図は本発明に係るダム止め部材の設置部
のリード構造を示す平面図、 第4図は本発明によるリードフレームの他の実施例を示
す平面図、 第5図は第4図のリードフレームに対応するダム止め部
材の形成例を示す平面図、 第6図は本発明による半導体装置の一実施例を示す断面
図、 第7図は第6図の半導体装置のダム止め部材の除去を説
明する平面図、 第8図は本発明による半導体装置の他の実施例を示す断
面図、 第9図は従来のリードフレームを構造を示す平面図であ
る。 1、la、lb・・・アウターリード、2・・・インナ
ーリード、4・・・タブ、5・・・ダム止め部材、6・
・・突起、7・・・切欠部7.8・・・リードフレーム
、10・・・半導体素子、11・・・Auワイヤ、12
・・・樹脂モールド、13・・・絶縁体。 第 4 ダ 第5図 第 6 図 第8図 第9図
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a lead frame according to the present invention, FIGS. 2 and 3 are plan views showing a lead structure of a dam stop member installation part according to the present invention, and FIG. 4 is a plan view showing an embodiment of the lead frame according to the present invention. FIG. 5 is a plan view showing an example of formation of a dam stop member corresponding to the lead frame of FIG. 4, and FIG. 6 is an embodiment of a semiconductor device according to the present invention. 7 is a plan view illustrating removal of the dam stopper member of the semiconductor device shown in FIG. 6, FIG. 8 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor device according to the present invention, and FIG. FIG. 2 is a plan view showing the structure of a conventional lead frame. 1, la, lb...outer lead, 2...inner lead, 4...tab, 5...dam stop member, 6...
...Protrusion, 7... Notch 7.8... Lead frame, 10... Semiconductor element, 11... Au wire, 12
... Resin mold, 13... Insulator. Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 8 Figure 9

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、半導体素子を搭載するタブ部、前記半導体素子に金
属細線を介して接続されるインナーリード部、該インナ
ーリード部に一体に接続されたアウターリード部とを備
えたリードフレームであって、樹脂モールド時に該樹脂
モールドによって覆われる部位もしくは前記樹脂モール
ドの外縁近傍の部位の前記インナーリード部の相互間に
、絶縁材によるダム止め部材を設けたことを特徴とする
リードフレーム。 2、前記リードフレームは、各々を異なる接続先にした
複数枚が厚み方向に絶縁して積層されていることを特徴
とする請求項1記載のリードフレーム。 3、前記ダム止め部材が設けられる部位のインナーリー
ドに、突起または切欠部を設けたことを特徴とする請求
項1または2記載のリードフレーム。 4、請求項1、2または3記載のリードフレームに半導
体チップを搭載し、組立ての完了した所定部分を樹脂モ
ールドして構成することを特徴とする半導体装置。
[Scope of Claims] 1. A lead comprising a tab portion on which a semiconductor element is mounted, an inner lead portion connected to the semiconductor element via a thin metal wire, and an outer lead portion integrally connected to the inner lead portion. The lead frame is characterized in that a dam stopper member made of an insulating material is provided between the inner lead portions at a portion covered by the resin mold during resin molding or a portion near the outer edge of the resin mold. . 2. The lead frame according to claim 1, wherein the lead frame is formed by laminating a plurality of lead frames insulated in the thickness direction, each having a different connection destination. 3. The lead frame according to claim 1 or 2, wherein a protrusion or a notch is provided on the inner lead at a portion where the dam stop member is provided. 4. A semiconductor device, characterized in that a semiconductor chip is mounted on the lead frame according to claim 1, 2 or 3, and a predetermined assembled portion is molded with resin.
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