JPS63160262A - Lead frame and semiconductor device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリードフレームおよびそれを用いて製造された
半導体装置に関し、特に、半導体装置の組立に用いて有
効なリードフレームに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a lead frame and a semiconductor device manufactured using the same, and particularly to a lead frame that is effective for use in assembling a semiconductor device.
半導体装置の組立に用いられるリードフレームについて
は、株式会社オーム社、昭和５３年３月２０日発行、「
半導体・ＩＣ用語事典Ｊ、Ｐ２Ｓ５に記載されている。Regarding lead frames used in the assembly of semiconductor devices, Ohmsha Co., Ltd., published March 20, 1978, "
It is described in Semiconductor/IC Terminology Encyclopedia J, P2S5.
その概要は、半導体ベレットを搭載するタブを取り囲む
ように、外部との接続端子である複数のリードを配設し
、半導体ペレットとこの半導体ペレットを取り囲む複数
のリードの内端部と間に導体からなるボンディングワイ
ヤを架設して電気的に接続するものである。The outline is that multiple leads, which are connection terminals to the outside, are arranged to surround the tab on which the semiconductor pellet is mounted, and a conductor is connected between the semiconductor pellet and the inner ends of the multiple leads surrounding the semiconductor pellet. An electrical connection is made by installing bonding wires.
ところで、半導体装置の高集積化に伴って外部との接続
を行うリードの数量が増加すると、実装時の規格などに
よってリードの外端部の間隔やパッケージの寸法などが
所定の値に規制されているため、半導体ペレットを取り
囲むリードの内端部の寸法は半導体ペレットに近接する
先端部はど微細化されることとなる。By the way, as the number of leads used to connect external devices increases with the increasing integration of semiconductor devices, the spacing between the outer ends of the leads and the dimensions of the package are regulated to predetermined values due to mounting standards. Therefore, the dimensions of the inner end portion of the lead surrounding the semiconductor pellet are miniaturized, as is the tip portion close to the semiconductor pellet.
そして、このように微細化されたリードの内端部にワイ
ヤボンディングを行う場合には、ボンディング時におけ
る個々のリードの確実な固定、リードの変形の防止、お
よびリード内端部におけるボンディング部の幅寸法の確
保などが困難となる。When performing wire bonding on the inner ends of such miniaturized leads, it is necessary to securely fix each lead during bonding, prevent deformation of the leads, and adjust the width of the bonding part at the inner end of the leads. It becomes difficult to secure dimensions.
このため、たとえば、リード側におけるボンディング部
の幅寸法を確保する目的で、半導体ペレットからより離
間した比較的幅の広い部分にワイヤボンディングするこ
とが考えられるが、架設されるボンディングワイヤの全
長が必要以上に長くなって剛性が低下され、ボンディン
グワイヤの変形゛によって短絡が発生し易いなどの新た
な問題を生じるものである。For this reason, for example, in order to secure the width of the bonding part on the lead side, it is possible to wire bond to a relatively wide part that is further away from the semiconductor pellet, but this requires the entire length of the bonding wire to be installed. As the bonding wire becomes longer, its rigidity decreases, and new problems arise such as short circuits being more likely to occur due to deformation of the bonding wire.
また、前記リードの変形などを防止するため、たとえば
、リードの中間部を樹脂などからなるテープによって相
互に連結することが考えられるが個々のリードの先端部
が自由状態となってボンディング時にリード先端部が確
実に固定できないという問題を生じ、ボンディング時に
加熱と超音波の印加とを併用するワイヤボンディングぢ
法なとにおいては、ボンディング不良の原因となるなど
、種々の問題があることを本発明者は見い出した。In addition, in order to prevent deformation of the leads, for example, it is possible to connect the middle parts of the leads to each other with tape made of resin, etc., but the tips of the individual leads become free and the ends of the leads are removed during bonding. The inventor has discovered that wire bonding methods that use both heating and application of ultrasonic waves during bonding have various problems, including the possibility of bonding defects. found out.
本発明の目的は、リードの高密度化および微細化に伴う
ワイヤボンディング時の困難を緩和することが可能なリ
ードフレームを提供することにあ゛る。An object of the present invention is to provide a lead frame that can alleviate difficulties in wire bonding due to increased density and miniaturization of leads.
本発明の他の目的は、信頼性の高い半導体装置を提供す
ることにある。Another object of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor device.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
σ問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。Means for Solving the σ Problem] A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、枠部から該枠部の中央方向に複数のリードが
延設されてなるリードフレームで、複数のリード先端部
が絶縁物質を介して連結されるようにしたものである。That is, it is a lead frame in which a plurality of leads extend from a frame portion toward the center of the frame portion, and the tips of the plurality of leads are connected via an insulating material.
また本発明は、半導体ペレットと該半導体ペレットにボ
ンディングワイヤを介して電気的に接続される複数のリ
ードの一部を封止してなる半導体装置で、複数のリード
の半導体ベレット側の先端部が絶縁物質を介して連結さ
れるようにしたものである。The present invention also provides a semiconductor device comprising a semiconductor pellet and a portion of a plurality of leads electrically connected to the semiconductor pellet via bonding wires, wherein the tips of the plurality of leads on the semiconductor pellet side are sealed. They are connected via an insulating material.
上記した手段によれば、個々のリードの変形が防止され
るとともに、ボンディング時にリードの固定が確実に行
われ、さらに、複数のリードを連結する絶縁物質の外側
にボンディングワイヤを接続することにより、リードと
の短絡などを生じることなくボンディング部の幅寸法を
確保することが可能となり、リードの高密度化および微
細化に伴うワイヤボンディング時の困難を緩和すること
ができる。According to the above-described means, deformation of the individual leads is prevented, and the leads are reliably fixed during bonding.Furthermore, by connecting the bonding wire to the outside of the insulating material that connects the plurality of leads, It becomes possible to secure the width of the bonding portion without causing short circuits with the leads, and it is possible to alleviate difficulties during wire bonding due to increased density and miniaturization of leads.
また、上記した手段によれば、ボンディング不良のない
信頼性の高い半導体装置を提供することができる。Moreover, according to the above-described means, it is possible to provide a highly reliable semiconductor device free from bonding defects.
〔実施例１〕
第１図は本発明の一実施例であるリードフレームを示す
平面図であり、第２図はそれを用いた半導体装置の断面
図である。[Embodiment 1] FIG. 1 is a plan view showing a lead frame which is an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor device using the lead frame.
本実施例のリードフレームｌは、たとえば樹脂封止型の
フラットプラスチックパッケージ、すなわちＦＰＰ型の
半導体装置２に用いられるリードフレームとして構成さ
れており、第１図に示す形状のものを一単位として、左
右両方向に複数単位を連設した形状からなるものである
。The lead frame l of this embodiment is configured as a lead frame used for, for example, a resin-sealed flat plastic package, that is, an FPP type semiconductor device 2, and the shape shown in FIG. 1 is taken as one unit. It consists of a plurality of units arranged in both left and right directions.
リードフレーム１は四角形状の枠部３と、この枠部３の
各辺から中央方向に延設された複数のり−ド４と、この
複数のリード４の長さ方向の途中部分を互いに連結する
タイバー５とで構成されている。The lead frame 1 includes a rectangular frame portion 3, a plurality of leads 4 extending from each side of the frame portion 3 toward the center, and connecting intermediate portions of the plurality of leads 4 in the length direction to each other. It is composed of a tie bar 5.
また、リードフレーム１の中央部分には、前記複数のリ
ード４の内端部に取り囲まれた位置に矩形状のタブ６が
設けられており、このタブ６は該タブ６の四隅と枠部２
の四隅とを各々連結する複数のタブ吊りリード７により
支持されている。Further, a rectangular tab 6 is provided in the central portion of the lead frame 1 at a position surrounded by the inner ends of the plurality of leads 4.
It is supported by a plurality of tab suspension leads 7 that connect the four corners of the tab.
前記リード４のタイバー５に囲まれた内端部はインナー
リード４ａを形成している。The inner end portion of the lead 4 surrounded by the tie bar 5 forms an inner lead 4a.
この場合、タブ６を取り囲むインナーリード４ａの先端
は相互に、たとえばポリイミド樹脂などからなる耐熱性
の絶縁物質８を介して連結されている。In this case, the tips of the inner leads 4a surrounding the tabs 6 are connected to each other via a heat-resistant insulating material 8 made of, for example, polyimide resin.
このリードフレーム１は例えば、銅（Ｃｕ）、４２７０
イもしくはコバールからなる矩形状のシートにエツチン
グ処理を施して前記の複数のＩＪ−ド４などのパターン
を形成した後に、たとえばインナーリード４ａの先端に
図示しない治具を用いて連続的に液状のポリイミド樹脂
などの絶縁物質８を滴下して固化させることにより得る
ことができる。This lead frame 1 is made of copper (Cu), for example, 4270
After etching a rectangular sheet made of IJ-domain or Kovar to form a pattern such as the plurality of IJ-domains 4, for example, a liquid is continuously applied to the tip of the inner lead 4a using a jig (not shown). It can be obtained by dropping an insulating material 8 such as polyimide resin and solidifying it.
このように、本実施例のリードフレームｌにおいては、
複数のリード４のインナーリード４ａの先端部が絶縁物
質８を介して相互に連結されているため、リード４の高
密度化および微細化によって個々のり−ド４の剛性が比
較的低い場合などにおいても、搬送中などにおけるリー
ド４の変形が防止される。In this way, in the lead frame l of this example,
Since the tips of the inner leads 4a of the plurality of leads 4 are interconnected through the insulating material 8, it is possible to use the inner leads 4a in cases where the rigidity of each lead 4 is relatively low due to higher density and miniaturization of the leads 4. Also, deformation of the leads 4 during transportation etc. is prevented.
また、左右方向に連接される枠部３には所定の間隔で複
数の送り孔９が形成されており、後のボンディング工程
などにおいて送り爪などに係止されることにより、所定
のピッチでの搬送が容易に行われるように構成されてい
る。In addition, a plurality of feed holes 9 are formed at predetermined intervals in the frame portion 3 that is connected in the left-right direction, and by being locked with a feed pawl or the like in a later bonding process, etc. It is configured to be easily transported.
以下、本実施例の作用について説明する。The operation of this embodiment will be explained below.
まず、上記のようにして得られたリードフレーム１には
、タブ６上に図示しないペーストなどを介して半導体ベ
レット１０が搭載される。First, on the lead frame 1 obtained as described above, the semiconductor pellet 10 is mounted on the tab 6 via a paste (not shown) or the like.
その後、□リードフレーム１は図示しないボンディング
ステージ上に載置され、金等の導体からなるボンディン
グワイヤ１１を架設することによりベレットｌＯと個々
リード４のインナーリード４ａとの電気的な接続が行わ
れる。Thereafter, the lead frame 1 is placed on a bonding stage (not shown), and electrical connections are made between the bellet 1O and the inner leads 4a of the individual leads 4 by laying bonding wires 11 made of a conductor such as gold. .
このボンディングワイヤ１１の架設方法は図示しないが
、たとえば、ボンディングワイヤ１１の一端を加熱溶融
させてボールを形成し、該ボール部分をペレット１０の
図示しないパッド上に圧着した後、複数のインナーリー
ド４ａの先端部を連結する絶縁物質８を１いてループを
描くようにしてボンディングワイヤ１１を所定長さだけ
繰り出し、他端側を超音波振動を印加しながらインナー
リード４ａの所定部位に接合することにより行われるも
のである。Although the method for constructing the bonding wire 11 is not shown, for example, one end of the bonding wire 11 is heated and melted to form a ball, the ball portion is crimped onto a pad (not shown) of the pellet 10, and then a plurality of inner leads 4a are installed. By drawing out a predetermined length of the bonding wire 11 in a loop with the insulating material 8 connecting the tips thereof, and bonding the other end to a predetermined portion of the inner lead 4a while applying ultrasonic vibration. It is something that is done.
ここで、本実施例では、複数のインナーリード４ａの先
端部がポリイミド樹脂８を介して相互に連結されている
ため、リード４の高密度化および微纒化によって個々の
リード４の剛性が比較的低い場合などにおいても、たと
えばワイヤボンディング時に図示しない治具などによっ
て複数のインナーリード４ａのタイバー５の内側の近傍
をボンディングステージに押圧して固定する際にインナ
ーリード４ａの全体が確実に固定されるので、超音波振
動によりインナーリード４ａが揺動することなく、イン
ナーリード４ａとワイヤ１１との接合が確実に行われる
。In this embodiment, since the tips of the plurality of inner leads 4a are interconnected via the polyimide resin 8, the rigidity of the individual leads 4 can be compared by increasing the density and making the leads 4 finer. Even in cases where the accuracy is low, for example, when the inner leads 4a of the inner leads 4a are pressed and fixed near the inside of the tie bar 5 to the bonding stage using a jig (not shown) during wire bonding, the entire inner leads 4a can be securely fixed. Therefore, the inner lead 4a and the wire 11 are reliably joined without the inner lead 4a swinging due to ultrasonic vibration.
また、複数のインナーリード４ａの先端部を互いに連結
する絶縁物質８を跨いで、該インナーリード４ａの根元
側の比較的幅寸法が大きな部位にボンディングワイヤ１
１の一端が接続されるので、先端部の微細な部位に接続
する場合などに比較してボンディング不良などを生じる
ことなく、比較的容易かつ確実にボンディングワイヤ１
１の接続を行うことができるとともに、ボンディングワ
イヤ１１の下側には絶縁物質８が存在するので、半導体
ベレット１０と個々のり一ド４とを接続するボンディン
グワイヤ１１の変形が起こりにくく、ボンディングワイ
ヤ１１と複数のインナーリード４ａや半導体ペレット１
０の外縁部などとの短絡なども確実に防止される。Further, a bonding wire 1 is attached to a portion having a relatively large width on the base side of the inner leads 4a, straddling the insulating material 8 that connects the tips of the plurality of inner leads 4a to each other.
Since one end of the bonding wire 1 is connected, the bonding wire 1 can be connected relatively easily and reliably without causing bonding defects compared to cases where the bonding wire 1 is connected to a minute part at the tip.
1 connection can be made, and since the insulating material 8 is present under the bonding wire 11, deformation of the bonding wire 11 connecting the semiconductor pellet 10 and the individual glue 4 is difficult to occur, and the bonding wire 11 and a plurality of inner leads 4a and semiconductor pellets 1
Short circuits with the outer edge of 0 and the like are also reliably prevented.
その後、タイバー５に囲まれたインナーリード４ａおよ
びペレット１０がエポキシ樹脂等の封止材１２によって
モールドされ、さらにリード４を連結するタイバー５お
よび枠部３を切断・分離して、リード４のパッケージを
構成する封止材１２から突出した外端部を、たとえばＳ
字状に成形することによって、第２図に示されるように
本実施例の半導体装置２が得られる。Thereafter, the inner leads 4a and the pellet 10 surrounded by the tie bars 5 are molded with a sealing material 12 such as epoxy resin, and the tie bars 5 and the frame 3 that connect the leads 4 are cut and separated, and the leads 4 are packaged. For example, the outer end protruding from the sealing material 12 constituting the
By forming into a letter shape, the semiconductor device 2 of this example is obtained as shown in FIG.
また、このようにして得られた半導体装置２は、リード
４の数が比較的多く、半導体ペレット１０を搭載するタ
ブ６を取り囲むインナーリード４ａが高密度で微細であ
っても、半導体ペレット１０と複数のリード４とがボン
ディングワイヤ１１を介して確実に接続されるので、信
頼性が向上される。Further, the semiconductor device 2 thus obtained has a relatively large number of leads 4, and even though the inner leads 4a surrounding the tab 6 on which the semiconductor pellet 10 is mounted are dense and fine, the semiconductor pellet 10 and Since the plurality of leads 4 are reliably connected via the bonding wires 11, reliability is improved.
このように、本実施例においては以下の効果を得ること
ができる。In this way, the following effects can be obtained in this embodiment.
（１）、複数のインナーリード４ａの先端部がポリイミ
ド樹脂８を介して相互に連結されているため、リード４
の高密度化および微細化によって個々のり−ド４の剛性
が比較的低い場合などにおいても、たとえばワイヤボン
ディング時に図示しない治具などによって複数のインナ
ーリード４ａのタイバー５の内側の近傍をボンディング
ステージに押圧して固定する際にインナーリード４ａの
全体が確実に固定されるので、超音波振動によりインナ
ーリード４ａが揺動することなく、リード４とワイヤ１
１との接合が確実に行われる。(1) Since the tips of the plurality of inner leads 4a are interconnected via the polyimide resin 8, the leads 4
Even when the rigidity of each individual lead 4 is relatively low due to higher density and miniaturization, for example, when wire bonding, the vicinity of the inside of the tie bar 5 of the plurality of inner leads 4a can be used as a bonding stage using a jig (not shown) or the like. When pressing and fixing, the entire inner lead 4a is securely fixed, so the inner lead 4a does not swing due to ultrasonic vibration, and the lead 4 and wire 1
The bonding with 1 is ensured.
また、複数のインナーリード４ａの先端部を互いに連結
する絶縁物質８を跨いで、該インナーリード４ａの根元
側の比較的幅寸法が大きな部位にボンディングワイヤ１
１の一端が接続されるので、先端部の微細な部位に接続
する場合などに比較してボンディング不良などを生じる
ことなく、比較的容易かつ確実にボンディングワイヤ１
１の接続を行うことができるとともに、ボンディングワ
イヤ１１の下側には絶縁物質８が存在するので、半導体
ペレット１０と個々のリード４とを接続するボンディン
グワイヤ１１の変形が起こりにくく、ボンディングワイ
ヤ１１と複数のインナーリード４ａや半導体ペレット１
０の外縁部などとの短絡なども確実に防止される。Further, a bonding wire 1 is attached to a portion having a relatively large width on the base side of the inner leads 4a, straddling the insulating material 8 that connects the tips of the plurality of inner leads 4a to each other.
Since one end of the bonding wire 1 is connected, the bonding wire 1 can be connected relatively easily and reliably without causing bonding defects compared to cases where the bonding wire 1 is connected to a minute part at the tip.
1 connection, and since the insulating material 8 exists under the bonding wire 11, deformation of the bonding wire 11 connecting the semiconductor pellet 10 and the individual leads 4 is difficult to occur, and the bonding wire 11 and a plurality of inner leads 4a and semiconductor pellets 1
Short circuits with the outer edge of 0 and the like are also reliably prevented.
さらに、搬送中などにおけるリード４の変形が防止され
る。Furthermore, deformation of the lead 4 during transportation or the like is prevented.
（２）、前記（１）の結果、リード４の高密度化および
微細化に伴うワイヤボンディング時の困難を緩和するこ
とができる。(2) As a result of the above (1), it is possible to alleviate the difficulties in wire bonding due to the increased density and miniaturization of the leads 4.
（３）、前記（１）の結果、ワイヤボンディング時にお
ける不良などのない信頼性の高い半導体装置２を提供す
ることができる。(3) As a result of (1) above, it is possible to provide a highly reliable semiconductor device 2 free from defects during wire bonding.
〔実施例２〕
第３図は本発明の他の実施例でありリードフレーム１ａ
の平面図であり、第４図はそれを用いた半導体装置２ａ
の断面図である。[Embodiment 2] FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, in which a lead frame 1a
FIG. 4 is a plan view of a semiconductor device 2a using the same.
FIG.
本実施例２にふいては、複数のリード４のインナーリー
ド４ａの先端部を連結する絶縁物質８ａを介して、該複
数のインナーリード４ａを半導体ペレット１０が搭載さ
れるタブ６に連結したものである。In the second embodiment, a plurality of inner leads 4a are connected to a tab 6 on which a semiconductor pellet 10 is mounted via an insulating material 8a that connects the tips of the inner leads 4a of the plurality of leads 4. It is.
これにより、リードフレーム１ａにおいて、複数のリー
ド４のインナーリード４ａのボンディング時における固
定およびボンディングワイヤ１１の変形防止、さらには
ボンディングワイヤ１１と複数のインナーリード４ａと
の短絡の防止などがより効果的に行われるとともに、半
導体装置２ａの信頼性をより向上させることができる。This makes it more effective to fix the inner leads 4a of the plurality of leads 4 during bonding, to prevent deformation of the bonding wire 11, and to prevent short circuits between the bonding wire 11 and the plurality of inner leads 4a in the lead frame 1a. In addition, the reliability of the semiconductor device 2a can be further improved.
このように本実施例２においては以下の効果を得ること
ができる。As described above, in the second embodiment, the following effects can be obtained.
（１〕、リードフレームｌａにおいて、複数のり一ド４
のインナーリード４ａの先端部を連結する絶縁物質８ａ
を介して、該複数のインナーリード４ａを半導体ペレッ
ト１０が搭載されるタブ６に連結することにより、複数
のり−ド４のインナーリード４ａのボンディング時にお
ける固定およびボンディングワイヤ１１の変形防止、さ
らにはボンディングワイヤ１１と複数のインナーリード
４ａや半導体ペレット１０の外縁部などとの短絡の防止
などをより効果的に行うことができる。(1) In the lead frame la, a plurality of glued 4
An insulating material 8a connecting the tips of the inner leads 4a of
By connecting the plurality of inner leads 4a to the tab 6 on which the semiconductor pellet 10 is mounted, the inner leads 4a of the plurality of leads 4 can be fixed during bonding and the bonding wire 11 can be prevented from being deformed. Short circuits between the bonding wire 11 and the plurality of inner leads 4a, the outer edges of the semiconductor pellets 10, etc. can be more effectively prevented.
（２）、前記（１）の結果、より信頼性の高い半導体装
置２ａを提供することができる。(2) As a result of the above (1), a more reliable semiconductor device 2a can be provided.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.
たとえば、絶縁物質８または絶縁物質８ａとしては、ポ
リイミド樹脂などに限らず他のいかなるものであっても
よい。For example, the insulating material 8 or the insulating material 8a is not limited to polyimide resin, but may be any other material.
さらに、絶縁物質８ａを半導体ペレット１０が搭載され
るタブ６の全面に被着させてもよい。Furthermore, the insulating material 8a may be applied to the entire surface of the tab 6 on which the semiconductor pellet 10 is mounted.
また、インナーリード４ａの先端部の上下面に絶縁物質
８または絶縁物質８ａを被着させてもよい。Further, the insulating material 8 or the insulating material 8a may be applied to the upper and lower surfaces of the tip portion of the inner lead 4a.
また、半導体装置２および半導体装置２ａとしてはフラ
ットプラスチックパッケージ型に限らず、たとえばデュ
アルインライン型（Ｄ Ｉ Ｌ型）など、いかなるもの
であってもよい。Furthermore, the semiconductor device 2 and the semiconductor device 2a are not limited to the flat plastic package type, but may be of any type, such as a dual in-line type (DIL type).
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の組立に
おけるリードフレームおよびそれを用いた半導体装置に
適用した場合について説明したが、これに限定されるも
のではなく、一般の組立技術に広く適用できる。In the above description, the invention made by the present inventor has been mainly applied to a lead frame used in the assembly of semiconductor devices, which is the background field of application, and a semiconductor device using the same, but the invention is limited to this. It can be widely applied to general assembly techniques.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、枠部から該枠部の中央方向に複数のリードが
延設されてなるリードフレームであって、前記複数のリ
ード先端部が絶縁物質を介して連結されているため、個
々のリードの変形が防止されるとともに、ボンディング
時にリードの固定が確実に行われ、さらに、複数のリー
ドを連結する絶縁物質の外側にボンディングワイヤを接
続することにより、リードとの短絡などを生じることな
くボンディング部の幅寸法を確保することが可能となり
、リードの高密度化および微細化に伴うワイヤボンディ
ング時の困難を緩和することができる。That is, it is a lead frame in which a plurality of leads extend from a frame portion toward the center of the frame portion, and since the tips of the plurality of leads are connected via an insulating material, deformation of each lead is prevented. In addition, by connecting the bonding wire to the outside of the insulating material that connects multiple leads, the bonding part can be fixed without causing short circuits with the leads. It becomes possible to secure the width dimension, and it is possible to alleviate difficulties in wire bonding due to increased density and miniaturization of leads.
また本発明は、半導体ペレットと該半導体ペレットにボ
ンディングワイヤを介して電気的に接続される複数のリ
ードの一部を封止してなる半導体装！であって、前記複
数のリードの前記半導体ペレット側の先端部が絶縁物質
を介して連結されて′Ｊ）るため、リードの数量の増加
などに伴うボンディング不良などのない信頼性の高い半
導体装置を提供することができる。Further, the present invention provides a semiconductor device formed by sealing a semiconductor pellet and a portion of a plurality of leads electrically connected to the semiconductor pellet via bonding wires! Since the tips of the plurality of leads on the semiconductor pellet side are connected via an insulating material, a highly reliable semiconductor device is free from bonding defects caused by an increase in the number of leads. can be provided.
第１図は本発明の一実施例であるリードフレームを示す
平面図、
第２図はそれを用いた半導体装置の断面図、第３図は本
発明の他の実施例であるリードフレームを示す平面図、
第４図はそれを用いた半導体装置の断面図である。
１．１ａ・・・リードフレーム、２．２ａ・・・半導体
装置、３・・・枠部、４・・・リード、４ａ・・・イン
ナーリード、５・・・タイバー、６・・・タブ、７・・
・タブ吊りリード、８．８ａ・・・絶縁物質、９・・・
送り孔、１０・・・半導体ペレット、１１・・・ボンデ
ィングワイヤ、１２・・・封止材（パッケージ）。
代理人 弁理士 小 川 勝 ′男
第 １ 図
第 ２ 因
Ｉ′ｚ−二′ｒ止ネオ
第 ３ 図
第 ４ 図Fig. 1 is a plan view showing a lead frame which is an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a sectional view of a semiconductor device using the lead frame, and Fig. 3 is a plan view showing a lead frame which is another embodiment of the invention. FIG. 4 is a plan view and a cross-sectional view of a semiconductor device using the same. 1.1a... Lead frame, 2.2a... Semiconductor device, 3... Frame, 4... Lead, 4a... Inner lead, 5... Tie bar, 6... Tab, 7...
・Tab suspension lead, 8.8a...Insulating material, 9...
Feed hole, 10... Semiconductor pellet, 11... Bonding wire, 12... Sealing material (package). Representative Patent Attorney Masaru Ogawa Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4
Claims (1)
れてなるリードフレームであって、前記複数のリード先
端部が絶縁物質を介して連結されていることを特徴とす
るリードフレーム。 ２、前記絶縁物質が耐熱性樹脂であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム。 ３、前記複数のリード先端部によって取り囲まれる位置
に半導体ペレットが搭載されるタブが設けられ、前記絶
縁物質を介して先端部が連結された前記複数のリードが
該絶縁物質を介して前記タブに連結されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム。 ４、半導体ペレットと該半導体ペレットにボンディング
ワイヤを介して電気的に接続される複数のリードの一部
を封止してなる半導体装置であって、前記複数のリード
の前記半導体ペレット側の先端部が絶縁物質を介して連
結されていることを特徴とする半導体装置。５、前記絶
縁物質が耐熱性樹脂であることを特徴とする特許請求の
範囲第４項記載の半導体装置。 ６、前記複数のリードの先端部によって取り囲まれる位
置に前記半導体ペレットを搭載するタブが設けられ、前
記絶縁物質を介して前記半導体ペレットを取り囲む先端
部が連結された複数のリードが該絶縁物質を介して前記
タブに連結されていることを特徴とする特許請求の範囲
第４項記載の半導体装置。[Scope of Claims] 1. A lead frame in which a plurality of leads extend from a frame toward the center of the frame, and the tips of the plurality of leads are connected via an insulating material. A lead frame featuring 2. The lead frame according to claim 1, wherein the insulating material is a heat-resistant resin. 3. A tab on which a semiconductor pellet is mounted is provided at a position surrounded by the plurality of lead tips, and the plurality of leads whose tips are connected via the insulating material are attached to the tab via the insulating material. The lead frame according to claim 1, wherein the lead frame is connected. 4. A semiconductor device comprising a semiconductor pellet and a portion of a plurality of leads electrically connected to the semiconductor pellet via bonding wires, the tips of the plurality of leads on the side of the semiconductor pellet; A semiconductor device characterized in that these are connected via an insulating material. 5. The semiconductor device according to claim 4, wherein the insulating material is a heat-resistant resin. 6. A tab for mounting the semiconductor pellet is provided at a position surrounded by the tips of the plurality of leads, and the plurality of leads, the tips of which surround the semiconductor pellet connected through the insulating material, cover the insulating material. 5. The semiconductor device according to claim 4, wherein the semiconductor device is connected to the tab via a semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30646886A JPS63160262A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30646886A JPS63160262A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160262A true JPS63160262A (en) | 1988-07-04 |
Family
ID=17957376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30646886A Pending JPS63160262A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160262A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209861A (en) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Mitsui High Tec Inc | Semiconductor device |
| JPH0450497U (en) * | 1990-08-28 | 1992-04-28 | ||
| JPH05226571A (en) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Adhesive sheet for fixing lead-frame and method of fixing inner lead |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP30646886A patent/JPS63160262A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209861A (en) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Mitsui High Tec Inc | Semiconductor device |
| JPH0450497U (en) * | 1990-08-28 | 1992-04-28 | ||
| JPH05226571A (en) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Adhesive sheet for fixing lead-frame and method of fixing inner lead |
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