JP2677299B2 - 導電性液晶組成物及びその製造方法並びにそれを用いた導電性液晶配向膜 - Google Patents

導電性液晶組成物及びその製造方法並びにそれを用いた導電性液晶配向膜

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、溶液異方性(Lyot
ropic)がある導電性高分子液晶組成物及びその製
造方法、並びに、これを利用した液晶表示装置の導電性
高分子液晶配向膜に関するものである。更に詳細には、
溶液状態で液晶性であり、加工性に優れた導電性高分子
液晶組成物を製造し、これを利用して液晶表示装置の製
作時においても静電気が発生しない導電性高分子液晶配
向膜に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶物質を利用した平板の表示素子は、
計算機、コンピューター、TV等の各種電子機器に利用
されて、重要な情報を伝達するために使用される先端技
術分野の製品に使用される可能性が大であることから、
この種の研究については関心が大きく、特に注目されて
いる。このような表示装置に用いられる液晶物質として
は、各種方法によって処理された配向膜によって製造さ
れており、この様な配向膜の表面処理方法としては、例
えば、摩擦方法、延伸法又はLB膜処理法等が知られて
いる(Chem.Lett.1991,1351)。け
れども、上記配向膜の表面処理方法を工業的に直ちに実
施するには、経済的、技術的な諸問題が存在しており、
特に配向膜表面を摩擦して液晶を配向させる方法では、
配向膜が主として絶縁物質であるために、配向膜が摩擦
されている間に静電気が生じて、この静電気がごみを吸
引してしまうので、半導体素子や他の光学的電子素子の
正常な作動を破壊して、故障を起こさせる等の欠点があ
る。
【0003】従って、この様な配向膜の静電気の発生を
完全に阻止しようとするには、導電性の配向膜を開発し
なければならないが、その一例として、電解重合によっ
て導電性ガラス上に生成された導電性高分子膜を摩擦し
て液晶を配向させる方法が特開平3−235919号公
報にて報告されている。この様な導電性高分子配向膜
は、従来の絶縁性膜の問題点である静電気発生の問題
と、これによって生じるごみ吸着の問題を解決すること
ができ、更に、それ自体が導電性であるので、印加電圧
を低くすることができる等の多くの技術的優位性を有し
ている。しかしながら、この様な公知の導電性高分子配
向膜は、電解重合時の電解質によって導電性透明ガラス
(ITO glass)を腐食させて、導電性高分子配
向膜とガラスとの間の接着力を低下させるので、導電性
高分子配向膜がガラス電極面から剥離されたり、また、
電解質イオン又はドーパントが導電性高分子配向膜内に
残存しているので、液晶素子の作動時に液晶中へイオン
が溶出されてくるので、液晶素子の寿命を短縮する可能
性があった。その上、電解重合により生成された導電性
高分子膜を摩擦する際に、高分子間の結束力と機械的強
度が低下するために壊れ易くなることから、良好な性能
の導電性高分子配向膜を製造することが困難であった。
この様な問題点を解決するために、スピンコーティング
又は浸漬法(dipcoating)を採用することが
できる加工性の高い導電性高分子を使用しなければなら
なく、液晶の配向性を高くするためには導電性高分子自
体が異方性を有していることが好ましい。特に導電性高
分子が液晶性であれば、導電性が高くなり、強度が高く
なるだけでなく、加工性が良好である等の多くの優れた
特性を期待することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これらのことから、本
発明者等は、液晶性があって、加工性に優れた導電性高
分子液晶組成物及びその製造方法と、これを使用した導
電性液晶配向膜の開発を試みた。一般に、導電性高分子
に液晶性を付与させるためには、液晶溶融点以上の温度
で溶融して異方性を持たせるか、溶液に溶かして溶液内
で異方性を持たせる様ににするかしなければならない。
しかしながら、ポリピロール又はポリチオフェン等の大
部分の導電性高分子は、化学的、電気的に不安定なもの
であり、溶媒に良く溶けなく、しかも、熱に対しても不
安定であるので、溶液状態の液晶性は勿論のこと、溶融
状態での液晶性も発見することができない。
【0005】一方、溶媒に溶かし、加工性が向上された
導電性高分子の合成の一例として、導電性高分子化合物
の側鎖に鎖長が長いアルキル基又は極性作用基を導入す
る方法が知られている。その様な代表的な具体例とし
て、ポリ(3,3´−チエニルプロパンスルフォン酸)
を挙げることができ、チオフェン高分子の枝にスルフォ
ン酸基等の様なド−パントとして使用できる作用基を導
入すると、水溶液状で方向性を持つことが報告されてい
る(Mol.Cryst.Lig.Cryst.,19
88、160、121)。しかし、この様なチオフェン
高分子は酸化安定性が低く、単量体の製造時に多くの製
造工程を経る必要があるとの問題点がある。また、ポリ
アニリンは空気中で安定しており、しかも、導電性が高
いので、センサー、光電池、電気変色表示素子、プラス
チック蓄電池等の多くの用途に使用され得るが、加工性
が悪いので、配向膜としてはそのままの状態で使用する
ことができないとの欠点がある。
【0006】一方、最近開発されたポリアニリンと樟脳
スルフォン酸塩(camphorsulfonate)
との混合物は、メタクレゾールで液晶性があることが報
告されたことがあるが(Polymer、1993、3
4、3139)、この場合、ポリアニリンは導電性が最
も良いエメラルヂン塩状態、即ち、ドーピングされた状
態では溶媒に溶けないので、合成されたポリアニリンを
還元させて加工した後、再びドーピングさせなければな
らないとの問題点がある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
[発明の概要]本発明者等は、上記問題点を解決するた
めに、本発明者が先に発明した酸化安定性に優れた導電
性高分子(大韓民国特許出願第92−23786号)の
加工性と光学的特性を研究した結果、導電性高分子の側
鎖に付いているアルキルスルフォン酸塩基が酸化された
高分子自体のドーパントとして作用する時に、溶液状で
分子が均一に配列される液晶性を有していることを発見
して、本発明を完成するに至ったものである。
【0008】すなわち、本発明の導電性液晶組成物は、
下記構造式(I)で表わされるポリアニリンアルキルス
ルフォン酸塩と極性溶媒とからなり、該ポリアニリンア
ルキルスルフォン酸塩の濃度を40〜90重量%の範囲
内に調製して、溶液異方性を付与させたことを特徴とす
るものである。 構造式(I)
【0009】
【化9】
【0010】(式中のR1 は−(CH2 −(nは2
〜12の整数)であり、R2 、R3 、R4 、R5 は全て
水素であるか、若しくは、その中の1〜2個がハロゲン
(ハロゲンは弗素、塩素、臭素又は沃素を表わす。)、
又は、メチル基、ニトロ基、メトキシ基であり、Xは水
素又はナトリウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金
属イオン、又は、アンモニウム乃至テトラメチルアンモ
ニウム、テトラエチルアンモニウム等のアルキルアンモ
ニウムイオン、又は、構造式(II)
【0011】
【化10】
【0012】で表わされるアニリン誘導体のアンモニウ
ムイオンを表わし、yは導電性高分子のドーピングされ
た程度を示す値であり、0.3〜1.0の数値を表わ
す。)
【0013】また、本発明のもう一つの発明である導電
性液晶組成物の製造方法は、ポリアニリンアルキルスル
フォン酸塩を、化学的方法又は電気化学的方法によっ
て、下記の構造式(I)中のyの値が0.3〜1.0に
なるまで酸化させた後、これを極性溶媒に溶解させて、
その酸化されたポリアニリンアルキルスルフォン酸塩の
濃度を40〜90重量%の範囲内に調製することを特徴
とするものである。 構造式(I)
【0014】
【化11】
【0015】(式中のR1 は−(CH2 −(nは2
〜12の整数)であり、R2 、R3 、R4 、R5 は全て
水素であるか、若しくは、その中の1〜2個がハロゲン
(ハロゲンは弗素、塩素、臭素又は沃素を表わす。)、
又は、メチル基、ニトロ基、メトキシ基であり、Xは水
素又はナトリウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金
属イオン、又は、アンモニウム乃至テトラメチルアンモ
ニウム、テトラエチルアンモニウム等のアルキルアンモ
ニウムイオン、又は、構造式(II)
【0016】
【化12】
【0017】で表わされるアニリン誘導体のアンモニウ
ムイオンを表わし、yは導電性高分子のドーピングされ
た程度を示す値であり、0.3〜1.0の数値を表わ
す。)
【0018】更に、本発明のもう一つの発明である導電
性液晶配向膜は、下記の構造式(I)中のyの値が0.
3〜1.0になるまで酸化させて得られたドーピングさ
れたポリアニリンアルキルスルフォン酸塩を、極性溶媒
に溶解してなる濃度が1〜40%の稀薄溶液を、濾過し
て不溶物を除去した後、薄膜の形態に加工すると共に乾
燥させて、再度40〜90重量%の濃度に濃縮させるこ
とを特徴とするものである。 構造式(I)
【0019】
【化13】
【0020】(式中のR1 は−(CH2 −(nは2
〜12の整数)であり、R2 、R3 、R4 、R5 は全て
水素であるか、若しくは、その中の1〜2個がハロゲン
(ハロゲンは弗素、塩素、臭素又は沃素を表わす。)、
又は、メチル基、ニトロ基、メトキシ基であり、Xは水
素又はナトリウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金
属イオン、又は、アンモニウム乃至テトラメチルアンモ
ニウム、テトラエチルアンモニウム等のアルキルアンモ
ニウムイオン、又は、構造式(II)
【0021】
【化14】
【0022】で表わされるアニリン誘導体のアンモニウ
ムイオンを表わし、yは導電性高分子のドーピングされ
た程度を示す値であり、0.3〜1.0の数値を表わ
す。)
【0023】[発明の具体的説明] [I] 導電性液晶組成物 (1) 構成成分 (a) ドーピングされた導電性高分子構 造 本発明の導電性液晶組成物において使用されるドーピン
グされた導電性高分子は、下記の構造式(I)に表わさ
れるものである。構造式(I)
【0024】
【化15】
【0025】(式中のR1 は−(CH2 −(nは2
〜12の整数)であり、R2 、R3 、R4 、R5 は全て
水素であるか、若しくは、その中の1〜2個がハロゲン
(ハロゲンは弗素、塩素、臭素又は沃素を表わす。)、
又は、メチル基、ニトロ基、メトキシ基であり、Xは水
素又はナトリウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金
属イオン、又は、アンモニウム乃至テトラメチルアンモ
ニウム、テトラエチルアンモニウム等のアルキルアンモ
ニウムイオン、又は、構造式(II)
【0026】
【化16】
【0027】で表わされるアニリン誘導体のアンモニウ
ムイオンを表わし、yは導電性高分子のドーピングされ
た程度を示す値であり、0.3〜1.0、好ましくは
0.3〜0.8、特に好ましくは0.4〜0.8の値を
示すものである。) 上記構造式(I)において、yの値が0ならばポリアニ
リン系が全く酸化されていない状態のポリアニリンアル
キルスルフォン酸塩を意味し、yが0を超える数値であ
るならば、その一部が酸化されている。特に、そのyの
値が0.5の時は、その中の二分の一が酸化されたエメ
ラルヂン塩状態のものとなり、導電性が最も高くなる。
しかし、構造式(I)中のyの値が0.3未満の場合は
導電性が低くなるとの欠点が生じ、yの値が1.0を超
える場合、即ち、酸化が50%を超える場合には、過剰
酸化による物性低下が生じるとの欠点がある。上記ドー
ピングされた導電性高分子の分子量(数平均分子量)
は、一般に2,000〜100,000、好ましくは
3,000〜30,000、特に好ましくは3,500
〜12,000のものが用いられる。上記ドーピングさ
れた導電性高分子の分子量が、上記範囲より少な過ぎる
と薄膜形成が良くできないとの傾向があり、また、上記
範囲より多過ぎると溶媒に溶解し難いとの傾向がある。
【0028】変 性 上記の様にドーピングされた導電性高分子は、公知の方
法で製造されたポリアニリンアルキルスルフォン酸塩重
合体を化学的又は電気化学的に酸化させることにより製
造することができる。
【0029】物 性 上記ドーピングされたポリアニリンアルキルスルフォン
酸塩の化学的な構造は、以下に示す赤外線分光吸収スペ
クトルのC=C振動波数に該当するピーク及びX線分析
の放出エネルギーにより確認することができる。図1の
(a)は、ドーピングされたポリアニリンブチルスルフ
ォン酸塩の赤外線分光吸収スペクトル分析により描かれ
た図面であり、この赤外線分光吸収スペクトルのデータ
から、ベンゼン環とキノイドのC=C振動波数に該当す
るピークが、各々1,480と1,590とに表われて
おり、このピークのサイズの比率は1:1であり、yが
約0.5に該当する値を持つものを表わしている。図1
の(b)はX線によって窒素原子に属する電子の放出エ
ネルギーを表わす図面であり、ここでも399eVでベ
ンゼン環に繋いでいる窒素原子と410eVでキノイド
型ユニットの比が1:1で表わされており、これらのデ
ータからドーピングされた構造であることを知ることが
できる。
【0030】(b) 極性溶媒 本発明の導電性液晶組成物には極性溶媒が使用される。
上記極性溶媒としては、例えば、水、ジメチルスルフォ
ン酸塩、ジメチルアセトアミド、N−ジメチルピロリド
ン、メチルアルコール、エチルアルコール等を挙げるこ
とができる。これら極性溶媒の中でも、特に水を用いる
ことが好ましい。
【0031】(2) 導電性液晶組成物の調製 上記ドーピングされた導電性高分子を、即ち、酸化によ
ってドーピングされたポリアニリンアルキルスルフォン
酸塩を、上記極性溶媒に溶解させて、その濃度を40〜
90重量%の範囲に調製する。
【0032】(3) 物 性 上記調製によって得られた導電性液晶組成物には、溶液
異方性を付与させることができる。
【0033】(4) その他の配合剤 上記導電性液晶組成物には、耐熱特性、機械的特性、加
工特性等を改善するために、公知の方法によって、酸化
防止剤、紫外線安定剤、染料及び顔料、増粘剤等のよう
な各種添加剤及び/又は充填剤等を添加することもでき
る。
【0034】[II] 導電性液晶組成物の製造方法 本発明の導電性液晶組成物は、前記構造式(I)で表わ
される導電性高分子を極性溶媒に溶かして製造された溶
液状のものであり、その製造方法としては、例えば、以
下に示す方法によって製造することができる。 (1) ポリアニリンアルキルスルフォン酸塩の製造 本発明の導電性液晶組成物の原材料として用いられるポ
リアニリンアルキルスルフォン酸塩は、種々の製造方法
を挙げることができるが、一般に、ドーパントとしてH
Clを用いて、アニリンを電解重合させることによって
ポリアニリンを製造し、このポリアニリンにアルキルス
ルフォン酸を加えて反応させることによって容易に製造
することができる。
【0035】(2) ドーピング(変性化) ポリアニリンアルキルスルフォン酸塩を、公知の化学的
方法又は電気化学的方法で、上記構造式(I)中のyの
値が0.3〜1.0となる様に酸化させる。具体的に
は、例えば、10%の過塩素酸水溶液と0.117の過
塩素酸ナトリウム塩のアセトニトリル溶液中で作用電極
電位0.5にしたり、過硫酸アンモニウム塩の溶液中で
6時間攪拌する等の条件下で酸化される。
【0036】(3) 導電性液晶組成物の製造 上記ドーピングされたポリアニリンアルキルスルフォン
酸塩を、極性溶媒に溶かして、先ず、その濃度が1〜4
0重量%、好ましくは10〜30、特に好ましくは10
〜20の導電性高分子の稀薄溶液を製造し、そして、該
稀薄溶液に含まれる不溶物を濾過し、この溶液を薄膜の
形態に加工した後、溶媒を蒸発させる方法によって濃縮
して、その濃度が40〜90%溶液の導電性液晶組成物
を製造する。この場合においても、導電性高分子の液晶
性を利用するためには、溶液の濃度を40〜90%、好
ましくは40〜70、特に好ましくは45〜60の範囲
内に加工しなければならない。上記濃度が40%未満で
あると樹脂組成物の液晶性が発見されるのが難しく、ま
た、上記濃度が90%を超過すると粘度上昇等による加
工性の低下が生じる。
【0037】(4) 成 形 上記導電性液晶組成物を、再び、薄膜の形態に加工する
ことによって、導電性液晶組成物の薄膜を製造すること
ができる。
【0038】[III] 導電性液晶配向膜 (1) 配 向 上記導電性液晶組成物は、透明導電性ガラス電極又は液
晶表示素子に使用することができる様に、各種電極上
に、公知の方法によって、薄膜の形態等に加工すること
ができる。例えば、上記の導電性液晶組成物を透明導電
性ガラス電極上に、スピンコーティング又は印刷による
コーティング等の方法で薄く塗布した後、濃度が40〜
90重量%の溶液状の導電性液晶組成物薄膜を、刃又は
ガラス板の様な面で、粘性の溶液を押し出すと、この方
向に従って液状組成物が配向し、これを空気中又は減圧
下で常温又は150℃以下、好ましくは20〜80℃の
温度で乾燥すると、溶媒が蒸発すると共に、導電性高分
子が配向されている状態を維持する導電性配向膜を製造
することができる。この場合150℃を超える温度で乾
燥すれば、熱による薄膜の導電性が減少する。
【0039】(2) 物 性 上記導電性液晶組成物は光学的異方性を有するものとな
るが、これは、以下に示す様な偏光顕微鏡又はX線回折
分光法によって確認することができる。図2は、ドーピ
ングされたポリアニリンブチルスルフォン酸塩溶液をガ
ラス基板に滴下した後、カバーガラスで押すことにより
延伸された本発明の導電性液晶配向膜は、結晶構造を偏
光顕微鏡で撮影された写真でる。延伸後、直ぐに均一に
配向された液晶組成物が現れ、溶液内でゆっくり流動し
ながら1時間後には棒状のスメチック型の液晶構造が現
れる。再び、カバーガラスを片方側から押すと、初めの
延伸後と同じ均一な配向構造のものが生成される。上記
溶液状の高分子化合物をガラス板又は刃で片方の側から
押すと、一定方向に配列された配向膜が得られる。これ
は使用される用途によって液晶物質を片方の側だけの配
向性を増加させるための方法に採用することができる。
このような配向膜をゆっくり乾燥させると、配向性が保
たれたままの状態であることから、乾燥された液晶配向
膜を製造することができる。また、常温で乾燥させた
後、200℃まで温度を上げる場合においても配向性が
保たれるので、安定した液晶配向膜を製造することがで
きる。また、コーティングされたフィルムを製造する場
合においても剥離が起こらない。
【0040】本発明によって製造された導電性液晶高分
子配向膜の温度変化に伴う安定度を、偏光顕微鏡を通じ
て測定すると、図3にて示す様な、偏光顕微鏡写真を撮
影することができる。すなわち、常温及び200℃の温
度で熱処理した場合においても、ほとんど変わりがな
く、いずれの場合も配向膜の方向性を維持することが理
解できる。リクリルライト(LICRILITE)ビー
エル(BL)001液晶(独日MERCK社製品)を、
本発明の導電性高分子配向膜間で配向させて製造した液
晶表示素子の光透過度を液晶素子の偏光板に対する角度
変化によって観察すると、図4で示す様な、結果が得ら
れる。すなわち、液晶素子の角度が偏光板に対して、
0、90、180、360度であるときに、光透過度が
最小であり、22.5、67.5、112.5、15
7.5、202.5、247.5、292.5、33
7.5度であるときに、中間程度であり、45、13
5、225、315度であるときに、光透過度が最大を
示す。また、45度回転する毎に、同じ色対比結果が周
期的に観察されるのはリクリルライト(LICRILI
TE)ビーエル(BL)001液晶が導電性配向膜間で
効果的に配向されていることを表わしている。
【0041】(3) 用 途 本発明によって製造された導電性液晶組成物は、溶液状
態で、又は、溶媒を除去した後、フィルムの形態で加工
することができ、導電性高分子の液晶性を利用する一般
的な表示装置及び情報記憶装置に活用することができ
る。この一例として、本発明の導電性液晶高分子配向膜
は、ポリイミド又はポリイミドエルビー(LB)膜等の
ような配向膜を利用して配向される既存の液晶だけでな
く、配向性が強い配向膜を利用しなければならない強誘
電性液晶、ツイストネマチック配列の液晶、或いは、ケ
スト−ホスト液晶等の配向に摩擦方法を使用しなくても
効果的に適用することができる。
【0042】すなわち、上記の様な透明電極上に製造さ
れた導電性高分子配向膜2枚を互いに平行に配列し、こ
の間に液晶を位置させると液晶が配向膜間で配向され
る。本発明の導電性液晶配向膜を用いた液晶表示素子
は、図5に表わされる様な液晶表示装置に利用すること
ができる。図5において、1と7は両者間に間隔を開け
た平行する偏光板であり、2と6は透明導電性ガラスで
あり、3と5は2と6の導電性ガラス上に積層された導
電性高分子配向膜で、この配向膜はその配向方向がお互
いに直交するように位置されて積層されており、4は強
誘電液晶(FLS)、スーパーツイスチドネマチッグ液
晶(STN)、ツイスチドネマチッグ液晶(TN)等の
一般的な液晶表示装置に使用することができる液晶であ
る。
【0043】
【実施例】以下に示す実施例及び比較例からなる実験例
によって、本発明を具体的に説明するが、本発明は以下
の実験例に限定されるものではない。 実施例1〜2電気的にドーピングされた導電性高分子の合成 アニリンブチルスルフォン酸塩を大韓民国特許第92−
23786号に記載される通り、過硫酸アンモニウムを
酸化剤として使用して水溶液中で重合して得られた平均
分子量が7,500のポリアニリンブチルスルフォン酸
塩を、水に溶解させて高分子ペースト(濃度70重量
%)を製造した。次に、この高分子ペーストを、白金電
極(横2cm、縦5cmの白金板)上にコーティングし
て作用電極として使用するか(実施例1)、或いは、ア
ニリンブチルスルフォン酸塩を大韓民国特許第92−2
3786号明細書に記載される通りアセトニトリル溶液
中で電極化学的方法で重合させて白金電極上にコーティ
ングし、このポリアニリンブチルスルフォン酸塩がコー
ティングされた白金電極を作用電極として使用する(実
施例2)。これらの作用電極を10%過塩素酸水溶液と
0.1Mの過塩素酸ナトリウム塩のアセトニトリル溶液
が入っている通常の三電極式(作用電極、対極及び参照
電極)電気化学装置の中へ浸した。対極が白金網、Ag
/AgClを参照電極として用い、作用電極の電位を
0.5Vにて固定した後で電流を流すと、黒色のドーピ
ングされた高分子重合体膜が生成する。そして、約30
分後に電源を取り去り、作用電極に形成された黒色のド
ーピングされた高分子重合体(ドーピング程度:y=約
0.5)を相当量のアセトニトリルで洗浄し、真空乾燥
後に電極から剥離させた。
【0044】また、これによって得られたドーピングさ
れた高分子重合体の電導度は、4針法(4−probe
method)により測定したところ、実施例1及び
2が共に6×10-5S/cmであり、この黒色のドーピ
ングされた高分子重合体のドーピングの程度を赤外線分
光吸収スペクトルとX線光電子スペクトルの分析によっ
て測定したところ、構造式(I)の化学式中に表わされ
ているキノイド構造単位のものが50%程度(y=0.
5)で混合されていることが、赤外線分光吸収スペクト
ルとX線光電子スペクトル分析によって描かれた図1の
(a)及び(b)のベンゼノイド(bezenoid)
とキノイド(quinoid)のピークの大きさの比較
により確認することができた。
【0045】実施例3〜4化学的にドーピングされた導電性高分子の合成 アニリンブチルスルフォン酸塩を大韓民国特許第92−
23786号に記載される通り、過硫酸アンモニウムを
酸化剤として使用して水溶液中で重合して得られた分子
量が7,500のポリアニリンブチルスルフォン酸塩1
gを10%塩酸水溶液に溶かした後、氷水槽に浸して温
度を0℃に保持した。上記溶液に過硫酸アンモニウム
(実施例3)或いは過硫酸ナトリウム(実施例4)1g
を水に溶かした溶液を1時間かけて徐々に加えながら攪
拌した。そして、これを6時間攪拌させてドーピングさ
せた後、透析膜を利用して分子量3,500以下の低分
子量不純物を塩酸水溶液で除いた。次いで、溶媒を除
き、真空乾燥すると、実施例3及び4が共に、電導度が
5×10-8S/cmで、構造式(I)の化学式中に表わ
されているキノイド構造単位のものが40%程度(y=
0.4)で混合されているドーピングされた導電性高分
子が得られた。
【0046】実施例5〜6導電性液晶高分子組成物の製造 実施例1及び2で電気的にドーピングされたポリアニリ
ンブチルスルフォン酸塩0.5gを0.5gの水に溶か
して濃度が50重量%の溶液を調製した。このようにし
て調製した溶液0.2mlを、導電性ガラス板上に滴下
させた後、カバーガラスにて覆い、これを偏光顕微鏡で
観察すると、実施例5及び6が共に、図2で示される様
な光学的異方性を示す構造のものが生成していることが
判明した。上記導電性高分子液晶溶液を空気中で徐々に
乾燥させると結晶状態が保たれることが偏光顕微鏡で確
認され、これによって製造された導電性液晶高分子フィ
ルムをX線回折分光法によって観察すると、実施例5及
び6が共に、スメチック型液晶高分子結晶性を示すもの
であった。
【0047】実施例7〜8導電性液晶配向膜の製造 透明導電性ガラス電極の表面に上記実施例5及び6で製
造された導電性高分子液晶組成物(50重量%)をスピ
ンコーティング等の方法で薄く塗布した後、コーティン
グされた薄膜を一定方向へ刃で押すと、押した方向に従
って高分子物質が均一に配列された膜が形成された(実
施例7及び8)。この導電性配向膜は常温で10時間乾
燥させると、実施例7及び8が共に配向性が保たれた配
向膜が製造された。この導電性配向膜の厚さは5μmで
あり、表面電導度は実施例7及び8が共に3.6S/c
mのものであった。25℃から200℃まで徐々に加熱
しながら、偏光顕微鏡で配向膜の配向状態及び高分子膜
の亀裂度を測定した結果、200℃まで温度を上げる時
までは共に導電性配向膜の亀裂が起こらなく、配向性が
保たれていた。
【0048】実施例9〜10導電性液晶配向膜の製造 実施例7及び8で導電性高分子の濃度が20%である水
溶液を利用してガラス基板上にスピンコーティングさせ
た後、常温で徐々に溶媒を蒸発させて、導電性高分子の
濃度が約50%がなるとコーティングされた薄膜を刃で
押す。この方法によっても実施例7及び8の様に配向性
を持つ膜が得られ、この導電性高分子配向膜を常温で1
0時間乾燥させると配向性が保たれた配向膜が製造され
る。この導電性配向膜の厚さは3μmであり、表面電導
度は実施例9及び10が共に8.7×10-1S/cmの
ものであった。
【0049】実施例11〜14導電性液晶配向膜を利用した液晶の配向 上記実施例7〜8及び実施例9〜10で製造された導電
性高分子配向膜上に、リクリルライト(LICRILI
TE)ビーエル(BL)001液晶(独日 MERCK
社製品)を数μmの厚さでコーティングし、他の一つの
導電性高分子配向膜を前記の導電性高分子配向膜上にお
互いに直交に覆った後、液晶の配向性を偏光顕微鏡で観
察した。二つの導電性高分子配向膜と液晶で構成された
液晶表示素子の角度が偏光板に対して、0、90、18
0、270、360度であるときに光透過度が最小であ
り、22.5、67.5、112.5、157.5、2
02.5、247.5、292.5、337.5度であ
るときに中間程度であり、45、135、225、31
5度であるときに光透過度が最大であった。また、45
度回転毎に同じ色対比結果が周期的に観察されるのはリ
クリルライト(LICRILITE)ビーエル(BL)
001液晶が導電性配向膜間で効果的に配向されたのを
証明するものである。液晶表示素子と偏光板間の角度変
化による光透過度を総合した結果を、図4として示す。
【0050】
【発明の効果】この様な本発明の導電性液晶組成物は、
溶液状態で液晶性であり、加工性に優れ、しかも、導電
性であることから、これを利用した液晶表示装置は、そ
の製作時或いは加工後の表示素子での静電気を防止する
ことができるために、半導体素子や他の光学的電子素子
の正常な作動を破壊して、故障を起こさせる等の欠点が
なく、素子の製造収率が増し、印加電圧を低くすること
ができるので、素子の表示特性を向上させることができ
る導電性高分子配向膜の製造が可能である導電性高分子
液晶配向膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明実施例によって製造された変性
された導電性高分子の赤外線分光吸収スペクトル分析
(a)とX線光電子スペクトル分析(b)によって描か
れた図である。
【図2】図2(a)〜(d)は、本発明実施例によって
製造された導電性高分子液晶組成物(50%水溶液)の
光学的液晶構造の経時変化を表わす偏光顕微鏡写真であ
る。 (a)延伸直後 (b)30分放置後 (c)1時間放置後 (d)再び延伸された後
【図3】図3(a)〜(b)は、本発明実施例によって
製造された導電性高分子配向膜の結晶構造の熱安定性を
下記温度で評価する際に撮影された偏光顕微鏡写真であ
る。 (a)常温 (b)200℃熱処理後
【図4】図4は、本発明実施例によって製造された導電
性高分子配向膜を利用して製造された液晶素子と偏光板
間の角度変化によって変化する光透過度を表わす図であ
る。
【図5】図5は、本発明の導電性液晶配向膜を利用した
液晶表示装置の構造を表わす概略図である。
【符号の説明】
1 偏光板 2 透明導電性ガラス 3 導電性高分子配向膜 4 液晶 5 導電性高分子配向膜 6 透明導電性ガラス 7 偏光板
【化8】
【化8】

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記構造式(I)で表わされるドーピング
    されたポリアニリンアルキルスルフォン酸塩と極性溶媒
    とからなり、該ドーピングされたポリアニリンアルキル
    スルフォン酸塩の濃度を40〜90重量%の範囲内に調
    製して、溶液異方性を付与させたことを特徴とする導電
    性液晶組成物。 構造式(I) 【化1】 (式中のR1 は−(CH2 −(nは2〜12の整
    数)であり、R2 、R3 、R4 、R5 は全て水素である
    か、若しくは、その中の1〜2個がハロゲン(ハロゲン
    は弗素、塩素、臭素又は沃素を表わす。)、又は、メチ
    ル基、ニトロ基、メトキシ基であり、Xは水素又はナト
    リウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金属イオン、
    又は、アンモニウム乃至テトラメチルアンモニウム、テ
    トラエチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムイオ
    ン、又は、構造式(II) 【化2】 で表わされるアニリン誘導体のアンモニウムイオンを表
    わし、yは導電性高分子のドーピングされた程度を示す
    値であり、0.3〜1.0の数値を表わす。)
  2. 【請求項2】ポリアニリンアルキルスルフォン酸塩を、
    化学的方法又は電気化学的方法によって、下記の構造式
    (I)中のyの値が0.3〜1.0になるまで酸化させ
    た後、これを極性溶媒に溶解させて、その酸化されたポ
    リアニリンアルキルスルフォン酸塩の濃度を40〜90
    重量%の範囲内に調製することを特徴とする導電性液晶
    組成物の製造方法。 構造式(I) 【化3】 (式中のR1 は−(CH2 −(nは2〜12の整
    数)であり、R2 、R3 、R4 、R5 は全て水素である
    か、若しくは、その中の1〜2個がハロゲン(ハロゲン
    は弗素、塩素、臭素又は沃素を表わす。)、又は、メチ
    ル基、ニトロ基、メトキシ基であり、Xは水素又はナト
    リウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金属イオン、
    又は、アンモニウム乃至テトラメチルアンモニウム、テ
    トラエチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムイオ
    ン、又は、構造式(II) 【化4】 で表わされるアニリン誘導体のアンモニウムイオンを表
    わし、yは導電性高分子のドーピングされた程度を示す
    値であり、0.3〜1.0の数値を表わす。)
  3. 【請求項3】下記の構造式(I)中のyの値が0.3〜
    1.0になるまで酸化させて得られたポリアニリンアル
    キルスルフォン酸塩を、極性溶媒に溶解して製造した濃
    度が1〜40%の稀薄溶液を薄膜の形態に加工した後、
    再度40〜90重量%の濃度に濃縮させることを特徴と
    する導電性液晶組成物の製造方法。 構造式(I) 【化5】 (式中のR1 は−(CH2 −(nは2〜12の整
    数)であり、R2 、R3 、R4 、R5 は全て水素である
    か、若しくは、その中の1〜2個がハロゲン(ハロゲン
    は弗素、塩素、臭素又は沃素を表わす。)、又は、メチ
    ル基、ニトロ基、メトキシ基であり、Xは水素又はナト
    リウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金属イオン、
    又は、アンモニウム乃至テトラメチルアンモニウム、テ
    トラエチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムイオ
    ン、又は、構造式(II) 【化6】 で表わされるアニリン誘導体のアンモニウムイオンを表
    わし、yは導電性高分子のドーピングされた程度を示す
    値であり、0.3〜1.0の数値を表わす。)
  4. 【請求項4】下記の構造式(I)中のyの値が0.3〜
    1.0になるまで酸化させて得られたポリアニリンアル
    キルスルフォン酸塩を、極性溶媒に溶解して、その濃度
    を40〜90重量%に調製することにより得られる導電
    性液晶組成物を、透明導電性ガラス電極又は液晶表示素
    子として使用される電極上に、配向された薄膜の形態と
    して形成されていることを特徴とする導電性液晶配向
    膜。 構造式(I) 【化7】 (式中のR1 は−(CH2 −(nは2〜12の整
    数)であり、R2 、R3 、R4 、R5 は全て水素である
    か、若しくは、その中の1〜2個がハロゲン(ハロゲン
    は弗素、塩素、臭素又は沃素を表わす。)、又は、メチ
    ル基、ニトロ基、メトキシ基であり、Xは水素又はナト
    リウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金属イオン、
    又は、アンモニウム乃至テトラメチルアンモニウム、テ
    トラエチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムイオ
    ン、又は、構造式(II) 【化8】で表わされるアニリン誘導体のアンモニウムイ
    オンを表わし、yは導電性高分子のドーピングされた程
    度を示す値であり、0.3〜1.0の数値を表わす。)
  5. 【請求項5】薄膜状の導電性液晶組成物を外部より延伸
    力を加えて配向させた、請求項1に記載の導電性液晶配
    向膜。
  6. 【請求項6】配向された導電性液晶組成物を、空気中又
    は減圧下で、常温〜150℃の温度で極性溶媒を蒸発さ
    せて、乾燥させると共に、導電性高分子が配向された状
    態に維持された導電性液晶配向膜。
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