JP2676547B2 - 中性すず又はすず―鉛合金電気めっき浴 - Google Patents
中性すず又はすず―鉛合金電気めっき浴Info
- Publication number
- JP2676547B2 JP2676547B2 JP1074983A JP7498389A JP2676547B2 JP 2676547 B2 JP2676547 B2 JP 2676547B2 JP 1074983 A JP1074983 A JP 1074983A JP 7498389 A JP7498389 A JP 7498389A JP 2676547 B2 JP2676547 B2 JP 2676547B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin
- lead
- neutral
- acid
- salt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
- C25D3/32—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、有機スルホン酸のすず塩又は有機スルホン
酸のすず塩及び鉛塩並びにアルカリ金属、アルカリ土類
金属及び（又は）有機アミン塩を含有する浴にある種の
錯化剤を添加したことを特徴とする中性，すず又はすず
−鉛合金電気めっき浴に関する。
酸のすず塩及び鉛塩並びにアルカリ金属、アルカリ土類
金属及び（又は）有機アミン塩を含有する浴にある種の
錯化剤を添加したことを特徴とする中性，すず又はすず
−鉛合金電気めっき浴に関する。
［従来技術とその問題点］ 近年、すずめっき及びはんだめっきは、はんだ付け性
向上用皮膜及びエッチングレジスト用皮膜として弱電工
業並びに電子工業用部品等に広く利用されてきたが、未
だ改良すべき点が多い。例えばセラミックス、鉛ガラ
ス、プラスチック等の絶縁部品が電気めっき物と一体と
なって組み込まれた電子部品では、はんだ付け性、密着
性に優れ、また侵食、変形、変質等の悪影響がないめっ
きが要求されている。
向上用皮膜及びエッチングレジスト用皮膜として弱電工
業並びに電子工業用部品等に広く利用されてきたが、未
だ改良すべき点が多い。例えばセラミックス、鉛ガラ
ス、プラスチック等の絶縁部品が電気めっき物と一体と
なって組み込まれた電子部品では、はんだ付け性、密着
性に優れ、また侵食、変形、変質等の悪影響がないめっ
きが要求されている。
従来、この種の電子工業部品のめっきには、ホウフッ
化物浴、硫酸浴、有機スルホン酸浴等が用いられてい
た。有機スルホン酸の一例としては、特公昭49−16176
号に記載のものがあげられる。この特許には過剰量の脂
肪族又は芳香族スルホン酸に電着すべき金属の化合物を
作用させて得られるスルホン酸金属塩を含有する電着浴
が開示されている。しかし、このようなめっき浴には遊
離のスルホン酸が多量に含まれており、pHが1.0以下の
強酸性である。ホウフッ化物浴、スルホン酸浴も同様に
強酸性の浴である。従って、この様な強酸性の浴では上
述した絶縁部品に悪影響を及ぼす欠点がある。
化物浴、硫酸浴、有機スルホン酸浴等が用いられてい
た。有機スルホン酸の一例としては、特公昭49−16176
号に記載のものがあげられる。この特許には過剰量の脂
肪族又は芳香族スルホン酸に電着すべき金属の化合物を
作用させて得られるスルホン酸金属塩を含有する電着浴
が開示されている。しかし、このようなめっき浴には遊
離のスルホン酸が多量に含まれており、pHが1.0以下の
強酸性である。ホウフッ化物浴、スルホン酸浴も同様に
強酸性の浴である。従って、この様な強酸性の浴では上
述した絶縁部品に悪影響を及ぼす欠点がある。
この様な欠点を解決するために考慮されたことは、め
っき浴のpHを中性に近づけることであった。しかしすず
イオンは酸性では安定であるが、中性付近では白色沈殿
が生じ、めっきは実施不可能となる。このようなすず酸
塩の白色沈殿の生成を防止するためには、グルコン酸、
クエン酸、酒石酸、マロン酸等の錯化剤の添加が必要と
なる。しかし、これらの錯化剤は電解中に分解したり、
また電流効率を低下させ、特にはんだめっきの場合には
電着物組成（Sn/Pb）の管理が困難となる。本発明者ら
はこれらの欠点を除去すべく検討した結果、ある種の脂
肪族又は芳香族スルホカルボン酸のアルカリ金属塩を錯
化剤として添加することにより、中性付近のpH領域でも
すずの沈殿を生じない浴を見い出し特許出願（特開昭61
−194194号）をした。しかしながら、この浴も長期の経
時においては、すずの白色沈殿が生ずることもあり、め
っき浴組成の安定性においてまだ不十分なところがあっ
た。
っき浴のpHを中性に近づけることであった。しかしすず
イオンは酸性では安定であるが、中性付近では白色沈殿
が生じ、めっきは実施不可能となる。このようなすず酸
塩の白色沈殿の生成を防止するためには、グルコン酸、
クエン酸、酒石酸、マロン酸等の錯化剤の添加が必要と
なる。しかし、これらの錯化剤は電解中に分解したり、
また電流効率を低下させ、特にはんだめっきの場合には
電着物組成（Sn/Pb）の管理が困難となる。本発明者ら
はこれらの欠点を除去すべく検討した結果、ある種の脂
肪族又は芳香族スルホカルボン酸のアルカリ金属塩を錯
化剤として添加することにより、中性付近のpH領域でも
すずの沈殿を生じない浴を見い出し特許出願（特開昭61
−194194号）をした。しかしながら、この浴も長期の経
時においては、すずの白色沈殿が生ずることもあり、め
っき浴組成の安定性においてまだ不十分なところがあっ
た。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、上述の問題点に鑑み発明されたもので、ほ
ぼ中性付近のpH領域（pH3〜９）で長期の経時において
もめっき浴組成が安定であるとともに広い電流密度範囲
で外観が良好なすず又はすず−鉛合金皮膜が得られる中
性すず又はすず−鉛合金めっき浴を提供することを目的
とする。
ぼ中性付近のpH領域（pH3〜９）で長期の経時において
もめっき浴組成が安定であるとともに広い電流密度範囲
で外観が良好なすず又はすず−鉛合金皮膜が得られる中
性すず又はすず−鉛合金めっき浴を提供することを目的
とする。
［課題を解決するための手段］ ここに、すず又はすず−鉛イオン供給源である２価の
有機スルホン酸のすず塩又は有機スルホン酸のすず塩及
び鉛塩並びに有機スルホン酸のアルカリ金属、アルカリ
土類金属及び（又は）有機アミン塩を主めっき浴成分と
して含有する中性すず又はすず−鉛合金めっきに、エチ
レンジアミンテトラ酢酸及びその誘導体から選択される
少なくとも１種の錯化剤を添加することによって、ほぼ
中性付近のpH領域で長期の経時においてもめっき浴組成
が安定であるとともに広い電流密度範囲で外観が良好な
すず又はすず−鉛合金めっき被膜が得られることが見出
された。
有機スルホン酸のすず塩又は有機スルホン酸のすず塩及
び鉛塩並びに有機スルホン酸のアルカリ金属、アルカリ
土類金属及び（又は）有機アミン塩を主めっき浴成分と
して含有する中性すず又はすず−鉛合金めっきに、エチ
レンジアミンテトラ酢酸及びその誘導体から選択される
少なくとも１種の錯化剤を添加することによって、ほぼ
中性付近のpH領域で長期の経時においてもめっき浴組成
が安定であるとともに広い電流密度範囲で外観が良好な
すず又はすず−鉛合金めっき被膜が得られることが見出
された。
したがって、本発明に従えば、有機スルホン酸のすず
塩又は有機スルホン酸のすず塩及び鉛塩並びに有機スル
ホン酸のアルカリ金属、アルカリ土類金属及び（又は）
有機アミン塩を含有する中性すず又はすず−鉛合金電気
めっき浴において、一般式（ａ）及び（ｂ）： ［ここで、Ｒ′は直鎖又は分枝状アルキレン基（Ｃ
１〜４）を表わし、 ＸはＨ、アルキル基（Ｃ１〜３）又は基 を表わし、 ＲはＨ又はアルキル基（Ｃ１〜３）を表わし、 ＭはＨ又はアルカリ金属を表わし、 ｎは１〜４の数を表わす。］ ［ここで、Ｒ″は直鎖又は分枝アルキレン基
（Ｃ１〜４）を表わし、 ＸはＨ、アルキル基（Ｃ１〜３）又は基 を表わし、 ＲはＨ又はアルキル基（Ｃ１〜３）を表わし、 ＭはＨ又はアルカリ金属を表わし、 ｍは１〜３の数を表わす。］ で表される少なくとも１種の錯化剤を添加したことを特
徴とする中性すず又はすず−鉛合金電気めっき浴が提供
される。
塩又は有機スルホン酸のすず塩及び鉛塩並びに有機スル
ホン酸のアルカリ金属、アルカリ土類金属及び（又は）
有機アミン塩を含有する中性すず又はすず−鉛合金電気
めっき浴において、一般式（ａ）及び（ｂ）： ［ここで、Ｒ′は直鎖又は分枝状アルキレン基（Ｃ
１〜４）を表わし、 ＸはＨ、アルキル基（Ｃ１〜３）又は基 を表わし、 ＲはＨ又はアルキル基（Ｃ１〜３）を表わし、 ＭはＨ又はアルカリ金属を表わし、 ｎは１〜４の数を表わす。］ ［ここで、Ｒ″は直鎖又は分枝アルキレン基
（Ｃ１〜４）を表わし、 ＸはＨ、アルキル基（Ｃ１〜３）又は基 を表わし、 ＲはＨ又はアルキル基（Ｃ１〜３）を表わし、 ＭはＨ又はアルカリ金属を表わし、 ｍは１〜３の数を表わす。］ で表される少なくとも１種の錯化剤を添加したことを特
徴とする中性すず又はすず−鉛合金電気めっき浴が提供
される。
本発明に従うすず又はすず−鉛合金めっき浴におい
て、すず塩又はすず塩及び鉛塩を構成する有機スルホン
酸としては、特に下記の一般式（ｃ）及び（ｄ）で表さ
れるものがあげられる。
て、すず塩又はすず塩及び鉛塩を構成する有機スルホン
酸としては、特に下記の一般式（ｃ）及び（ｄ）で表さ
れるものがあげられる。
（ｃ）一般式 （R1）ｎ−Ｒ−SO3H ［ここで、ＲはＣ１〜５のアルキル基を表わし、R1は水
酸基、アリール基、アルキルアリール基又はスルホン酸
基を表わし、そしてアルキル基の任意の位置にあってよ
く、ｎは０〜３の整数を表す］ で示される脂肪族有機スルホン酸。
酸基、アリール基、アルキルアリール基又はスルホン酸
基を表わし、そしてアルキル基の任意の位置にあってよ
く、ｎは０〜３の整数を表す］ で示される脂肪族有機スルホン酸。
（ｄ）一般式 ［ここで、R2は水酸基、アルキル基、アリール基、アル
キルアリール基又はスルホン酸基を表わし、ｍは０〜３
の整数を表す］ で示される芳香族スルホン酸。
キルアリール基又はスルホン酸基を表わし、ｍは０〜３
の整数を表す］ で示される芳香族スルホン酸。
本発明の中性すず又ははんだめっき浴に用いられる上
記（ｃ）及び（ｄ）の有機スルホン酸の中でも、特に重
要なものは２−ヒドロキシエタンスルホン酸、２−ヒド
ロキシプロパンスルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼ
ンスルホン酸及びｐ−フェノールスルホン酸である。
記（ｃ）及び（ｄ）の有機スルホン酸の中でも、特に重
要なものは２−ヒドロキシエタンスルホン酸、２−ヒド
ロキシプロパンスルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼ
ンスルホン酸及びｐ−フェノールスルホン酸である。
有機スルホン酸の金属塩の総濃度は、金属に換算して
５〜200g/、好ましくは10〜100g/である。
５〜200g/、好ましくは10〜100g/である。
本発明で用いられる脂肪族又は芳香族スルホン酸のア
ルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩及び（又は）有機ア
ミン塩は、例えばナトリウム、カリウム、アンモニウ
ム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリ
アミン、トリエチレンペンタミン、ペンタエチレンテト
ラミン塩などであり、直接メッキ浴に溶解することがで
きる。これらはめっき浴のpHを４〜８の間にもたらすの
に十分な量で添加し、中和することによって安定な水溶
液が調製される。例えば、めっき浴の液１につき0.1
〜10モル、好ましくは0.5〜５モルである。
ルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩及び（又は）有機ア
ミン塩は、例えばナトリウム、カリウム、アンモニウ
ム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリ
アミン、トリエチレンペンタミン、ペンタエチレンテト
ラミン塩などであり、直接メッキ浴に溶解することがで
きる。これらはめっき浴のpHを４〜８の間にもたらすの
に十分な量で添加し、中和することによって安定な水溶
液が調製される。例えば、めっき浴の液１につき0.1
〜10モル、好ましくは0.5〜５モルである。
本発明に従うすず又はすず−鉛合金メッキ浴に添加さ
れる錯化剤（ａ）及び（ｂ）の例としては、エチレンジ
アミンテトラ酢酸（略名EDTA）、ジエチレントリアミン
ペンタ酢酸（略名DTPA）、トリエチレンテトラミンヘキ
サ酢酸（略名TTHA）エチレンジオキシビス（エチルアミ
ン）−N,N,N′,N′−テトラ酢酸等が挙げられる。添加
濃度は本発明のめっき浴１につき、0.05〜２モル、好
ましくは0.1〜0.5モルである。
れる錯化剤（ａ）及び（ｂ）の例としては、エチレンジ
アミンテトラ酢酸（略名EDTA）、ジエチレントリアミン
ペンタ酢酸（略名DTPA）、トリエチレンテトラミンヘキ
サ酢酸（略名TTHA）エチレンジオキシビス（エチルアミ
ン）−N,N,N′,N′−テトラ酢酸等が挙げられる。添加
濃度は本発明のめっき浴１につき、0.05〜２モル、好
ましくは0.1〜0.5モルである。
更に、本発明のすず又はすず−鉛合金めっき浴には、
めっき被膜の粒子を微細化させるために水溶性高分子化
合物を添加することができる。このような水溶性高分子
化合物としては、次式 ［ここで、Ra及びRbは水素又はCH3を表わし、Rcは水
素、フェニル基又はアルキル基（Ｃ１〜４）を表わし、
ｍ及びｎは２〜20の整数を表わし、ｘは１〜３の整数を
表わす。ただし、Ra及びRbは同時に水素又は−CH3を表
わさない。以下同様とする。］ ［ここで、Rdは水素又はフェニル基を表わし、Ra及びRb
は水素又はCH3を表わし、ｍ及びn:2〜20の整数であ
る。］ ［ここで、Reはアルキル基（Ｃ１〜18）を表わし、Ra及
びRbは水素又はCH3を表わし、ｍ及びｎは２〜20の整数
である。］ ［ここで、Rfはアルキル基（Ｃ８〜18）を表わし、Ra及
びRbは水素又はCH3を表わし、ｍ及びn:2〜20の整数であ
る。］ ［ここで、Rgはアルキル基（Ｃ１〜18）を表わし、Ra及
びRbは水素又はCH3を表わし、ｍ及びｎは２〜20の整数
である。］ でそれぞれ示されるスチレン化フェノール、２価フェノ
ール、１価フェノール、脂肪族アミン及び脂肪族アルコ
ールのエチレンオキシド及びプロピレンオキシド付加
物、そしてゼラチン及びペプトン等が挙げられる。これ
らはめっき浴の液１について0.2〜50g/、好ましく
は１〜10g/添加される。
めっき被膜の粒子を微細化させるために水溶性高分子化
合物を添加することができる。このような水溶性高分子
化合物としては、次式 ［ここで、Ra及びRbは水素又はCH3を表わし、Rcは水
素、フェニル基又はアルキル基（Ｃ１〜４）を表わし、
ｍ及びｎは２〜20の整数を表わし、ｘは１〜３の整数を
表わす。ただし、Ra及びRbは同時に水素又は−CH3を表
わさない。以下同様とする。］ ［ここで、Rdは水素又はフェニル基を表わし、Ra及びRb
は水素又はCH3を表わし、ｍ及びn:2〜20の整数であ
る。］ ［ここで、Reはアルキル基（Ｃ１〜18）を表わし、Ra及
びRbは水素又はCH3を表わし、ｍ及びｎは２〜20の整数
である。］ ［ここで、Rfはアルキル基（Ｃ８〜18）を表わし、Ra及
びRbは水素又はCH3を表わし、ｍ及びn:2〜20の整数であ
る。］ ［ここで、Rgはアルキル基（Ｃ１〜18）を表わし、Ra及
びRbは水素又はCH3を表わし、ｍ及びｎは２〜20の整数
である。］ でそれぞれ示されるスチレン化フェノール、２価フェノ
ール、１価フェノール、脂肪族アミン及び脂肪族アルコ
ールのエチレンオキシド及びプロピレンオキシド付加
物、そしてゼラチン及びペプトン等が挙げられる。これ
らはめっき浴の液１について0.2〜50g/、好ましく
は１〜10g/添加される。
また本発明のめっき浴には、pHの変化を防ぐためにpH
緩衝剤を存在させることができる。そのようなpH緩衝剤
としては、酢酸ナトリウム、カリウム又はアンモニウ
ム、ほう酸ナトリウム、カリウム又はアンモニウム、酒
石酸ナトリウム、カリウム又はアンモニウム等が挙げら
れる。本発明のめっき浴のpH範囲は３〜９、好ましくは
４〜８である。めっきを実施する際の浴温は10〜50℃、
好ましくは15〜25℃である。
緩衝剤を存在させることができる。そのようなpH緩衝剤
としては、酢酸ナトリウム、カリウム又はアンモニウ
ム、ほう酸ナトリウム、カリウム又はアンモニウム、酒
石酸ナトリウム、カリウム又はアンモニウム等が挙げら
れる。本発明のめっき浴のpH範囲は３〜９、好ましくは
４〜８である。めっきを実施する際の浴温は10〜50℃、
好ましくは15〜25℃である。
本発明のめっき浴の各成分濃度は、バレルめっき、ラ
ックめっき、高速度めっき、スルーホールめっき等に対
応して前記の範囲内にて任意に選択することができる。
ックめっき、高速度めっき、スルーホールめっき等に対
応して前記の範囲内にて任意に選択することができる。
［実施例］ 次に本発明の実施例によるめっき浴の組成及びめっき
条件を示すが、本発明はこれら数例に限定されるもので
はなく、前述した目的に添ってめっき浴の組成及びめっ
き条件は任意に変更することができる。
条件を示すが、本発明はこれら数例に限定されるもので
はなく、前述した目的に添ってめっき浴の組成及びめっ
き条件は任意に変更することができる。
実施例１ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
すず（メタンスルホン酸第一すずの水溶液として添加） 12g/ 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液として添加） 8g/ メタンスルホン酸のアンモニウム塩 1mol/ DTPA 0.5mol/ pH 6.0 得られためっき浴を用いて、ハルセル試験を行った。
ハルセル試験条件は総電流1A、時間５分、温度25℃で行
った。アノードにはSn/Pb＝6/4板、カソードには0.3×7
0×100mmの銅版を用いた。以下、各実施例の浴からの外
観観察、裏面のつき回り性について評価した。
ハルセル試験条件は総電流1A、時間５分、温度25℃で行
った。アノードにはSn/Pb＝6/4板、カソードには0.3×7
0×100mmの銅版を用いた。以下、各実施例の浴からの外
観観察、裏面のつき回り性について評価した。
実施例２ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
すず（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第一すずの水
溶液として添加） 18g/ 鉛（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛の水溶液とし
て添加） 12g/ ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸のジエチレントリア
ミン塩 1.5mol/ DTPA 0.2mol/ ポリオキシエチレンラウリルアミンのEO7モル付加物 5g/ pH 5.5 実施例３ 下記組成を有する中性すずめっき浴を調製した。
溶液として添加） 18g/ 鉛（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛の水溶液とし
て添加） 12g/ ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸のジエチレントリア
ミン塩 1.5mol/ DTPA 0.2mol/ ポリオキシエチレンラウリルアミンのEO7モル付加物 5g/ pH 5.5 実施例３ 下記組成を有する中性すずめっき浴を調製した。
すず（メタンスルホン酸第一すずの水溶液として添加）
20g/ メタンスルホン酸のジエチレントリアミン塩 1.5mol/ DTPA 0.2mol/ pH 5.0 実施例４ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
20g/ メタンスルホン酸のジエチレントリアミン塩 1.5mol/ DTPA 0.2mol/ pH 5.0 実施例４ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
すず（ｐ−フェノールスルホン酸第一すずの水溶液とし
て添加） 24g/ 鉛（ｐ−フェノールスルホン酸鉛の水溶液として添加）
16g/ ｐ−フェノールスルホン酸カリウム塩 1.3mol/ TTHA 0.3mol/ ポリエチレングリールノニルフェニルエーテル 10g/ 酢酸カリウム 35g/ pH 4.5 実施例５ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
て添加） 24g/ 鉛（ｐ−フェノールスルホン酸鉛の水溶液として添加）
16g/ ｐ−フェノールスルホン酸カリウム塩 1.3mol/ TTHA 0.3mol/ ポリエチレングリールノニルフェニルエーテル 10g/ 酢酸カリウム 35g/ pH 4.5 実施例５ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
すず（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第一すずの水
溶液として添加） 13.5g/ 鉛（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛の水溶液とし
て添加） 1.5g/ ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸のナトリウム塩 7mol/ TTHA 0.2mol/ ポリオキシエチレンラウリルエーテルのEO20モル付加物 5g/ ほう酸ナトリウム 20g/ pH 6.0 実施例６ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
溶液として添加） 13.5g/ 鉛（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛の水溶液とし
て添加） 1.5g/ ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸のナトリウム塩 7mol/ TTHA 0.2mol/ ポリオキシエチレンラウリルエーテルのEO20モル付加物 5g/ ほう酸ナトリウム 20g/ pH 6.0 実施例６ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
すず（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第一すずの水
溶液として添加） 15g/ 鉛（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛の水溶液とし
て添加） 10g/ ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸のアンモニウム塩 2mol/ TTHA 0.5mol/ ポリオキシエチレンラウリルエーテルのEO15モル付加物 5g/ 酢酸ナトリウム 20g/ pH 5.5 実施例７ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
溶液として添加） 15g/ 鉛（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛の水溶液とし
て添加） 10g/ ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸のアンモニウム塩 2mol/ TTHA 0.5mol/ ポリオキシエチレンラウリルエーテルのEO15モル付加物 5g/ 酢酸ナトリウム 20g/ pH 5.5 実施例７ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
すず（２−ヒドロキシエタンスルホン酸第一すずの水溶
液として添加） 9g/ 鉛（２−ヒドロキシエタンスルホン酸鉛の水溶液として
添加） 1g/ ２−ヒドロキシエタンスルホン酸のナトリウム塩 1.7mol/ DTPA 0.1mol/ 多核フェノールのEO5モル付加物 3g/ ほう酸ナトリウム 15g/ pH 8.0 実施例８ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
液として添加） 9g/ 鉛（２−ヒドロキシエタンスルホン酸鉛の水溶液として
添加） 1g/ ２−ヒドロキシエタンスルホン酸のナトリウム塩 1.7mol/ DTPA 0.1mol/ 多核フェノールのEO5モル付加物 3g/ ほう酸ナトリウム 15g/ pH 8.0 実施例８ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
すず（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第一すずの水
溶液として添加） 12g/ 鉛（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛の水溶液とし
て添加） 8g/ ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸のジエチレントリア
ミン塩 1.5mol/ エチレンジオキシビス（エチルアミン）−N,N,N′,N′
−テトラ酢酸 0.2mol/ ポリエチレングリコールノニルフェニルエーテル 5g/ ほう酸アンモニウム 10g/ pH 4.5 実施例９ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
溶液として添加） 12g/ 鉛（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛の水溶液とし
て添加） 8g/ ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸のジエチレントリア
ミン塩 1.5mol/ エチレンジオキシビス（エチルアミン）−N,N,N′,N′
−テトラ酢酸 0.2mol/ ポリエチレングリコールノニルフェニルエーテル 5g/ ほう酸アンモニウム 10g/ pH 4.5 実施例９ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
すず（ベンゼンスルホン酸第一すずの水溶液として添
加） 30g/ 鉛（ベンゼンスルホン酸鉛の水溶液として添加）20g/ ベンゼンスルホン酸のトリエチレンペンタミン塩 2mol/ DTPA 0.3mol/ ポリオキシエチレンラウリルアミンのEO5モルとPO2モル
付加物 5g/ 酒石酸アンモニウム 25g/ pH 5.0 実施例10 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
加） 30g/ 鉛（ベンゼンスルホン酸鉛の水溶液として添加）20g/ ベンゼンスルホン酸のトリエチレンペンタミン塩 2mol/ DTPA 0.3mol/ ポリオキシエチレンラウリルアミンのEO5モルとPO2モル
付加物 5g/ 酒石酸アンモニウム 25g/ pH 5.0 実施例10 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
すず（メタンスルホン酸第一すずの水溶液として添加）
12g/ 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液として添加） 8g/ メタンスルホン酸のジエチレントリアミン塩 2mol/ DTPA 0.2mol/ ポリオキシエチレンラウリルアミンのEO10モル付加物 5g/ pH 6.0 実施例11 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
12g/ 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液として添加） 8g/ メタンスルホン酸のジエチレントリアミン塩 2mol/ DTPA 0.2mol/ ポリオキシエチレンラウリルアミンのEO10モル付加物 5g/ pH 6.0 実施例11 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
すず（メタンスルホン酸第一すずの水溶液として添加） 15g/ 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液として添加） 10g/ メタンスルホン酸のジエチレントリアミン塩 2mol/ DTPA 0.3mol/ ペプトン 1g/ 酒石酸アンモニウム 10g/ pH 4.5 比較例１ 下記組成を有する中性はんだめっき浴を調製した。
すず（メタンスルホン酸第一すずの水溶液として添加） 12g/ 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液として添加） 8g/ メタンスルホン酸のジエチレントリアミン塩 2mol/ pH 5.0 DTPAを添加しないと、すずの白色沈殿が生じ、めっき
不能であった。各めっき浴から得られた試験片のハルセ
ル試験結果を表１にまとめた。
不能であった。各めっき浴から得られた試験片のハルセ
ル試験結果を表１にまとめた。
比較例２ 実施例11の浴においてDTPAの代わりにグルコン酸カリ
ウムを錯化剤として含有する下記組成の中性はんだめっ
き浴を調整した。
ウムを錯化剤として含有する下記組成の中性はんだめっ
き浴を調整した。
すず（メタンスルホン酸第一すずの水溶液として添加） 15g/ 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液として添加） 10g/ グルコン酸カリウム 0.25mol/ ペプトン 1g/ pH 4.5 ハルセルテストから得られた試験片のメッキ外観は暗
色の粗電着物を示し、実施例11に比べて著しく劣ってい
た。さらに、比較例２のメッキ浴は１日の経時によって
白濁を生じる不安定な浴であった。
色の粗電着物を示し、実施例11に比べて著しく劣ってい
た。さらに、比較例２のメッキ浴は１日の経時によって
白濁を生じる不安定な浴であった。
ハルセル外観は、高電流部（3A/dm2）、中電流部（1A
/dm2）、低電流部（0.5A/dm2）にわけて灰白色系で微細
な結晶を◎、やや微細なものを○、暗色系微細なものを
△、暗色粗大なものを×として肉眼で評価した。裏面の
つき回り性は全面はんだで覆われたものをＡ、約50％覆
われたものをＢ、約10％覆われたものをＣ、無電着部の
あるものをＤとした。
/dm2）、低電流部（0.5A/dm2）にわけて灰白色系で微細
な結晶を◎、やや微細なものを○、暗色系微細なものを
△、暗色粗大なものを×として肉眼で評価した。裏面の
つき回り性は全面はんだで覆われたものをＡ、約50％覆
われたものをＢ、約10％覆われたものをＣ、無電着部の
あるものをＤとした。
また、実施例６の浴を２建浴し、試料に0.3×30×3
0mmの銅板を用いて25℃、2m/minのカソードロッカーを
行い、電流密度を変化させて膜厚約10μｍのはんだめっ
きを施し、蛍光Ｘ線にて電流効率及び電着物組成を求め
た結果を表２に示す。
0mmの銅板を用いて25℃、2m/minのカソードロッカーを
行い、電流密度を変化させて膜厚約10μｍのはんだめっ
きを施し、蛍光Ｘ線にて電流効率及び電着物組成を求め
た結果を表２に示す。
この結果よりめっき浴組成に近い電着物組成が得ら
れ、非常に管理が容易な浴であることがわかる。
れ、非常に管理が容易な浴であることがわかる。
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明によれば、中性付近の
pH領域ですずの沈殿が生じないので安定したすず−鉛合
金皮膜が得られ、外観が良好な灰白色系はんだめっきを
品物に良好にめっきすることが出来、しかも中性浴から
めっき出来るので、多数の小さな電子部品等の寿命を著
しくのばし、しかも容易にはんだ付けができる効果があ
る。
pH領域ですずの沈殿が生じないので安定したすず−鉛合
金皮膜が得られ、外観が良好な灰白色系はんだめっきを
品物に良好にめっきすることが出来、しかも中性浴から
めっき出来るので、多数の小さな電子部品等の寿命を著
しくのばし、しかも容易にはんだ付けができる効果があ
る。
フロントページの続き (72)発明者 奥浜 良明 兵庫県神戸市東灘区岡本６丁目５―17 岡本エクセル502号 (72)発明者 阿久津 敏次 兵庫県三木市志染町中自由ケ丘１丁目99 (72)発明者 増山 修 兵庫県神戸市垂水区上高丸２丁目１番地 ７―505 (56)参考文献 特開 昭53−124131（ＪＰ，Ａ) 特公 昭33−6062（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭55−16237（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (3)
- 【請求項１】有機スルホン酸のすず塩又は有機スルホン
酸のすず塩及び鉛塩並びに有機スルホン酸のアルカリ金
属、アルカリ土類金属及び（又は）有機アミン塩を含有
する中性すず又はすず−鉛合金電気めっき浴において、
一般式（ａ）及び（ｂ） ［ここで、Ｒ′は直鎖又は分枝状アルキレン基（Ｃ
１〜４）を表わし、 ＸはＨ、アルキル基（Ｃ１〜３）又は基 を表わし、 ＲはＨ又はアルキル基（Ｃ１〜３）を表わし、 ＭはＨ又はアルカリ金属を表わし、 ｎは１〜４の数を表わす。］ ［ここで、Ｒ″は直鎖又は分枝状アルキレン基（Ｃ
１〜４）を表わし、 ＸはＨ、アルキル基（Ｃ１〜３）又は基 を表わし、 ＲはＨ又はアルキル基（Ｃ１〜３）を表わし、 ＭはＨ又はアルカリ金属を表わし、 ｍは１〜３の数を表わす。］ で表される少なくとも１種の錯化剤を添加したことを特
徴とする中性すず又はすず−鉛合金電気めっき浴。 - 【請求項２】めっき皮膜の粒子を微細化させる水溶性高
分子化合物をさらに含有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の中性すず又はすず−鉛合金電気めっ
き浴。 - 【請求項３】pH緩衝剤をさらに含有することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の中性すず又はすず−鉛合
金電気めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1074983A JP2676547B2 (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 中性すず又はすず―鉛合金電気めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1074983A JP2676547B2 (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 中性すず又はすず―鉛合金電気めっき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254194A JPH02254194A (ja) | 1990-10-12 |
| JP2676547B2 true JP2676547B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=13563029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1074983A Expired - Lifetime JP2676547B2 (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 中性すず又はすず―鉛合金電気めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2676547B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0666342B1 (de) * | 1994-02-05 | 1998-05-06 | W.C. Heraeus GmbH | Bad zum galvanischen Abscheiden von Silber-Zinn-Legierungen |
| CN109609980A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-04-12 | 湖北工程学院 | 酸性镀锡液及其制备方法和铜基材料表面电刷镀锡的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6416318A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Electric discharge machine |
-
1989
- 1989-03-29 JP JP1074983A patent/JP2676547B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02254194A (ja) | 1990-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1001054B1 (en) | Tin-copper alloy electroplating bath and plating process therewith | |
| EP1874982B1 (en) | Method for electrodeposition of bronzes | |
| US7628903B1 (en) | Silver and silver alloy plating bath | |
| US20030159938A1 (en) | Electroplating solution containing organic acid complexing agent | |
| US7179362B2 (en) | Electrolyte and method for depositing tin-copper alloy layers | |
| EP1477587A2 (en) | Improved tin plating method | |
| JP3274232B2 (ja) | 錫−ビスマス合金めっき浴及びそれを使用するめっき方法 | |
| US20060113195A1 (en) | Near neutral pH tin electroplating solution | |
| US20040149587A1 (en) | Electroplating solution containing organic acid complexing agent | |
| KR900005845B1 (ko) | 아연-닉켈 합금 전착용 전해액 및 그의 전착방법 | |
| US5849171A (en) | Acid bath for copper plating and process with the use of this combination | |
| CA1038325A (en) | Compositions and process for the electrodeposition of metals | |
| JP3274766B2 (ja) | 低融点錫合金めっき浴 | |
| JP3632499B2 (ja) | 錫−銀系合金電気めっき浴 | |
| US3926749A (en) | Tin-lead alloy plating | |
| JPS5818996B2 (ja) | 緻密なめっき被膜を得るための中性錫電気めっき浴 | |
| JP2676547B2 (ja) | 中性すず又はすず―鉛合金電気めっき浴 | |
| KR20010039969A (ko) | 주석-구리 합금 도금욕 | |
| JPS6141999B2 (ja) | ||
| JP3336621B2 (ja) | めっき用組成液とめっき方法 | |
| US20050077186A1 (en) | Electrolysis bath for electrodepositing silver-tin alloys | |
| CA2093924C (en) | Acid bath for copper plating | |
| JP3292055B2 (ja) | 錫−ビスマス合金電気めっき浴及びそれを使用するめっき方法 | |
| JP2667323B2 (ja) | 酸化防止剤、めっき浴用助剤およびこれを用いためっき浴 | |
| JP3324844B2 (ja) | Ｓｎ−Ｂｉ合金めっき浴及び該めっき浴を用いためっき方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 12 |