JP2673280B2 - 光記録カード - Google Patents

光記録カード

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JP2673280B2
JP2673280B2 JP63152530A JP15253088A JP2673280B2 JP 2673280 B2 JP2673280 B2 JP 2673280B2 JP 63152530 A JP63152530 A JP 63152530A JP 15253088 A JP15253088 A JP 15253088A JP 2673280 B2 JP2673280 B2 JP 2673280B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は光記録媒体、特にROM型光記録カード等の
高反射率比光記録カードに関するものである。
近年、IDカードやキャッシュカードがバンクカードと
して各種の情報を記録したカードが普及してきている
が、この発明はそのような光記録カードに関するもので
ある。
[従来の技術] この種のカードには、個人データや発行会社のデータ
等の各種の情報を記録する必要があり、初期の段階にお
いては、そのような情報を可視的な文字や記号で記録し
ており、また後期の段階においては、磁気を使用した電
気信号で記録しているが、偽造・改ざんの防止や情報量
の増加に対応する必要がある。
そのために、最近、レーザ技術を応用した光記録カー
ドが開発されてきている。この光記録カードは光学反射
面を持つ情報記録媒体(光記録媒体)を備えるもので、
光学反射面には情報パターンを形成し、その情報パター
ンの光学反射率の差によってレーザによりデータピット
を検出し、情報を読み取るように構成したものである。
即ち、従来の高反射率比光記録カードの一例としては
ROM型光記録カードがあり、そのような高反射率比光記
録カードは第8図に示す通りであって、光記録カード10
1は透明なハードコート層112で被覆した透明なカード基
材102の内面に透明なアンカー層103を介して情報パター
ンを金属反射膜104で形成し、更にその上に接着剤層105
を介して裏打ち層106を積層して形成される。光記録内
容の読み出しのためには、光記録カード101の表面107か
らリーダーにより読み取り光を入射し、その読み取り光
の金属反射膜104の反射面からの反射強度と、金属反射
膜104が存在しない部分からの反射強度との対比によっ
て情報パターンを読み取っていくものである。
[発明が解決しようとする課題] この場合、金属反射膜104を形成する材料をアルミニ
ウムとすると、830nmの読み取り光における高反射部の
絶対反射率は約80%、低反射部の絶対反射率は5%以下
になる。金属反射膜を銅とすると反射部は約90%、金属
反射膜をニッケルとすると反射部は約60%となり、それ
ぞれの金属固有の値を持っており、変えることはできな
い。
また、金属反射膜104にて情報パターンを形成する読
み取り専用型光記録カードは上記のように高反射部と低
反射部の絶対反射率の比が大きいためコントラストが大
きく、S/N比の良好な信号を得ることができる等の優れ
た性質を有するが、高反射部と低反射部の絶対反射率の
比が大きいため、読取り専用機(リーダー)が必要であ
り、かつそのリーダーが高価であることから、その普及
が必ずしも十分ではない。上記のように高反射部と低反
射部の絶対反射率の比が大きい光記録カードをここでは
高反射率比光記録カードという。
現在、高反射率比光記録カードの情報パターンは一般
にアルミニウム等の金属薄膜をエッチング等により微細
なパターンに加工することにより作製している。この場
合、金属薄膜に他の種類のものを用いるとしても、その
用いた金属固有の反射率が高反射率となることは前述の
通りである。しかしながら、高反射率比光記録カードの
普及を進めるには、書き込み可能型光記録カード等の低
反射率比光記録カードの高反射部の反射率とほぼ同一に
なっている方が書き込み可能型光記録カード等の低反射
率比光記録カードの読み取り機を利用できるので、シス
テム構成上好ましい。上記のように、高反射部と低反射
部の絶対反射率の比が小さい光記録カードをここでは低
反射率比光記録カードという。代表的な書き込み可能型
光記録カード等の低反射率比光記録カードでは高反射部
の絶対反射率が約40%、低反射部の絶対反射率が約5%
である。このように、一般に書き込み可能型光記録カー
ドの反射率はその書き込み特性を良くするため、吸収率
を大きくする必要から低い値となっている。一方、高反
射率比光記録カードの情報パターンはそのパターン化の
容易さから金属反射膜を用いることができるが、高反射
部の絶対反射率は書き込み可能型光記録カードよりも高
いものとなっている。したがって、書き込み可能型光記
録カードを高反射率比光記録カードの絶対反射率をコン
パチブルにするには、高反射率比光記録カードの反射率
を低下させる必要がある。また、高反射率比光記録カー
ドの反射率を容易かつ確実に低下させる技術は未だ開発
されていない。
この発明は上記の如き事情に鑑みてなされたものであ
って、高反射率比光記録カードの反射率を容易、確実か
つ安価に低下させることができ、したがって、書き込み
可能型光記録カードと高反射率比光記録カードの反射率
を合せることができ、両者に互換性を持たせることがで
きる高反射率比光記録カードを提供することを目的とす
るものである。
[課題を解決するための手段] この目的に対応して本発明の光記録カードは、読み取
り光入射側のカード表面と情報が記録された反射膜との
間に読み取り光に対して光吸収性を有する光吸収層を備
えることを特徴としている。
[作用] この構成の光記録カードでは、読み取り光入射側のカ
ード表面と金属反射膜との間に設けられた光吸収層が入
射光及び金属反射膜からの光反射光を吸収し、反射強度
を制御することができる。これによって、高反射率比光
記録カードの反射率を書き込み可能型光記録カードの反
射率と合せることができる。
[実施例] 以下、この発明の詳細を一実施例を示す図面について
説明する。以下、実施例においては、金属反射膜が形成
されている部分を高反射部、されていない部分を低反射
部とする。
第1図においては1光記録カードであり、光記録カー
ド1はカード表面7側から吸収層12、透明保護層2、ア
ンカーコート層3、金属反射膜パターン4、接着剤層
5、裏内層6を積層して備えている。
カード表面7は読み取り光10が入射する側の光記録カ
ード1の最も外側の表面を構成するものである。
プリフォーマッティングピット及びデータピットのパ
ターン13を持つ金属反射膜パターン4は透明保護層2の
内側面上に設けたアンカーコート層3の上に形成されて
いる。
金属反射膜パターン層4はAl、Cu、Ag、Ni、Cr、Zn、
Sn、Ti、Si、Sb、Ge、Fe、Co、Au等が使用できるが、特
にAlが好ましい。膜厚は1μm以下で、好ましくは100
オングストローム(angstrom)〜0.1μmである。金属
反射膜パターン層4に形成されるプリフォーマッティン
グやデータピット等のピット13はそのようなパターンを
持つマスクや、写真フィルムから転写されて穿孔された
ものである。このような転写は蝕刻法によってなされた
ものである。
透明保護層2としては、ポリカーボネート、ポリエチ
レンテレフタレート、エポキシ、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリサルフォン、
ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルケトン、ポリエ
ーテルエーテルケトン等の高透明な樹脂を使用すること
ができる。
また裏打ち層6としては、ポリカーボネート、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リ塩化ビニル等を使用することができる。接着剤層5を
構成する接着剤としてはUV硬化型接着剤、熱可塑性、熱
硬化性、2液型の接着剤等広範な接着剤から選択するこ
とができる。
透明保護層2の外表面上に吸収層12が設けられてい
る。吸収層12は樹脂からなるバインダーと読み取り光を
吸収する染料が顔料と溶剤から構成されている塗料によ
り構成されている。
例えば、読み取り光が780nmや830nm近傍で発振する半
導体レーザ光であるとして、この場合の染料や顔料とし
ては、シアニン系、フタロシアニン系、メチン系、メロ
シアニン系、アルミニウム系、ジイモニウム系、遷移金
属キレート化合物、ナフトキノン系、スクアリリウム
系、アズレニウム系、アントラキノン系、クロコニウム
等の染料、カーボンブラック、フタロシアニン系等の顔
料がある。
具体的な製品名としては、染料として、 PA−1005(三井東圧株式会社)、 PA−1006(三井東圧株式会社)、 IR−750(日本化薬株式会社)、 IR−820(日本化薬株式会社)、 IGR−002(日本化薬株式会社)、 IGR−003(日本化薬株式会社)、 IGR−022(日本化薬株式会社)、 IGR−023(日本化薬株式会社)、 CY−2(日本化薬株式会社)、 CY−4(日本化薬株式会社)、 CY−9(日本化薬株式会社)、 CY−20(日本化薬株式会社)、 NK−125(株式会社日本感光色素研究所)、 NK−2014(株式会社日本感光色素研究所)、 NK−2865(株式会社日本感光色素研究所) があり、 また顔料としては、チャネルブラック、オイルファー
ネスブラック、サーマルブラック等のカーボンブラック
顔料がある。
その他の波長域に対してはそれに応じた吸収を持つ、
染料が顔料を用いることになる。
吸収層の樹脂として使用可能なものとしては、アクリ
ル系樹脂、ビニル系樹脂、セルロース系樹脂、ポリエス
テル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、ア
ルキッド系樹脂、アミノ系樹脂、シリコン系樹脂等の樹
脂やこれらを配合した樹脂等がある。
配合比は、設定した反射率が得られるように吸収層の
吸収率をコントロールするために、膜厚や塗膜強度、染
料を使う場合は溶解性、顔料を使う場合には分散性等を
充分考慮して、樹脂、溶剤、吸収剤等を配合する。
耐光性を向上させるために、紫外線吸収剤や、酸化防
止剤等を添加してもよい。
このように構成した光記録カードにおいては、読み取
り光がカードの表面7から入射し、吸収層12、透明保護
層2を通して金属反射膜パターン4に達する。金属反射
膜パターン4は情報パターンのピット13の有無によって
高反射部と低反射部とを構成していて、入射した読み取
り光はいずれかの反射面で反射されて読取り機(リーダ
ー)へ向けて出射する。このとき入射光も反射光も吸収
層12で吸収されるので強度は低下する。こうして反射光
は強度が低下して書き込み可能型光記録カードのリーダ
ーでピット13の読み取りが可能となる。
次に、以上の光記録カードの製造方法を第2図につい
て説明する。
(1)厚さ0.4mmのポリカーボネートシート製の透明保
護層2の内面に蒸着用アンカーコート層3を形成する。
例えば、大日本インキ化学工業株式会社製のシリコン
−アクリル樹脂塗料1161をエチルセロソルブで1:1の重
量比に希釈したものを2000rpmで30秒間スピンコート
し、120℃で60分間焼付けると約0.5μmの膜厚のアンカ
ーコート層3が得られる(第2図(a))。
(2)アンカーコート層3の面にアルミニウム製の金属
反射膜4aを蒸着により形成する。
蒸着に際しては、真空槽を11×0-5Torrまで予め減圧
し、10Å/secの蒸着レートでアルミニウム膜を1000オン
グストローム(angstrom)の膜厚に形成した(第2図
(b))。(3)アルミニウム反射膜上にレジスト層21
を形成する。
レジストには例えばシプレイ社のマイクロポジット
(登録商標)S1400−17を用い、3000rpmで30秒間の条件
でスピンコートし、90℃で15分間ベーキングすると約0.
5μmのポジレジスト層21が形成できる(第2図
(c))。
(4)所望のパターンを形成したマスクを22を密着させ
て、露光する。
所望のパターンは書き込み可能型光記録カードのフォ
ーマッティングとコンパチブルなパターンである。露光
量は約6mJ/cm2である。(第2図(d))。
(5)レジスト層を現像する。
マイクロポジット(登録商標)S1400−17にはシプレ
イ社製マイクロポジット(登録商標)ディベロッパーMF
−312を純水で1:1の容量比に希釈した現像液に30秒間浸
漬し、その後直ちに水洗をすることにより行える(第2
図(e))。
(6)金属反射膜4aをエッチングする。
アルミニウムのエッチングには、 H3PO4 16部(容量部) CH3COOH 2部(容量部) NHO3 1部(容量部) H2O(純水) 1部(容量部) からなるエッチングを用いればよい。上記のエッチャン
ト35℃に加熱し、(5)で得たサンプルを60秒間程、エ
ッチャントを撹拌しながら浸漬すると反射膜がレジスト
パターン通りにエッチングされる。その後、直ちに流水
で充分水洗し、水切りを行う(第2図(f))。
(7)レジスト層21を剥離して金属反射膜パターン層4
を得る。
レジスト層21の剥離には通常のアルカリ系リムーバー
が使用できる。本実施例の場合は、剥離効率を上げるた
めに予め、100mJ/cm2程度レジスト層21を再露光し、剥
離液に浸漬し、リムーブを行った。マイクロポジット
(登録商標)S1400−17には剥離液10(東京応化工業株
式会社)を1:3の容量比に純水で希釈した剥離液を用い
た。再露光してあると1〜2秒間剥離液に浸漬し、直ち
に充分な純水で水洗を行えば、リムーブができる。リム
ーブ後は乾燥を充分に行う(第2図(g))。
(8)読み取り光を吸収する吸収層12をポリカーボネー
トシートの外面に形成する。
吸収層12は、アクリル系樹脂からなるバインダーと読
み取り光を吸収する染料と溶剤から構成されている塗料
を塗布し、乾燥することで得られる。
例えば、溶剤がトルエン+ブタノール+セロソルブア
セテート(1:1:1容量比)からなる固形分20%のアクリ
ルラッカー10gに近赤外吸収染料IR−820(日本化薬株式
会社)15mgを1、2−ジクロルエタン+シクロヘキサノ
ン(1:1重量比)4gで溶かした染料液を加えて充分に撹
拌することで塗料が得られる。これを2000rpmで60秒間
の条件でスピンコートした後、100℃で60分間乾燥する
と、830nmの波長で透過率が約70%の吸収層が形成でき
る(第2図(h))バインダーはアクリル系に限らず、
染料+バインダーからなる光記録膜に用いられる樹脂な
ら殆どのものを用いることができる。架橋反応、脱水重
合、酸化重合等により塗膜強度を増す樹脂の場合には、
染料と反応して脱色することがあるので、注意する必要
がある。
染料には後工程の加熱により脱色等の変化がないもの
を用いなければならない。
(9)接着剤層5を介して裏打ち層6を金属反射膜パタ
ーン層4の面と重ね合せ、接着する。例えば、裏打ち層
6には厚さ0.35mmの塩化ビニルシートを用いる。裏打ち
層6には予め印刷等により所望のデザインが施してあっ
てもよい。塩化ビニルシートの場合には接着剤として、
熱可塑性のポリエスレル系、ポリウレタン系接着剤が有
効であり、塩化ビニルシートに接着剤を塗布した後は充
分に乾燥させて、溶剤が残らないようにする。本実施例
ではポリウレタン系熱可塑性接着剤層を乾燥膜厚で約5
μmの厚さに形成した。
接着は熱プレスで行った。そのときの条件は100℃,20
kg/cm2に加熱・加圧を10分間行い、水冷を1分間するこ
とで接着した(第2図(i))。
(10)最後に所望の形状に打ち抜き光記録カード1を得
た。(第2図(j)。
(11)こうしてでき上がった高反射率比光記録カード1
のアルミ反射膜の830nmにおける高反射部の絶対反射率
は39.5%であり、アルミ反射膜の除去された部分の低反
射部の絶対反射率は4.2%であった。また、780nmでは5
5.0%と5.0%であった(第2図(k))。
[他の実施例] 上記の第1図に示した吸収層12を独立の層構成として
透明保護層2の外表面に形成したが、この他に次のよう
に構成することもできる。
第3図に示す光記録カード1bはハードコート層14が吸
収層12を兼ねたものである。
第4図に示す光記録カード1cは吸収層12の上にハード
コート層14を別個に設けたものである。
第5図に示す光記録カード1dは透明保護層2と吸収層
12を兼用させたものである。
この透明保護層を吸収層とする場合には透明保護層を
形成(例えばシートやフィルム等に成形したり、射出成
形したりすること)するときに、前記の吸収剤を練り込
んで作製する。
第6図に示す光記録カード1eはアンカーコート層3が
吸収層12を兼ねたものである。
第7図に示す光記録カード1fは吸収層12を透明保護層
2とアンカーコート層3との間に設けたものである。
[発明の効果] この発明によれば、高反射率比光記録カードの情報パ
ターンの反射率を所望の値に設定できる。また低反射化
することで、書き込み可能型光記録カード等の低反射率
比光記録カードと高反射率比光記録カードがコンパチブ
ルになるので、書き込み読み取り機(リーダライタ)で
高反射率比光記録カードを読み取ることが可能となるた
め、高反射率比光記録カードの普及が容易になる。しか
も反射率の制御は吸収層を設けることにより自由に制御
することができ、しかもこの吸収層の形成は確立した印
刷技術を使用することができるので、吸収層の形成は容
易かつ高精度にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係わる光記録カードの断
面説明図、第2図は光記録カードの製造工程を示す説明
図、第3図は他の実施例に係わる光記録カードの断面説
明図、第4図は他の実施例に係わる光記録カードの断面
説明図、第5図は他の実施例に係わる光記録カードの断
面説明図、第6図は他の実施例に係わる光記録カードの
断面説明図、第7図は他の実施例に係わる光記録カード
の断面説明図、第8図は従来の光記録カードを示す断面
説明図である。 1……光記録カード 2……透明保護層 3……アンカーコート層 4……金属反射膜パターン層 4a……金属反射膜 5……接着剤層 6……裏打ち層 7……カード表面 12……吸収層 13……ピット 14……ハードコート層 21……レジスト層 22……マスク

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】読み取り光入射側のカード表面と情報が記
    録された反射膜との間に読み取り光に対して光吸収性を
    有する光吸収層を備えることを特徴とする光記録カー
    ド。
  2. 【請求項2】前記反射膜は金属反射膜であることを特徴
    とする請求項1記載の光記録カード。
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