JP2670136B2 - フッ化物光ファイバ用原料の製造方法およびその製造装置 - Google Patents

フッ化物光ファイバ用原料の製造方法およびその製造装置

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JP2670136B2 JP1063969A JP6396989A JP2670136B2 JP 2670136 B2 JP2670136 B2 JP 2670136B2 JP 1063969 A JP1063969 A JP 1063969A JP 6396989 A JP6396989 A JP 6396989A JP 2670136 B2 JP2670136 B2 JP 2670136B2
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C1/00Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
    • C03C1/02Pretreated ingredients
    • C03C1/022Purification of silica sand or other minerals

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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は外的散乱損失のない低損失なフッ化物光ファ
イバ用原料の製造方法およびその製造装置に関するもの
である。詳しくは水酸基または酸化物を含まないフッ化
物光ファイバ用原料を製造する方法およびその製造装置
に関するものである。
(従来の技術) フッ化物ガラスを素材とする光ファイバは、石英系光
ファイバを凌ぐ10-2db/km以下の伝送損失をもつことが
期待されており、特にフッ化物ガラスのうちで、ZrF4
主成分とするフッ化物ガラスは、光ファイバ素材として
最も有望視されている。
ZrF4系フッ化物ガラスは、通常、白金製または金製の
るつぼを用いて原料バッチを溶融した後、急冷する、い
わゆる溶融法によって合成されている。原料バッチに用
いられるBaF2,LaF3,等の金属フッ化物は、一般に硝酸塩
等をフッ化水素溶液中でフッ素化した後、加熱脱水して
得られている。このときの反応式は、 La(NO3+3HF→LaF3+3HNO3 (1) で示される。
しかし、湿式反応を利用する限り、生成物のLaF3中に
は必ず水酸化物が残留し、ガラス溶融過程でガラスの主
成分であるZF4と下記の(2)式、(3)式で示すよう
に直接反応したり、または酸化物となった後に反応し
て、ZrO2を生成し、外的散乱損失を増大させる(例え
ば、Fujiuraetal“Formation Reaction of ZrO2 Scatte
rers in ZrF4−Based Fluoride Fibers“J.Amer.Cera.S
oc.Vol.71,pp.460〜464)。
3ZrF4+2La(OH)→3ZrO2+2LaF3+6HF (2) 3ZrF4+2La2O3→3ZrO2+4LaF3 (3) このためガラス溶融に際しては、原料中の水酸化物を
除くため、従来より原料バッチにNH4F・HFをフッ素化剤
として添加し、フッ素化処理をした後、アルゴンや窒素
などの不活性ガス中で溶融されてきた。
しかしNH4F・HFを用いた場合、NH4 +イオンの還元効果
により、ガラスの主成分ZrF4の還元が起こってガラスが
着色し、ファイバの吸収損失を増大させる。これを除く
ために溶融雰囲気に酸素ガスを導入し、還元Zrを酸化し
て除去し、吸収損失の低減を図っている。しかし、この
方法では酸化物が生成されてしまうので、外的散乱損失
が増大してしまうという欠点がある。
したがってNH4・HF処理は、低損失のフッ化物光ファ
イバの作製には不適当であり、他のフッ素化処理法が望
まれている。その一つとして、フッ化物ガラスの溶融雰
囲気に、CCl4,CF4等の活性ガスを供給してガラス溶液と
反応させ、水酸基や酸素イオンを除くことをねらったRe
active Atmosphere Processing(Mat.Res.Bull.vol.15,
pp.735,1980)が提案されているが、この手法も、カー
ボン等の反応または分解生成物のガラス中へ混入が起こ
り、低損失のフッ化物光ファイバ用ガラス作製法として
適しているとは言えない。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、水酸化物または酸化物に起因した酸化物散
乱体による外的散乱損失を低減したフッ化物光ファイバ
を製造するために必要な高純度フッ化物ガラス原料を製
造する方法およびその製造装置を提供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明は、フッ化物光ファイバ用原料の製造方法にお
いて、湿式法により合成されたフッ化物原料粉末を、フ
ッ素ガスを含有するガスで室温ないし600℃の温度にお
いて処理する。その製造装置はアルミニウム製の処理容
器からなり、該処理容器は、内部にガスを供給するため
のノズルおよび内部の雰囲気ガスを外部に排気するため
のノズルを有する容器、および該容器内でフッ化物原料
中にフッ素ガスを含有するガスを分散させるための分散
板とにより構成する。
従来は、湿式法で得られたフッ化物は、加熱して真空
乾燥するなどして、フッ化物中に含まれた水分を除去し
ていたが、本発明では原料中に含まれ、水酸基が生成さ
れる原因となる水分の除去を単に物理的に行うのではな
く、F2ガスと水分との反応により取り除く。
(実施例) 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
実施例1 第1図は、フッ化物原料をF2ガスで処理するための処
理容器の構成図であって、硝酸バリウム水溶液にフッ化
水素酸を加えて得られたBaF2粉末にF2ガスを供給してい
るところを示している。
すなわちArガスで10%に希釈したF2ガスを、ガス供給
ノズル1から処理容器本体2の中に供給し、分散板(メ
ザラ)3の上部に置かれたフッ化物原料粉末(BaF2)4
の中に拡散させた。また、処理容器内の雰囲気ガスは、
排気ノズル6から外部に排気した。このときの処理容器
内の温度は20℃であった。F2ガスを2時間流した後、F2
ガスの供給を止め、乾燥Arガスを処理容器内に供給し、
処理容器の内部が250℃になるように、処理容器を電気
炉により、2時間加熱した後、室温まで徐冷した。
第2図には、上記プロセスにより得られたBaF2原料の
KBr法によって測定した赤外透過スペクトル(a)と、F
2処理をせずにAr雰囲気中で加熱焼成したBaF2の赤外透
過スペクトル(b)とを示す。
スペクトル(b)では25μm〜30μmの波長で透過率
が低下していることがわかる。これは、BaF2中に酸素不
純物が残存したために生ずるBa−O結合の振動吸収によ
るものである。
一方、スペクトル(a)ではBa−Oの振動吸収による
透過率の低減は見られず、酸素不純物が除かれているこ
とがわかる。
このようにF2ガス処理を施した原料で酸素不純物が除
去されているのは、下記の(4),(5)式に示すよう
に、フッ化水素酸との反応で生成されたBaF2粉末中に含
まれる水分や水酸基がF2ガスと反応して効率良く除かれ
ることにより、BaF2が加水分解されることを妨げ、また
水酸化物から酸化物が生成されることを妨げるためであ
る。
(4),(5)式の反応は室温でも十分に進行する
が、加熱することにより反応の進行を促進させることが
できる。
しかし、F2ガスを用いた場合に温度を上げ過ぎると、
処理容器がF2ガスと反応し始めてしまうので、処理温度
には上限がある。アルミニウム製の処理容器を用いた場
合、600℃程度の加熱処理に耐えられる。したがって処
理温度としては、室温から600℃程度まで採用すること
ができる。
実施例2 硝酸ランタン水溶液にフッ化水素酸を加えて得られた
LaF3についても、実施例1と同様にF2ガス処理を施し
た。
第3図には、F2ガス処理を施したLaF3と未処理のLaF3
とを、それぞれAr雰囲気中で加熱焼成した後の赤外透過
スペクトルを示す。スペクトル(c)はF2ガス処理を施
したもの、スペクトル(d)は未処理のもののスペクト
ルである。
スペクトル(d)では、20μmから28μmにかけて透
過特性がスペクトル(c)に比べて著しく低下している
ことがわかる。このスペクトル(d)の透過特性の劣化
は、LaF3中に酸素不純物が残存しているために生ずるLa
−O結合の振動吸収によるものである。
一方、スペクトル(c)では、La−Oの振動吸収によ
る透過率の低下は見られず、酸素不純物が除かれている
ことがわかる。
これはF2ガス処理を施すことにより、LaF3の合成過程
で、下記の(6)式に示すように、LaF3中に残存した水
酸基がF2ガスと反応して除かれるためである。
実施例3 昇華精製したZrF4,AlF3についてもF2ガス処理を施し
た後、実施例1、実施例2で得られたBaF2,LaF3ととも
に原料として、各原料を乾燥不活性ガス雰囲気中で所定
の組成となるように秤量混合し、乾燥不活性ガス雰囲気
中で850℃で2時間溶融した後、金属モールドにキャス
ティングして母材を得た。この母材から線引きして得ら
れた光ファイバにHe−Neレーザ光を入射したところ、フ
ァイバ中に散乱中心はほとんど観測されなかった。
また散乱損失とその波長依存性を測定したところ、散
乱損失α(dB/km)と波長λ(μm)とは、 α=1.1/λ+0.03(dB/km) (7) の関係があった。これは上式の右辺第1項および第2項
の定数が、従来の作製法で得た原料を用いると、それぞ
れ5〜15および0.1〜20であったことと比較すると、著
しく小さくなっている。
これは、例えばBaF2中に水酸化物が残留していると、
下記の(8)式に示すように、水酸化物が、ガラスの主
成分であるZrF4と反応し、ZrO2が生成され、ガラス融液
中に酸化物散乱体として残るが、F2ガス処理を施して原
料中に残留した水酸基を除いておけば、酸化物散乱体が
残らないためである。
Ba(OH)+ZrF4→BaF2+ZrO2+2HF (8) (発明の効果) 以上説明したように、本発明のフッ化物光ファイバ用
原料の製造方法によれば、酸素不純物を含まないフッ化
物光ファイバ用原料を製造できるので、ひいては外的散
乱体のない低損失なフッ化物光ファイバを製造すること
に寄与する利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に用いたフッ化物原料をF2
スで処理するための処理容器の構成図、 第2図および第3図は本発明の製造方法で得られたBa
F2,LaF3の赤外透過スペクトルを示す図である。 1……ガス供給ノズル 2……処理容器本体 3……分散板(メザラ) 4……フッ化物原料粉末 5……フランジ 6……排気ノズル 7……ボルト 8……ナット
フロントページの続き (72)発明者 高橋 志郎 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−69538(JP,A) 特開 昭61−63538(JP,A) 特開 昭59−3039(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】フッ化物光ファイバ用原料の製造方法にお
    いて、湿式法により合成されたフッ化物原料粉末を、ア
    ルミニウム製の容器内でフッ素ガスを含有するガスで室
    温ないし600℃の温度において処理することを特徴とす
    る高純度フッ化物原料の製造方法。
  2. 【請求項2】アルミニウム製の処理容器からなり、該処
    理容器は、内部にガスを供給するためのノズルおよび内
    部の雰囲気ガスを外部に排気するためのノズルを有する
    容器と、該容器内でフッ化物原料中にフッ素ガスを含有
    するガスを分散させるための分散板とから構成されてい
    ることを特徴とするフッ化物光ファイバ用原料の製造装
    置。
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