JP2662036B2 - 電子部品の外観検査装置 - Google Patents
電子部品の外観検査装置Info
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- JP2662036B2 JP2662036B2 JP1172242A JP17224289A JP2662036B2 JP 2662036 B2 JP2662036 B2 JP 2662036B2 JP 1172242 A JP1172242 A JP 1172242A JP 17224289 A JP17224289 A JP 17224289A JP 2662036 B2 JP2662036 B2 JP 2662036B2
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- Japan
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- electronic component
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- power supply
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電子部品の外観検査装置に関し、殊に電子部
品に向ってレーザ光を照射する半導体レーザ装置の出力
の制御手段に関する。
品に向ってレーザ光を照射する半導体レーザ装置の出力
の制御手段に関する。
（従来の技術） 電子部品を基板に実装する工程において、電子部品の
外観検査が行われる。外観検査には、例えばリード先端
部の半田フィレットの形状検査，リードの浮き検査，リ
ードとリードの間の半田ブリッジの有無の検査，電子部
品若しくはリードの位置ずれ検査，電子部品の欠品検査
等がある。
外観検査が行われる。外観検査には、例えばリード先端
部の半田フィレットの形状検査，リードの浮き検査，リ
ードとリードの間の半田ブリッジの有無の検査，電子部
品若しくはリードの位置ずれ検査，電子部品の欠品検査
等がある。
第４図は従来の外観検査装置の一例を示すものであっ
て、レーザ装置101から電子部品Ｐの半田フィレットＦ
等に向ってレーザ光を照射し、その反射光をPSDのよう
な位置検出素子102に入射させ、その入射位置Ｋに基い
て、フィレットＦの形状を計測するようになっている。
て、レーザ装置101から電子部品Ｐの半田フィレットＦ
等に向ってレーザ光を照射し、その反射光をPSDのよう
な位置検出素子102に入射させ、その入射位置Ｋに基い
て、フィレットＦの形状を計測するようになっている。
ところがフィレットＦの表面は鏡面であるため、これ
に反射されたレーザ光がまともに位置検出素子102に入
射した場合、反射光が強すぎることから、位置検出素子
102は飽和してハレーションを生じ、計測不能になりや
すかった。かかる問題は、半田フィレットに限らず、例
えばリードや電極などの鏡面性を有する部分に、レーザ
光を反射させた場合も、同様に生じるものである。因み
に、半田フィレットＦに反射されて、位置検出素子102
に入射するレーザ光の最小最大値の比、及びこれに基づ
く位置検出素子102の出力の比は例えば1:10,000であ
り、ハレーションの発生を防止する為には、この比を小
さくしなければならない。
に反射されたレーザ光がまともに位置検出素子102に入
射した場合、反射光が強すぎることから、位置検出素子
102は飽和してハレーションを生じ、計測不能になりや
すかった。かかる問題は、半田フィレットに限らず、例
えばリードや電極などの鏡面性を有する部分に、レーザ
光を反射させた場合も、同様に生じるものである。因み
に、半田フィレットＦに反射されて、位置検出素子102
に入射するレーザ光の最小最大値の比、及びこれに基づ
く位置検出素子102の出力の比は例えば1:10,000であ
り、ハレーションの発生を防止する為には、この比を小
さくしなければならない。
この為の対策として従来、第５図に示すような回路構
成が知られている。図中、103はレーザ電源、104は集光
レンズ、105は演算部、106はレーザ光源103の制御部で
ある。位置検出素子102は、両端部に出力部を有してお
り、レーザ光の入射位置Ｋに基いて、それぞれアナログ
信号Ia,Ibを出力するようになっている。演算部105は、
アンプ107,107と、このアンプ107,107に並列接続された
抵抗体R1〜RN,R1′〜RN′と、入力側抵抗体ｒから成る
利得回路を備えている。
成が知られている。図中、103はレーザ電源、104は集光
レンズ、105は演算部、106はレーザ光源103の制御部で
ある。位置検出素子102は、両端部に出力部を有してお
り、レーザ光の入射位置Ｋに基いて、それぞれアナログ
信号Ia,Ibを出力するようになっている。演算部105は、
アンプ107,107と、このアンプ107,107に並列接続された
抵抗体R1〜RN,R1′〜RN′と、入力側抵抗体ｒから成る
利得回路を備えている。
この演算部105は、制御部106へ出力される信号Va,Vb
の比が、設定比（例えば1:80）以上にならないように、
利得比を制御するものであって、この為に抵抗体ＲをＮ
個設けて、そのスイッチ108を切り換えることにより、
利得比をＮ通り変更して、上記設定比を越えないように
している。なおかかる演算部105を有しない第４図の場
合の出力の比は、上述のように約1:10,000である。
の比が、設定比（例えば1:80）以上にならないように、
利得比を制御するものであって、この為に抵抗体ＲをＮ
個設けて、そのスイッチ108を切り換えることにより、
利得比をＮ通り変更して、上記設定比を越えないように
している。なおかかる演算部105を有しない第４図の場
合の出力の比は、上述のように約1:10,000である。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら上記手段は、Ｎ通りの抵抗体R1〜RN,R
1′〜RN′やそのスイッチ108を必要とすることから、演
算部105の回路構成やその制御がきわめて複雑であっ
た。また抵抗体R1〜RN,R1′〜RN′だけによって、利得
比を正確にコントロールすることは困難であることか
ら、別途抵抗値調整用のトリマー109を設け、このトリ
マー109により抵抗値を微調整せねばならず、このため
益々回路構成や制御が複雑化するものであった。更には
各抵抗体の抵抗値は、厳密にはR1≠R1′・・・RN≠RN′
であって、完全な等値ではないため、演算誤差は避けら
れないものであった。
1′〜RN′やそのスイッチ108を必要とすることから、演
算部105の回路構成やその制御がきわめて複雑であっ
た。また抵抗体R1〜RN,R1′〜RN′だけによって、利得
比を正確にコントロールすることは困難であることか
ら、別途抵抗値調整用のトリマー109を設け、このトリ
マー109により抵抗値を微調整せねばならず、このため
益々回路構成や制御が複雑化するものであった。更には
各抵抗体の抵抗値は、厳密にはR1≠R1′・・・RN≠RN′
であって、完全な等値ではないため、演算誤差は避けら
れないものであった。
したがって本発明は、簡単な構成により、電子部品に
レーザ光を照射するレーザ装置の出力を調整できる手段
を備えた電子部品の外観検査装置を提供することを目的
とする。
レーザ光を照射するレーザ装置の出力を調整できる手段
を備えた電子部品の外観検査装置を提供することを目的
とする。
（課題を解決するための手段） このために本発明は、電子部品に向かってレーザ光を
照射する半導体レーザ装置と、レーザ電源と、電子部品
に反射されたレーザ光を検出し、その入射位置と入射光
量とに応じた信号を出力する位置検出素子と、この信号
に基づいて、上記半導体レーザ装置の出力を制御する制
御装置とから成る電子部品の外観検査装置において、 上記制御装置が、上記半導体レーザ装置の出力が所定
の範囲で増減する高周波パルスとなるように上記レーザ
電源を制御し、かつ上記位置検出素子から出力されたア
ナログ信号に基づくデジタル信号の大きさを判定し、こ
のデジタル信号が上記位置検出素子の飽和時の出力によ
り定まる所定値よりも大きい場合には、上記半導体レー
ザ装置の出力を低下させるよう上記レーザ電源を制御す
る構成でなる。
照射する半導体レーザ装置と、レーザ電源と、電子部品
に反射されたレーザ光を検出し、その入射位置と入射光
量とに応じた信号を出力する位置検出素子と、この信号
に基づいて、上記半導体レーザ装置の出力を制御する制
御装置とから成る電子部品の外観検査装置において、 上記制御装置が、上記半導体レーザ装置の出力が所定
の範囲で増減する高周波パルスとなるように上記レーザ
電源を制御し、かつ上記位置検出素子から出力されたア
ナログ信号に基づくデジタル信号の大きさを判定し、こ
のデジタル信号が上記位置検出素子の飽和時の出力によ
り定まる所定値よりも大きい場合には、上記半導体レー
ザ装置の出力を低下させるよう上記レーザ電源を制御す
る構成でなる。
（作用） 上記構成において、半導体レーザ装置から電子部品に
照射されたレーザ光は、電子部品に反射されて位置検出
素子に入射するが、位置検出素子から出力された信号が
設定値よりも大きい場合には、レーザ装置の出力が低下
するように、レーザ電源を制御する。
照射されたレーザ光は、電子部品に反射されて位置検出
素子に入射するが、位置検出素子から出力された信号が
設定値よりも大きい場合には、レーザ装置の出力が低下
するように、レーザ電源を制御する。
（実施例） 次に、図面を参照しながら本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図は電子部品の外観検査装置を示すものであっ
て、１は半導体レーザ装置、２は反射鏡、３は集光レン
ズ４とPSDのような位置検出素子５から成る光検出器、
６は制御装置、７はレーザ電源である。Ｐは基板Ｓに実
装された電子部品、Ｆは半田フィレットである。この装
置は、反射鏡２を回転させながら、レーザ光を半田フィ
レットＦに沿って掃引し、その形状を計測するものであ
る。
て、１は半導体レーザ装置、２は反射鏡、３は集光レン
ズ４とPSDのような位置検出素子５から成る光検出器、
６は制御装置、７はレーザ電源である。Ｐは基板Ｓに実
装された電子部品、Ｆは半田フィレットである。この装
置は、反射鏡２を回転させながら、レーザ光を半田フィ
レットＦに沿って掃引し、その形状を計測するものであ
る。
第２図は制御装置６の詳細を示すものであって、10は
I/V変換器であり、上記位置検出素子５の３個の出力端
子が接続されている。３個の出力端子のうち、両端部の
端子は、レーザ光の入射位置Ｋに基いて、アナログ信号
Ia,Ibを出力する。中央の端子はバイアス用である。
I/V変換器であり、上記位置検出素子５の３個の出力端
子が接続されている。３個の出力端子のうち、両端部の
端子は、レーザ光の入射位置Ｋに基いて、アナログ信号
Ia,Ibを出力する。中央の端子はバイアス用である。
11はA/D変換装置であって、上記I/V変換器10から出力
されたアナログ電圧Va,VbはA/D変換器12,13により、デ
ジタル信号Da,Dbに変換される。15はCPUのような制御部
であって、デジタル信号Da,Dbの大きさが、設定値（本
実施例では0.1〜0.8V）の範囲内にあるか否かを判断す
る。ここで、0.1V以下であると、出力は小さすぎてレー
ザ装置１は作動しない。また8V以上であると、出力比は
0.1:8＝1:80以上となり、位置検出素子５は飽和してハ
レーションを生じる虞れがある。したがってこの制御部
15は、デジタル信号Da,Dbが8V以上になると、レーザ電
源７の出力Idを低下させるよう、D/A変換器14を介し
て、上記レーザ電源７を制御する。因みに、例えば0.1V
及び8Vに対応するIdの値は、それぞれ30mA及び70mA,そ
の時のレーザ装置１の出力Piは、0.1mW及び20mWであ
る。したがってレーザ装置１の出力Piは、位置検出素子
５が出力するアナログ信号Ia,Ibに基づくデジタル信号D
a,Dbによって定まる。
されたアナログ電圧Va,VbはA/D変換器12,13により、デ
ジタル信号Da,Dbに変換される。15はCPUのような制御部
であって、デジタル信号Da,Dbの大きさが、設定値（本
実施例では0.1〜0.8V）の範囲内にあるか否かを判断す
る。ここで、0.1V以下であると、出力は小さすぎてレー
ザ装置１は作動しない。また8V以上であると、出力比は
0.1:8＝1:80以上となり、位置検出素子５は飽和してハ
レーションを生じる虞れがある。したがってこの制御部
15は、デジタル信号Da,Dbが8V以上になると、レーザ電
源７の出力Idを低下させるよう、D/A変換器14を介し
て、上記レーザ電源７を制御する。因みに、例えば0.1V
及び8Vに対応するIdの値は、それぞれ30mA及び70mA,そ
の時のレーザ装置１の出力Piは、0.1mW及び20mWであ
る。したがってレーザ装置１の出力Piは、位置検出素子
５が出力するアナログ信号Ia,Ibに基づくデジタル信号D
a,Dbによって定まる。
第３図はレーザ装置１の出力Piの波形を示すものであ
って、0.1〜20mWの範囲内で増減する高周波パルスとな
るように、制御部15により制御される。このようにレー
ザ装置１を発振させて、レーザ装置１のON時とOFF時の
上記出力Va,Vbの差異を検出することにより、検出素子
５に入射する外乱光の悪影響を除去することができる。
このように本手段によれば、ハイパスフィルターを用い
ることなく、外乱光の悪影響を除去することができる。
って、0.1〜20mWの範囲内で増減する高周波パルスとな
るように、制御部15により制御される。このようにレー
ザ装置１を発振させて、レーザ装置１のON時とOFF時の
上記出力Va,Vbの差異を検出することにより、検出素子
５に入射する外乱光の悪影響を除去することができる。
このように本手段によれば、ハイパスフィルターを用い
ることなく、外乱光の悪影響を除去することができる。
本装置は上記のような構成より成り、次に動作の説明
を行う。
を行う。
レーザ装置１から照射されたレーザ光は、反射鏡２に
反射されて、半田フィレットＦに沿って掃引され、反射
されたレーザ光は、位置検出素子５に入射する。位置検
出素子５の両端部の出力端子からは、入射位置Ｋに応じ
たアナログ信号Ia,Ibが出力される。この信号Ia,IbはI/
V変換器10によりアナログ電圧Va,Vbに変換され、次いで
A/D変換器12,13によりデジタル信号Da,Dbに変換され
る。制御部15により、この信号Da,Dbが設定範囲（0.1〜
8V）内にあるか否かが判断され、設定値（8V）以上の場
合は、レーザ装置１の出力が20mW以下になるように、レ
ーザ電源７の出力は下げられる。したがって過度に強い
レーザ光が位置検出素子５に入射して、ハレーションを
生じるのは防止される。
反射されて、半田フィレットＦに沿って掃引され、反射
されたレーザ光は、位置検出素子５に入射する。位置検
出素子５の両端部の出力端子からは、入射位置Ｋに応じ
たアナログ信号Ia,Ibが出力される。この信号Ia,IbはI/
V変換器10によりアナログ電圧Va,Vbに変換され、次いで
A/D変換器12,13によりデジタル信号Da,Dbに変換され
る。制御部15により、この信号Da,Dbが設定範囲（0.1〜
8V）内にあるか否かが判断され、設定値（8V）以上の場
合は、レーザ装置１の出力が20mW以下になるように、レ
ーザ電源７の出力は下げられる。したがって過度に強い
レーザ光が位置検出素子５に入射して、ハレーションを
生じるのは防止される。
上記実施例は、半田フィレットＦの外観検査を例にと
って説明したが、本発明に係る装置は、リードの浮き検
査、半田ブリッジの有無の検査、電子部品部品やリード
の位置ずれの検査、電子部品の欠品検査等にも適用でき
るものである。
って説明したが、本発明に係る装置は、リードの浮き検
査、半田ブリッジの有無の検査、電子部品部品やリード
の位置ずれの検査、電子部品の欠品検査等にも適用でき
るものである。
（発明の効果） 本発明によれば、簡単な回路構成により、過度に強い
レーザ光が位置検出素子に入射して、これがハレーショ
ンを生じ、形状計測が不能になるのを防止でき、安定し
た電子部品の外観検査を行うことができる。
レーザ光が位置検出素子に入射して、これがハレーショ
ンを生じ、形状計測が不能になるのを防止でき、安定し
た電子部品の外観検査を行うことができる。
図は本発明の実施例を示すものであって、第１図は電子
部品の外観検査装置の全体図、第２図は回路構成図、第
３図は波形図、第４図は従来の外観検査装置の正面図、
第５図は回路構成図である。 １……半導体レーザ装置 ５……位置検出素子 ６……制御装置 ７……レーザ電源 15……制御部
部品の外観検査装置の全体図、第２図は回路構成図、第
３図は波形図、第４図は従来の外観検査装置の正面図、
第５図は回路構成図である。 １……半導体レーザ装置 ５……位置検出素子 ６……制御装置 ７……レーザ電源 15……制御部
Claims (1)
- 【請求項１】電子部品に向かってレーザ光を照射する半
導体レーザ装置と、レーザ電源と、電子部品に反射され
たレーザ光を検出し、その入射位置と入射光量とに応じ
た信号を出力する位置検出素子と、この信号に基づい
て、上記半導体レーザ装置の出力を制御する制御装置と
から成る電子部品の外観検査装置において、 上記制御装置が、上記半導体レーザ装置の出力が所定の
範囲で増減する高周波パルスとなるように上記レーザ電
源を制御し、かつ上記位置検出素子から出力されたアナ
ログ信号に基づくデジタル信号の大きさを判定し、この
デジタル信号が上記位置検出素子の飽和時の出力により
定まる所定値よりも大きい場合には、上記半導体レーザ
装置の出力を低下させるよう上記レーザ電源を制御する
ことを特徴とする電子部品の外観検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172242A JP2662036B2 (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 電子部品の外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172242A JP2662036B2 (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 電子部品の外観検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337554A JPH0337554A (ja) | 1991-02-18 |
| JP2662036B2 true JP2662036B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=15938253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1172242A Expired - Fee Related JP2662036B2 (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 電子部品の外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2662036B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008275487A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Nagoya Electric Works Co Ltd | 形状検査装置および形状検査方法 |
| JP2012237680A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Ihi Corp | 塗布状態検査装置及び方法並びにプログラム |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627200A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | 株式会社日立製作所 | 接合状態検出装置 |
| JPS63177045A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Nagoya Denki Kogyo Kk | 実装済プリント基板自動検査装置における半田フヌレ検出方式 |
| JPH0731130B2 (ja) * | 1987-10-28 | 1995-04-10 | 株式会社日立製作所 | 認識装置 |
-
1989
- 1989-07-03 JP JP1172242A patent/JP2662036B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0337554A (ja) | 1991-02-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |