JP2659370B2 - 4−ハイドロキシフエニル4−ハイドロキシベンゾエートの製法 - Google Patents

4−ハイドロキシフエニル4−ハイドロキシベンゾエートの製法

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JP2659370B2 JP62162507A JP16250787A JP2659370B2 JP 2659370 B2 JP2659370 B2 JP 2659370B2 JP 62162507 A JP62162507 A JP 62162507A JP 16250787 A JP16250787 A JP 16250787A JP 2659370 B2 JP2659370 B2 JP 2659370B2
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    • C07C67/00Preparation of carboxylic acid esters
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/76Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C69/84Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring of monocyclic hydroxy carboxylic acids, the hydroxy groups and the carboxyl groups of which are bound to carbon atoms of a six-membered aromatic ring
    • C07C69/88Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring of monocyclic hydroxy carboxylic acids, the hydroxy groups and the carboxyl groups of which are bound to carbon atoms of a six-membered aromatic ring with esterified carboxyl groups

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Description

【発明の詳細な説明】 エステル化触媒を用い、反応剤(reactants)が実質
的に分散するような反応溶媒中で反応を実施することを
特徴とするところの、ハイドロキノンとp−ハイドロキ
シ安息香酸とのエステル化反応による、4−ハイドロキ
シフエニル4−ハイドロキシベンゾエートの合成方法に
ついて記述する。前述の方法に従って高い収率でまた工
業的に十分な純度で得られるその化合物は、さらに線状
のポリカーボネートあるいはコポリカーボネートの合成
に利用することについても記述する。
その主鎖および/または側鎖にLC(液晶)構成単位を
有する新しいポリマーを合成するための構成単位は最近
その重要性を増してきた。
Eur.Polym.J.,20(3),225(1984)において、W.R.K
rigbaum et alは、4−ハイドロキシフエニル4−ハイ
ドロキシベンゾエートを構成単位とするポリマーの研究
を報告している。この研究で著者らは、芳香族ポリエス
テルを合成する際に純度の高い構成単位を使用すること
が、得られる芳香族ポリエステルの性質にきわめて重大
な影響をもつことを示している。
J.Jackson Jr.はBrit.Polym.J.12(1980),154の報告
中において、同様に対称的に配向した芳香環だけをポリ
エステルの合成に用いた場合に芳香族ポリエステルの最
も優れた性質が達成できるという結論を得ている。
しかしながら、従来ポリマーの構成単位としての高純
度の4−ハイドロキシフエニル4−ハイドロキシベンゾ
エート(I) の合成を工業的規模で行うことは成功していない。そこ
でKrigbaumは前述の研究において、保護基を用いた複雑
な合成方法について報告しているにすぎない。
本発明は、エステル化触媒を用い、反応剤が実質的に
分散するような反応溶媒中で反応を実施することを特徴
とするところの、等しいモル比でp−ハイドロキシ安息
香酸とハイドロキノンとを反応させることによる4−ハ
イドロキシフエニル4−ハイドロキシベンゾエート
(I)の合成方法に関連する。好ましい具体例におい
て、反応剤は反応溶媒にほとんど溶解せず、また生成す
る4−ハイドロキシフエニル4−ハイドロキシベンゾエ
ートは一層溶解し難い。好ましい触媒は硫酸とホウ酸の
組合せである。とくに好ましい触媒はスルフオン酸、と
りわけ芳香族のスルフオン酸、たとえばp−トルエンス
ルフオン酸、である。
本発明はさらに、4−ハイドロキシフエニル4−ハイ
ドロキシベンゾエート(I)を、縮合法によって線状の
芳香族ポリカーボネートを合成するためのポリマー構成
単位として利用することにも関連する。ここでも本発明
の方法によって合成された4−ハイドロキシフエニル4
−ハイドロキシベンゾエートを用いることが好ましい。
好ましい具体例に従って本発明を実施するに際し、不
活性な溶媒、好ましくはトルエンやキシレンなどの芳香
族炭化水素、中に分散させた出発物質である4−ハイド
ロキシ安息香酸とハイドロキノンに対して、たとえば0.
01〜3、好ましくは0.1〜1.5、重量%のホウ酸と0.01〜
3、好ましくは0.1〜1.5、重量%の濃硫酸などの触媒を
加え、たとえば水分離装置などを用いて縮合水を除去し
ながら、その混合物を加熱還流することによってエステ
ル化する。25〜70重量部のホウ酸と75〜30重量部の硫
酸、とりわけ約40〜60重量部のホウ酸と60〜40重量部の
濃硫酸、を含むホウ酸/硫酸混合物を用いるのが好まし
い。(キシレンを溶媒として用いた場合)不均一混合物
中におけるエステル化反応は3.5〜4時間後に完了す
る。トルエンのようなさらに沸点の低い溶媒の場合に
は、十分な量の水が分離してくるまでエステル化反応時
間を延長する。内容物を放冷し、晶出した粗生成物をす
ばやく吸引ろ過し、不活性な溶媒、好ましくはキシレン
またはトルエン、で洗い、つぎに薄い炭酸水素ナトリウ
ム溶液と水で洗う。乾燥後4−ハイドロキシフエニル4
−ハイドロキシベンゾエートが理論量の98.5%の収率で
得られる;(キシレンを溶媒して用いた場合)融点242
〜245℃。もう一つの好ましい具体例においては、硫酸
/ホウ酸の組合わせをp−トルエンスルフオン酸でおき
かえる。
4−ハイドロキシフエニル4−ハイドロキシベンゾエ
ートは、その構成単位の液晶としての性質に基づく特殊
な性質を有するポリエステルの合成に用いることができ
る。本発明によると、それは液晶の構成単位を含むポリ
マー特有の性質を示す線状のポリカーボネートポリマー
の合成に使われる。とりわけ、これは、ポリマー内の液
晶構成単位の凡その配列方向に優れた強度をもつ。
4−ハイドロキシフエニル4−ハイドロキシベンゾエ
ート(I)は3次元的に架橋したポリマーの合成に利用
することは、同時に提出されたドイツ特許出願P3622613
号の主題である。本発明によって合成される化合物
(I)は、液晶の性質をもつ出発物質を合成するための
中間体、たとえばビスエポキシド、(同時に提出したド
イツ特許出願P3622610号参照)としても役立つ。
実施例1 4−ハイドロキシフエニル4−ハイドロキシベンゾエー
ト(I)の合成 内容物 4−ハイドロキシ安息香酸414g(3モル) ハイドロキノン330g(3モル) キシレン1800ml(約1.56kg) ホウ酸6g 濃硫酸4.5ml(約8.2g) 平らなフランジ型のふた、内部温度計、V2Aスチール
撹拌器および水分離器を介して還流コンデンサーを備え
た3のスルフオン化反応フラスコ中で、前記の反応混
合物を激しく撹拌しながら還流温度(浴温170〜175℃)
で加熱する。反応進行中は常に濁った溶液しか観察され
ない。還流温度で約3.5時間撹拌後、反応によって生成
する水の分離が完了する(約55〜56ml;理論量54ml)。
その混合物を還流温度でさらに0.5時間撹拌し、その後
さらに可能なかぎり撹拌を続けながら室温まで放冷す
る。その後す早く吸引ろ過した粗生成物をキシレンで洗
い減圧下で室温で乾燥する。
粉砕した物質をまず濃度3%の炭酸水素ナトリウム溶
液でよく洗い、次に水で洗い、その後減圧下室温で乾燥
する。
収量:680g(理論量の98.5%) 融点:242−245℃ 難溶性ないし不溶性の副生成物(明らかに主として直
鎖状のオリゴエステル)をとり除くために、粗生成物か
らIを熱いアセトンで抽出し、撹拌しながら氷水を加え
て室温まで冷却して抽出混合物からIを沈でんさせ、す
早く吸引ろ過し、そして減圧下室温でシリカゲルのそば
で乾燥させる。
収量:563g(理論量の81.6%)。
グリコールモノメチルエーテルアセテートから再結晶
1)、上記のようにして乾燥させて融点241〜243℃で次
の反応に使用十分な純度のIを492g(71.4%)得る。2) 1) もし必要なら活性炭を加える。
2) グリコールモノメチルエーテルアセテートの代り
に、前のバツチの生成物の再結晶時の母液を用いると、
同じ純度のIが理論量の約102%の収率で得られる。す
なわち2つのバツチ全体の収率は理論量の約87%であ
る。
実施例2 4−ハイドロキシフエニル4−ハイドロキシ−ベンゾエ
ートの合成 内容物 4−ハイドロキシ安息香酸414g(3モル) ハイドロキノン330g(3モル) キシレン2500ml(約2.17kg) p−トルエンスルフォン酸10g 反応は実施例1と同様にして行う。
収量:640g(理論量の92.7%) 融点:242〜245℃ この生成物はオリゴエステルを含まず、従ってアセト
ンに完全に溶解する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】エステル化触媒を用い、反応剤が実質的に
    分散するような反応溶媒中で反応を実施することを特徴
    とするところの、等しいモル比でp−ハイドロキシ安息
    香酸とハイドロキノンとを反応させることにより4−ハ
    イドロキシフエニル4−ハイドロキシベンゾエートの製
    法。
  2. 【請求項2】出発物質の固型物に対して、触媒として、
    0.01〜3重量%のホウ酸と0.01〜3重量%の濃硫酸を用
    いることを特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の方
    法。
  3. 【請求項3】触媒として25〜70重量部のホウ酸と75〜30
    重量部の硫酸を含むホウ酸/硫酸混合物を用いることを
    特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の方法。
  4. 【請求項4】スルフオン酸を触媒として用いることを特
    徴とする、特許請求の範囲第1項記載の方法。
  5. 【請求項5】p−トルエンスルフオン酸を触媒として用
    いることを特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の方
    法。
  6. 【請求項6】用いる不活性溶媒が芳香族炭化水素で、そ
    のエステル化反応を水を分離しつつ加熱還流して実施す
    ることを特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の方
    法。
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EP0252357B1 (de) 1990-08-01
US4855484A (en) 1989-08-08
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