JP2657140B2 - 高機能性薄膜の形成方法 - Google Patents
高機能性薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JP2657140B2 JP2657140B2 JP31473391A JP31473391A JP2657140B2 JP 2657140 B2 JP2657140 B2 JP 2657140B2 JP 31473391 A JP31473391 A JP 31473391A JP 31473391 A JP31473391 A JP 31473391A JP 2657140 B2 JP2657140 B2 JP 2657140B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- forming
- atoms
- film layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気かみそり刃やその
他の刃物に高硬度を有する材料の被膜を形成する方法に
関する。
他の刃物に高硬度を有する材料の被膜を形成する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の被膜形成方法として、特
開昭６１−１０６７６７号公報や特開昭６２−３８２号
公報などに示されるように、刃先に真空蒸着処理を施し
ながらイオン注入処理を施し刃先表面に硬質の混合層を
形成する方法が提案されている。
開昭６１−１０６７６７号公報や特開昭６２−３８２号
公報などに示されるように、刃先に真空蒸着処理を施し
ながらイオン注入処理を施し刃先表面に硬質の混合層を
形成する方法が提案されている。
【０００３】しかしながら上記方法では、注入されるイ
オンによって真空蒸着される金属原子が逆スパッタされ
てしまうので成膜速度が遅くなるという問題点があっ
た。
オンによって真空蒸着される金属原子が逆スパッタされ
てしまうので成膜速度が遅くなるという問題点があっ
た。
【０００４】しかもこの方法では大きなエネルギーを有
するイオンが基板、若しくは母材に衝突するためその表
面温度が高くなり、これら基板或るいは母材の材料に制
約を受けるという問題点もあった。
するイオンが基板、若しくは母材に衝突するためその表
面温度が高くなり、これら基板或るいは母材の材料に制
約を受けるという問題点もあった。
【０００５】更に、従来の真空蒸着処理を施しながらイ
オン注入する方法で形成された被膜は、基板の種類によ
って結晶性、配向性などの所謂膜質が決定され、又、こ
れらの膜質を制御するには、従来イオンビーム照射角や
イオンビームエネルギー等のパラメータを変化させる方
法しかなく、制御が複雑で、且つ困難である欠点があっ
た。
オン注入する方法で形成された被膜は、基板の種類によ
って結晶性、配向性などの所謂膜質が決定され、又、こ
れらの膜質を制御するには、従来イオンビーム照射角や
イオンビームエネルギー等のパラメータを変化させる方
法しかなく、制御が複雑で、且つ困難である欠点があっ
た。
【０００６】一方低温化のみを考えると、単に常温で気
体となる原子の雰囲気中で金属原子を蒸発させたり、イ
オンビーム等によりターゲット材料をスパッタして、高
硬度材料を形成する方法もあるが、この方法では基板と
膜との密着性が悪く、形成された膜にクラックや剥離が
生じるという欠点があった。
体となる原子の雰囲気中で金属原子を蒸発させたり、イ
オンビーム等によりターゲット材料をスパッタして、高
硬度材料を形成する方法もあるが、この方法では基板と
膜との密着性が悪く、形成された膜にクラックや剥離が
生じるという欠点があった。
【０００７】そこで、本願出願人は特願平２−２５５７
２４号にて、基板と被膜との密着性に優れたアシストイ
オン利用の被膜成形方法と、成膜速度が速くて結晶性の
よい被膜が成形できるガス雰囲気利用の被膜成形方法と
を組み合わせた薄膜の形成方法を提案している。
２４号にて、基板と被膜との密着性に優れたアシストイ
オン利用の被膜成形方法と、成膜速度が速くて結晶性の
よい被膜が成形できるガス雰囲気利用の被膜成形方法と
を組み合わせた薄膜の形成方法を提案している。
【０００８】この方法は、薄膜形成するための基板表面
に向けて常温で気体となる原子のイオンを放射すると同
時に、蒸発源から高硬度材料の原子を蒸発させて放射し
て、前記基板上に前記イオンの作用を受けた高硬度材料
原子から成る第１薄膜層を形成する第１工程と、次に前
記イオンの放射を止めて、前記常温で気体となる原子の
ガスを供給して、該原子の雰囲気中で前記蒸発源から高
硬度材料の原子を前記第１薄膜層に向けて放射して、該
第１薄膜層の表面に第２薄膜層を形成する第２工程と、
からなる薄膜形成方法である。
に向けて常温で気体となる原子のイオンを放射すると同
時に、蒸発源から高硬度材料の原子を蒸発させて放射し
て、前記基板上に前記イオンの作用を受けた高硬度材料
原子から成る第１薄膜層を形成する第１工程と、次に前
記イオンの放射を止めて、前記常温で気体となる原子の
ガスを供給して、該原子の雰囲気中で前記蒸発源から高
硬度材料の原子を前記第１薄膜層に向けて放射して、該
第１薄膜層の表面に第２薄膜層を形成する第２工程と、
からなる薄膜形成方法である。
【０００９】この方法により、被膜形成される基板と被
膜間との密着性を向上せしめ、低温で成膜速度が速く、
且つ結晶性にも優れた薄膜形成が可能であった。
膜間との密着性を向上せしめ、低温で成膜速度が速く、
且つ結晶性にも優れた薄膜形成が可能であった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
技術では、前記第１工程において所定のイオンエネルギ
ーを有する前記イオンを放射させ、前記第２工程に移る
と同時に該イオンの放射を止めるため、前記第１薄膜層
と第２薄膜層との界面における前記高硬度材料の原子の
配列状態が異なり、両薄膜間の密着性が良くなかった。
技術では、前記第１工程において所定のイオンエネルギ
ーを有する前記イオンを放射させ、前記第２工程に移る
と同時に該イオンの放射を止めるため、前記第１薄膜層
と第２薄膜層との界面における前記高硬度材料の原子の
配列状態が異なり、両薄膜間の密着性が良くなかった。
【００１１】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であって、被膜形成される基板と被膜間との密着性のみ
ならず、該基板上に形成された被膜間での密着性を向上
させた高機能性薄膜を形成することを目的とする。
であって、被膜形成される基板と被膜間との密着性のみ
ならず、該基板上に形成された被膜間での密着性を向上
させた高機能性薄膜を形成することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜を形成す
るための基板に向けて常温で気体となる原子のイオンを
放射すると同時に、蒸発源から高硬度材料原子を前記基
板に向けて放射することによって、該基板の表面に前記
常温で気体となる原子のイオンの作用を受けた前記高硬
度材料原子から成る第１薄膜層を形成する第１の工程
と、該第１工程において基板に放射される前記常温で気
体となる原子のイオン量を零値まで漸次低減すると共
に、該常温で気体となる原子のガス供給量を所定値まで
漸次増加させ、同時に前記蒸発源から高硬度材料原子を
前記第１薄膜層に向けて放射することによって該第１薄
膜層の表面に中間薄膜層を形成する第２工程と、前記常
温で気体となる原子のガス雰囲気中で前記蒸発源から高
硬度材料原子を前記中間薄膜層に向けて放射することに
よって該中間薄膜層の表面に第２薄膜層を形成する第３
工程と、よりなる高機能性薄膜の形成方法である。
るための基板に向けて常温で気体となる原子のイオンを
放射すると同時に、蒸発源から高硬度材料原子を前記基
板に向けて放射することによって、該基板の表面に前記
常温で気体となる原子のイオンの作用を受けた前記高硬
度材料原子から成る第１薄膜層を形成する第１の工程
と、該第１工程において基板に放射される前記常温で気
体となる原子のイオン量を零値まで漸次低減すると共
に、該常温で気体となる原子のガス供給量を所定値まで
漸次増加させ、同時に前記蒸発源から高硬度材料原子を
前記第１薄膜層に向けて放射することによって該第１薄
膜層の表面に中間薄膜層を形成する第２工程と、前記常
温で気体となる原子のガス雰囲気中で前記蒸発源から高
硬度材料原子を前記中間薄膜層に向けて放射することに
よって該中間薄膜層の表面に第２薄膜層を形成する第３
工程と、よりなる高機能性薄膜の形成方法である。
【００１３】
【作用】本発明によれば、第１工程において第１薄膜層
の形成に用いられる方法は、イオンのエネルギーを利用
するため、イオン注入により基板と強固に密着する。
の形成に用いられる方法は、イオンのエネルギーを利用
するため、イオン注入により基板と強固に密着する。
【００１４】また、常温で気体となる原子の雰囲気中で
第２薄膜層を形成する第３工程により、低温、且つ高速
で膜を成長させる。
第２薄膜層を形成する第３工程により、低温、且つ高速
で膜を成長させる。
【００１５】そして、第２工程において、イオンエネル
ギー、および前記常温で気体となる原子の雰囲気の利用
により形成した中間薄膜層によって、基板上に形成され
た薄膜層間の密着の強固なものとなる。
ギー、および前記常温で気体となる原子の雰囲気の利用
により形成した中間薄膜層によって、基板上に形成され
た薄膜層間の密着の強固なものとなる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の高機能性薄膜の形成方法を電
気かみそり刃に対する窒化ジルコニウム（ＺrＮ）被膜
の形成方法について図面を用いて詳細に説明する。
気かみそり刃に対する窒化ジルコニウム（ＺrＮ）被膜
の形成方法について図面を用いて詳細に説明する。
【００１７】図１は上記窒化ジルコニウムの薄膜を形成
するための真空蒸着及びイオン注入装置を示し、１は１
０-5〜１０-7Torrに排気される真空チャンバ、２は該真
空チャンバ１内に配置され、図の矢印方向に１０〜２０
rpmの速度で回転可能にされた基板ホルダ、３は該ホル
ダ２に取り付けられたニッケル（Ｎi）の基板、４は電
子ビームによってジルコニウム（Ｚr）原子を蒸発させ
前記基板３に向けて放射する蒸発源、５は前記基板３の
方向に窒素イオン（Ｎ+）及び／または窒素ガス（Ｎ2）
を供給することができるアシストイオンガンである。
するための真空蒸着及びイオン注入装置を示し、１は１
０-5〜１０-7Torrに排気される真空チャンバ、２は該真
空チャンバ１内に配置され、図の矢印方向に１０〜２０
rpmの速度で回転可能にされた基板ホルダ、３は該ホル
ダ２に取り付けられたニッケル（Ｎi）の基板、４は電
子ビームによってジルコニウム（Ｚr）原子を蒸発させ
前記基板３に向けて放射する蒸発源、５は前記基板３の
方向に窒素イオン（Ｎ+）及び／または窒素ガス（Ｎ2）
を供給することができるアシストイオンガンである。
【００１８】次に上記装置を用いて図２に示すようなＮ
i素材の表面にＺrＮ被膜を形成する本発明方法（以下Ｉ
ＣＶＤ＝Interface Controlled Vapor Deposition法と
略称する）について説明する。
i素材の表面にＺrＮ被膜を形成する本発明方法（以下Ｉ
ＣＶＤ＝Interface Controlled Vapor Deposition法と
略称する）について説明する。
【００１９】先ず、真空チャンバ１内を１０-5〜１０-7
Torrに排気し、アシストイオンガン５にＮ2ガスを供給
し、Ｎ+イオンを取り出して、これを基板３の表面に放
射する。この時のＮ+イオンの加速電圧は７００eV、イ
オン電流密度は０．３８A／cm2、アシストイオンガン５
へのＮ2ガス供給量は６sccmに設定した。一方、Ｎ+イオ
ンの放射と同時に蒸発源４を駆動し、Ｚr原子を蒸発さ
せて前記基板３の表面に放射する。この時のＺrの蒸発
速度は基板３上での成膜速度に換算して６５０Å／分に
設定した。
Torrに排気し、アシストイオンガン５にＮ2ガスを供給
し、Ｎ+イオンを取り出して、これを基板３の表面に放
射する。この時のＮ+イオンの加速電圧は７００eV、イ
オン電流密度は０．３８A／cm2、アシストイオンガン５
へのＮ2ガス供給量は６sccmに設定した。一方、Ｎ+イオ
ンの放射と同時に蒸発源４を駆動し、Ｚr原子を蒸発さ
せて前記基板３の表面に放射する。この時のＺrの蒸発
速度は基板３上での成膜速度に換算して６５０Å／分に
設定した。
【００２０】以上の工程（第１工程）を３０秒から１分
程度行い、基板３の表面に膜厚０．０２５〜０．０５μ
mのＺrＮの第１薄膜層６を形成した。
程度行い、基板３の表面に膜厚０．０２５〜０．０５μ
mのＺrＮの第１薄膜層６を形成した。
【００２１】次に、アシストイオンガン５から放出され
るＮ+イオンの加速電圧を、図３に示すように時間経過
に従い漸次低下させてＮ+イオンの放射量を漸次減少さ
せると共に、Ｎ2ガスの放射量を漸次増加させ、最終的
にはＮ+イオンの放射を止めると共に、Ｎ2ガスの放射量
を６sccmとする。そして、Ｎ+イオン及び／またはＮ2ガ
スの放射と同時に、蒸発源４よりＺr原子を蒸発させて
前記基板３の表面に放射する。この時のＺrの蒸発速度
は基板３上での成膜速度に換算して６５０Å／分に設定
した。
るＮ+イオンの加速電圧を、図３に示すように時間経過
に従い漸次低下させてＮ+イオンの放射量を漸次減少さ
せると共に、Ｎ2ガスの放射量を漸次増加させ、最終的
にはＮ+イオンの放射を止めると共に、Ｎ2ガスの放射量
を６sccmとする。そして、Ｎ+イオン及び／またはＮ2ガ
スの放射と同時に、蒸発源４よりＺr原子を蒸発させて
前記基板３の表面に放射する。この時のＺrの蒸発速度
は基板３上での成膜速度に換算して６５０Å／分に設定
した。
【００２２】以上の工程（第２工程）を１分程度行い、
前記ＺrＮの第１薄膜層６の表面に、膜厚０．０５μｍ
を有するもう一層のＺrＮの中間薄膜層７を形成した。
前記ＺrＮの第１薄膜層６の表面に、膜厚０．０５μｍ
を有するもう一層のＺrＮの中間薄膜層７を形成した。
【００２３】この後、前記イオンガン５よりＮ2ガスの
みを前記チャンバ１内に供給すると共に、このＮ2ガス
雰囲気中で蒸発源４よりＺr原子を基板３の表面に向か
って放射した。この時のＺrの蒸発速度は基板３表面で
の成膜速度に換算して６５０Å／分に設定した。
みを前記チャンバ１内に供給すると共に、このＮ2ガス
雰囲気中で蒸発源４よりＺr原子を基板３の表面に向か
って放射した。この時のＺrの蒸発速度は基板３表面で
の成膜速度に換算して６５０Å／分に設定した。
【００２４】以上の工程（第３工程）を３分から３分３
０秒程度行い、前記ＺrＮの中間層７の表面に、膜厚
０．２０〜０．２３μmを有するもう一層のＺrＮの第２
薄膜層８を形成した。
０秒程度行い、前記ＺrＮの中間層７の表面に、膜厚
０．２０〜０．２３μmを有するもう一層のＺrＮの第２
薄膜層８を形成した。
【００２５】以上の三つの工程の結果、基板３表面に成
膜工程の相異なる合計膜厚０．３μmの３層のＺrＮ被膜
が形成されることになる。
膜工程の相異なる合計膜厚０．３μmの３層のＺrＮ被膜
が形成されることになる。
【００２６】ところで、一般にアシストイオンを用いた
ときには基板３での温度上昇が７℃／分、ガス雰囲気の
みの利用では２℃／分である。
ときには基板３での温度上昇が７℃／分、ガス雰囲気の
みの利用では２℃／分である。
【００２７】図４に成膜時間に対応する基板３裏面温度
を、特定のエネルギーを持ったアシストイオンを継続し
て行う場合と、ＩＣＶＤ法を用いて行う場合とに分けて
グラフ化した図を示す。
を、特定のエネルギーを持ったアシストイオンを継続し
て行う場合と、ＩＣＶＤ法を用いて行う場合とに分けて
グラフ化した図を示す。
【００２８】同図において、折線１はアシストイオンエ
ネルギー９００eV、折線２は７００eV、折線３は５００
eVで、全時間アシストイオンを供給しながらガラス基板
に成膜した場合を、折線４は従来のＩＣＶＤ法を用いて
最初の３０秒で７００eVのアシストイオンを供給し、そ
の後はアシストイオンの供給を止めてガス雰囲気中で成
膜した場合を示し、折線５は本発明のＩＣＶＤ法を用い
て最初の３０秒で７００eVのアシストイオンを供給し、
次の１分で加速電圧を７００eVから漸次低下させると共
に、ガス供給量を漸次増加させ、その後はアシストイオ
ンの供給を止めてガス雰囲気中で成膜した場合を示す。
ネルギー９００eV、折線２は７００eV、折線３は５００
eVで、全時間アシストイオンを供給しながらガラス基板
に成膜した場合を、折線４は従来のＩＣＶＤ法を用いて
最初の３０秒で７００eVのアシストイオンを供給し、そ
の後はアシストイオンの供給を止めてガス雰囲気中で成
膜した場合を示し、折線５は本発明のＩＣＶＤ法を用い
て最初の３０秒で７００eVのアシストイオンを供給し、
次の１分で加速電圧を７００eVから漸次低下させると共
に、ガス供給量を漸次増加させ、その後はアシストイオ
ンの供給を止めてガス雰囲気中で成膜した場合を示す。
【００２９】このようにアシストイオンを継続して用い
て形成する方法と、ＩＣＶＤ法を比較すると、５分のプ
ロセスで基板３の裏面では、最大で略２０℃の温度差が
生じており、ＩＣＶＤ法によれば基板３表面を低温に保
持したまま成膜を行うことが可能であることが分かる。
また、本発明のＩＣＶＤ法と従来のＩＣＶＤ法とでは、
基板３裏面の温度差がほとんどないことが分かる。
て形成する方法と、ＩＣＶＤ法を比較すると、５分のプ
ロセスで基板３の裏面では、最大で略２０℃の温度差が
生じており、ＩＣＶＤ法によれば基板３表面を低温に保
持したまま成膜を行うことが可能であることが分かる。
また、本発明のＩＣＶＤ法と従来のＩＣＶＤ法とでは、
基板３裏面の温度差がほとんどないことが分かる。
【００３０】次に、表１に本発明のＩＣＶＤ法と、従来
のＩＣＶＤ法によりガラス基板上に成膜した場合の密着
性評価試験の結果を示す。なお、評価試験はダイヤモン
ド圧子を用いた連続荷重方式（０〜２kg）の引っかき試
験（スクラッチ試験）により行い、表１はこの試験によ
りガラス基板上の被膜に剥離が発生した臨界荷重値を表
している。なお、前記ガラス基板上に形成されたＺrＮ
膜厚は０．３μmとした。
のＩＣＶＤ法によりガラス基板上に成膜した場合の密着
性評価試験の結果を示す。なお、評価試験はダイヤモン
ド圧子を用いた連続荷重方式（０〜２kg）の引っかき試
験（スクラッチ試験）により行い、表１はこの試験によ
りガラス基板上の被膜に剥離が発生した臨界荷重値を表
している。なお、前記ガラス基板上に形成されたＺrＮ
膜厚は０．３μmとした。
【００３１】
【表１】
【００３２】表１より、従来のＩＣＶＤ法では臨界荷重
値が１kgであったのが、本発明のＩＣＶＤ法によると
１．２kgとなっており、本発明方法によればガラス基板
上に形成された被膜の密着性が向上していることが分か
る。
値が１kgであったのが、本発明のＩＣＶＤ法によると
１．２kgとなっており、本発明方法によればガラス基板
上に形成された被膜の密着性が向上していることが分か
る。
【００３３】また、図５にアシストイオン（窒素）電流
密度に対する成膜速度、及びＮ／Ｚr組成比の関係を示
す。この時のＮ+イオンエネルギーは７００eV、Ｚr蒸着
速度は６５０Å／分に設定した。
密度に対する成膜速度、及びＮ／Ｚr組成比の関係を示
す。この時のＮ+イオンエネルギーは７００eV、Ｚr蒸着
速度は６５０Å／分に設定した。
【００３４】この図から成膜速度はガス雰囲気のみ、即
ちアシストイオン電流密度がゼロのときの方がアシスト
イオンを用いた方より大きいことが明らかであり、Ｎ／
Ｚr組成比は、アシストイオン電流密度の大きさに差ほ
ど影響を受けていないことが分かる。
ちアシストイオン電流密度がゼロのときの方がアシスト
イオンを用いた方より大きいことが明らかであり、Ｎ／
Ｚr組成比は、アシストイオン電流密度の大きさに差ほ
ど影響を受けていないことが分かる。
【００３５】斯様にして、第１工程および第２工程では
基板３の温度が余り上昇しないように極短時間の工程と
し、ガス雰囲気を用いる第３工程を相対的に長時間とし
て成膜速度と結晶性を向上させると同時に低温での形成
を可能とした。
基板３の温度が余り上昇しないように極短時間の工程と
し、ガス雰囲気を用いる第３工程を相対的に長時間とし
て成膜速度と結晶性を向上させると同時に低温での形成
を可能とした。
【００３６】また、第２工程として、イオン放射量を第
１工程における放射量から漸次低減させるとともに、ガ
ス供給量を第３工程における供給量まで漸次増加させて
中間薄膜層を形成したので、第１工程で形成された第１
薄膜層との界面では、第１薄膜層と同一のＺrＮ構造を
持ち、第３工程で形成された第２薄膜層との界面では、
第２薄膜層と同一のＺrＮ構造を持つので、ＺrＮ被膜間
の密着性を向上させることができる。
１工程における放射量から漸次低減させるとともに、ガ
ス供給量を第３工程における供給量まで漸次増加させて
中間薄膜層を形成したので、第１工程で形成された第１
薄膜層との界面では、第１薄膜層と同一のＺrＮ構造を
持ち、第３工程で形成された第２薄膜層との界面では、
第２薄膜層と同一のＺrＮ構造を持つので、ＺrＮ被膜間
の密着性を向上させることができる。
【００３７】なお、本発明の方法は、ＺrＮ膜のみなら
ず、ＴiとＮ2等の反応の容易な金属と常温で気体となる
原子、或るいはイオン全てにおいて形成可能な方法であ
ることはいうまでもない。
ず、ＴiとＮ2等の反応の容易な金属と常温で気体となる
原子、或るいはイオン全てにおいて形成可能な方法であ
ることはいうまでもない。
【００３８】
【発明の効果】以上述べた通り本発明によれば基板と被
膜との密着性に優れたアシストイオン利用の被膜形成方
法と、成膜速度が速くて結晶性のよい被膜が成形できる
ガス雰囲気利用の被膜形成方法と、アシストイオンおよ
びガス雰囲気利用の被膜形成方法と、を組み合わせるこ
とにより、基板と被膜との密着性、および被膜間での密
着性を向上させると共に、低温で成膜速度が速く、且つ
結晶性にも優れた薄膜形成方法が得られるという効果が
生まれる。
膜との密着性に優れたアシストイオン利用の被膜形成方
法と、成膜速度が速くて結晶性のよい被膜が成形できる
ガス雰囲気利用の被膜形成方法と、アシストイオンおよ
びガス雰囲気利用の被膜形成方法と、を組み合わせるこ
とにより、基板と被膜との密着性、および被膜間での密
着性を向上させると共に、低温で成膜速度が速く、且つ
結晶性にも優れた薄膜形成方法が得られるという効果が
生まれる。
【００３９】従って、電気かみそり等の刃先への被膜形
成に本発明を用いることにより、刃先の摩耗を阻止し、
長期間安定した切れ味を得ることができる。
成に本発明を用いることにより、刃先の摩耗を阻止し、
長期間安定した切れ味を得ることができる。
【図１】本発明の製造方法を実施するための装置を示す
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図２】図１実施例の装置を用いて形成された基板表面
の被膜を示す断面図である。
の被膜を示す断面図である。
【図３】本発明の第２工程における、図１実施例の装置
を用いた場合の時間とアシストイオンガンから放出され
るＮ+イオンの加速電圧との関係を示す図である。
を用いた場合の時間とアシストイオンガンから放出され
るＮ+イオンの加速電圧との関係を示す図である。
【図４】成膜時間に対する基板裏面温度の変化を示す図
である。
である。
【図５】アシストイオン電流密度に対する成膜速度及び
Ｎ／Ｚr組成比の関係を示す図である。
Ｎ／Ｚr組成比の関係を示す図である。
１ 真空チャンバ ２ 基板ホルダ ３ 基板 ４ 蒸発源 ５ アシストイオンガン ６ 第１薄膜層 ７ 中間薄膜層 ８ 第２薄膜層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−261（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−164869（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−104884（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−153861（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−150360（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】薄膜を形成するための基板に向けて常温で
気体となる原子のイオンを放射すると同時に、蒸発源か
ら高硬度材料原子を前記基板に向けて放射することによ
って、該基板の表面に前記常温で気体となる原子のイオ
ンの作用を受けた前記高硬度材料原子から成る第１薄膜
層を形成する第１の工程と、 該第１工程において基板に放射される前記常温で気体と
なる原子のイオン量を零値まで漸次低減すると共に、該
常温で気体となる原子のガス供給量を所定値まで漸次増
加させ、同時に前記蒸発源から高硬度材料原子を前記第
１薄膜層に向けて放射することによって該第１薄膜層の
表面に中間薄膜層を形成する第２工程と、 前記常温で気体となる原子のガス雰囲気中で前記蒸発源
から高硬度材料原子を前記中間薄膜層に向けて放射する
ことによって該中間薄膜層の表面に第２薄膜層を形成す
る第３工程と、よりなる高機能性薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31473391A JP2657140B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 高機能性薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31473391A JP2657140B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 高機能性薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05148620A JPH05148620A (ja) | 1993-06-15 |
| JP2657140B2 true JP2657140B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=18056924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31473391A Expired - Fee Related JP2657140B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 高機能性薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2657140B2 (ja) |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP31473391A patent/JP2657140B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05148620A (ja) | 1993-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6066399A (en) | Hard carbon thin film and method of forming the same | |
| USH1933H1 (en) | Magnetron sputter-pulsed laser deposition system and method | |
| JPH03501458A (ja) | 刃先の成形または修正のための方法および装置 | |
| JPH0588310B2 (ja) | ||
| US5053245A (en) | Method of improving the quality of an edge surface of a cutting device | |
| JP2840502B2 (ja) | 高機能材料膜形成方法 | |
| JP2657140B2 (ja) | 高機能性薄膜の形成方法 | |
| JP2562724B2 (ja) | 高機能性薄膜の形成方法 | |
| JP2777543B2 (ja) | 硬質炭素被膜基板及びその形成方法 | |
| JP2744069B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPH0568541B2 (ja) | ||
| JP2562730B2 (ja) | 高機能薄膜の形成方法 | |
| JP2875892B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素膜の形成方法 | |
| JP3162906B2 (ja) | 非晶質ダイヤモンド状被膜基板の形成方法 | |
| JP2675439B2 (ja) | 高機能薄膜の形成方法 | |
| JP2593441B2 (ja) | 高硬度膜被覆工具材料とその製造方法 | |
| JP3177238B2 (ja) | 高機能薄膜の製造方法 | |
| JP3021488B2 (ja) | 高機能薄膜の製造方法 | |
| JP2840335B2 (ja) | 高機能性被膜の形成方法 | |
| JPH073438A (ja) | 撥水性ハードコート被膜の製造方法 | |
| JP2703419B2 (ja) | 高機能材料膜 | |
| US20240209493A1 (en) | Method for deposition of dense chromium on a substrate | |
| JPH04318162A (ja) | 立方晶窒化硼素被膜の形成方法および形成装置 | |
| JP2877385B2 (ja) | 刃物の製造方法 | |
| JP3071164B2 (ja) | 刃物の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |