JPH0568541B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0568541B2 JPH0568541B2 JP21518685A JP21518685A JPH0568541B2 JP H0568541 B2 JPH0568541 B2 JP H0568541B2 JP 21518685 A JP21518685 A JP 21518685A JP 21518685 A JP21518685 A JP 21518685A JP H0568541 B2 JPH0568541 B2 JP H0568541B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron nitride
- film
- gas
- cubic boron
- nitride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 29
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 14
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- -1 hydrogen nitride compound Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば電子材料としての絶縁膜、切
削工具等の超硬被膜、或いは酸化防止膜等に利用
され得る立方晶窒化ホウ素膜の形成方法に関する
ものである。
削工具等の超硬被膜、或いは酸化防止膜等に利用
され得る立方晶窒化ホウ素膜の形成方法に関する
ものである。
〔従来の技術〕
従来、立方晶窒化ホウ素の合成は高温、高圧下
において成功しており、この高温高圧法では完全
性の高い結晶を得ることができるが、立方晶窒化
ホウ素を薄膜状に形成することはできない。
において成功しており、この高温高圧法では完全
性の高い結晶を得ることができるが、立方晶窒化
ホウ素を薄膜状に形成することはできない。
一方、立方晶窒化ホウ素の薄膜合成は、イオン
注入と蒸着を組合せた方法、イオンビームスパツ
タ法、レーザ蒸着法、イオン化蒸着法、プラズマ
CVD法等いわゆる気相法によつて試みられてい
る。
注入と蒸着を組合せた方法、イオンビームスパツ
タ法、レーザ蒸着法、イオン化蒸着法、プラズマ
CVD法等いわゆる気相法によつて試みられてい
る。
ところで、例えば、イオン注入と蒸着とを組合
せた方法では、膜に僅かな立方晶が存在するだけ
で、ほとんどが六方晶または非晶質であり、また
形成できる試料の面積が小さいものに限られ、高
価なイオン注入装置を必要とするなど実用的では
ない。
せた方法では、膜に僅かな立方晶が存在するだけ
で、ほとんどが六方晶または非晶質であり、また
形成できる試料の面積が小さいものに限られ、高
価なイオン注入装置を必要とするなど実用的では
ない。
また、イオン化蒸着法では、基板に直流電圧を
印加しているために、絶縁体である窒化ホウ素膜
が蒸着されてゆくに従い基板のバイアス高価が薄
れてくるので、安定して成膜を行なうことができ
ない。また、これら析出膜の評価データもほとん
どない。
印加しているために、絶縁体である窒化ホウ素膜
が蒸着されてゆくに従い基板のバイアス高価が薄
れてくるので、安定して成膜を行なうことができ
ない。また、これら析出膜の評価データもほとん
どない。
レーザ蒸着法やプラズマCVD法による窒化ホ
ウ素膜は非晶質または六方晶のものしか得られて
いない。
ウ素膜は非晶質または六方晶のものしか得られて
いない。
このように、従来行なわれてきた技術では、組
成や結晶構造等物質の点で充分に満足できるよう
な立方晶窒化ホウ素膜を形成することは極めて困
難である。
成や結晶構造等物質の点で充分に満足できるよう
な立方晶窒化ホウ素膜を形成することは極めて困
難である。
そこで、本発明の目的は、組成や結晶構造等膜
質が良好でしかも高析出速度で成膜できる立方晶
窒化ホウ素膜の形成方法を提供することにある。
質が良好でしかも高析出速度で成膜できる立方晶
窒化ホウ素膜の形成方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明による立
方晶窒化ホウ素膜の形成方法は、活性化ノズル及
び熱陰極にそれぞれ直流または交流の電圧を印加
して高密度のプラズマを生成し、立方晶窒化ホウ
素膜の形成される被処理物に高周波電圧を印加し
て上記被処理物の表面近傍に高周波電界を形成
し、高圧電子ビーム蒸発源及び上記活性化ノズル
前方の高密度プラズマに対して有効なバイアス電
圧が上記被処理物にかかるようにすると共に、反
応ガスとしての窒素ガスまたは窒素化水素化合物
ガスに不活性ガスを混合して上記活性化ノズルを
介して導入することを特徴としている。
方晶窒化ホウ素膜の形成方法は、活性化ノズル及
び熱陰極にそれぞれ直流または交流の電圧を印加
して高密度のプラズマを生成し、立方晶窒化ホウ
素膜の形成される被処理物に高周波電圧を印加し
て上記被処理物の表面近傍に高周波電界を形成
し、高圧電子ビーム蒸発源及び上記活性化ノズル
前方の高密度プラズマに対して有効なバイアス電
圧が上記被処理物にかかるようにすると共に、反
応ガスとしての窒素ガスまたは窒素化水素化合物
ガスに不活性ガスを混合して上記活性化ノズルを
介して導入することを特徴としている。
このように構成した本発明による立方晶窒化ホ
ウ素膜の形成方法においては、立方晶窒化ホウ素
膜の形成されることになる被処理物に高周波バイ
アス電圧を印加しているので、絶縁体である窒化
ホウ素膜の蒸着が進行していつても、被処理物の
バイアス効果は所望のレベルに維持され、安定し
た蒸着作用を保証することができる。また活性化
ノズルを介して反応ガスに不活性ガスを混合して
導入することによつて、高析出速度で結晶性のよ
い立方晶窒化ホウ素膜を形成することができる。
このように反応ガスに不活性ガスを混合すること
によつて活性化ノズルの放電が安定し、電流、電
圧ともに制御し易くなり、また放電電流も大きく
とることができ、大面積への成膜を行なうことが
でき、被処理物上の生成膜の再スパツタリングを
抑制でき、立方晶窒化ホウ素膜の高速成膜を行な
うことができる。さらに六方小の生成を抑止でき
立方晶窒化ホウ素膜を効果的に生成させることが
できる。
ウ素膜の形成方法においては、立方晶窒化ホウ素
膜の形成されることになる被処理物に高周波バイ
アス電圧を印加しているので、絶縁体である窒化
ホウ素膜の蒸着が進行していつても、被処理物の
バイアス効果は所望のレベルに維持され、安定し
た蒸着作用を保証することができる。また活性化
ノズルを介して反応ガスに不活性ガスを混合して
導入することによつて、高析出速度で結晶性のよ
い立方晶窒化ホウ素膜を形成することができる。
このように反応ガスに不活性ガスを混合すること
によつて活性化ノズルの放電が安定し、電流、電
圧ともに制御し易くなり、また放電電流も大きく
とることができ、大面積への成膜を行なうことが
でき、被処理物上の生成膜の再スパツタリングを
抑制でき、立方晶窒化ホウ素膜の高速成膜を行な
うことができる。さらに六方小の生成を抑止でき
立方晶窒化ホウ素膜を効果的に生成させることが
できる。
以下、添附図面を参照して本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図は、本発明による立方晶窒化ホウ素膜の
形成方法を実施している装置の一例を概略的に示
し、１は真空容器で、この真空容器１内には、ホ
ウ素の入つた高圧電子ビーム蒸発源２、この高圧
電子ビーム蒸発源２に対向した被処理物を成す基
板３、熱陰極４、活性化ノズル５および基板加熱
用ヒータ６が配置されている。熱陰極４は直流ま
たは交流電源７に接続され、活性化ノズル５は直
流または交流電源８に接続され、正の電圧または
交流電圧が印加される。また基板３が高周波電源
９に接続される。
形成方法を実施している装置の一例を概略的に示
し、１は真空容器で、この真空容器１内には、ホ
ウ素の入つた高圧電子ビーム蒸発源２、この高圧
電子ビーム蒸発源２に対向した被処理物を成す基
板３、熱陰極４、活性化ノズル５および基板加熱
用ヒータ６が配置されている。熱陰極４は直流ま
たは交流電源７に接続され、活性化ノズル５は直
流または交流電源８に接続され、正の電圧または
交流電圧が印加される。また基板３が高周波電源
９に接続される。
このように構成した図示装置において、高圧電
子ビーム蒸発源２によりホウ素を安定に蒸発さ
せ、活性化ノズル５を介して窒素ガス（またはア
ンモニアやヒドラジン等）とアルゴンガス（また
はネオン、クルプトン、キセノン或いはこれらの
混合ガス）とが混合した状態で真空容器１内に導
入される。直流または交流電源８によつて正の電
圧または交流電圧の印加された活性化ノズル５に
は熱陰極４からの熱電子が引きつけられ、活性化
ノズル５の先端部におけるガス密度の高い領域に
混合ガスの高密度プラズマが発生し、ガス種のイ
オン化や励起が起こる。
子ビーム蒸発源２によりホウ素を安定に蒸発さ
せ、活性化ノズル５を介して窒素ガス（またはア
ンモニアやヒドラジン等）とアルゴンガス（また
はネオン、クルプトン、キセノン或いはこれらの
混合ガス）とが混合した状態で真空容器１内に導
入される。直流または交流電源８によつて正の電
圧または交流電圧の印加された活性化ノズル５に
は熱陰極４からの熱電子が引きつけられ、活性化
ノズル５の先端部におけるガス密度の高い領域に
混合ガスの高密度プラズマが発生し、ガス種のイ
オン化や励起が起こる。
一方、基板３には高周波電源９からの高周波電
圧によりブロツキングコンデンサを介して発生さ
れた負バイアス電圧が印加される。高周波電圧を
用いることによつて、基板３上に窒化ホウ素の絶
縁膜が析出しても有効なバイアス電圧が維持され
得る。
圧によりブロツキングコンデンサを介して発生さ
れた負バイアス電圧が印加される。高周波電圧を
用いることによつて、基板３上に窒化ホウ素の絶
縁膜が析出しても有効なバイアス電圧が維持され
得る。
このバイアス電圧により加速されたイオンは、
基板３上の析出膜に射突し、電界によつて与えら
れた運動エネルギを放出して局部的に高温高圧状
態を発生し、そこに生成した窒化ホウ素の立方晶
相が凍結されて立方晶窒化ホウ素膜が形成される
ものと考えられる。
基板３上の析出膜に射突し、電界によつて与えら
れた運動エネルギを放出して局部的に高温高圧状
態を発生し、そこに生成した窒化ホウ素の立方晶
相が凍結されて立方晶窒化ホウ素膜が形成される
ものと考えられる。
また反応ガスとしての窒素ガスに不活性ガスと
してのアルゴンガスを混合して活性化ノズル５を
通して導入することにより立方晶窒化ホウ素膜を
高析出速度で形成することができ、さらに上述の
ように活性化ノズル５の放電が安定し、電流、電
圧ともに制御し易くなり、放電電流も大きくとる
ことができ、この場合、アルゴンの効果（六方晶
の生成抑止、生成膜の再スパツタリング現象の抑
制等）は、アルゴン分圧（PAr）と窒素分圧
（PN2）との比PAr／PN2が１以上の領域で顕著とな
ることが認められる。
してのアルゴンガスを混合して活性化ノズル５を
通して導入することにより立方晶窒化ホウ素膜を
高析出速度で形成することができ、さらに上述の
ように活性化ノズル５の放電が安定し、電流、電
圧ともに制御し易くなり、放電電流も大きくとる
ことができ、この場合、アルゴンの効果（六方晶
の生成抑止、生成膜の再スパツタリング現象の抑
制等）は、アルゴン分圧（PAr）と窒素分圧
（PN2）との比PAr／PN2が１以上の領域で顕著とな
ることが認められる。
次に第１図に装置を用いて本発明の方法により
立方晶窒化ホウ素膜を形成した例について説明す
る。
立方晶窒化ホウ素膜を形成した例について説明す
る。
活性化ノズル５には正電圧を印加し、活性化ノ
ズル５からの導入ガスとしては窒素およびアルゴ
ンを使用し、成膜条件を下記のように設定した。
ズル５からの導入ガスとしては窒素およびアルゴ
ンを使用し、成膜条件を下記のように設定した。
窒素分圧 5.3×10-2Pa
アルゴン分圧 0.16Pa
活性化ノズル電圧・電流 70V、1.5A
電子ビーム電力 1.2KW
RF電力 30W
基板バイアス電圧 −280V
基板温度 300℃
これにより得られた窒化ホウ素膜の赤外線吸収
スペクトルを第２図に示す。第２図からわかるよ
うに、立方晶の固有の1045cm-1付近の吸収が認め
られるが、六方晶による1350cm-1および750cm-1
付近の吸収は認められない。
スペクトルを第２図に示す。第２図からわかるよ
うに、立方晶の固有の1045cm-1付近の吸収が認め
られるが、六方晶による1350cm-1および750cm-1
付近の吸収は認められない。
また透過型電子顕微鏡による電子線回折環図形
からも、形成された膜は立方晶窒化ホウ素の多結
晶膜であることが確認された。なお、この膜の組
成はＸ線マイクロアナライザで分析した結果化学
量論比（Ｂ／Ｎ＝１）であることが認められた。
からも、形成された膜は立方晶窒化ホウ素の多結
晶膜であることが確認された。なお、この膜の組
成はＸ線マイクロアナライザで分析した結果化学
量論比（Ｂ／Ｎ＝１）であることが認められた。
一方、活性化ノズル５を介して導入するガスを
窒素ガス（0.21Pa）だけとし、その他は上記の成
膜条件と同じ条件のもとで形成した膜の赤外線吸
収スペクトルを第３図に示す。この図からは、六
方晶の吸収ピークが1350cm-1、750cm-1に見られ、
六方晶と立方晶の両方が存在することが明らかで
ある。
窒素ガス（0.21Pa）だけとし、その他は上記の成
膜条件と同じ条件のもとで形成した膜の赤外線吸
収スペクトルを第３図に示す。この図からは、六
方晶の吸収ピークが1350cm-1、750cm-1に見られ、
六方晶と立方晶の両方が存在することが明らかで
ある。
従つて、第２，３図の赤外線吸収スペクトルか
らわかるように、アルゴンガスを窒素ガスと同時
に導入することによつて六方晶の生成が抑止さ
れ、立方晶膜が効果的に生成され得る。また、ア
ルゴンと窒素の混合ガスにより生成膜の再スパツ
タリング現象が抑制され、その結果、立方晶膜の
高速成膜が可能である。
らわかるように、アルゴンガスを窒素ガスと同時
に導入することによつて六方晶の生成が抑止さ
れ、立方晶膜が効果的に生成され得る。また、ア
ルゴンと窒素の混合ガスにより生成膜の再スパツ
タリング現象が抑制され、その結果、立方晶膜の
高速成膜が可能である。
以上説明してきたように、本発明によれば、活
性化ノズルを用いた反応蒸着法において反応ガス
に不活性ガスを混合して導入するように構成して
いるので、結晶性のすぐれた立方晶窒化ホウ素膜
を高速で成膜することができる。立方晶窒化ホウ
素はダイヤモンドに次ぐ硬さをもち、良熱伝導性
の高絶縁体で大気中ではダイヤモンドよりも高温
安定性に優れている等、利用価値の高い材料であ
る。これを本発明の方法により薄膜化すること
で、電子材料としての放熱効果の高い絶縁膜、切
削工具等への超硬被膜、高温まで耐える酸化防止
膜等に有利に応用され得る。また高温高圧下で合
成され立方晶窒化ホウ素を用いて様々な部品の製
作が試みられているが、本発明の方法を適用する
ことによつて被覆部品とすることで同様な機能を
もつものを安価に製造することができる。
性化ノズルを用いた反応蒸着法において反応ガス
に不活性ガスを混合して導入するように構成して
いるので、結晶性のすぐれた立方晶窒化ホウ素膜
を高速で成膜することができる。立方晶窒化ホウ
素はダイヤモンドに次ぐ硬さをもち、良熱伝導性
の高絶縁体で大気中ではダイヤモンドよりも高温
安定性に優れている等、利用価値の高い材料であ
る。これを本発明の方法により薄膜化すること
で、電子材料としての放熱効果の高い絶縁膜、切
削工具等への超硬被膜、高温まで耐える酸化防止
膜等に有利に応用され得る。また高温高圧下で合
成され立方晶窒化ホウ素を用いて様々な部品の製
作が試みられているが、本発明の方法を適用する
ことによつて被覆部品とすることで同様な機能を
もつものを安価に製造することができる。
第１図は本発明を実施している反応蒸着装置の
一例を示す概略線図、第２図は第１図の装置を用
いて形成した立方晶窒化ホウ素膜の赤外線吸収ス
ペクトルを示すグラフ、第３図は比較のための第
２図と同様な赤外線吸収スペクトルを示すグラフ
である。 図中、１……真空容器、２……高圧電子ビーム
蒸発源、３……被処理物、４……熱陰極、５……
活性化ノズル、６……被処理物加熱用ヒータ、
７，８……直流または交流電源、９……高周波電
源。
一例を示す概略線図、第２図は第１図の装置を用
いて形成した立方晶窒化ホウ素膜の赤外線吸収ス
ペクトルを示すグラフ、第３図は比較のための第
２図と同様な赤外線吸収スペクトルを示すグラフ
である。 図中、１……真空容器、２……高圧電子ビーム
蒸発源、３……被処理物、４……熱陰極、５……
活性化ノズル、６……被処理物加熱用ヒータ、
７，８……直流または交流電源、９……高周波電
源。
Claims (1)
- １ 活性化ノズル及び熱陰極にそれぞれ直流また
は交流の電圧を印加して高密度のプラズマを生成
し、立方晶窒化ホウ素膜の形成される被処理物に
高周波電圧を印加して上記被処理物の表面近傍に
高周波電界を形成し、高圧電子ビーム蒸発源及び
上記活性化ノズル前方の高密度プラズマに対して
有効なバイアス電圧が上記被処理物にかかるよう
にすると共に、反応ガスとしての窒素ガスまたは
窒素化水素化合物ガスに不活性ガスを混合して上
記活性化ノズルを介して導入することを特徴とす
る立方晶窒化ホウ素膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21518685A JPS6277454A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 立方晶窒化ホウ素膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21518685A JPS6277454A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 立方晶窒化ホウ素膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6277454A JPS6277454A (ja) | 1987-04-09 |
| JPH0568541B2 true JPH0568541B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=16668096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21518685A Granted JPS6277454A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 立方晶窒化ホウ素膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6277454A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274762A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-11 | Ulvac Corp | 反応蒸着膜の形成装置 |
| JPH01246357A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 立方晶窒化ホウ素膜の製造方法 |
| JP2761026B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1998-06-04 | 三菱重工業株式会社 | 窒化ホウ素膜の製造方法 |
| US5330611A (en) * | 1989-12-06 | 1994-07-19 | General Motors Corporation | Cubic boron nitride carbide films |
| US5227318A (en) * | 1989-12-06 | 1993-07-13 | General Motors Corporation | Method of making a cubic boron nitride bipolar transistor |
| US5264296A (en) * | 1989-12-06 | 1993-11-23 | General Motors Corporation | Laser depositon of crystalline boron nitride films |
| US5232862A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-03 | General Motors Corporation | Method of fabricating a transistor having a cubic boron nitride layer |
| US5633192A (en) * | 1991-03-18 | 1997-05-27 | Boston University | Method for epitaxially growing gallium nitride layers |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21518685A patent/JPS6277454A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6277454A (ja) | 1987-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5096740A (en) | Production of cubic boron nitride films by laser deposition | |
| JPH04240725A (ja) | エッチング方法 | |
| Schneider et al. | Reactive ionized magnetron sputtering of crystalline alumina coatings | |
| JPH0568541B2 (ja) | ||
| Nakamura et al. | Synthesis of aluminium nitride thin films by ion-vapour deposition method | |
| Barankova et al. | The radio frequency hollow cathode plasma jet arc for the film deposition | |
| JPH03122266A (ja) | 窒化物薄膜の製造方法 | |
| JPH04318162A (ja) | 立方晶窒化硼素被膜の形成方法および形成装置 | |
| JPH031377B2 (ja) | ||
| JP2611521B2 (ja) | 窒化ホウ素薄膜の形成方法 | |
| JPH0590253A (ja) | 絶縁性被膜の形成方法および形成装置 | |
| JP2504426B2 (ja) | ｃＢＮ薄膜の形成方法及び形成装置 | |
| JPH01246357A (ja) | 立方晶窒化ホウ素膜の製造方法 | |
| JPS63277767A (ja) | 高圧相窒化ホウ素の気相合成法 | |
| JP2617539B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素膜の製造装置 | |
| JP2603919B2 (ja) | 立方晶系窒化ホウ素の結晶粒を含む窒化ホウ素膜の作製方法 | |
| JPH0417669A (ja) | プラズマを用いた成膜方法およびｒｆイオンプレーティング装置 | |
| Rother | Calculations on ion-assisted deposition techniques examined in relation to the deposition of diamond-like carbon coatings | |
| JPS63171868A (ja) | 窒化硼素被覆層を有する複合材料 | |
| JPH05147908A (ja) | 立方晶窒化ホウ素粉末の製造方法 | |
| JP2687468B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH04119982A (ja) | 窒化ホウ素膜の製造方法 | |
| Chen et al. | Carbon nitride thin-film growth by pulsed laser deposition | |
| JPH06145979A (ja) | 膜形成装置 | |
| Yong-nian et al. | Investigation of Preparing Cubic Boron Nitride Films by Magnetron Arc-Discharge Plasma Ion Plating |