JP2653782B2 - レーザ描画装置 - Google Patents

レーザ描画装置

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JP2653782B2
JP2653782B2 JP61115810A JP11581086A JP2653782B2 JP 2653782 B2 JP2653782 B2 JP 2653782B2 JP 61115810 A JP61115810 A JP 61115810A JP 11581086 A JP11581086 A JP 11581086A JP 2653782 B2 JP2653782 B2 JP 2653782B2
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Fax Reproducing Arrangements (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、いわゆるラスタスキャン方式で試料上の所
定位置にレーザビームを照射して所定のパターンを描画
するレーザ描画装置に係り、レーザビームのビーム径を
変えないで2種以上の最小線幅での描画をできるようし
たことを特徴とする新規なレーザ描画装置に関する。
〔背景技術とその問題点〕
近年、PCB(Print Circuit Board)等の試料に直接的
にパターンを描画するものとして、レーザビームを利用
したレーザ描画装置が開発されている。各種のプロッタ
や文字プリンタに応用されてもいる。この装置は、試料
を一方向(Y走査方向)に連続移動しながら、この移動
方向と試料上において直交する方向(X走査方向)にレ
ーザビームを走査し、ビームのON−OFFを制御するいわ
ゆるブランキングすることにより、ラスタスキャン方式
でパターンを描画するものである。そして、大面積の試
料であっても比較的短時間で描画できるという特徴を有
している。
ここに、従来のレーザ描画装置を第9図を参照して説
明する。レーザ描画装置は描画装置本体80と制御部100
とから構成されている。すなわち、描画装置本体80は、
Arレーザ等のレーザビームを放射するレーザ光源たるレ
ーザ発振器81、ビームの光路を変える反射鏡82a,82b、
ビームをブランキングする音響光学変調器(以下AOMと
略記する)83、ビームを反射して試料90上でX方向に走
査するポリゴンミラー84、Fθレンズ85、シリンドリカ
ルレンズ86、対物ミラー87および試料90を載置する試料
ステージ91等から構成されている。
ポリゴンミラー84は、第1のモータ96により回転駆動
されるが、ポリゴンミラー84の回転軸には該ミラー84の
回転量を検出するロータリーエンコーダ99が設けられて
いる。試料90上にレーザビームを集束させるための対物
ミラー87は、X軸方向に傾斜固定化されている。試料ス
テージ91は、第2のモータ98によりY走査方向に連続移
動されるものであり、試料ステージ91の下面側には、該
ステージ91のY走査方向位置を検出する磁気スケール88
およびこのスケール88と協働するセンサ89が設けらてい
る。また、Y走査方向に移動可能な試料ステージ91上に
は、PCB等の試料90が配置されている。
一方、制御部100は、基本的にはCPU101、磁気テープ
装置102、磁気ディスク装置103、描画パターン処理回路
104、走査制御回路108、駆動制御回路109および各種ド
ライバ(以下DRVと略記する)111a,111bから構成されて
いる。
CPU101は、磁気テープ装置102に記憶された試料90へ
の描画パターンデータとしてのCADデータを圧縮表現形
式の中間フォーマットのパターンデータに変換して磁気
ディスク装置103に描画待ちデータとして格納する。ま
たCPU101は、そのメモリに、磁気ディスク装置103に格
納されている中間フォーマットのパターンデータを、描
画パターン処理回路104内のダイレクトメモリアクセス
回路(DMA)105からの指令により読み込んだ後、このパ
ターンデータをDMAバス110を介してDMA105に与える。
描画パターン処理回路104は、上記DMA105、ビット変
換器106及びブランキング信号発生器107とからなり、DM
A105に与えられた中間フォーマットのパターンデータを
ビット変換器106により後述するビットパターンデータ
に変換し、このデータをブランキング信号発生器107に
与える。ビットパターンデータとは、試料90に照射され
るレーザビームの直径に相当する値に定められた基準ア
ドレスサイズでON、OFFにより描画パターンを表現する
ものである。
走査制御回路108は、ロータリーエンコーダ99からの
パルス信号に基づいてシフトロックを発生し、描画パタ
ーン処理回路104及びCPU101に所定の制御指令を送出す
る。
ブランキング信号発生器107は、走査制御回路108から
のシフトクロック及び制御指令に基づいてブランキング
信号をドライバ(DRV)111aに送り、ポリゴンミラー84
によるレーザビームのX方向の走査に合わせてAOM83を
駆動し、試料90に対するレーザビームの照射のON、OFF
を行う。
また、駆動制御回路109は、CPU101及び走査制御回路1
08から制御信号を与えられて各種モータを駆動制御する
ものであり、この回路109の信号を入力したDRV111bによ
り前記モータ96、98が駆動される。なお、モータ98は、
モータ96と同期を取られ、ポリゴンミラー84によりレー
ザビームがX方向に1回走査される間に、試料ステージ
91をY走査方向に基準アドレスサイズに相当する距離だ
け移動させ、試料90を連続移動させる。
このように構成された従来のレーザ描画装置では、レ
ーザ発振器81から放射されたレーザビームは、反射ミラ
ー82aで反射された後、AOM83に入り、ブランキング信号
発生器107からのブランキング信号によりON、OFFすなわ
ち通過、遮断を制御される。このレーザビームの通過、
遮断は、上記のように、次に述べるポリゴンミラー84に
よるレーザビームのX走査方向位置に対応して行われ
る。AOM83を通過したレーザビームは、反射ミラー82bを
介してポリゴンミラー84に導かれ、このポリゴンミラー
84に導かれたレーザビームは、ポリゴンミラー84の回転
によりX走査方向に偏向され、Fθレンズ85及びシリン
ドリカルレンズ86を通り、さらに対物ミラー87で反射さ
れて、前記試料90の上面のX及びY走査方向における所
望位置に照射結像される。
かくして、試料90上には、いわゆるラスタスキャン方
式で前記パターンデータに基づく所定のパターンが描か
れる。CAD等により作成された幾何学的な圧縮データで
あるパターンデータを用意することによって準備すべき
データ量を大幅に削減しつつ高精度な描画を短時間で行
い生産性を高めることができる。
しかしながら、上記従来のレーザ描画装置では2種類
以上の最小線幅で描画することができないという問題が
あった。すなわち、試料面上に照射されるレーザビーム
は第10図(A)で見るようにガウス分布の輝度特性を有
する直径d(第10図(B)で、見るようにガウス分布の
中心の輝度をeとしたとき1/e2の輝度を限界とする)と
され、この直径dとアドレスサイズASとを等しくするの
がシステム構成上簡単かつ効率がよく、最小線幅は、第
10図(A)に示すように、通常、レーザビームの直径d
の4倍として線の線の鮮明度を確保するようにしてい
る。そこで、最小線幅をより小さくするには第11図
(A),(B)に示すようにそのビーム直径を小さくす
ればよいということになる。アドレスサイズ1milを0.5m
ilとするにはビーム径を半分にすればよいということで
ある。しかし、d=4λL/πD(λ:レーザ光の波長、
L=fθレンズから試料面までの距離、D=fθレンズ
入射光のビーム直径)の式で試料面上の直径dが決定さ
れる。従って、直径dを、例えば(1/2)dと、小さく
するには、上記のλ、Lを1/2とするか、またはDを2
倍にしなければならないが、λを1/2とすることは広
範囲の波長成分から必要な波長だけを選択しなければな
らないので現実性に乏しく、またその都度選択された波
長のみを有するレーザ光源に交換できるようにすること
も実用性に欠ける。また、Lを1/2とすることは例え
ばL=500mmのものを250mmと切り替えることを考えても
装置の主要寸法を寸法精度を変えずにポリゴンミラー8
4、試料ステージ91等他の構成要素に影響を与えずして
切替可能にする構造はそれら精度、特性、相互位置関係
を考えるとき容易に確立できるものでないことは明らか
である。さらにDを2倍とすることはポリゴンミラー
84のミラー面をその2倍とされる直径に見合うよう大き
くすればよいことになる。しかしこれとそれに応じてF
θレンズ85、シリンドリカルレンズ86および対物ミラー
87等を大きくしなければならず当然ポリゴンミラー84自
体も大きくする必要があり、かつ図示省略した拡散レン
ズをポリゴンミラー84の前方に交換可能に設けるか、こ
の拡散レンズの前にビーム径を1/2とするアパーチャを
切換可能に設けなければならないが、そのようなポリゴ
ンミラー84等を大きくすることは各面についての精度確
保、経済性の観点のみならずシステム構成上も不利であ
る。また、アパーチャを用いる場合はビーム径が最大の
ときに最小のアパーチャ穴径を使用することになるから
レーザ光源のパワーを相当強力にしなければならない。
もとより機器を交換可能に形成することは上記Lの場合
と同様な問題を生ずる。
このように、そのいずれもが現実的でないゆえ、結局
のところ従来は1台のレーザ描画装置では1つの最小線
幅による描画しかできなかったのである。従ってアドレ
スサイズASすなわち最小線幅を1mil以下とすることが困
難であったため益々の高密度要請にあって描画装置の適
応性が縮減されてしまう虞れがあった。また、欠点をか
えりみず不利不便な上記方法によって試作的具現化をな
しても反面において、つまり線幅を太くしたいときには
同一線について複数回の重複走査が必要となり生産能率
が悪く実用価値を有しなかった。ここに、装置の主要寸
法を変更せず迅速で高精度を保障しつつ最小線幅の選択
的な描画ができるレーザ描画装置の開発が強く望まれて
いた。
〔発明の目的〕
本発明は、ビーム径を変更したり、長大ポリゴンミラ
ーとする等の如く光学的構成要素に大幅な変改を加えず
して容易かつ迅速に描画すべき最小線幅を選択できるレ
ーザ描画装置を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段および作用〕
本発明は、レーザ描画装置がレーザビームをオン・オ
フして照射するいわゆるラスタスキャン方式であるこ
と、Y走査方向にも連続移動しつつ描画されること、ビ
ーム径は前記1/e2のところをもってすなわちその余の光
強度領域は描画特性上影響しないものとしていること等
の固有的、原理的技術事項に着目し、ビーム径を変更し
ないで最小線幅を選択できるようにして前記従来問題点
を除去し新規なレーザ描画装置を確立するものである。
これがため、Y走査方向に所定速度で連続移動される
試料に、レーザ光源から発生された一定直径のレーザビ
ームをオン・オフして照射しつつX走査方向に走査させ
て照射することにより所望パターンの描画を行うレーザ
描画装置において、 前記試料に照射される一定直径のレーザビームの直径
に相当する値に定められた基準アドレスサイズよりも小
さなアドレスサイズを設定可能なアドレスサイズ設定手
段と、 前記アドレスサイズ設定手段で設定された設定アドレ
スサイズを受け、これに相応させて描画用のパターンデ
ータをON・OFFで表現するビットパターンデータに変換
するビット変換器と、 このビット変換器からのビットパターンデータを受け
て該ビットパターンデータのON・OFFにより試料に対す
るレーザビームの照射をON/OFFさせるブランキング信号
を発生するブランキング信号発生器と、 前記設定アドレスサイズに基づいて前記Y走査方向の
試料移動速度を制御するとともに、前記ブランキング信
号によってON/OFFされるレーザビームを前記設定アドレ
スサイズに相応させてX走査方向に走査するように制御
するビーム重複照射制御手段と、 前記Y走査方向と直交しかつ試料表面に沿って設けら
れたX軸方向に対し、前記X走査方向を設定アドレスサ
イズに基づいて所定角度だけY走査方向に傾斜させるよ
うに制御するX走査傾斜制御手段と、 前記試料上に照射されるレーザビームの光量を前記設
定アドレスサイズに基づいた所定量に調整するビーム光
量調整手段と、を備えたことを特徴とするものである。
このように構成された本発明は、所望のアドレスサイ
ズを設定して起動すれば、従来通りレーザビームの一定
直径相当またはその数値に対応した最小線幅で基準状態
の描画が行なえることはもとより、さらにアドレスサイ
ズを設定変更すれば、ビーム重複照射制御手段によって
試料上へ照射ビームが重複され、設定アドレスサイズ相
当線幅の描画が行われる。なお、X走査傾斜制御手段は
設定アドレスサイズに基づいてX軸に対しX走査方向を
所定角度だけ自動的に変更調整する。また、ビット変換
器は前記設定アドレスサイズを受け、これに相応させて
CPUから入力されるパターンデータをビットパターンに
自動変換しブランキング信号発生器に出力する。さら
に、重複照射されたビームの光量が試料上において過量
とならないよう、つまり上記基準状態の場合と変わらな
いようビーム光量調整手段はアドレスサイズに基づいて
光量調整を行う。従って、前記レーザビームの直径を変
更させないで2種以上の最小線幅で描画できる。
〔実施例〕
本発明に係るレーザ描画装置の実施例を図面を参照し
ながら詳細に説明する。なお、前出第9図に示したよう
な従来のレーザ描画装置と同一または同一的部分につい
ては同一の符号を付するとともに、その説明を簡略化ま
たは省略する。
(第1実施例) この第1実施例は第1図ないし第5図に示され、レー
ザビームの直径を変更させないで2種以上の最小線幅で
描画できるレーザ描画装置は、アドレスサイズ設定手段
1とビット変換器106とブランキング発生回路107とビー
ム重複照射制御手段10とX走査傾斜制御手段30とビーム
光量調整手段40とから構成されている。
さて、アドレスサイズ設定手段1は、レーザビームの
一定な直径d相当の基準アドレスサイズASよりも小さな
アドレスサイズで最小線幅を定め描画させるためにその
アドレスサイズを設定するものである。この実施例では
基準アドレスサイズASとレーザビーム径dとは1milとさ
れ、かつ基準アドレスサイズASのときK=1とした係数
Kをもって所望のアドレスサイズを設定するものと形成
されている。従って、係数Kの設定機器は問わないがこ
こではI/Oバス112を介しCPU101に接続されたコンソール
3のスイッチ4をもって設定するようされている。な
お、具体的設定は図示なきモニタに表示された運転手順
メッセージに応答するかたちで所望の係数Kを設定でき
るよう形成されている。
また、ビーム重複照射制御手段10は、設定アドレスサ
イズに基づいてレーザビームを試料90に重複照射すなわ
ち先に照射された試料90の照射面上に次の照射時に重ね
てレーザビームを照射させるためのもので、第5図に示
すように、前出第10図に示す径dが1milの照射レーザビ
ームが各隣接模様とされていたのに対し、当接径dの1/
2づつ重複照射させて実質的アドレスサイズASを1/2mil
とするもので、ビーム径dを変更しないで最小線幅を適
宜選択できるるようする本発明の特徴部の重要な構成要
件の1つである。この第1実施例の場合、ビーム重複照
射制御手段10は、X走査用のポリゴンミラー84の回転数
を設定アドレスサイズに相応させた回転数に変化させる
よう形成されたX走査手段11とレーザビームのブランキ
ング用AOM(音響光学変調器)83への転送周波数をX走
査手段11によってポリゴンミラー84の回転数が変化され
た場合においても基準アドレスサイズASによる運転時に
おける転送周波数と同じ周波数つまり一定の周波数に維
持できるよう形成された走査制御回路108と試料90のY
走査速度を設定アドレスサイズに相応させた速度に変化
できるよう形成されたY走査手段13とから構成されてい
る。ここに、基準アドレスサイズ(1mil)、K=1の基
準状態におけるポリゴンミラー84の回転数は4,800rpm、
Y走査速度は16.256mm/sec(=4800rpm/60×8面×25.4
mm/inch×10-3…1secで1アドレスサイズ1milを移動さ
せる)、およびAOM83への転送周波数が20.48MHZ(=480
0RPH/60×8,000PLS/rev×128逓倍×1/4分周)とされて
いるに対し、ポリゴンミラー84の回転数を2400rpm(=
4,800×1/K…試料90面上へのビーム径dを基準アドレス
サイズが1milであるのに対し0.5milとする場合に係数K
を2としている)、Y走査速度を4,064mm/sec(2400rpm
/60×8面×25.4mm/inch×10-3×1/k)としてアドレス
サイズASを基準アドレスサイズ1milに対しその1/2であ
る0.5milとしようとするものである。ただし、AOM83へ
の転送周波数20.48MHZは不変とする。従って、駆動制御
回路109に接続されたドライバー111b、第1のモータ96
およびポリゴンミラー84からなるX走査手段11はI/Oバ
ス112を介しCPU101からの指令(1/K=1/2)に基づき基
準速度(4800rpm)に対しその1/2の速度(2400rpm)と
なり、かつドライバー111dと第2のモータ98とからなる
Y走査手段13は同じくCPU101からの指令(1/K=1/2)に
基づき基準速度(16.256mm/sec)に対し、その1/4の速
度(4.064mm/sec)となるよう構成されている。かかる
場合においても走査制御回路108の転送周波数は基準転
送周波数(20.48MHZ)と同じである。
X走査傾斜制御手段30は、ドライバー111cに連結され
る対物ミラー87を第3図に見られるようにY走査方向に
対して直角なX軸に対しY走査方向に一定角度θ傾斜
させるためのピエゾ素子97を制御し、設定アドレスサイ
ズに基づいたCPU101からの指令(1/K=1/2)により基準
の傾斜角度θに対しX走査方向の傾斜角がθ=f
(θ,1/k)となるよう制御するものである。なお、第3
図におけるX軸の下方への傾斜は、Y走査方向を同図に
おいて下向きとした場合の対物ミラー87の傾斜角度を示
すものである。
そして、このX走査傾斜制御手段30は、転送周波数一
定のものと、X走査速度とY走査速度がそれぞれ基準か
ら低速とされているから、ビット変換器106での対応す
るビットパターンデータによりレーザビームをオン・オ
フして照射させたとき、X走査が完了するまでに1/2ア
ドレスサイズだけY走査により試料90が一定速度で連続
的に進行するように、その傾斜角度を調整できるように
形成され、試料90上においては第5図(A)に示すよう
にX走査方向とY走査方向とが直交するようになってい
る。
また、ビーム光量調整手段40は、設定アドレスサイズ
に対応されたゲイン係数を記憶するための記憶手段たる
レジスタ41と、そのゲイン係数に応じたドライバ111aへ
のアナログ信号を出力するデジタル−アナログ変換器42
とから形成されている。第4図(A)に見られるような
ブランキング信号発生器107からの二値化信号を入力す
るとドライバ111aからは一定周波数の正弦波電圧が出力
され、この出力電圧はそのアナログ信号に比例する。そ
こでデジタル−アナログ変換器42の出力信号をK=2の
場合にK=1の場合の1/2とすれば第4図(B)に示す
ドライバ111aからの出力電圧は第4図(C)に示される
ように変化する。ここに、ビーム光量調整手段40は、設
定されたKによってドライバ111aへのアナログ信号を変
化させるよう形成されている。従って、試料90上でレー
ザビームが重複照射されても過度の照射光量とならず結
果として基準状態と略同じ光量によって描画がなされ
る。
また、走査制御回路108は、位相ロック方式(PLL)逓
倍器22と分周器およびカウンタ23からなる周波数調整回
路21と、レジスタ16,コンパレータ17,カウンタ18を含む
タイミング回路15と、ゲート回路25,26と、フリップフ
ロップ回路27とから構成されている。これらは、描画パ
ターン処理回路104のブランキング信号発生器(ラスタ
ージェネレータ)107へ描画範囲を特定する信号DRAWXと
この信号DRAWXの存在下に発生されるシフトロック信号S
CKとを発生するもので、これら信号を受けた描画パター
ン処理回路104では信号DRAWXの到着回数を計数し、試料
90におけるY走査方向の描画範囲を確定する等のために
用いる。また、信号SCKは、ブランキング信号を発生さ
せるためのタイミング信号として用いられる。
すなわち、周波数調整回路21では、ポリゴンミラー84
に直結されたロータリエンコーダ99からポリゴンミラー
84の1回転を8000等分割したエンコーダパルス信号ECP
を基準信号として逓倍器22で256倍し、次いで、逓敗器2
2からの出力パルスの周波数を分周器23で1/4分周し、周
波数20.48MHZのパルス信号SCKを発生する。これはロー
タリエンコーダ99の製作上の問題からより分解能を上げ
るために逓倍し、かつその際信号SCKが相続く信号ESP間
で位相が大きくずれないよう位相ロックしているのであ
る。一方、タイミング回路15では、試料ステージ91すな
わち試料90の現在位置を検出するセンサ89が接続された
カウンタ18とCPU101からのY走査方向描画開始位置デー
タを記憶したレジスタ16との両位置信号をコンパレータ
17で比較してそれが一致したとき、つまり描画開始点と
なったときにフリップフロップ回路27を駆動する。従っ
て、ゲート25,26を介しそれ以降に前記信号DRAWXとSCK
とは出力されることになる。ここに、信号FCPはポリゴ
ンミラー84の各面毎に発生されるパルス信号で信号ECP,
SCKおよびDRAWXの関係は第2図に示す通りである。
なお、ポリゴンミラー84やfθレンズ85等の製作誤差
や取付誤差によって生じる試料面でのビーム位置誤差を
補正するには、第1図で二点鎖線で示すように音響光学
偏向器63、そのドライバー62および補正制御回路61を設
けるとよい。また光路中には特性改善のため拡散レンズ
71と収束ミラー82Cとが設けられている。また、試料90
に照射されるレーザビームは、一般的なレーザ描画装置
と同様に、対物ミラー87で反射されて最終的には試料90
の表面に直交する方向から、つまりY走査方向およびX
走査方向に直交する方向から試料90に照射されている。
このように構成された本実施例のレーザ描画装置では
次のように機能する。ただし、前記従来例の場合と変わ
るところのない部分については簡易化または省略する。
(係数K=1とした場合) 運転開始時に図示省略のモニターの運転手順メッセー
ジを利用等してアドレスサイズ設定手段1であるコンソ
ール3のスイッチによってK=1を設定する。この場
合、前出第10図に見られるようにビーム径d=基準アド
レスサイズAS=1milに構成されているからビーム重複照
射制御手段10、X走査傾斜制御手段30、ビット変換器10
6およびビーム光量調整手段40とも設定されたK=1に
よっては格別の切替等はしない。すなわち、X走査手段
11はドライバ111b、第1のモータ96によって駆動制御回
路109に基づいて基準状態である4800rpmでポリゴンミラ
ー84を回転する。走査制御回路108の周波数回路21では1
28倍しかつ1/4分周することによって20.48MHZのスキャ
ン信号SCKを出力する。またY走査手段13は16.256mm/se
cの速度とされるとともにそのX走査方向速度およびY
走査方向速度に対応した傾斜角度に対物ミラー87に保持
されたままである。
従って、前出第10図の従来例と同様に基準アドレスサ
イズ(1mil)の描画が行われる。なお、K=1の場合に
は、アドレスサイズ設置手段1を操作しなくてもよいよ
うに形成してもよい。
(係数K=2とした場合) このK=2は、アドレスサイズを0.5milとする場合で
ある。従って、上記場合と同様にしてアドレスサイズ設
定手段1によってK=2を設定する。
すると、ビーム重複照射制御手段10では、まず、X走
査手段11において、CPU101の指令により2400rpm(4800r
pm×1/K)とされ、Y走査手段13において同じくCPU101
の指令により4.064mm/sec(2400RPM/60×8面×25.4×1
0-3×1/K)とされる。なお、走査制御回路108の周波数
調整回路21におけるAOM83への転送周波数は20.48MHZと
変わらない。次に、変更されたX走査速度とY走査速度
との関係から予め決定された傾斜角度にX走査傾斜制御
手段30ではドライバ111cとピエゾ素子97を駆動して基準
角度より小さく角度調整する。ここに、描画パターン処
理回路104の一部であるビット変換器106ではCPU101から
のパターンデータ(幾何学表現形式の中間フォーマッ
ト)をK=2すなわちアドレスサイズAS=0.5milに対応
させてビットパターンに変換している。
従って、X走査速度およびY走査速度が基準速度より
上記値の通り遅くまたはこれらに応じた傾斜角度に対物
ミラー87が設定され、そこにアドレスサイズAS=0.5mil
に相当するビットパターンに基づいたブランキング信号
がブランキング信号発生器107から出力され、光源81か
らのビームがAOM83によってブランキングされるから、
結果として第5図(A)に見られるように試料90上では
ビーム径d(第5図(B)参照)の(1/2)dづつ互い
に重複されて照射され描画されたことになる。もとよ
り、ビーム光量調整手段40では設定されたアドレスサイ
ズ(この実施例では重なりの度合)に対応させたゲイン
係数相当のアナログ信号を出力し、AOM83のドライバー1
11aに光量補正用として入力しているので、K=1の場
合に対しK=2のときはAOM83の通過後の光量は所定値
だけ減量されている。従って、試料90上でビームが重複
照射されても、例えば試料90がPCBの場合に露光オーバ
ーとならずK=1の場合と同様に適正な光量による描画
が行われる。このようにして、レーザビーム径を変更せ
ず、またポリゴンミラー84等の光学的構成要素を変更、
交換等してなくてもそのアドレスサイズを変えることに
よって最小線幅を基準状態での値(1mil)の1/2(0.5mi
l)として描画することができる。
(係数K=nとした場合) K=nとする場合においても上記のK=2の場合と同
様にそのアドレスサイズに適応して、各手段1,10,30,4
0,106等が機能する。
以上の通り、本実施例によれば、所望のアドレスサイ
ズ相当の係数Kをアドレスサイズ設定手段1で予め設定
しておけばレーザ光源81から試料90上に照射されるレー
ザビーム径dを変更することなく異なる最小線幅の描画
を行うことができるという優れた効果を有する結果、生
産性とその適用性を飛躍的に拡大することができる。
また、レーザビーム径dは変更させずにアドレスサイ
ズを主に駆動制御的に変更できるから、ポリゴンミラー
84等光学的機械構成要素を増設、改変等しなくともよい
から構造簡単にして取り扱い便宜であり経済的にも有利
である。このことは既存のレーザ描画装置にも導入でき
るということをも意味するものである。
さらに、最小線幅は係数Kを設定すればよいから任意
的に選択でき、従って、熟練を必要としないで画一的生
産性を保障することが容易である。
(第2実施例) 第2実施例は、前記第1実施例がAOM83への転送周波
数を基準状態(K=1、AS=1mil)での転送周波数と同
一とし、X走査手段11とY走査手段13との各速度を遅く
するものとしたのに対し、Y走査手段13の速度は遅くす
るもののX走査手段11の速度つまりポリゴンミラー84の
回転速度は4800rpmと変えず、AOM83への転送周波数を高
速化するよう構成したものである。従って、この第2実
施例も第1実施例と同じく第1図ないし第5図の構成と
外観的には同じである。
この第2実施例の場合、転送周波数は40.96MHZ(=48
00rpm/60×8000PLS/rev×128×1/4×K)と標準状態の2
0.48MHZの2倍速となる。
この実施例によれば、前記第1実施例の場合と同様の
作用効果を奏する他、走査制御回路108でのPLL逓倍器22
での逓倍をK倍すればよいから電子的処理のみで最小線
幅を変えられるのでその製作が容易であり、また精度的
にも向上できる。
なお、以上の実施例では、アドレスサイズASを対応す
る係数Kとして設定できるようその設定手段1を形成し
たが直接アドレスサイズASを設定できるようにしてもよ
い。もとより無名数のアドレスユニットAUとして設定す
ることも可能である。従って、4ピクセル(4アドレス
サイズに等しい)を1AUとして最小線幅を決定する従来
の一般的方法であっても本発明は適用される。
また、ビーム光量調整手段40は、レジスタ41とD/Aコ
ンバータ42とから形成されAOM83のドライバー111aにゲ
イン調整として関与させるものとしたが、要はビーム重
複照射制御手段10によって設定された係数Kに基づいた
照射ビームの重なりによってレーザビームの光量を変更
できればよいから前記方式によらず第6図に示したよう
にレーザ光源81の発光量自体を係数Kに応じ調整するよ
うしても、複数の異径アパーチャを有する部材44を光路
中に介在させ切替可能に形成(第7図参照)しても、ま
た第8図のように異なる反射率のハーフミラー47を配列
しこれを光路中に往復動切替するよう形成されたものと
してもよい。
〔発明の効果〕
本発明は、装置の主要寸法や構成要素に変改等を加え
ることなく光源からのレーザビームの直径を一定とした
ままで2種以上の最小線幅で描画できるという優れた効
果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るレーザ描画装置の第1実施例を示
す全体構成図、第2図は同じくシフトクロック信号等の
タイミング説明図、第3図は、同じくX走査手段でのX
走査方向傾斜態様を示す図面、第4図は同じくAOM用ド
ライバーの出力アナログ信号説明図、第5図は同じく
(A)がビーム重複照射制御手段による重複照射状態の
説明であり、(B)はレーザビームの輝度分布とビーム
系との関連説明図、第6〜第8図は他の実施例の要部を
示し第6図はビーム光量調整手段がレーザ光源の光量調
整型、第7図は同じくアパーチャ型、第8図はハーフミ
ラー型を示す、第9図は従来のレーザ描画装置の全体構
成図および第10図、第11図は各(A)図がアドレスサイ
ズASを1milと0,5milとした場合の描画状態を示し、各
(B)図は当該レーザビームの輝度分布とビーム径との
関連説明図である。 1……アドレスサイズ設定手段、3……コンソール、4
……スイッチ、10……ビーム重複照射制御手段、13……
Y走査手段、30……X走査傾斜制御手段、40……ビーム
光量調整手段、41……記憶回路としてのレジスタ、42…
…デジタル−アナログ変換器、44……アパーチャ、47…
…ハーフミラー、80……描画装置本体、81……レーザ光
源、83……音響光学変調器、84……ポリゴンミラー、87
……対物ミラー、90……試料、97……ピエゾ素子、100
……制御部、104……描画パターン処理回路、106……ビ
ット変換器、107……ブランキング信号発生器、108……
走査制御回路。

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Y走査方向に所定速度で連続移動される試
    料に、レーザ光源から発生された一定直径のレーザビー
    ムをオン・オフして照射しつつX走査方向に走査させて
    照射することにより所望パターンの描画を行うレーザ描
    画装置において、 前記試料に照射される一定直径のレーザビームの直径に
    相当する値に定められた基準アドレスサイズよりも小さ
    なアドレスサイズを設定可能なアドレスサイズ設定手段
    と、 前記アドレスサイズ設定手段で設定された設定アドレス
    サイズを受け、これに相応させて描画用のパターンデー
    タをON・OFFで表現するビットパターンデータに変換す
    るビット変換器と、 このビット変換器からのビットパターンデータを受けて
    該ビットパターンデータのON・OFFにより試料に対する
    レーザビームの照射をON/OFFさせるブランキング信号を
    発生するブランキング信号発生器と、 前記設定アドレスサイズに基づいて前記Y走査方向の試
    料移動速度を制御するとともに、前記ブランキング信号
    によってON/OFFされるレーザビームを前記設定アドレス
    サイズに相応させてX走査方向に走査するように制御す
    るビーム重複照射制御手段と、 前記Y走査方向と直交しかつ試料表面に沿って設けられ
    たX軸方向に対し、前記X走査方向を設定アドレスサイ
    ズに基づいて所定角度だけY走査方向に傾斜させるよう
    に制御するX走査傾斜制御手段と、 前記試料上に照射されるレーザビームの光量を前記設定
    アドレスサイズに基づいた所定量に調整するビーム光量
    調整手段と、 を備えたことを特徴とするレーザ描画装置。
  2. 【請求項2】特許請求の範囲第1項記載のレーザ描画装
    置において、前記ビーム重複照射制御手段は、X走査用
    ポリゴンミラーの回転数を設定アドレスサイズに相応さ
    せた回転数に変化させるように制御し、前記ブランキン
    グ信号発生器は、一定の周波数でブランキング信号を生
    じるように形成されていることを特徴とするレーザ描画
    装置。
  3. 【請求項3】特許請求の範囲第1項記載のレーザ描画装
    置において、前記ビーム重複照射制御手段は、X走査用
    ポリゴンミラーを一定の回転数で回転させるように制御
    し、前記ブランキング信号発生器は、ブランキング信号
    の周波数を設定アドレスサイズに相応させた周波数に変
    化させるように形成されていることを特徹とするレーザ
    描画装置。
  4. 【請求項4】特許請求の範囲第1項ないしい第3項のい
    ずれかに記載のレーザ描画装置において、前記X走査傾
    斜制御手段は、X走査用ポリゴンミラーから前記試料ま
    での光路中に配置された対物ミラーを一点を中心として
    傾斜させるピエゾ素子を制御するように構成されている
    ことを特徴とするレーザ描画装置。
  5. 【請求項5】特許請求の範囲第1項ないし第4項のいず
    れかに記載のレーザ描画装置において、前記ビーム光量
    調整手段が、設定アドレスサイズに相応させたゲイン調
    整係数を記憶する記憶回路と、特定されたゲイン調整係
    数相当のデジタル信号を前記ブランキング信号によりレ
    ーザビームをオン・オフして照射する音響化学変調器の
    ドライバーに適応させたアナログ信号に変換するデジタ
    ル−アナログ変換器と、から形成されていることを特徴
    とするレーザ描画装置。
  6. 【請求項6】特許請求の範囲第1項ないし第4項のいず
    れかに記載のレーザ描画装置において、前記ビーム光量
    調整手段が、前記レーザ光源の駆動電圧を増減させるこ
    とにより発生する光量自体を調整可能に形成されている
    ことを特徴とするレーザ描画装置。
  7. 【請求項7】特許請求の範囲第1項ないし第4項のいず
    れかに記載のレーザ描画装置において、前記ビーム光量
    調整手段が、異なる開口面積とされた複数のアパーチャ
    を有し、そのうちの1つを前記レーザ光源からX走査用
    ポリゴンミラーまでの光路中に選択的に配置可能に形成
    されていることを特徴とするレーザ描画装置。
  8. 【請求項8】特許請求の範囲第1項ないし第4項のいず
    れかに記載のレーザ描画装置において、前記ビーム光量
    調整手段が、異なる反射率とされた複数のハーフミラー
    を有し、そのうちの一面を前記レーザ光源からX走査用
    ポリゴンミラーまでの光路中に選択的に配置可能に形成
    されていることを特徴とするレーザ描画装置。
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