JP2645590B2 - Method for repairing short-circuit defect of liquid crystal display - Google Patents

Method for repairing short-circuit defect of liquid crystal display

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JP2645590B2
JP2645590B2 JP10271589A JP10271589A JP2645590B2 JP 2645590 B2 JP2645590 B2 JP 2645590B2 JP 10271589 A JP10271589 A JP 10271589A JP 10271589 A JP10271589 A JP 10271589A JP 2645590 B2 JP2645590 B2 JP 2645590B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、薄膜液晶表示装置の電極間或いは配線間
の短絡箇所を検出し修復する方法に関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for detecting and repairing a short-circuit between electrodes or wirings of a thin-film liquid crystal display device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第5図は薄膜半導体装置の電極間或いは配線間の短絡
欠陥を検出して修復する短絡欠陥修復装置を示す構成
図、第6図は薄膜半導体装置の画素部構造を示す平面
図、第7図は薄膜半導体装置のトランジスタ付近を示す
平面図、第8図は第7図中のVIII−VIII線に沿った断面
図、第9図及び第10図は薄膜半導体装置の配線交差部構
造をそれぞれ示す平面図及び第9図のX−X線に沿った
断面図である。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a short-circuit defect repairing device for detecting and repairing a short-circuit defect between electrodes or wirings of the thin film semiconductor device, FIG. 6 is a plan view showing a pixel portion structure of the thin film semiconductor device, and FIG. Is a plan view showing the vicinity of the transistor of the thin-film semiconductor device, FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII in FIG. 7, and FIGS. 9 and 10 show the wiring intersection structure of the thin-film semiconductor device. FIG. 10 is a plan view and a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 9.

第5図〜第10図において、(1)は薄膜トランジスタ
(TFT)アレイ基板或いはその基板を用いた液晶表示(L
CD)パネル等の薄膜装置、(2)は薄膜半導体装置
(1)を載せるXYステージ、(3)及び(4)はXYステ
ージ(2)をそれぞれX方向及びY方向に動かすXドラ
イブ及びYドライブ、(5)は薄膜半導体装置(1)の
電極間或いは配線間の短絡箇所を切断する薄膜切断装置
で、レーザ装置等が用いられる。(6)はXドライブ
(3)、Yドライブ(4)及び薄膜切断装置(5)の駆
動制御を行なうためのプロセッサー、(7)はガラス等
から成る絶縁性基板で、絶縁性基板(7)上に薄膜トラ
ンジスタ(TFT)(8)を構成するゲート電極(9)、
絶縁層(10)、半導体層(11)、ソース電極(12)及び
ドレイン電極(13)が積層形成されている。(14)は絶
縁基板(7)に形成された画素電極で、ドレイン電極
(13)が電気的に接続されている。(15)はソース電極
(12)と電気的に接続されたソース配線、(16)はゲー
ト電極(9)と電気的に接続されたゲート配線である。
5 to 10, (1) shows a thin film transistor (TFT) array substrate or a liquid crystal display (L) using the substrate.
A thin film device such as a CD) panel, (2) an XY stage on which the thin film semiconductor device (1) is mounted, and (3) and (4) X and Y drives for moving the XY stage (2) in the X and Y directions, respectively. And (5) are thin-film cutting devices for cutting short-circuit points between electrodes or wirings of the thin-film semiconductor device (1), and use a laser device or the like. (6) is a processor for controlling the driving of the X drive (3), the Y drive (4) and the thin film cutting device (5), and (7) is an insulating substrate made of glass or the like, and the insulating substrate (7) A gate electrode (9) constituting a thin film transistor (TFT) (8) thereon,
An insulating layer (10), a semiconductor layer (11), a source electrode (12), and a drain electrode (13) are formed by lamination. (14) is a pixel electrode formed on the insulating substrate (7), and the drain electrode (13) is electrically connected. (15) is a source wiring electrically connected to the source electrode (12), and (16) is a gate wiring electrically connected to the gate electrode (9).

次に動作について説明する。先ず、薄膜半導体装置
(1)がTFTアレイ基板の場合、別の電源(図示せず)
からソース配線(15)の一本とゲート配線(16)の一本
に電気信号を送って、ソース配線(15)とゲート配線
(16)に電気的に接続する一個のTFT(8)のゲート電
極(9)とソース電極(12)との間、或いはソース配線
(15)とゲート配線(16)の間の短絡を電気的に調べ
る。この操作の全てのソース配線(15)と全てのゲート
配線(16)の組合せについて順次行い、短絡の有無を検
出する。また、薄膜半導体装置(1)がLCDパネルの場
合、LCDパネルを点灯してLCDパネルに表れる表示欠陥か
ら短絡箇所を推定する。次に薄膜切断装置(5)を用い
て、先ず上記のように検出した短絡部の存在するソース
配線(15)とゲート配線(16)の対において、短絡の起
こる確率の高いTFT(8)をソース配線(15)またはゲ
ート配線(16)から切り離す。上記の操作によって短絡
が回復しない場合は、再び薄膜切断装置(5)を用いて
ソース配線(15)の交差部両側を電気的に切断する。こ
の時、ソース配線(15)はこの切断箇所の両側で電気的
に分断され、ソース配線(15)の片側から供給している
電気信号は切断部以降には伝わらず、切断したソース配
線(15)に対しては電気信号を供給している端子とは反
対側の端子から別途電気信号を供給して、短絡欠陥の修
復を終了する。
Next, the operation will be described. First, when the thin film semiconductor device (1) is a TFT array substrate, another power supply (not shown)
An electric signal is sent to one of the source wirings (15) and one of the gate wirings (16), and the gate of one TFT (8) electrically connected to the source wiring (15) and the gate wiring (16) A short circuit between the electrode (9) and the source electrode (12) or between the source wiring (15) and the gate wiring (16) is electrically checked. This operation is sequentially performed for all combinations of the source wirings (15) and all the gate wirings (16), and the presence or absence of a short circuit is detected. When the thin-film semiconductor device (1) is an LCD panel, the LCD panel is turned on and a short-circuit point is estimated from a display defect appearing on the LCD panel. Next, using a thin film cutting device (5), a TFT (8) having a high probability of a short circuit occurring in a pair of a source line (15) and a gate line (16) where a short-circuit portion is detected as described above exists. Disconnect from source wiring (15) or gate wiring (16). If the short circuit is not recovered by the above operation, the both sides of the intersection of the source wiring (15) are electrically cut again using the thin film cutting device (5). At this time, the source line (15) is electrically divided on both sides of the cut portion, and an electric signal supplied from one side of the source line (15) is not transmitted to a portion after the cut portion. ), An electric signal is separately supplied from the terminal opposite to the terminal supplying the electric signal, and the repair of the short-circuit defect is completed.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

従来の短絡箇所の検出は以上のように行われているの
で、短絡している配線の対を見い出しても、短絡を起こ
している位置を明確に判定することができず、その後の
修復工程において短絡を起こしていない正常な部位を切
断してしまうことがあるという問題点があった。
Since the conventional short-circuit point detection is performed as described above, even if a short-circuited wire pair is found, the short-circuited position cannot be clearly determined, and in the subsequent repair process. There has been a problem that a normal part where no short circuit has occurred may be cut.

また、短絡箇所を正確に検出して短絡したTFTを配線
から切り離すことにより短絡欠陥は修復できるが、切り
離されたTFTに対応する画素は表示出来なくなり表示性
能が劣化するという問題があった。
In addition, although a short-circuit defect can be repaired by accurately detecting a short-circuited portion and separating the short-circuited TFT from the wiring, there is a problem that a pixel corresponding to the separated TFT cannot be displayed and display performance is deteriorated.

この発明は上記の問題点を解決するためになされたも
ので、液晶表示装置に生じた短絡位置を明確に検出する
こと、短絡した薄膜トランジスタを電気的に切り離すこ
と、切り離された薄膜トランジスタに対応した画素の表
示を可能として表示性能の劣化を防止すること、等を目
的としている。
The present invention has been made to solve the above-described problems, and it is intended to clearly detect a short-circuit position generated in a liquid crystal display device, electrically disconnect a short-circuited thin film transistor, and a pixel corresponding to the separated thin-film transistor. And to prevent display performance from deteriorating.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

この発明に係る液晶表示装置の短絡欠陥を修復する方
法は、各画素の画素電極に対して駆動表示用の薄膜トラ
ンジスタを複数個同一のゲート線及び同一のソース線に
並列に形成してアレイ状に配置して液晶装置を構成した
うえで、下記(a)、(b)、(c)のステップを行う
ものである。
A method for repairing a short-circuit defect of a liquid crystal display device according to the present invention is to form a plurality of driving display thin film transistors in parallel with the same gate line and the same source line for each pixel electrode in an array. After the arrangement, the liquid crystal device is configured, and the following steps (a), (b), and (c) are performed.

(a)1つの画素に並列に形成された複数の薄膜トラン
ジスタのうち、短絡した薄膜トランジスタの位置を、短
絡部から発せられるマイクロプラズマ発光あるいは赤外
光を検知する光学的手段により検出して特定する (b)ビーム装置で短絡の生じた薄膜トランジスタを電
気的に切り離す (c)切り離された薄膜トランジスタに対応する画素電
極を正常な薄膜トランジスタで駆動するステップ 〔作用〕 液晶表示装置の短絡箇所から発生するマイクロプラズ
マ発光るいは赤外光をこれを検知する光学的手段を用い
て検出するので、1つの画素内に並列に形成された薄膜
トランジスタのうち短絡した薄膜トランジスタの位置を
正確に特定できる。
(A) Among a plurality of thin film transistors formed in parallel in one pixel, the position of the short-circuited thin film transistor is detected and specified by optical means for detecting microplasma emission or infrared light emitted from the short circuit portion. b) Electrically disconnecting the thin film transistor in which the short circuit has occurred in the beam device. (c) Step of driving the pixel electrode corresponding to the disconnected thin film transistor with a normal thin film transistor. Alternatively, since infrared light is detected by using an optical means for detecting the infrared light, the position of the short-circuited thin film transistor among the thin film transistors formed in parallel in one pixel can be accurately specified.

短絡した薄膜トランジスタを電気的に切り離すことに
より短絡欠陥は修復される。
The short-circuit defect is repaired by electrically disconnecting the short-circuited thin film transistor.

各画素の画素電極に対して並列に複数の薄膜トランジ
スタを設けているので、1個の薄膜トランジスタが短絡
して切り離されても残された正常な薄膜トランジスタを
本来の配線(信号)で動作させ、これにより画素電極を
駆動して画素の表示ができる。
Since a plurality of thin film transistors are provided in parallel with the pixel electrode of each pixel, even if one thin film transistor is short-circuited and disconnected, the remaining normal thin film transistor is operated by the original wiring (signal), thereby The pixel electrode can be driven to display a pixel.

〔発明の実施例〕(Example of the invention)

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
1図において、(1)は液晶表示装置のTFTアレイ基
板、(5)は薄膜切断装置で、ここではレーザ装置、
(17)は短絡箇所検出装置で、ここではマイクロプラズ
マ発光を検出する高感度カメラ(18)とテレビモニター
(19)から成る。(20)はTFTアレイ基板(1)に電気
信号を供給する駆動回路を示している。他の構成成分は
第5図の相当部分と同様である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, (1) is a TFT array substrate of a liquid crystal display device, (5) is a thin film cutting device, here a laser device,
(17) is a short-circuit detection device, which comprises a high-sensitivity camera (18) for detecting microplasma emission and a television monitor (19). (20) shows a drive circuit for supplying an electric signal to the TFT array substrate (1). The other components are the same as those in FIG.

次に動作について説明する。先ず、TFTアレイ基板
(1)をステージ(2)にセットし、駆動回路(20)よ
り電気信号を供給する。この時、TFTアレイ基板(1)
中の電極間或いは配線間に短絡部があると、その短絡部
からマイクロプラズマ発光が生じる。Xドライブ
(3)、Yドライブ(4)でステージ(2)をスキャン
し、高感度カメラ(18)とテレビモニター(19)でTFT
アレイ基板(1)上の短絡箇所からのマイクロプラズマ
発光を検知し、TFTでのゲート電極とソース電極の短絡
箇所或いはゲート電極とドレイン電極の短絡箇所及びソ
ース配線とゲート配線の交差部の短絡箇所を区別して検
出する。次に、検出した短絡箇所がTFTで生じている場
合にはゲート電極をゲート配線からレーザー装置(5)
によって電気的に切り離し、短絡箇所がソース配線とゲ
ート配線の交差部で生じている場合には、上記交差部の
両側でソース配線又はゲート配線をレーザー装置(5)
によって電気的に切り離して短絡欠陥を修復する。
Next, the operation will be described. First, the TFT array substrate (1) is set on the stage (2), and an electric signal is supplied from the drive circuit (20). At this time, the TFT array substrate (1)
If there is a short circuit between the inner electrodes or between the wires, microplasma emission is generated from the short circuit. Scan the stage (2) with the X drive (3) and the Y drive (4), and use the high sensitivity camera (18) and the TV monitor (19) for TFT.
Detects microplasma emission from a short-circuit point on the array substrate (1) and detects a short-circuit point between the gate electrode and the source electrode, a short-circuit point between the gate electrode and the drain electrode, and a short-circuit point at the intersection of the source line and the gate line in the TFT. Are detected separately. Next, if the detected short-circuit point is caused by the TFT, the gate electrode is moved from the gate wiring to the laser device (5).
When a short circuit occurs at the intersection of the source wiring and the gate wiring, the source wiring or the gate wiring is connected to the laser device (5) on both sides of the intersection.
To electrically disconnect and repair the short-circuit defect.

なお、上記実施例において、短絡箇所検出装置(17)
とレーザー装置(5)はTFTアレイ基板(1)に対して
相対する側に位置しているが、同じ側に位置してもよ
く、また基板のTFTアレイ形成面の表側或いは裏側のど
ちら側に位置しても同様の効果が期待できる。
In the above embodiment, the short-circuit point detecting device (17)
The laser device (5) is located on the side opposite to the TFT array substrate (1), but may be located on the same side, or on either the front side or the back side of the TFT array forming surface of the substrate. The same effect can be expected even if it is located.

また、上記実施例では短絡箇所検出装置(17)として
マイクロプラズマ発光を検知することができる高感度カ
メラを用いているが、短絡部の熱放射光を検知する赤外
光領域の高感度カメラであってもよく、上記実施例と同
様の効果を奏する。
In the above embodiment, a high-sensitivity camera capable of detecting microplasma emission is used as the short-circuit point detecting device (17). The same effects as in the above embodiment can be obtained.

また、上記実施例において、レーザー装置(5)の代
わりにイオンビーム装置を用いてもよい。
In the above embodiment, an ion beam device may be used instead of the laser device (5).

この発明の液晶表示装置の短絡欠陥修復方法を用いる
ことにより、次のような効果が得られる。
The following effects can be obtained by using the method for repairing short-circuit defects of a liquid crystal display device according to the present invention.

従来の方法はTFT液晶表示装置の電極間に短絡が生じ
た場合、レーザー装置で電気的に切り離されたTFTにつ
ながる画素は作動することなく、点状の表示欠陥が残っ
ていた。この発明の実施例では液晶表示装置の画素部構
造を第2図に示すような一つの画素に対応する画素電極
(14)を複数個の画素電極に分割して複数個のTFTで駆
動するように形成する。短絡箇所検出装置(17)で短絡
位置を正確に検知して短絡の生じたTFT(18)を切り離
し、残った正常なTFTで画素表示を行うことにより、短
絡欠陥の修復にともなう表示欠陥を小さな部分に留める
ことができる。このとき、第2図に示すように複数個の
TFTは同一のソース配線(15)及び同一のゲート配線(1
6)に並列に接続されているため、どのTFTが残されても
本来の信号により駆動する。更に、第3図に示すように
液晶表示装置の一つの画素に対応する画素電極(14)に
並列に複数のTFT(18)をつなぐ画素部構造にして、短
絡箇所検出装置(17)で短絡位置を正確に検知して短絡
の生じたTFT(8)を切り離すことにより、残りの正常
なTFT(8)で画素電極(14)を駆動させて、画素の全
体或いは一部に欠陥を残すことなく、短絡欠陥を修復す
ることができる。
In the conventional method, when a short circuit occurs between the electrodes of the TFT liquid crystal display device, pixels connected to the TFT electrically separated by the laser device do not operate, and a dot-like display defect remains. In the embodiment of the present invention, the structure of the pixel portion of the liquid crystal display device is such that a pixel electrode (14) corresponding to one pixel as shown in FIG. 2 is divided into a plurality of pixel electrodes and driven by a plurality of TFTs. Formed. The short-circuit location detection device (17) accurately detects the short-circuit position, separates the TFT (18) where the short-circuit occurred, and performs pixel display with the remaining normal TFT to reduce display defects due to the repair of short-circuit defects. Can be fastened to parts. At this time, as shown in FIG.
TFT has the same source wiring (15) and the same gate wiring (1
Since it is connected in parallel to 6), it is driven by the original signal no matter which TFT remains. Further, as shown in FIG. 3, a pixel portion structure in which a plurality of TFTs (18) are connected in parallel to a pixel electrode (14) corresponding to one pixel of the liquid crystal display device is short-circuited by a short-circuit point detecting device (17). By accurately detecting the position and separating the short-circuited TFT (8), the pixel electrode (14) is driven by the remaining normal TFT (8) to leave a defect on all or a part of the pixel. And short-circuit defects can be repaired.

また、第4図に示すような薄膜半導体装置のソース配
線(15)とゲート配線(16)の交差部でソース配線(1
5)が複数に分岐した配線構造にして、この発明の短絡
箇所検出装置(17)で短絡の発生したソース配線(15)
の分岐を正確に検知して、その分岐をソース配線(15)
から切り離して短絡を修復することにより、ソース配線
(15)が切断部で電気的に分断されることなく、また、
同一の配線上に複数箇所の短絡が生じていても、電気的
に分断された欠陥部分を残すことなく修復が可能であ
る。
Also, at the intersection of the source wiring (15) and the gate wiring (16) of the thin film semiconductor device as shown in FIG.
The source wiring (15) in which the short-circuit has occurred in the short-circuit point detecting device (17) of the present invention has a wiring structure in which 5) is branched into a plurality.
Branch is detected correctly, and that branch is identified as source wiring (15)
By repairing the short circuit by disconnecting from the source line, the source line (15) is not electrically disconnected at the cut portion, and
Even if a short circuit occurs at a plurality of locations on the same wiring, the repair can be performed without leaving an electrically divided defect portion.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

この発明の液晶表示装置の短絡欠陥修復方法は、各画
素の画素電極を同一のゲート配線及び同一のソース配線
に並列に接続された複数の薄膜トランジスタで駆動する
ように形成したものをアレイ状に配置して液晶表示パネ
ルを構成したいえで、1つの画素に並列に形成された複
数の薄膜トランジスタのうち、短絡した薄膜トランジス
タの位置を、短絡部から発せられるマイクロプラズマ発
光あるいは赤外光を光学的手段により検出するので短絡
位置の検出が正確にできる、短絡して切り離された薄膜
トランジスタに対応する画素電極を残された本来の信号
で動作する正常な薄膜トランジスタで駆動できるので表
示が劣化しない、等の効果を奏する。
In the method for repairing a short-circuit defect in a liquid crystal display device according to the present invention, the pixel electrodes of each pixel are formed in an array by driving the pixel electrodes with a plurality of thin film transistors connected in parallel to the same gate wiring and the same source wiring. Thus, the position of the short-circuited thin film transistor among a plurality of thin film transistors formed in parallel in one pixel is determined by micro-plasma emission or infrared light emitted from the short-circuit portion by optical means. The short-circuit position can be accurately detected by the detection, and the pixel electrode corresponding to the short-circuited and separated thin-film transistor can be driven by the normal thin-film transistor operating with the remaining original signal, so that the display is not deteriorated. Play.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図はこの発明の液晶表示装置の短絡修復方法に使用
する短絡欠陥修復装置を示す構成図、第2図及び第3図
は、それぞれ薄膜液晶表示装置の電極間に生じた短絡を
修復後に残る表示欠陥を小さな部分に留めるための画素
部構造及び表示欠陥を残さないためのこの発明で採用す
る画素部構造をそれぞれ示す平面図、第4図は薄膜液晶
表示装置の配線間に生じた短絡を修復後に、配線に電気
的欠陥部分を残さないための配線交差部構造を示す平面
図、第5図は従来の薄膜液晶表示装置の短絡欠陥修復装
置を示す構成図、第6図は従来の薄膜液晶表示装置の画
素部構造を示す平面図、第7図は薄膜液晶表示装置の薄
膜トランジスタ付近を示す平面図、第8図は第7図中の
VIII−VIII線に沿った断面図、第9図は従来の薄膜液晶
表示装置の配線交差部構造を示す平面図、第10図は第9
図中のX−X線に沿った断面図である。 図において、(17)は短絡箇所検出装置である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a block diagram showing a short-circuit defect repairing apparatus used in the method for repairing a short-circuit of a liquid crystal display device according to the present invention. FIGS. FIG. 4 is a plan view showing a pixel portion structure for keeping a remaining display defect in a small portion and a pixel portion structure employed in the present invention for leaving no display defect, and FIG. 4 is a short circuit generated between wirings of a thin film liquid crystal display device. FIG. 5 is a plan view showing a wiring intersection portion structure for preventing an electrical defect portion from remaining in a wiring after repairing, FIG. 5 is a configuration diagram showing a conventional short-circuit defect repairing device of a thin film liquid crystal display device, and FIG. FIG. 7 is a plan view showing a pixel portion structure of the thin film liquid crystal display device, FIG. 7 is a plan view showing the vicinity of the thin film transistor of the thin film liquid crystal display device, and FIG.
FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII, FIG. 9 is a plan view showing a wiring intersection structure of a conventional thin film liquid crystal display device, and FIG.
It is sectional drawing along the XX line in a figure. In the figure, (17) is a short-circuit point detecting device. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/82 H01L 21/82 R (72)発明者 羽山 昌宏 兵庫県尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電機株式会社材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−94467(JP,A) 特開 昭62−232144(JP,A) 特開 昭61−121034(JP,A) 特開 昭61−30777(JP,A) 特開 昭50−141278(JP,A) 特開 昭63−150675(JP,A) 特公 平7−78673(JP,B2)Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical indication H01L 21/82 H01L 21/82 R (72) Inventor Masahiro Hayama 8-1-1 Honcho Tsukaguchi, Amagasaki City, Hyogo Prefecture (56) References JP-A-59-94467 (JP, A) JP-A-62-232144 (JP, A) JP-A-61-121034 (JP, A) JP-A-61-264 30777 (JP, A) JP-A-50-141278 (JP, A) JP-A-63-150675 (JP, A) JP-B-7-78673 (JP, B2)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板上に絶縁層を介して薄膜を積層して、
画素電極とこの画素電極を駆動し且つ同一のゲート配線
及び同一のソース配線に並列に接続された複数の薄膜ト
ランジスタと各画素に対して形成し、これらをアレイ状
に配置した液晶表示装置の短絡欠陥修復方法であって下
記の(a)〜(c)のステップを含むもの。 (a)上記各画素に並列に形成された複数の薄膜トラン
ジスタのうち、短絡した薄膜トランジスタの位置を、短
絡部から発せられるマイクロプラズマ発光あるいは赤外
光を検知する光学的手段により検出して特定するステッ
プ (b)ビーム装置で短絡の生じた薄膜トランジスタを電
気的に切り離すステップ (c)切り離された薄膜トランジスタに対応する画素電
極を正常な薄膜トランジスタで駆動するステップ
1. A thin film is laminated on a substrate via an insulating layer,
A pixel electrode and a plurality of thin film transistors connected in parallel to the same gate wiring and the same source wiring, each of which is formed in parallel with the same gate wiring and the same source wiring. A restoration method including the following steps (a) to (c). (A) detecting the position of the short-circuited thin film transistor among the plurality of thin film transistors formed in parallel with each pixel by detecting the microplasma emission or infrared light emitted from the short-circuit portion by optical means; (B) a step of electrically disconnecting the thin film transistor in which the short circuit has occurred in the beam device; and (c) a step of driving a pixel electrode corresponding to the disconnected thin film transistor with a normal thin film transistor.
JP10271589A 1989-04-21 1989-04-21 Method for repairing short-circuit defect of liquid crystal display Expired - Lifetime JP2645590B2 (en)

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