JP2001330853A - Active matrix type display device and its manufacturing method - Google Patents

Active matrix type display device and its manufacturing method

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JP2001330853A
JP2001330853A JP2000150177A JP2000150177A JP2001330853A JP 2001330853 A JP2001330853 A JP 2001330853A JP 2000150177 A JP2000150177 A JP 2000150177A JP 2000150177 A JP2000150177 A JP 2000150177A JP 2001330853 A JP2001330853 A JP 2001330853A
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JP
Japan
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counter electrode
display device
scanning
cutting
active matrix
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000150177A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Morimitsu
淳 森光
Kenichi Arimoto
賢一 有本
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Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Display Technologies LLC
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
Display Technologies LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Engineering Co Ltd, Display Technologies LLC filed Critical Toshiba Corp
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active matrix type display device which is capable of finding a cutting position easily and, moreover, is capable of cutting a short ring when the short ring and a signal line or a scanning line generate a short circuit and the short ring is cut by a laser beam. SOLUTION: In this display device, marks for irradiation 160 for cutting the first branch line 152 of the short ring 150 by irradiating the ring with a laser beam are provided by swelling widths of neighboring signal lines intersecting the first branch line 152 of the short ring 150 and notching parts for cutting 162 are provided in the first branch line 152 positioned among signal lines 115 to 115.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス配線を
含む表示装置に係り、特に静電気対策が施されたアクテ
ィブマトリクス型表示装置及びその製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device including a matrix wiring, and more particularly to an active matrix type display device provided with a countermeasure against static electricity and a manufacturing apparatus therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】平面表示装置、中でも液晶表示装置は、
薄型、軽量に加え低消費電力であることから、各種分野
で利用されるようになってきた。中でも、各表示画素毎
にスイッチ素子が設けられたアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、隣接画素間でクロストークを最小に抑え
ることができるため、特に高精細な表示画像が要求され
る分野で使用されている。
2. Description of the Related Art Flat panel display devices, especially liquid crystal display devices, are:
Because of low power consumption in addition to thinness and light weight, it has been used in various fields. Among them, an active matrix type liquid crystal display device in which a switch element is provided for each display pixel can minimize crosstalk between adjacent pixels, and is used particularly in a field where a high definition display image is required. ing.

【0003】例えば、このアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、アレイ基板と対向基板の間に、配向膜を介
してツイスト・ネマチック(TN)型液晶が保持されて
成る。
For example, this active matrix type liquid crystal display device has a twisted nematic (TN) type liquid crystal held between an array substrate and a counter substrate via an alignment film.

【0004】アレイ基板は、複数本の信号線と複数本の
走査線とが互いに絶縁膜を介してマトリクス状に配線さ
れ、各交点近傍にスイッチ素子として薄膜トランジスタ
(TFT)等の能動素子を介して画素電極が配置されて
成る。また、対向基板は、画素電極に対向する対向電極
を含む。
In the array substrate, a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines are arranged in a matrix with each other via an insulating film, and near each intersection, through an active element such as a thin film transistor (TFT) as a switching element. A pixel electrode is arranged. Further, the counter substrate includes a counter electrode facing the pixel electrode.

【0005】ところで、このようなアレイ基板には、通
常、ガラスや石英等の透明絶縁基板が用いられるが、絶
縁基板であるが故に、製造途中で生じる静電気の影響を
受ける。即ち、信号線と走査線との交差部に静電気の影
響により高電圧が印加され、これにより絶縁不良が生
じ、信号線と走査線とが短絡する、あるいは薄膜トラン
ジスタの素子不良を招くといった不具合が生じる。
By the way, a transparent insulating substrate such as glass or quartz is usually used for such an array substrate, but since it is an insulating substrate, it is affected by static electricity generated during manufacturing. In other words, a high voltage is applied to the intersection of the signal line and the scanning line due to the influence of static electricity, thereby causing an insulation failure, causing a short circuit between the signal line and the scanning line or causing a failure of a thin film transistor element. .

【0006】そこで、従来より、信号線や走査線にチャ
ージされる電荷を分配するために、補助電極線(以下、
ショートリングという)と信号線や走査線とは、TFT
等の非線形素子、または、高抵抗素子を介して接続され
ており、これにより局所的に高電圧が印加されることを
防止する技術が知られている。
Therefore, conventionally, an auxiliary electrode line (hereinafter, referred to as an auxiliary electrode line) has been used to distribute electric charges charged to a signal line and a scanning line.
Short ring) and signal line and scanning line are TFT
There is known a technique for preventing a high voltage from being locally applied by using a non-linear element or a high resistance element.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記で説明したショー
トリングの従来の構造について図8に基づいて説明す
る。
A conventional structure of the above-described short ring will be described with reference to FIG.

【0008】図8に示すように、アレイ基板500には
複数の信号線502と複数の走査線504が配されてい
る。そしてショートリング506は、アレイ基板500
の周縁部近傍において、信号線502と走査線504と
に直交するように配され、かつ、ショートリング506
は全ての信号線502と走査線504とに対し絶縁層を
介して絶縁された状態となっている。すなわち、ショー
トリングと信号線、または、走査線は、非線形素子、ま
たは、高抵抗素子を介して接続されている部分を除いて
電気的に絶縁する必要がある。
As shown in FIG. 8, a plurality of signal lines 502 and a plurality of scanning lines 504 are arranged on an array substrate 500. The short ring 506 is connected to the array substrate 500.
Are arranged orthogonal to the signal lines 502 and the scanning lines 504 in the vicinity of the periphery of the short ring 506.
Are insulated from all signal lines 502 and scanning lines 504 via insulating layers. That is, the short ring and the signal line or the scanning line need to be electrically insulated except for a portion connected via a non-linear element or a high-resistance element.

【0009】しかしながら、製造工程において、信号線
502とショートリング506とがその交差部で電気的
に短絡した場合、すなわち絶縁層にピンホール等が空い
ており、電気的に短絡した場合には、信号線502とシ
ョートリング506を絶縁させる必要がある。そのた
め、この短絡している信号線502の両側に位置するシ
ョートリング506をレーザ光線で切断し、両者を絶縁
状態にしている。
However, in the manufacturing process, when the signal line 502 and the short ring 506 are electrically short-circuited at the intersection, that is, when the insulating layer has a pinhole or the like and is electrically short-circuited, It is necessary to insulate the signal line 502 and the short ring 506. Therefore, the short rings 506 located on both sides of the short-circuited signal line 502 are cut by a laser beam, and both are insulated.

【0010】走査線504とショートリング506との
関係も同様に短絡している場合にはレーザ光線によって
ショートリング506を切断し、絶縁状態にする。
[0010] Similarly, if the relationship between the scanning line 504 and the short ring 506 is also short-circuited, the short ring 506 is cut off by a laser beam to be insulated.

【0011】ところが、レーザ光線でショートリング5
06を切断する場合に、レーザ光線を照射するための目
印がなく、従来はアレイ基板500の一部を目印として
いた。しかし、アレイ基板500の上では信号線502
と走査線504及びショートリング506とは全て直角
に交差し、直線及び直角のパターンしか存在しないた
め、レーザ光線の照射位置を迅速かつ的確に見つけるこ
とが非常に困難であった。
However, a short ring 5
When cutting 06, there is no mark for irradiating a laser beam, and conventionally, a part of the array substrate 500 is used as a mark. However, on the array substrate 500, the signal line 502
And the scanning line 504 and the short ring 506 all intersect at right angles, and there are only straight and right-angled patterns. Therefore, it has been extremely difficult to quickly and accurately find the irradiation position of the laser beam.

【0012】そのため、時には、ショートリング506
を切断する位置を誤って、隣接する信号線502又は走
査線504を切断してしまい、信号線502又は走査線
504を切断することがあった。
Therefore, sometimes the short ring 506 is used.
In some cases, the signal line 502 or the scanning line 504 is cut off by mistake and the adjacent signal line 502 or the scanning line 504 is cut off.

【0013】そこで本発明は上記問題点に鑑み、信号線
又は走査線とショートリングとが短絡を起こしてレーザ
光線でショートリングを切断する場合に、その位置を容
易に見つけることができ、かつ、切断することができる
アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法につ
いて提供する。
In view of the above problems, the present invention makes it possible to easily find the position when a short circuit occurs between a signal line or a scanning line and a short ring and the short ring is cut by a laser beam. An active matrix display device which can be cut and a manufacturing method thereof are provided.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、互い
に交差する複数本の信号線と複数本の走査線との各交点
近傍にスイッチ素子を介して配置される画素電極を含む
アレイ基板と、この画素電極に対向する対向電極と、前
記画素電極と前記対向電極との間の電位差に基づいて制
御される光変調層とを含む表示パネルと、前記信号線に
映像信号電圧を印加する映像信号供給手段と、前記走査
線に前記スイッチ素子をON/OFFする走査信号を供
給する走査信号供給手段と、前記対向電極に対向電極電
圧を供給する対向電極駆動手段と、を備えたアクティブ
マトリクス型表示装置において、前記アレイ基板に前記
走査線と絶縁層を介して交差するショートリングを設
け、前記ショートリングと交差する近傍の走査線の幅を
他の部分より広幅に形成して、レーザ光線を照射して前
記ショートリングを切断するための照射用目印としたこ
とを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置であ
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an array substrate including a pixel electrode disposed via a switching element near each intersection of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines which intersect each other. Applying a video signal voltage to the signal line; and a display panel including a counter electrode facing the pixel electrode, a light modulation layer controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode. An active matrix including: a video signal supply unit; a scan signal supply unit that supplies a scan signal to turn on / off the switch element to the scan line; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. In the display device, a short ring intersecting with the scanning line via an insulating layer is provided on the array substrate, and the width of the scanning line near the intersection with the short ring is made wider than other portions. Form and an active matrix display device is characterized in that the irradiation mark for by irradiating a laser beam to cut the short ring.

【0015】請求項2の発明は、前記走査線の両側に位
置するショートリングに、レーザ光線を照射して切断す
るための切断用切り込み部をそれぞれ設けたことを特徴
とする請求項1記載のアクティブマトリクス型表示装置
である。
According to a second aspect of the present invention, the short rings located on both sides of the scanning line are provided with cutting notches for cutting by irradiating a laser beam. An active matrix display device.

【0016】請求項3の発明は、互いに交差する複数本
の信号線と複数本の走査線との各交点近傍にスイッチ素
子を介して配置される画素電極を含むアレイ基板と、こ
の画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記
対向電極との間の電位差に基づいて制御される光変調層
とを含む表示パネルと、前記信号線に映像信号電圧を印
加する映像信号供給手段と、前記走査線に前記スイッチ
素子をON/OFFする走査信号を供給する走査信号供
給手段と、前記対向電極に対向電極電圧を供給する対向
電極駆動手段と、を備えたアクティブマトリクス型表示
装置において、前記アレイ基板に前記信号線と絶縁層を
介して交差するショートリングを設け、前記ショートリ
ングと交差する近傍の信号線の幅を他の部分より広幅に
形成して、レーザ光線を照射して前記ショートリングを
切断するための照射用目印としたことを特徴とするアク
ティブマトリクス型表示装置である。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an array substrate including a pixel electrode arranged via a switch element near each intersection of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines which intersect each other, and A display panel including a facing counter electrode, a light modulation layer controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode, and a video signal supply unit that applies a video signal voltage to the signal line; An active matrix display device comprising: a scanning signal supply unit that supplies a scanning signal for turning on / off the switch element to the scanning line; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. Providing a short ring intersecting with the signal line via an insulating layer on the array substrate, forming a signal line near the intersection with the short ring wider than other portions, An active matrix type display device, characterized in that by irradiating the line was irradiated for mark for cutting the short ring.

【0017】請求項4の発明は、前記信号線の両側に位
置するショートリングに、レーザ光線を照射して切断す
るための切断用切り込み部をそれぞれ設けたことを特徴
とする請求項3記載のアクティブマトリクス型表示装置
である。
According to a fourth aspect of the present invention, the short rings located on both sides of the signal line are provided with cutting notches for cutting by irradiating a laser beam. An active matrix display device.

【0018】請求項5の発明は、前記照射用目印を円形
にしたことを特徴とする請求項1から4記載のアクティ
ブマトリクス型表示装置である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the active matrix type display device according to any one of the first to fourth aspects, wherein the irradiation mark is circular.

【0019】請求項6の発明は、前記切断用切り込み部
は、円弧状、矩形、または、三角形の切り込みであるこ
とを特徴とする請求項2、4記載のアクティブマトリク
ス型表示装置である。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the active matrix type display device according to the second or fourth aspect, wherein the cutting notches are cuts of an arc, a rectangle, or a triangle.

【0020】請求項7の発明は、前記ショートリングに
前記対向電極駆動手段から対向電極電圧を供給したこと
を特徴とする請求項1から6記載のアクティブマトリク
ス型表示装置である。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the active matrix display device according to any one of the first to sixth aspects, wherein a counter electrode voltage is supplied to the short ring from the counter electrode driving means.

【0021】請求項8の発明は、互いに交差する複数本
の信号線と複数本の走査線との各交点近傍にスイッチ素
子を介して配置される画素電極を含むアレイ基板と、こ
の画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記
対向電極との間の電位差に基づいて制御される光変調層
とを含む表示パネルと、前記信号線に映像信号電圧を印
加する映像信号供給手段と、前記走査線に前記スイッチ
素子をON/OFFする走査信号を供給する走査信号供
給手段と、前記対向電極に対向電極電圧を供給する対向
電極駆動手段と、を備えたアクティブマトリクス型表示
装置の製造方法において、前記アレイ基板に前記走査線
と絶縁層を介して交差するショートリングを設ける工程
と、前記ショートリングと交差する近傍の走査線の幅を
他の部分より広幅に形成して照射用目印を設ける工程
と、カメラで前記照射用目印を認識し、前記カメラで撮
影された画像に基づいて、前記走査線の両側に位置する
ショートリングをレーザ光線によって切断する工程と、
を含むことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置の製造方法である。
According to a further aspect of the present invention, there is provided an array substrate including a pixel electrode disposed via a switch element near each intersection of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines which intersect each other, and A display panel including a facing counter electrode, a light modulation layer controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode, and a video signal supply unit that applies a video signal voltage to the signal line; A method for manufacturing an active matrix display device, comprising: a scanning signal supply unit that supplies a scanning signal for turning on / off the switch element to the scanning line; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. A step of providing a short ring that intersects with the scanning line via an insulating layer on the array substrate; and making the width of the scanning line near the intersection with the short ring wider than other portions. Forming and providing an irradiation mark, and recognizing the irradiation mark with a camera, based on an image taken by the camera, cutting a short ring located on both sides of the scanning line by a laser beam. ,
And a method for manufacturing an active matrix display device.

【0022】請求項9の発明は、互いに交差する複数本
の信号線と複数本の走査線との各交点近傍にスイッチ素
子を介して配置される画素電極を含むアレイ基板と、こ
の画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記
対向電極との間の電位差に基づいて制御される光変調層
とを含む表示パネルと、前記信号線に映像信号電圧を印
加する映像信号供給手段と、前記走査線に前記スイッチ
素子をON/OFFする走査信号を供給する走査信号供
給手段と、前記対向電極に対向電極電圧を供給する対向
電極駆動手段と、を備えたアクティブマトリクス型表示
装置の製造方法において、前記アレイ基板に前記信号線
と絶縁層を介して交差するショートリングを設ける工程
と、前記ショートリングと交差する近傍の信号線の幅を
他の部分より広幅に形成して照射用目印を設ける工程
と、カメラで前記照射用目印を認識し、前記カメラで撮
影された画像に基づいて、前記信号線の両側に位置する
ショートリングをレーザ光線によって切断する工程と、
を含むことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置の製造方法である。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided an array substrate including a pixel electrode disposed via a switch element near each intersection of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines which intersect each other. A display panel including a facing counter electrode, a light modulation layer controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode, and a video signal supply unit that applies a video signal voltage to the signal line; A method for manufacturing an active matrix display device, comprising: a scanning signal supply unit that supplies a scanning signal for turning on / off the switch element to the scanning line; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. A step of providing a short ring intersecting with the signal line via an insulating layer on the array substrate; and making the width of the signal line near the intersection with the short ring wider than other portions. Forming and providing an irradiation mark, and recognizing the irradiation mark with a camera, based on an image taken by the camera, cutting a short ring located on both sides of the signal line by a laser beam. ,
And a method for manufacturing an active matrix display device.

【0023】請求項10の発明は、互いに交差する複数
本の信号線と複数本の走査線との各交点近傍にスイッチ
素子を介して配置される画素電極を含むアレイ基板と、
この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前
記対向電極との間の電位差に基づいて制御される光変調
層とを含む表示パネルと、前記信号線に映像信号電圧を
印加する映像信号供給手段と、前記走査線に前記スイッ
チ素子をON/OFFする走査信号を供給する走査信号
供給手段と、前記対向電極に対向電極電圧を供給する対
向電極駆動手段と、を備えたアクティブマトリクス型表
示装置の製造方法において、前記アレイ基板に前記走査
線と絶縁層を介して交差するショートリングを設ける工
程と、前記ショートリングと交差する近傍の走査線の幅
を他の部分より広幅に形成して照射用目印を設ける工程
と、前記走査線の両側に位置するショートリングに切断
用切り込み部をそれぞれ設ける工程と、カメラで前記照
射用目印を認識し、前記カメラで撮影された画像に基づ
いて、前記ショートリングの前記切断用切り込み部をレ
ーザ光線によって切断する工程と、を含むことを特徴と
するアクティブマトリクス型表示装置の製造方法であ
る。
An invention according to claim 10 is an array substrate including a pixel electrode arranged via a switch element near each intersection of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines which intersect with each other;
A display panel including a counter electrode facing the pixel electrode, a light modulation layer controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode, and a video signal for applying a video signal voltage to the signal line. An active matrix display comprising: a supply unit; a scan signal supply unit that supplies a scan signal to turn on / off the switch element to the scan line; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. In the method of manufacturing a device, a step of providing a short ring that intersects with the scanning line via an insulating layer on the array substrate, and forming the width of the scanning line near the intersection with the short ring wider than other portions Providing an irradiation mark; and providing a cutting notch on each of the short rings located on both sides of the scanning line; and recognizing the irradiation mark with a camera. Based on the image captured by the camera, it is a manufacturing method of an active matrix display device characterized by comprising the a step of cutting the cutting notch portion of the short ring by a laser beam.

【0024】請求項11の発明は、互いに交差する複数
本の信号線と複数本の走査線との各交点近傍にスイッチ
素子を介して配置される画素電極を含むアレイ基板と、
この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前
記対向電極との間の電位差に基づいて制御される光変調
層とを含む表示パネルと、前記信号線に映像信号電圧を
印加する映像信号供給手段と、前記走査線に前記スイッ
チ素子をON/OFFする走査信号を供給する走査信号
供給手段と、前記対向電極に対向電極電圧を供給する対
向電極駆動手段と、を備えたアクティブマトリクス型表
示装置の製造方法において、前記アレイ基板に前記信号
線と絶縁層を介して交差するショートリングを設ける工
程と、前記ショートリングと交差する近傍の信号線の幅
を他の部分より広幅に形成して照射用目印を設ける工程
と、前記信号線の両側に位置するショートリングに切断
用切り込み部をそれぞれ設ける工程と、カメラで前記照
射用目印を認識し、前記カメラで撮影された画像に基づ
いて、前記ショートリングの前記切断用切り込み部をレ
ーザ光線によって切断する工程と、を含むことを特徴と
するアクティブマトリクス型表示装置の製造方法であ
る。
An eleventh aspect of the present invention provides an array substrate including a pixel electrode disposed via a switch element near each intersection of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines that intersect with each other;
A display panel including a counter electrode facing the pixel electrode, a light modulation layer controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode, and a video signal for applying a video signal voltage to the signal line. An active matrix display comprising: a supply unit; a scan signal supply unit that supplies a scan signal to turn on / off the switch element to the scan line; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. In the method for manufacturing a device, a step of providing a short ring that intersects with the signal line via an insulating layer on the array substrate, and forming a width of a signal line near the intersection with the short ring wider than other portions Providing an irradiation mark, providing a cutting notch on each of the short rings located on both sides of the signal line, and recognizing the irradiation mark with a camera. Based on the image captured by the camera, it is a manufacturing method of an active matrix display device characterized by comprising the a step of cutting the cutting notch portion of the short ring by a laser beam.

【0025】本発明のアクティブマトリクス型表示装置
において、走査線とショートリングが短絡した場合につ
いて説明する。
The case where the scanning line and the short ring are short-circuited in the active matrix type display device of the present invention will be described.

【0026】ショートリングと交差する近傍の走査線の
幅を膨らませて照射用目印が設けられているため、これ
を目印にカメラでその位置を認識し、カメラで撮影され
た画像に基づいて、ショートリングの切断用切り込み部
をレーザ光線によって切断する。
Since the irradiation mark is provided by expanding the width of the scanning line in the vicinity of the intersection with the short ring, the position is recognized by the camera using the mark, and the short-circuit is performed based on the image taken by the camera. The cutting portion of the ring is cut by a laser beam.

【0027】この場合に、目印として走査線の幅が膨ら
んだ照射用目印は見つけやすく、また、切断する部分は
切り込みを設けられて幅が細くなっているため、ショー
トリングを容易に切断することができる。
In this case, it is easy to find the irradiation mark whose scanning line is expanded as a mark, and the short ring is easily cut because the cut portion is provided with a notch and has a small width. Can be.

【0028】また、信号線とショートリングが短絡した
場合についても同様の方法で両者を絶縁することができ
る。
Further, when the signal line and the short ring are short-circuited, they can be insulated in the same manner.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】以下、本発明の本実施例の液晶表
示装置1について、図1から図7に基づいて詳細に説明
する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a liquid crystal display device 1 according to the present embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.

【0030】(液晶表示装置1の全体の構成)この液晶
表示装置1は、図4に示す如く、対角15インチの有効
表示領域3を持つXGAの光透過型のアクティブマトリ
クス型であって、バックライト10からの光源光を用い
て表示する光透過型の表示パネル20を含む。この表示
パネル20は、信号線に映像信号Vsig を、走査線に走
査信号Vgを、対向電極及びショートリング150に対
向電極電圧Vcom をそれぞれ供給する駆動回路部30に
接続される。
(Overall Configuration of Liquid Crystal Display 1) As shown in FIG. 4, the liquid crystal display 1 is an XGA light-transmitting active matrix type having an effective display area 3 of 15 inches diagonally. It includes a light-transmitting display panel 20 that performs display using light source light from the backlight 10. The display panel 20 is connected to a drive circuit unit 30 that supplies a video signal Vsig to a signal line, a scan signal Vg to a scan line, and a common electrode voltage Vcom to the common electrode and the short ring 150.

【0031】この表示パネル20は、図5に示す如く、
アレイ基板100、対向基板200、アレイ基板100
及び対向基板200との間に配向膜401,411を介
して配置される約5ミクロンの厚さのTN型液晶300
を含む。
The display panel 20 is, as shown in FIG.
Array substrate 100, counter substrate 200, array substrate 100
And a TN type liquid crystal 300 having a thickness of about 5 μm which is disposed between the substrate and the counter substrate 200 via the alignment films 401 and 411.
including.

【0032】次に、図5及び図6を参照して詳細に説明
する。
Next, a detailed description will be given with reference to FIGS.

【0033】アレイ基板100は、ガラス基板101上
に配置される768本のモリブデン・タングステン合金
からなる走査線111と、後述するTFT121のゲー
ト絶縁膜113を兼ねる窒化シリコン膜(SiNx)を
介して直交する1024×3(R、G、B)本のアルミ
ニウムから成る信号線115とを含む。
The array substrate 100 is orthogonal to the 768 scanning lines 111 made of a molybdenum-tungsten alloy disposed on the glass substrate 101 via a silicon nitride film (SiNx) also serving as a gate insulating film 113 of a TFT 121 described later. 1024 × 3 (R, G, B) signal lines 115 made of aluminum.

【0034】そして、走査線111と信号線115との
交差部近傍には、走査線111自体をゲート電極、信号
線115をドレイン電極125とし、活性層として非晶
質シリコン(a−Si)膜123が、またa−Si膜1
23を保護するチャネル保護膜129、ドレイン電極1
25とa−Si膜123との間、ソース電極127とa
−Si膜123との間にそれぞれ配置される低抵抗半導
体層126,128を備えて成る逆スタガ構造のTFT
121が配置されている。このTFT121のソース電
極127は透明電極(ITO)から成る画素電極131
に電気的に接続されている。そして、この実施例では画
素電極131は、前段の走査線111とゲート絶縁膜1
13を介して積層配置され、画素電極131と前段の走
査線111との間で補助容量Csが構成される。
In the vicinity of the intersection between the scanning line 111 and the signal line 115, the scanning line 111 itself is used as a gate electrode, the signal line 115 is used as a drain electrode 125, and an amorphous silicon (a-Si) film is used as an active layer. 123 is the a-Si film 1
Protection film 129 for protecting the semiconductor device 23 and the drain electrode 1
25 and the a-Si film 123, the source electrode 127 and a
-Inverted staggered TFT including low resistance semiconductor layers 126 and 128 disposed between the TFT and Si film 123, respectively.
121 are arranged. The source electrode 127 of the TFT 121 is a pixel electrode 131 made of a transparent electrode (ITO).
Is electrically connected to In this embodiment, the pixel electrode 131 is connected to the previous scanning line 111 and the gate insulating film 1.
The auxiliary capacitance Cs is formed between the pixel electrode 131 and the scanning line 111 at the preceding stage.

【0035】対向基板200も、ガラス基板201上に
透明電極から成る対向電極231を含み、ガラス基板2
01と対向基板231との間には、遮光膜211、カラ
ーフィルタ221等が配置される。
The opposing substrate 200 also includes an opposing electrode 231 made of a transparent electrode on a glass substrate 201, and a glass substrate 2
The light-shielding film 211, the color filter 221 and the like are arranged between the first substrate 01 and the counter substrate 231.

【0036】信号線115及び走査線111は、それぞ
れ外部の駆動回路と電気的に接続するためにガラス基板
101の端に引き出され、それぞれ接続パッド112、
116に導かれる。
The signal lines 115 and the scanning lines 111 are led out to the ends of the glass substrate 101 to be electrically connected to external driving circuits, respectively.
It is led to 116.

【0037】このショートリング150は、信号線11
5と交差する第1支線152及び走査線111と交差す
る第2支線154を含む。
The short ring 150 is connected to the signal line 11
5 and a second branch line 154 that intersects the scanning line 111.

【0038】第1支線152は走査線111と同一材
料、同一プロセスで作製され(図2参照)、第2支線1
54は信号線115と同一材料、同一プロセスで作製さ
れている(図3参照)。第1支線152と第2支線15
4とは、その交差近傍でスルーホール156を介して互
いに接続されている(図1参照)。
The first branch line 152 is made of the same material and in the same process as the scanning line 111 (see FIG. 2).
54 is made of the same material and the same process as the signal line 115 (see FIG. 3). First branch line 152 and second branch line 15
4 are connected to each other via a through hole 156 near the intersection (see FIG. 1).

【0039】また、第1支線152及び第2支線154
は駆動回路部30と電気的に接続するために外方に引き
出され接続パッド158に接続される。そして、これに
よりショートリング150に対向電極電圧Vcom を印加
する。
The first branch line 152 and the second branch line 154
Are drawn out to be electrically connected to the drive circuit unit 30 and are connected to the connection pads 158. Thus, the common electrode voltage Vcom is applied to the short ring 150.

【0040】さらに、第1支線152は、信号線115
と、TFT等の非線形素子、または、高抵抗素子を介し
て接続されており、信号線115に静電気によって高電
圧が印加された場合に、その電荷が第1支線152に分
配する。同様に、第2支線154は、走査線111とT
FT等の非線形素子、または、高抵抗素子を介して接続
されており、走査線1115に静電気によって高電圧が
印加された場合に、その電荷が第2支線154に分配す
る。これによって、素子不良を防止している。
Further, the first branch line 152 is connected to the signal line 115.
And a non-linear element such as a TFT or a high resistance element, and when a high voltage is applied to the signal line 115 by static electricity, the charge is distributed to the first branch line 152. Similarly, the second branch line 154 is connected to the scanning line 111 and the T line.
It is connected via a non-linear element such as FT or a high resistance element, and when a high voltage is applied to the scanning line 1115 by static electricity, the charge is distributed to the second branch line 154. This prevents element failure.

【0041】(ショートリング150の特徴)さらに、
本実施例のアレイ基板100においては、図1に示すよ
うな特徴が存在する。
(Characteristics of the short ring 150)
The array substrate 100 of the present embodiment has the features as shown in FIG.

【0042】すなわち、信号線115と、ショートリン
グ150の第1支線152とが交差する近傍において、
第1支線152の形状と信号線115の形状が従来の形
状とは異なっているものである。具体的には、第1支線
152と交差する信号線115には、照射用目印160
が設けられている。この照射用目印160は円形であ
り、その直径は80μmとなっている。なお、信号線1
15の他の部分の幅は20μmである。
That is, in the vicinity where the signal line 115 and the first branch line 152 of the short ring 150 intersect,
The shape of the first branch line 152 and the shape of the signal line 115 are different from the conventional shape. Specifically, the signal line 115 intersecting with the first branch line 152 is provided with the irradiation mark 160.
Is provided. The irradiation mark 160 has a circular shape and a diameter of 80 μm. The signal line 1
The width of the other part of 15 is 20 μm.

【0043】信号線115と信号線115との間に位置
する第1支線152には切断用切り込み部162が設け
られている。第1支線152の幅は20μmであるが、
この切断用切り込み部162が設けられている位置は、
それぞれ5μmずつ矩形状に切り込まれ、その幅は10
μmとなっている。なお、最も端にある信号線115の
両側に切断用切り込み部162,162を設けるため、
信号線115の左側に位置する第1支線152にも切断
用切り込み部162を設けている。
The first branch line 152 located between the signal lines 115 is provided with a cutting notch 162. The width of the first branch line 152 is 20 μm,
The position where the cutting notch 162 is provided is
Each is cut into a rectangular shape by 5 μm, and the width is 10
μm. In addition, since the cutting notches 162 and 162 are provided on both sides of the signal line 115 at the end,
A cutting notch 162 is also provided on the first branch line 152 located on the left side of the signal line 115.

【0044】また、走査線111とショートリング15
0の第2支線154との交差部近傍においても同様の構
造が設けられている。すなわち、走査線111の幅は約
20μmであるが、第2支線154の交差部の近傍にお
いては円形の照射用目印160を設けてその直径を80
μmで形成している。また、走査線111,111の間
に位置する第2支線154にも切断用切り込み部162
を設けている。
The scanning line 111 and the short ring 15
A similar structure is provided near the intersection with the second branch line 154 of 0. That is, although the width of the scanning line 111 is about 20 μm, a circular irradiation mark 160 is provided near the intersection of the second branch line 154 and the diameter thereof is set to 80 μm.
It is formed in μm. In addition, a cutting notch 162 is also provided in the second branch line 154 located between the scanning lines 111 and 111.
Is provided.

【0045】(信号線115とショートリング150が
短絡した場合の工程)次に、図1及び図7に基づいて、
信号線115とショートリング150の第1支線152
との間に短絡が生じた場合について説明する。
(Step when signal line 115 and short ring 150 are short-circuited) Next, based on FIG. 1 and FIG.
Signal line 115 and first branch line 152 of short ring 150
The following describes a case where a short circuit has occurred between these two cases.

【0046】アレイ基板100の製造工程において、ゲ
ート絶縁膜118にピンホール等が生じて、信号線11
5と第1支線152との間に電気的な短絡が生じた場合
には、これを絶縁させる必要がある。そのため、信号線
115の両側に位置する第1支線152を切断する必要
がある。
In the manufacturing process of the array substrate 100, pinholes and the like are generated in the gate insulating film 118, and the signal lines 11
If an electrical short circuit occurs between the first branch line 5 and the first branch line 152, it is necessary to insulate this. Therefore, it is necessary to cut the first branch lines 152 located on both sides of the signal line 115.

【0047】図7に示すように、ステージ164に載置
されたアレイ基板100において、その短絡した信号線
115と第1支線152との交差部をカメラ166で捜
索する。この場合に、円形の照射用目印160が目印と
なり、容易に信号線115と第1支線152との交差部
を発見することができる。すなわち、他の部分は直線が
直交したなるが、この部分のみ円形となっているので、
一目で判別できる。
As shown in FIG. 7, on the array substrate 100 mounted on the stage 164, the intersection of the short-circuited signal line 115 and the first branch line 152 is searched by the camera 166. In this case, the circular irradiation mark 160 serves as a mark, and the intersection between the signal line 115 and the first branch line 152 can be easily found. In other words, the straight line is orthogonal to the other parts, but since this part is circular,
It can be determined at a glance.

【0048】そして、上記のようにしてカメラ166で
切断位置近傍の画像を撮影しつつレーザ光線を照射装置
168から切断用切り込み部162に向かって照射す
る。切断用切り込み部162は第1支線152の他の部
分よりも幅が細くなっているため、容易に切断を行うこ
とができる。例えば、レーザ光線では1回に2〜3μm
切断できるため、この切断用切り込み部162の幅は5
μmであるため、2回の照射で切断することが可能とな
る。
Then, the laser beam is irradiated from the irradiation device 168 toward the cutting notch 162 while the camera 166 takes an image near the cutting position as described above. Since the cutting notch 162 is narrower than the other portion of the first branch line 152, the cutting can be easily performed. For example, with a laser beam, 2-3 μm at a time
Since it can be cut, the width of the cutting notch 162 is 5
Since it is μm, it is possible to cut by two irradiations.

【0049】以上のようにして、短絡した信号線115
の両側に位置する切断用切り込み部162,162を切
断することによって、第1支線152と信号線115と
を電気的に絶縁させることが可能となる。そして、この
場合に照射用目印160をカメラ166で容易に見つけ
ることができるため、誤った位置にレーザ光線を照射す
ることがない。さらに、切断する位置は他の部分よりも
切断用切り込み部162で細く形成されているため容易
に切断することができる。
As described above, the signal line 115 short-circuited
By cutting the cutting notches 162 and 162 located on both sides of the first branch line 152, the first branch line 152 and the signal line 115 can be electrically insulated. In this case, since the irradiation mark 160 can be easily found by the camera 166, the laser beam is not irradiated to an incorrect position. Further, since the cutting position is formed to be narrower at the cutting notch 162 than other portions, the cutting can be easily performed.

【0050】走査線111とショートリング150の第
2支線154が短絡している場合でも同様に、照射用目
印160を目印としてカメラ166でその付近の画像を
捕らえ、照射装置168で切断用切り込み部162に向
かってレーザ光線を照射すれば容易に第2支線154を
切断することができ、走査線111と第2支線154と
を絶縁させることができる。
Similarly, when the scanning line 111 and the second branch line 154 of the short ring 150 are short-circuited, the image near the image is captured by the camera 166 using the irradiation mark 160 as a mark, and the cutting device is cut by the irradiation device 168. By irradiating the laser beam toward 162, the second branch line 154 can be easily cut, and the scanning line 111 and the second branch line 154 can be insulated.

【0051】(変更例)上記実施例では照射用目印16
0は円形であったが、これに代えて楕円形でもよく、他
の部分と一見して判別できるような曲線を帯びた形状で
あればよい。
(Modification) In the above embodiment, the irradiation mark 16 is used.
Although 0 is a circle, it may be an ellipse instead, and any shape having a curved line that can be distinguished from other parts at a glance may be used.

【0052】上記実施例では切断用切り込み部162は
矩形状に切り込んだが、これに代えて円弧状又は三角形
状の切り込みであってもよく、さらに、両側から細くす
る形でなく片側からのみ切り込んで幅を細くしたもので
あってもよい。
In the above embodiment, the cutting notch 162 is cut into a rectangular shape. Alternatively, the cutting notch 162 may be cut into an arc or a triangle. It may have a narrow width.

【0053】上記実施例では、切断用切り込み部162
を設けたが、レーザ光線で容易に切断可能であれば、特
別に切断用切り込み部162を設ける必要はなく、ショ
ートリング150は直線であってもよい。
In the above embodiment, the cutting notch 162
However, if the laser beam can be easily cut, there is no need to provide the cutting notch 162, and the short ring 150 may be a straight line.

【0054】TFT121は、活性層としてa−Si膜
が用いられる場合に限られるものではなく、p−Si、
マイクロクリスタル・シリコン等で構成されてもよく、
また、スタガ構造であっても構わない。
The TFT 121 is not limited to the case where an a-Si film is used as an active layer, but includes p-Si,
It may be composed of microcrystal silicon, etc.
Further, a staggered structure may be used.

【0055】ショートリング150は、上記のように金
属配線で接続する他に、TFT121を構成する半導体
層等で構成してもよい。
The short ring 150 may be formed of a semiconductor layer or the like forming the TFT 121, in addition to the connection using the metal wiring as described above.

【0056】上述の駆動回路部はアレイ基板上等に一体
的に形成しても構わない。
The above-described drive circuit may be formed integrally on an array substrate or the like.

【0057】上述した実施例では互いに対向する画素電
極を備えたアレイ基板と対向電極を備えた対向基板との
間に液晶層を保持させたが、アレイ基板上に画素電極と
対向電極とが配置され、画素電極と対向電極との間の横
方向電界により液晶層が制御されるものであっても構わ
ない。
In the above-described embodiment, the liquid crystal layer is held between the array substrate having the pixel electrodes facing each other and the counter substrate having the counter electrodes. However, the pixel electrodes and the counter electrodes are arranged on the array substrate. The liquid crystal layer may be controlled by a horizontal electric field between the pixel electrode and the counter electrode.

【0058】上述したTN型液晶にかえて、種々の液晶
層を用いることができることは言うまでもない。
It goes without saying that various liquid crystal layers can be used in place of the TN type liquid crystal described above.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上により本発明であると、照射用目印
によって信号線又は走査線とショートリングの交差部分
を容易に認識することができ、それを目印に切断用切り
込み部にレーザ光線を当てると信号線又は走査線の両側
に位置するショートリングを切断することができる。
As described above, according to the present invention, the intersection of the signal line or the scanning line and the short ring can be easily recognized by the irradiation mark, and the laser beam is applied to the cutting notch using the mark as the mark. And the short rings located on both sides of the signal line or the scanning line can be cut.

【0060】そのため製造上の歩留まりが向上する。Therefore, the production yield is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を示すアレイ基板の一部拡大
平面図である。
FIG. 1 is a partially enlarged plan view of an array substrate showing one embodiment of the present invention.

【図2】図1におけるA−A線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG.

【図3】図1におけるB−B線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line BB in FIG.

【図4】液晶表示装置1の分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of the liquid crystal display device 1.

【図5】液晶表示装置1の縦断面図である。FIG. 5 is a longitudinal sectional view of the liquid crystal display device 1.

【図6】液晶表示装置1の電気的構成を示す回路図であ
る。
FIG. 6 is a circuit diagram showing an electrical configuration of the liquid crystal display device 1.

【図7】ショートリングを切断するための装置のブロッ
ク図である。
FIG. 7 is a block diagram of an apparatus for cutting a short ring.

【図8】従来のアレイ基板の一部拡大平面図である。FIG. 8 is a partially enlarged plan view of a conventional array substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 液晶表示装置 20 表示パネル 100 アレイ基板 111 走査線 115 信号線 150 ショートリング 152 第1支線 154 第2支線 160 照射用目印 162 切断用切り込み部 Reference Signs List 1 liquid crystal display device 20 display panel 100 array substrate 111 scanning line 115 signal line 150 short ring 152 first branch line 154 second branch line 160 irradiation mark 162 cutting notch

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 29/786 H01L 29/78 612A 623A (72)発明者 森光 淳 神奈川県川崎市川崎区日進町7番地1 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 有本 賢一 兵庫県姫路市余部区上余部50番地 ディス プレイ・テクノロジー株式会社内 Fターム(参考) 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA46 JB13 JB23 JB32 JB38 JB57 JB63 JB69 JB73 JB74 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 KB14 MA48 NA13 NA25 NA27 NA29 PA08 QA07 5C094 AA60 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EB02 HA08 5F110 AA22 AA27 BB01 CC07 DD02 EE06 FF03 GG02 GG15 HK03 HK08 HK21 NN12 NN73 NN80 5G435 AA00 AA16 AA17 BB12 EE00 GG32 KK05 KK09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) H01L 29/786 H01L 29/78 612A 623A (72) Inventor Jun Morimitsu 7 Nisshincho, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture No. 1 Toshiba Electronic Engineering Co., Ltd. (72) Kenichi Arimoto, Inventor Kenichi Arimoto, Hyogo Pref. JB63 JB69 JB73 JB74 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 KB14 MA48 NA13 NA25 NA27 NA29 PA08 QA07 5C094 AA60 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EB02 HA08 5F110 AA22 AA27 BB01 CC07 DD02 EE06 FF03 NN02 HK02 GG02 GG02 NN KK09

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】互いに交差する複数本の信号線と複数本の
走査線との各交点近傍にスイッチ素子を介して配置され
る画素電極を含むアレイ基板と、 この画素電極に対向する対向電極と、 前記画素電極と前記対向電極との間の電位差に基づいて
制御される光変調層とを含む表示パネルと、 前記信号線に映像信号電圧を印加する映像信号供給手段
と、 前記走査線に前記スイッチ素子をON/OFFする走査
信号を供給する走査信号供給手段と、 前記対向電極に対向電極電圧を供給する対向電極駆動手
段と、 を備えたアクティブマトリクス型表示装置において、 前記アレイ基板に前記走査線と絶縁層を介して交差する
ショートリングを設け、 前記ショートリングと交差する近傍の走査線の幅を他の
部分より広幅に形成して、レーザ光線を照射して前記シ
ョートリングを切断するための照射用目印としたことを
特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
An array substrate including a pixel electrode disposed via a switch element near each intersection of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines that intersect each other, and a counter electrode facing the pixel electrode. A display panel that includes a light modulation layer that is controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode; a video signal supply unit that applies a video signal voltage to the signal line; An active matrix display device comprising: a scanning signal supply unit that supplies a scanning signal for turning on / off a switch element; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. A short ring that intersects with the line via an insulating layer is provided, and the width of the scanning line near the intersection with the short ring is formed to be wider than other portions, and the laser beam is irradiated. Active matrix display device is characterized in that the irradiation mark for cutting the short ring.
【請求項2】前記走査線の両側に位置するショートリン
グに、レーザ光線を照射して切断するための切断用切り
込み部をそれぞれ設けたことを特徴とする請求項1記載
のアクティブマトリクス型表示装置。
2. The active matrix display device according to claim 1, wherein cutting shorts for irradiating a laser beam and cutting the laser beam are provided on short rings located on both sides of the scanning line. .
【請求項3】互いに交差する複数本の信号線と複数本の
走査線との各交点近傍にスイッチ素子を介して配置され
る画素電極を含むアレイ基板と、 この画素電極に対向する対向電極と、 前記画素電極と前記対向電極との間の電位差に基づいて
制御される光変調層とを含む表示パネルと、 前記信号線に映像信号電圧を印加する映像信号供給手段
と、 前記走査線に前記スイッチ素子をON/OFFする走査
信号を供給する走査信号供給手段と、 前記対向電極に対向電極電圧を供給する対向電極駆動手
段と、 を備えたアクティブマトリクス型表示装置において、 前記アレイ基板に前記信号線と絶縁層を介して交差する
ショートリングを設け、 前記ショートリングと交差する近傍の信号線の幅を他の
部分より広幅に形成して、レーザ光線を照射して前記シ
ョートリングを切断するための照射用目印としたことを
特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
3. An array substrate including a pixel electrode disposed near a point of intersection between a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines that intersect each other via a switch element; and a counter electrode facing the pixel electrode. A display panel that includes a light modulation layer that is controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode; a video signal supply unit that applies a video signal voltage to the signal line; An active matrix display device comprising: a scanning signal supply unit that supplies a scanning signal for turning on / off a switch element; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. A short ring that intersects with the line via an insulating layer is provided, and the width of the signal line near the intersection with the short ring is formed to be wider than other portions, and the laser beam is irradiated. Active matrix display device is characterized in that the irradiation mark for cutting the short ring.
【請求項4】前記信号線の両側に位置するショートリン
グに、レーザ光線を照射して切断するための切断用切り
込み部をそれぞれ設けたことを特徴とする請求項3記載
のアクティブマトリクス型表示装置。
4. The active matrix type display device according to claim 3, wherein cutting shorts for irradiating a laser beam for cutting are provided on the short rings located on both sides of the signal line. .
【請求項5】前記照射用目印を円形にしたことを特徴と
する請求項1から4記載のアクティブマトリクス型表示
装置。
5. The active matrix display device according to claim 1, wherein said irradiation mark is circular.
【請求項6】前記切断用切り込み部は、円弧状、矩形、
または、三角形の切り込みであることを特徴とする請求
項2、4記載のアクティブマトリクス型表示装置。
6. The cutting notch for cutting is arc-shaped, rectangular,
5. The active matrix display device according to claim 2, wherein the display device is a triangular cut.
【請求項7】前記ショートリングに前記対向電極駆動手
段から対向電極電圧を供給したことを特徴とする請求項
1から6記載のアクティブマトリクス型表示装置。
7. The active matrix display device according to claim 1, wherein a counter electrode voltage is supplied to said short ring from said counter electrode driving means.
【請求項8】互いに交差する複数本の信号線と複数本の
走査線との各交点近傍にスイッチ素子を介して配置され
る画素電極を含むアレイ基板と、 この画素電極に対向する対向電極と、 前記画素電極と前記対向電極との間の電位差に基づいて
制御される光変調層とを含む表示パネルと、 前記信号線に映像信号電圧を印加する映像信号供給手段
と、 前記走査線に前記スイッチ素子をON/OFFする走査
信号を供給する走査信号供給手段と、 前記対向電極に対向電極電圧を供給する対向電極駆動手
段と、 を備えたアクティブマトリクス型表示装置の製造方法に
おいて、 前記アレイ基板に前記走査線と絶縁層を介して交差する
ショートリングを設ける工程と、 前記ショートリングと交差する近傍の走査線の幅を他の
部分より広幅に形成して照射用目印を設ける工程と、 カメラで前記照射用目印を認識し、前記カメラで撮影さ
れた画像に基づいて、前記走査線の両側に位置するショ
ートリングをレーザ光線によって切断する工程と、を含
むことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の
製造方法。
8. An array substrate including a pixel electrode arranged via a switch element near each intersection of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines that intersect each other, and a counter electrode facing the pixel electrode. A display panel that includes a light modulation layer that is controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode; a video signal supply unit that applies a video signal voltage to the signal line; A method for manufacturing an active matrix display device, comprising: a scanning signal supply unit that supplies a scanning signal for turning on / off a switch element; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. Providing a short ring that intersects the scanning line with an insulating layer interposed therebetween, and forming the scanning line near the intersection with the short ring to be wider than other portions and illuminating Providing a mark for use; and recognizing the mark for irradiation with a camera, and cutting a short ring located on both sides of the scanning line with a laser beam based on an image taken by the camera. A method for manufacturing an active matrix display device, comprising:
【請求項9】互いに交差する複数本の信号線と複数本の
走査線との各交点近傍にスイッチ素子を介して配置され
る画素電極を含むアレイ基板と、 この画素電極に対向する対向電極と、 前記画素電極と前記対向電極との間の電位差に基づいて
制御される光変調層とを含む表示パネルと、 前記信号線に映像信号電圧を印加する映像信号供給手段
と、 前記走査線に前記スイッチ素子をON/OFFする走査
信号を供給する走査信号供給手段と、 前記対向電極に対向電極電圧を供給する対向電極駆動手
段と、 を備えたアクティブマトリクス型表示装置の製造方法に
おいて、 前記アレイ基板に前記信号線と絶縁層を介して交差する
ショートリングを設ける工程と、 前記ショートリングと交差する近傍の信号線の幅を他の
部分より広幅に形成して照射用目印を設ける工程と、 カメラで前記照射用目印を認識し、前記カメラで撮影さ
れた画像に基づいて、前記信号線の両側に位置するショ
ートリングをレーザ光線によって切断する工程と、 を含むことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置の製造方法。
9. An array substrate including a pixel electrode disposed near a point of intersection between a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines that intersect with each other via a switch element; and a counter electrode facing the pixel electrode. A display panel that includes a light modulation layer that is controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode; a video signal supply unit that applies a video signal voltage to the signal line; A method for manufacturing an active matrix display device, comprising: a scanning signal supply unit that supplies a scanning signal for turning on / off a switch element; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. Providing a short ring that intersects the signal line with an insulating layer interposed therebetween; and forming the signal line in the vicinity of the intersection with the short ring wider than other portions to illuminate. Providing a mark for use, and recognizing the mark for irradiation with a camera, and cutting short rings located on both sides of the signal line with a laser beam based on an image taken by the camera. A method for manufacturing an active matrix display device, comprising:
【請求項10】互いに交差する複数本の信号線と複数本
の走査線との各交点近傍にスイッチ素子を介して配置さ
れる画素電極を含むアレイ基板と、 この画素電極に対向する対向電極と、 前記画素電極と前記対向電極との間の電位差に基づいて
制御される光変調層とを含む表示パネルと、 前記信号線に映像信号電圧を印加する映像信号供給手段
と、 前記走査線に前記スイッチ素子をON/OFFする走査
信号を供給する走査信号供給手段と、 前記対向電極に対向電極電圧を供給する対向電極駆動手
段と、 を備えたアクティブマトリクス型表示装置の製造方法に
おいて、 前記アレイ基板に前記走査線と絶縁層を介して交差する
ショートリングを設ける工程と、 前記ショートリングと交差する近傍の走査線の幅を他の
部分より広幅に形成して照射用目印を設ける工程と、 前記走査線の両側に位置するショートリングに切断用切
り込み部をそれぞれ設ける工程と、 カメラで前記照射用目印を認識し、前記カメラで撮影さ
れた画像に基づいて、前記ショートリングの前記切断用
切り込み部をレーザ光線によって切断する工程と、 を含むことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置の製造方法。
10. An array substrate including a pixel electrode disposed near a point of intersection between a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines that intersect each other via a switch element; and a counter electrode facing the pixel electrode. A display panel that includes a light modulation layer that is controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode; a video signal supply unit that applies a video signal voltage to the signal line; A method for manufacturing an active matrix display device, comprising: a scanning signal supply unit that supplies a scanning signal for turning on / off a switch element; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. Providing a short ring that intersects the scanning line with an insulating layer interposed therebetween, and forming the width of the scanning line near the intersection with the short ring wider than other portions. Providing a projection mark, and providing a cutting notch in each of the short rings located on both sides of the scanning line, recognizing the irradiation mark with a camera, based on an image taken by the camera, Cutting the notch for cutting of the short ring with a laser beam. A method for manufacturing an active matrix display device, comprising:
【請求項11】互いに交差する複数本の信号線と複数本
の走査線との各交点近傍にスイッチ素子を介して配置さ
れる画素電極を含むアレイ基板と、 この画素電極に対向する対向電極と、 前記画素電極と前記対向電極との間の電位差に基づいて
制御される光変調層とを含む表示パネルと、 前記信号線に映像信号電圧を印加する映像信号供給手段
と、 前記走査線に前記スイッチ素子をON/OFFする走査
信号を供給する走査信号供給手段と、 前記対向電極に対向電極電圧を供給する対向電極駆動手
段と、 を備えたアクティブマトリクス型表示装置の製造方法に
おいて、 前記アレイ基板に前記信号線と絶縁層を介して交差する
ショートリングを設ける工程と、 前記ショートリングと交差する近傍の信号線の幅を他の
部分より広幅に形成して照射用目印を設ける工程と、 前記信号線の両側に位置するショートリングに切断用切
り込み部をそれぞれ設ける工程と、 カメラで前記照射用目印を認識し、前記カメラで撮影さ
れた画像に基づいて、前記ショートリングの前記切断用
切り込み部をレーザ光線によって切断する工程と、 を含むことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置の製造方法。
11. An array substrate including a pixel electrode disposed via a switch element near each intersection of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines that intersect each other, and a counter electrode facing the pixel electrode. A display panel that includes a light modulation layer that is controlled based on a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode; a video signal supply unit that applies a video signal voltage to the signal line; A method for manufacturing an active matrix display device, comprising: a scanning signal supply unit that supplies a scanning signal for turning on / off a switch element; and a counter electrode driving unit that supplies a counter electrode voltage to the counter electrode. Providing a short ring that intersects with the signal line via an insulating layer; and forming a signal line near the intersection with the short ring to have a width wider than other portions. Providing a projection mark, and providing a cutting notch in each of the short rings located on both sides of the signal line; and recognizing the irradiation mark with a camera, based on an image taken by the camera, Cutting the notch for cutting of the short ring with a laser beam. A method for manufacturing an active matrix display device, comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010281972A (en) * 2009-06-03 2010-12-16 Toshiba Mobile Display Co Ltd Liquid crystal display device
JP2013186466A (en) * 2012-03-08 2013-09-19 Lg Display Co Ltd Liquid crystal display array substrate and method for manufacturing the same
US8963152B2 (en) 2008-02-19 2015-02-24 Sharp Kabushiki Kaisha TFT, shift register, scanning signal line drive circuit, switch circuit, and display device
WO2020026308A1 (en) * 2018-07-30 2020-02-06 シャープ株式会社 Display device
JP7551401B2 (en) 2020-08-26 2024-09-17 京セラ株式会社 Light-shielding layer laminated substrate

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