JP2635351B2 - 冷却結晶層の浄化法 - Google Patents
冷却結晶層の浄化法Info
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- JP2635351B2 JP2635351B2 JP63035425A JP3542588A JP2635351B2 JP 2635351 B2 JP2635351 B2 JP 2635351B2 JP 63035425 A JP63035425 A JP 63035425A JP 3542588 A JP3542588 A JP 3542588A JP 2635351 B2 JP2635351 B2 JP 2635351B2
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- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
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- C07D201/16—Separation or purification
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D9/00—Crystallisation
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- B01D9/00—Crystallisation
- B01D9/004—Fractional crystallisation; Fractionating or rectifying columns
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- B01D9/00—Crystallisation
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、結晶層を溶融液または溶液から冷却面上に
冷却晶出した後に該結晶層を浄化液と接触させ、結晶層
を浄化する方法に関する。
冷却晶出した後に該結晶層を浄化液と接触させ、結晶層
を浄化する方法に関する。
従来の技術 英国特許第1083850号明細書の記載から、溶融液を数
回管に導通し、この管を冷却し、かつ残留液を除去した
後に結晶を溶融することにより、分別結晶する方法は、
公知である。この場合、平滑な結晶表面を得るために、
溶融液には連続して熱が供給される。西ドイツ連邦共和
国特許出願公開第2606364号明細書には、液状混合物を
繰返し乱流で、間接的に冷却された結晶化帯域、たとえ
ば管に導通し(但し、該結晶化帯域は常に充満されてい
るものとする。)、該結晶化帯域の壁面に結晶層が析出
された後に残留液を除去し、結晶層の表面を出発組成物
に相当する混合物で洗浄し、引続き結晶層を溶融分離す
ることにより、液状混合物を分別結晶する改善された方
法が記載されている。この場合、結晶層の洗浄は、結晶
表面に付着する残留液からなる被膜を出発物質からなる
液状被膜によって代替することを包含している。また、
西ドイツ連邦共和国特許出願公開第1769123明細書には
既に、結晶化すべき溶融液を流化フィルムとして間接的
に冷却された結晶化帯域に導通し、析出された結晶層を
残留液と分離し、引続き溶融分離するような方法も記載
されている。記載された3つの全ての方法の場合には、
1回の晶出後に得られる場合よりも高い純度を達成する
ために1つまたはそれ以上の後続の工程で改めて冷却晶
出しなければならない。これに伴い、装置寸法およびエ
ネルギーに対する要件は相応して高める必要がある。
回管に導通し、この管を冷却し、かつ残留液を除去した
後に結晶を溶融することにより、分別結晶する方法は、
公知である。この場合、平滑な結晶表面を得るために、
溶融液には連続して熱が供給される。西ドイツ連邦共和
国特許出願公開第2606364号明細書には、液状混合物を
繰返し乱流で、間接的に冷却された結晶化帯域、たとえ
ば管に導通し(但し、該結晶化帯域は常に充満されてい
るものとする。)、該結晶化帯域の壁面に結晶層が析出
された後に残留液を除去し、結晶層の表面を出発組成物
に相当する混合物で洗浄し、引続き結晶層を溶融分離す
ることにより、液状混合物を分別結晶する改善された方
法が記載されている。この場合、結晶層の洗浄は、結晶
表面に付着する残留液からなる被膜を出発物質からなる
液状被膜によって代替することを包含している。また、
西ドイツ連邦共和国特許出願公開第1769123明細書には
既に、結晶化すべき溶融液を流化フィルムとして間接的
に冷却された結晶化帯域に導通し、析出された結晶層を
残留液と分離し、引続き溶融分離するような方法も記載
されている。記載された3つの全ての方法の場合には、
1回の晶出後に得られる場合よりも高い純度を達成する
ために1つまたはそれ以上の後続の工程で改めて冷却晶
出しなければならない。これに伴い、装置寸法およびエ
ネルギーに対する要件は相応して高める必要がある。
発明が解決しようとする課題 本発明の課題は、公知方法の前記欠点を回避すること
であった。
であった。
課題を解決するための手段 本発明の上記課題は、溶融液または溶液から晶出器の
冷却面上に結晶層を冷却晶出させる晶出工程と、結晶残
留液を晶出器から除去する残留液除去工程と、晶出器に
浄化液を導入し、この浄化液を結晶層と接触させ浄化を
行う浄化工程と、晶出器から浄化液を放出することによ
り結晶層から浄化液を分離する分離工程と、これに次ぐ
結晶層を溶融する溶融工程とから構成される冷却晶出層
の浄化法において、晶出工程で0.2mm〜10mmの厚さを有
する結晶層を晶出させ、浄化工程で結晶層と浄化液の温
度をそれぞれ融点よりやや高い温度に上昇させ、この温
度を1〜60分間維持して強制対流により結晶層の全厚に
わたる浄化を行い、溶融工程で晶出器の温度を融点より
上昇させて結晶層を溶融させ、かつ上記全工程に伴う温
度変化を融点付近の温度で行うことを特徴とする冷却晶
出層の浄化法により解決されることが本発明者等により
見出された。
冷却面上に結晶層を冷却晶出させる晶出工程と、結晶残
留液を晶出器から除去する残留液除去工程と、晶出器に
浄化液を導入し、この浄化液を結晶層と接触させ浄化を
行う浄化工程と、晶出器から浄化液を放出することによ
り結晶層から浄化液を分離する分離工程と、これに次ぐ
結晶層を溶融する溶融工程とから構成される冷却晶出層
の浄化法において、晶出工程で0.2mm〜10mmの厚さを有
する結晶層を晶出させ、浄化工程で結晶層と浄化液の温
度をそれぞれ融点よりやや高い温度に上昇させ、この温
度を1〜60分間維持して強制対流により結晶層の全厚に
わたる浄化を行い、溶融工程で晶出器の温度を融点より
上昇させて結晶層を溶融させ、かつ上記全工程に伴う温
度変化を融点付近の温度で行うことを特徴とする冷却晶
出層の浄化法により解決されることが本発明者等により
見出された。
すなわち、本発明では、結晶層の晶出および浄化の各
工程において、温度調整が行われ、熱エネルギーの損失
が最小限に抑えられるとともに、結晶層と浄化液との温
度差が小さく、かつ結晶層と浄化液との層境界での物質
移動が強制が強制対流により効果的に行われるため、晶
出を多数回繰り返さずに結晶層の浄化を行うことができ
る。ここで強制対流と称するのは、ポンプ循環などの手
段により結晶層と浄化液との間に強制的な対流を得るこ
とを意味する。
工程において、温度調整が行われ、熱エネルギーの損失
が最小限に抑えられるとともに、結晶層と浄化液との温
度差が小さく、かつ結晶層と浄化液との層境界での物質
移動が強制が強制対流により効果的に行われるため、晶
出を多数回繰り返さずに結晶層の浄化を行うことができ
る。ここで強制対流と称するのは、ポンプ循環などの手
段により結晶層と浄化液との間に強制的な対流を得るこ
とを意味する。
更に浄化工程に必要とされる装置使用時間は、冷却晶
出を繰り返す場合よりも実質的に短く、従って装置の寸
法も晶出を繰り返す場合よりも実質的に小さくすること
ができる。最終生成物の純度を所望の値とするため、冷
却晶出された層を本発明の方法により浄化すれば、浄化
を行わず単に晶出を繰り返す場合よりも結晶化工程を少
なくすることができる。これにより、使用する晶出器の
数およびそれぞれの工程に必要とされる受器の数並びに
エネルギー受容を低減させることができる。
出を繰り返す場合よりも実質的に短く、従って装置の寸
法も晶出を繰り返す場合よりも実質的に小さくすること
ができる。最終生成物の純度を所望の値とするため、冷
却晶出された層を本発明の方法により浄化すれば、浄化
を行わず単に晶出を繰り返す場合よりも結晶化工程を少
なくすることができる。これにより、使用する晶出器の
数およびそれぞれの工程に必要とされる受器の数並びに
エネルギー受容を低減させることができる。
本発明による浄化法は、溶融液または溶液からあらか
じめ晶出された層に使用することができる。溶融液から
の分別結晶は、特に工業的に重要なものである。適当な
物質は、使用される温度で分解しない−50℃〜+200℃
の融点を有する有機化合物である。適当な物質は、たと
えばカプロラクタム、トルイレンジイソシアネート、ピ
ペラジンまたはナフタリンである。
じめ晶出された層に使用することができる。溶融液から
の分別結晶は、特に工業的に重要なものである。適当な
物質は、使用される温度で分解しない−50℃〜+200℃
の融点を有する有機化合物である。適当な物質は、たと
えばカプロラクタム、トルイレンジイソシアネート、ピ
ペラジンまたはナフタリンである。
浄化処理される結晶層は、なお該結晶層が成長してい
る冷却面上に固着されたままであってもよいし、また剥
離片状に存在してもよい。結晶層が冷却面に固着してい
る場合、浄化液は層の上に流通させることができ、剥離
状片の結晶層の両面が湿潤され、分析片、たとえば鱗片
として浄化液中に懸濁するか、または固定床中の剥離片
を浄化液が貫通することになる。浄化液としては、生成
物質の溶融液または溶液が使用される。この接触の間、
浄化分離すべき成分を結晶層から浄化液中に物質移動さ
せることにより浄化効果が生じる。
る冷却面上に固着されたままであってもよいし、また剥
離片状に存在してもよい。結晶層が冷却面に固着してい
る場合、浄化液は層の上に流通させることができ、剥離
状片の結晶層の両面が湿潤され、分析片、たとえば鱗片
として浄化液中に懸濁するか、または固定床中の剥離片
を浄化液が貫通することになる。浄化液としては、生成
物質の溶融液または溶液が使用される。この接触の間、
浄化分離すべき成分を結晶層から浄化液中に物質移動さ
せることにより浄化効果が生じる。
本発明の1つの本質的な特徴は、浄化の間の層の温度
が融点ないし溶解温度の付近に維持されることである。
それによって、不純物の物質移動が促進、加速される。
が融点ないし溶解温度の付近に維持されることである。
それによって、不純物の物質移動が促進、加速される。
更に、結晶層が浄化液中に懸濁されている場合には、
固体含量は一定に保たれる。結晶層が冷却面上に存在す
る場合には、冷却晶出の際に融点よりも実質的に低いこ
の冷却面の温度を上昇する。冷却面の温度を材料の溶解
と凝固が平衡に起こる平衡温度を5℃以内で上まわるよ
うに上昇させると、浄化効果はいっそう強化される。こ
の場合には、結晶層の部分的溶融が生じうる。得られた
結晶に損失を被らないようにするために、固体含量が所
望の値に再び到達するまで、平衡温度よりも若干低く確
実に温度を低下させる。
固体含量は一定に保たれる。結晶層が冷却面上に存在す
る場合には、冷却晶出の際に融点よりも実質的に低いこ
の冷却面の温度を上昇する。冷却面の温度を材料の溶解
と凝固が平衡に起こる平衡温度を5℃以内で上まわるよ
うに上昇させると、浄化効果はいっそう強化される。こ
の場合には、結晶層の部分的溶融が生じうる。得られた
結晶に損失を被らないようにするために、固体含量が所
望の値に再び到達するまで、平衡温度よりも若干低く確
実に温度を低下させる。
本発明のもう1つの本質的な特徴は、層境界で物質移
動を強制対流にて行う点にある。結晶層が冷却面上に存
在する場合には、浄化液は、繰返し循環路中で結晶化帯
域に導通される。結晶化帯域は、管状、角形通路状、別
の閉鎖部分状、または板状とすることができる。この場
合、必要とされる強制対流による物質移動は、管状の流
れ、流化フィルムまたは板状の溢流の形で発生する相応
する流速によって得られる。流速は、ほぼ0.2〜6m/sの
範囲内にある。結晶層が剥離され、浄化液中に懸濁され
ている場合には、必要な物質移動は、たとえば撹拌また
はポンプ循環のような適当な手段を用いて強制対流させ
ることにより行われる。
動を強制対流にて行う点にある。結晶層が冷却面上に存
在する場合には、浄化液は、繰返し循環路中で結晶化帯
域に導通される。結晶化帯域は、管状、角形通路状、別
の閉鎖部分状、または板状とすることができる。この場
合、必要とされる強制対流による物質移動は、管状の流
れ、流化フィルムまたは板状の溢流の形で発生する相応
する流速によって得られる。流速は、ほぼ0.2〜6m/sの
範囲内にある。結晶層が剥離され、浄化液中に懸濁され
ている場合には、必要な物質移動は、たとえば撹拌また
はポンプ循環のような適当な手段を用いて強制対流させ
ることにより行われる。
本発明のもう1つの本質的な特徴は、結晶層の浄化液
との接触時間にある。物質移動の速度は、初期の最大値
から確実に低下する。この速度が限界値を下回った場合
には、浄化を中止させる。浄化時間は、1時間〜60分間
の範囲内にある。この時間は、本発明のもう1つの特
徴、すなわち層厚に依存する。層厚と浄化時間とは、互
いに調和されていなければならない。冷却晶出された層
の厚さは、0.2〜10mmの範囲内にある。
との接触時間にある。物質移動の速度は、初期の最大値
から確実に低下する。この速度が限界値を下回った場合
には、浄化を中止させる。浄化時間は、1時間〜60分間
の範囲内にある。この時間は、本発明のもう1つの特
徴、すなわち層厚に依存する。層厚と浄化時間とは、互
いに調和されていなければならない。冷却晶出された層
の厚さは、0.2〜10mmの範囲内にある。
本発明のもう1つの本質的な特徴は、結晶層中から取
り除かれるべき成分の浄化液中の初期濃度にある。浄化
液中の不純物濃度がかなり低い場合には不純物濃度のか
なり低い結晶層が得られる。また浄化液中の不純物濃度
が結晶層中の不純物濃度よりも高い場合にも浄化作用が
得られる。殊に分離効果により残留液(母液)中の不純
物濃度は冷却晶出後の結晶中の不純物濃度よりも実質的
に高くなる。引続き、該母液を浄化液として使用する場
合、結晶層はこの浄化液と接触した状態を継続し、同様
の浄化作用が引き続き得られる。
り除かれるべき成分の浄化液中の初期濃度にある。浄化
液中の不純物濃度がかなり低い場合には不純物濃度のか
なり低い結晶層が得られる。また浄化液中の不純物濃度
が結晶層中の不純物濃度よりも高い場合にも浄化作用が
得られる。殊に分離効果により残留液(母液)中の不純
物濃度は冷却晶出後の結晶中の不純物濃度よりも実質的
に高くなる。引続き、該母液を浄化液として使用する場
合、結晶層はこの浄化液と接触した状態を継続し、同様
の浄化作用が引き続き得られる。
従って、浄化液としては、冷却結出工程からの母液も
しくは浄化結晶の溶融液からの部分流を、または両者
を、順次に純度が増大する順次で使用することができ
る。結晶層が剥離されかつ懸濁された場合にも、上記操
作を連続的に実施することができる。この場合、結晶層
は、浄化液に対して向流で導かれる。
しくは浄化結晶の溶融液からの部分流を、または両者
を、順次に純度が増大する順次で使用することができ
る。結晶層が剥離されかつ懸濁された場合にも、上記操
作を連続的に実施することができる。この場合、結晶層
は、浄化液に対して向流で導かれる。
実施例 次に、浄化法における個々の処理方法を2つの実施例
(カプロラクタムの浄化およびトルイレンジイソシアネ
ートの異性体分離)につき詳説する。
(カプロラクタムの浄化およびトルイレンジイソシアネ
ートの異性体分離)につき詳説する。
実施例 1 カプロラクタムの層結晶化および浄化 出発物質:脱水された粗ラクタム、 温度=76℃、融点約69℃ UV 2579 PTZ 950 カプロラクタムの純度は、通常UV−値(UV)および過
マンガン酸塩滴定値(PTZ)によって示される。過マン
ガン酸塩滴定値は、強酸性溶液中のカプロラクタム1kg
に対する0.1−規定の過マンガン酸カリウム溶液の、ml
を単位とする使用量を示す。UV−値は、次のように定義
されている: 原 理:360〜270nmのスペクトル範囲内でカプロラク
タムの吸収を測定し、これを変換し、特性値として表示
する。
マンガン酸塩滴定値(PTZ)によって示される。過マン
ガン酸塩滴定値は、強酸性溶液中のカプロラクタム1kg
に対する0.1−規定の過マンガン酸カリウム溶液の、ml
を単位とする使用量を示す。UV−値は、次のように定義
されている: 原 理:360〜270nmのスペクトル範囲内でカプロラク
タムの吸収を測定し、これを変換し、特性値として表示
する。
分析装置:単一光線の記録分光光度計 1台[カール・
ツァイス(Carl Zeiss)DMR/21]、三角フラスコ1個
(200ml)、10cmの長さの蓋を有する石英−キュベット
2個(層厚10cm)。
ツァイス(Carl Zeiss)DMR/21]、三角フラスコ1個
(200ml)、10cmの長さの蓋を有する石英−キュベット
2個(層厚10cm)。
規 定:カプロラクタム50gを三角フラスコ中で2回
蒸着した水50gに冷時に溶解する。この溶液をキュベッ
トに目盛線まで充填する。第2のキュベットを同じ2回
蒸留した水で充填し、これを比較溶液とする。
蒸着した水50gに冷時に溶解する。この溶液をキュベッ
トに目盛線まで充填する。第2のキュベットを同じ2回
蒸留した水で充填し、これを比較溶液とする。
2つのキュベットを蓋で閉じ、研磨された面を薄葉紙
で清浄し、かつキュベットホルダー中に装入する。次
に、この装置の説明書に従い370nm〜260nmのスペクトル
を記録する。記録速度は50である。吸光度の測定は、0
〜1の尺度の範囲内で実施する。
で清浄し、かつキュベットホルダー中に装入する。次
に、この装置の説明書に従い370nm〜260nmのスペクトル
を記録する。記録速度は50である。吸光度の測定は、0
〜1の尺度の範囲内で実施する。
記録が終結したところで、270nmから360nmまで10nmご
との目盛線を紙上に書き入れる。
との目盛線を紙上に書き入れる。
評 価:図表から吸光度を270、280、290、300、31
0、320、330、340、350および360nmで読取り、合計す
る。
0、320、330、340、350および360nmで読取り、合計す
る。
10個の吸光度の合計値を2培すると、UV−特性値が得
られる。すなわち、UV−特性値は、常に100%のカプロ
ラクタムおよび10cmの層厚に対するものである。
られる。すなわち、UV−特性値は、常に100%のカプロ
ラクタムおよび10cmの層厚に対するものである。
経過: 1.充填 晶出器1、2を二次循環路10によって60℃となす。前
回の結晶化サイクルにより薄い種結晶層が冷却面の上に
存在する(溶融液を排出した後の結晶化された流化フィ
ルムによる)。出発物質を接続管7を介しポンプ5によ
って晶出器1、2中にポンプ輸送する。弁Cが開いてい
る時は弁AおよびBは閉じられるものとする。平衡容器
4の液面水準の測定反応時をもって、充填過程の終結と
する。充填過程の間(時間約1分間)、二次循環路の温
度は、60℃から64℃に上昇される。注入量:原料物質1
2.34kg 2.結晶化 充填の焼結後、溶融液を晶出器1、接続管3、晶出器
2およびポンプ5を通じ循環させてポン輸送する。この
間、二次循環路の温度は、3分間で64℃から66℃に上昇
され、次に75分間で66℃から51℃に低下される。循環さ
れる容量の流れは、開始時に1.47m3/hである。結晶層が
管の内面上に晶出され、これにより流動断面が部分的に
閉塞され、循環される流量容積は減少する。流量容積が
0.30m3/hの限界値に達した時点で結晶化過程を終了す
る。結晶化過程の時間は78分間である。
回の結晶化サイクルにより薄い種結晶層が冷却面の上に
存在する(溶融液を排出した後の結晶化された流化フィ
ルムによる)。出発物質を接続管7を介しポンプ5によ
って晶出器1、2中にポンプ輸送する。弁Cが開いてい
る時は弁AおよびBは閉じられるものとする。平衡容器
4の液面水準の測定反応時をもって、充填過程の終結と
する。充填過程の間(時間約1分間)、二次循環路の温
度は、60℃から64℃に上昇される。注入量:原料物質1
2.34kg 2.結晶化 充填の焼結後、溶融液を晶出器1、接続管3、晶出器
2およびポンプ5を通じ循環させてポン輸送する。この
間、二次循環路の温度は、3分間で64℃から66℃に上昇
され、次に75分間で66℃から51℃に低下される。循環さ
れる容量の流れは、開始時に1.47m3/hである。結晶層が
管の内面上に晶出され、これにより流動断面が部分的に
閉塞され、循環される流量容積は減少する。流量容積が
0.30m3/hの限界値に達した時点で結晶化過程を終了す
る。結晶化過程の時間は78分間である。
3.母液を用いての浄化 二次循環路の温度を72℃に上昇させる。流量容積は僅
かに増大する(0.45m3/h)。短い滞留時間の後に温度が
再び約51℃に低下し結晶工程後には、流量容積が再び0.
3m3/hの最終値に達する。この後、母液を接続管7を介
して放出させる。
かに増大する(0.45m3/h)。短い滞留時間の後に温度が
再び約51℃に低下し結晶工程後には、流量容積が再び0.
3m3/hの最終値に達する。この後、母液を接続管7を介
して放出させる。
量:7.31kg 母液:UV 3958 PTZ 1500 4.純粋なカプロラクタムを用いての浄化 浄化前の純粋なカプロラクタム:UV 870 PTZ 385 二次循環路の温度を71℃に上昇させる。接続管7およ
びポンプ5を介して純粋なカプロラクタム6.99kgを浄化
のために注入する。引続き、このラクタムを20分間循環
させる。この場合、流量容積は、0.45m3/hに上昇する。
浄化過程の終結時に二次循環路の温度を再び約48℃に低
下させ、したがって流量容積が、再び0.30m3/hに達す
る。この後、純粋なカプロラクタムを接続管7を介して
放出する。
びポンプ5を介して純粋なカプロラクタム6.99kgを浄化
のために注入する。引続き、このラクタムを20分間循環
させる。この場合、流量容積は、0.45m3/hに上昇する。
浄化過程の終結時に二次循環路の温度を再び約48℃に低
下させ、したがって流量容積が、再び0.30m3/hに達す
る。この後、純粋なカプロラクタムを接続管7を介して
放出する。
量:7.02kg 浄化後の純粋なカプロラクタム:UV 925 PTZ 385 5.溶融および排出 次に、結晶を二次循環路の温度を融点より高く上昇さ
せることによって溶融する。これは、混合することなし
に試料採取を可能ならしめるために行われる。別の方法
によると結晶後の溶融体を注入し、ポンプ循環させ、か
つ溶融熱を熱交換器9を介して供給する。溶融後に、結
晶を接続管7を介して放出する。結晶の量は、5kgであ
った。
せることによって溶融する。これは、混合することなし
に試料採取を可能ならしめるために行われる。別の方法
によると結晶後の溶融体を注入し、ポンプ循環させ、か
つ溶融熱を熱交換器9を介して供給する。溶融後に、結
晶を接続管7を介して放出する。結晶の量は、5kgであ
った。
結晶:UV 499 PTZ 230 冷却面に付着する流化フィルムを直ぐ次の作業サイク
ルのための連結晶層として十分に結晶させるために、二
次循環路を結晶の放出直後に迅速に融点よりも約20℃低
い50℃に調節する。
ルのための連結晶層として十分に結晶させるために、二
次循環路を結晶の放出直後に迅速に融点よりも約20℃低
い50℃に調節する。
これと比較して、浄化なしの結晶の値は次のものであ
った。
った。
UV 1033 PTZ 375 実施例 2 異性体分離のためのトルイレンジイソシアネート(TD
I)−異性体の層結晶化および浄化 原料物質:2,4−TDI 80.24% 2,6−TDI 19.76% 原料物質当初温度:21.4℃ 経過: 1.充填 晶出器1、2を二次循環路10によって6℃となす。前
回の結晶化サイクルにより薄い種結晶層が冷却面の上に
存在する(溶融液を排出した後の結晶化された流下フィ
ルムによる)。出発物質を接続管7を介しポンプ5によ
って晶出器1、2中にポンプ輸送する。弁Cが開いてい
る時は弁AおよびBは閉じられるものとする。平衡容器
4の液面水準の測定反応時をもって、充填過程の終結と
する。充填過程の間(時間約1分間)、二次循環路の温
度は、6℃から7℃に上昇される。注入量:16kg 2.結晶化 充填の焼結後、溶融液を晶出器1、接続管3、晶出器
2およびポンプ5を通じ循環させてポン輸送する。この
間、二次循環路の温度が、3分間で7℃から10℃に上昇
し、6分間で10℃から13℃に上昇され、次に40分間13℃
に維持され、4時間で9℃に低下され、次にさらに71分
間で3℃に低下される。循環される流量容積は、開始時
に1.67m3/hである。結晶層が管の内面上に晶出され、こ
れにより流動断面が部分的に閉塞され、循環される流量
容積は減少する。流量容積が0.41m3/hの限界値に達した
時点で結晶化過程を終結する。結晶化過程の時間は360
分間である。
I)−異性体の層結晶化および浄化 原料物質:2,4−TDI 80.24% 2,6−TDI 19.76% 原料物質当初温度:21.4℃ 経過: 1.充填 晶出器1、2を二次循環路10によって6℃となす。前
回の結晶化サイクルにより薄い種結晶層が冷却面の上に
存在する(溶融液を排出した後の結晶化された流下フィ
ルムによる)。出発物質を接続管7を介しポンプ5によ
って晶出器1、2中にポンプ輸送する。弁Cが開いてい
る時は弁AおよびBは閉じられるものとする。平衡容器
4の液面水準の測定反応時をもって、充填過程の終結と
する。充填過程の間(時間約1分間)、二次循環路の温
度は、6℃から7℃に上昇される。注入量:16kg 2.結晶化 充填の焼結後、溶融液を晶出器1、接続管3、晶出器
2およびポンプ5を通じ循環させてポン輸送する。この
間、二次循環路の温度が、3分間で7℃から10℃に上昇
し、6分間で10℃から13℃に上昇され、次に40分間13℃
に維持され、4時間で9℃に低下され、次にさらに71分
間で3℃に低下される。循環される流量容積は、開始時
に1.67m3/hである。結晶層が管の内面上に晶出され、こ
れにより流動断面が部分的に閉塞され、循環される流量
容積は減少する。流量容積が0.41m3/hの限界値に達した
時点で結晶化過程を終結する。結晶化過程の時間は360
分間である。
その後母液を接続管7を介して放出する。
量:11kg 母液:2,4−TDI 74.79% 2,6−TDI 25.21% 3.2,6−TDIを用いての浄化 浄化前の浄化液:2,4−TDI 99.32% 2,6−TDI 0.66% 二次循環路の温度を19℃に上昇させる。接続管7およ
びポンプ5を介して浄化液11kgを注入する。引続き、こ
の浄化液を45分間循環させる。この場合、流量容積は、
0.78m3/hである。浄化過程の終結時に二次循環路の温度
は再び約15℃に低下され、したがって流量容積は、0.74
m3/hに達する。次いで2,4−TDIを接続管7を介して放出
する。
びポンプ5を介して浄化液11kgを注入する。引続き、こ
の浄化液を45分間循環させる。この場合、流量容積は、
0.78m3/hである。浄化過程の終結時に二次循環路の温度
は再び約15℃に低下され、したがって流量容積は、0.74
m3/hに達する。次いで2,4−TDIを接続管7を介して放出
する。
量:11kg 浄化後の浄化液:2,4−TDI 96.99% 5.溶融および排出 次に、結晶を二次循環路の温度を融点より高く上昇さ
せることによって溶融する。これは、混合することなし
に試料採取を可能ならしめるために行われる。別の方法
では結晶溶融体を注入し、ポンプ循環させ、かつ溶融熱
を熱交換器9を介して供給する。溶融後に、結晶を接続
管7を介して放出する。
せることによって溶融する。これは、混合することなし
に試料採取を可能ならしめるために行われる。別の方法
では結晶溶融体を注入し、ポンプ循環させ、かつ溶融熱
を熱交換器9を介して供給する。溶融後に、結晶を接続
管7を介して放出する。
量:5kg 結晶:2,4−TDI 98.33% 2,6−TDI 1.67% 冷却面に付着する流下フィルムを直ぐ次の作業サイク
ルのための種結晶層として十分に結晶させるために、二
次循環路を結晶の放出後にできるだけ迅速に融点よりも
約20℃低い0℃に調節する。
ルのための種結晶層として十分に結晶させるために、二
次循環路を結晶の放出後にできるだけ迅速に融点よりも
約20℃低い0℃に調節する。
2,4−TDIを用いて、浄化なしの別の試験から次の値が
表明した: 結晶:2,4−TDI 92.55% 2,6−TDI 7.45%
表明した: 結晶:2,4−TDI 92.55% 2,6−TDI 7.45%
図面は冷却晶出結晶層を浄化する本発明による方法を実
施するための装置を示す系統図である。 1,2……晶出器、3,7……接続管、4……平衡容器、5…
…ポンプ、9……熱交換器、10……二次循環路
施するための装置を示す系統図である。 1,2……晶出器、3,7……接続管、4……平衡容器、5…
…ポンプ、9……熱交換器、10……二次循環路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B01D 9/02 625 B01D 9/02 625F (72)発明者 エックハルト、ヘツェル ドイツ連邦共和国、6712、ボベンハイ ム‐ロクスハイム、ザントヴェーク、26 (72)発明者 クラウス、ヴィンターマンテル ドイツ連邦共和国、6940、ヴァインハイ ム、トゥルペンヴェーク、1 (72)発明者 ペーター、トーマ ドイツ連邦共和国、6710、フランケンタ ール、ペテルスコプシュトラーセ、2 (56)参考文献 特開 昭52−107277(JP,A) 特開 昭52−29260(JP,A)
Claims (7)
- 【請求項1】溶融液または溶液から晶出器の冷却面上に
結晶層を冷却晶出させる晶出工程と、結晶残留液を晶出
器から除去する残留液除去工程と、晶出器に浄化液を導
入し、この浄化液を結晶層と接触させ浄化を行う浄化工
程と、晶出器から浄化液を放出することにより結晶層か
ら浄化液を分離する分離工程と、これに次ぐ結晶層を溶
融する溶融工程とから構成される冷却晶出層の浄化法に
おいて、 晶出工程で0.2mm〜10mmの厚さを有する結晶層を晶出さ
せ、 浄化工程で結晶層と浄化液の温度をそれぞれ融点よりや
や高い温度に上昇させ、この温度を1〜60分間維持して
強制対流により結晶層の全厚にわたる浄化を行い、 溶融工程で晶出器の温度を融点より上昇させて結晶層を
溶融させ、 かつ上記全工程に伴う温度変化を融点付近の温度で行う
ことを特徴とする冷却晶出層の浄化法。 - 【請求項2】晶出器の冷却面が平面または円筒形面であ
る、請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】浄化工程において結晶層が晶出器の冷却面
に付着した状態で、結晶層の片面を浄化液と接触させる
か、または結晶層を冷却面から分離させ結晶層の両面を
浄化液と接触させる、請求項1〜2のいずれか1項に記
載の方法。 - 【請求項4】分離すべき成分の浄化液内での濃度が結晶
層内の濃度よりも低くても高くてもよい、請求項1〜3
のいずれか1項に記載の方法。 - 【請求項5】使用される浄化液が先行する結晶化での残
留液、新規の溶融液または溶液、或いは浄化結晶後の溶
融液または溶液である、請求項1〜4のいずれか1項に
記載の方法。 - 【請求項6】浄化液が単独で使用され、或いは複数の浄
化液が濃度が上昇する順序で順次使用され、或いは結晶
層および浄化液が互いに向流で連続的に導かれる、請求
項1〜5のいずれか1項に記載の方法。 - 【請求項7】浄化工程において結晶層の温度を平衡温度
を5℃の範囲で上回るように上昇させ、浄化工程終了時
に平衡温度より若干下回る温度に低下させる、請求項1
〜6のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3705388 | 1987-02-20 | ||
DE3705388.4 | 1987-02-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63221802A JPS63221802A (ja) | 1988-09-14 |
JP2635351B2 true JP2635351B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=6321381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63035425A Expired - Lifetime JP2635351B2 (ja) | 1987-02-20 | 1988-02-19 | 冷却結晶層の浄化法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4795571A (ja) |
EP (1) | EP0279439B1 (ja) |
JP (1) | JP2635351B2 (ja) |
DE (1) | DE3875130D1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2276468B (en) * | 1991-02-15 | 1995-07-12 | Cobe Lab | An optical fibre probe |
DE4407222A1 (de) * | 1994-03-04 | 1995-09-07 | Basf Ag | Verfahren zur Rückgewinnung von Caprolactam aus Oliogo- und/oder Polymeren des Caprolactams |
DE19536792A1 (de) * | 1995-10-02 | 1997-04-03 | Basf Ag | Verfahren zur Stofftrennung aus einem flüssigen Gemisch durch Kristallisation |
DE19536827A1 (de) * | 1995-10-02 | 1997-04-03 | Basf Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Trennung flüssiger eutektischer Mischungen durch Kristallisation an Kühlflächen |
DE19648747A1 (de) * | 1996-11-25 | 1998-05-28 | Basf Ag | Verfahren zur Rückgewinnung von Caprolactam und seinen Oligomeren aus wässrigen Polycaprolactam-Extrakten |
DE19703651A1 (de) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Basf Ag | Verfahren zur Reinigung von Imidazolen und imidazolbasierten Wirkstoffen durch Kristallisation |
US5990306A (en) | 1997-09-03 | 1999-11-23 | Alliedsignal Inc. | Process for the purification of caprolactam obtained from the depolymerization of polyamide-containing carpet |
IT1302120B1 (it) * | 1998-07-29 | 2000-07-31 | Univ Roma | Procedimento per la purificazione di prodotti chimici solidi mediantedry-sweating |
US8956542B1 (en) * | 2013-07-30 | 2015-02-17 | Showa Freezing Plant Co., Ltd. | Method for processing radioactively-contaminated water |
CN109970604B (zh) * | 2019-04-25 | 2021-03-19 | 青岛科技大学 | 一种提纯2,4-甲苯二异氰酸酯的工艺 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3323730A (en) * | 1963-05-16 | 1967-06-06 | Phillips Petroleum Co | Crystal purification method and apparatus therefor |
US3305320A (en) * | 1963-07-22 | 1967-02-21 | Phillips Petroleum Co | Purification of aluminum nitrate by alternate melting and crystallization |
GB1083850A (en) * | 1963-12-03 | 1967-09-20 | Ici Ltd | Purification process |
US3557226A (en) * | 1967-04-07 | 1971-01-19 | Phillips Petroleum Co | Crystal separation and purification |
AT279547B (de) * | 1967-04-14 | 1970-03-10 | Buchs Metallwerk Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Trennung oder Reinigung schmelzflüssiger, flüssiger oder gelöster Stoffe durch fraktioniertes Kristallisieren |
JPS5229260A (en) * | 1975-08-29 | 1977-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Clamp meter |
DE2606364C3 (de) * | 1976-02-18 | 1988-05-26 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verfahren zur Stofftrennung aus einem flüssigen Gemisch durch fraktionierte Kristallisation |
EP0051551A1 (fr) * | 1980-11-04 | 1982-05-12 | B.E.F.S. ENGINEERING S.A. Société Anonyme dite | Procédé et appareil pour la purification de tout produit cristallisable, notamment de solutions à faible concentration |
-
1988
- 1988-02-10 US US07/154,227 patent/US4795571A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-18 EP EP88102334A patent/EP0279439B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-18 DE DE8888102334T patent/DE3875130D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-19 JP JP63035425A patent/JP2635351B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4795571A (en) | 1989-01-03 |
EP0279439A2 (de) | 1988-08-24 |
JPS63221802A (ja) | 1988-09-14 |
EP0279439B1 (de) | 1992-10-07 |
DE3875130D1 (de) | 1992-11-12 |
EP0279439A3 (en) | 1988-11-09 |
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