JP2627956B2 - プラズマの検出方法及びその回路構造 - Google Patents
プラズマの検出方法及びその回路構造Info
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- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/0006—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature
- H05H1/0081—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature by electric means
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はプラズマの検出方法及びその検出方法に使用
される回路の構造に関する。
される回路の構造に関する。
（従来の技術） 従来プラズマの作用によって多くの材料加工が行なわ
れている。例えばガラス類、金属類、その他の被加工材
料をプラズマによって、エッチングしたりコーティング
したりすることが一般に行なわれている。特に近時半導
体産業においてはその取り扱う構成素子のサイズが年々
小さくなり、湿式エッチングからシリコンや高分子物質
まで好ましく排除できるプラズマエッチングに徐々に切
り変りつつある。
れている。例えばガラス類、金属類、その他の被加工材
料をプラズマによって、エッチングしたりコーティング
したりすることが一般に行なわれている。特に近時半導
体産業においてはその取り扱う構成素子のサイズが年々
小さくなり、湿式エッチングからシリコンや高分子物質
まで好ましく排除できるプラズマエッチングに徐々に切
り変りつつある。
これらの加工に必要なプラズマは種々の方法で発生さ
せることができる。グロー放電を発生させる直流電圧を
用いる方法の他に、交流電圧を用いる方法もある。これ
らの方法においては好ましくは周波数は13.56MHz程度の
高周波エネルギーを供給して行なわれている。
せることができる。グロー放電を発生させる直流電圧を
用いる方法の他に、交流電圧を用いる方法もある。これ
らの方法においては好ましくは周波数は13.56MHz程度の
高周波エネルギーを供給して行なわれている。
（発明が解決しようとする課題） 全てのプラズマ加工で重要なことは、プラズマを発生
させる開始時期を決定することとプラズマの発生が継続
して行なわれているのをモニターすることにある。
させる開始時期を決定することとプラズマの発生が継続
して行なわれているのをモニターすることにある。
プラズマの存在を検出する極めて簡単な方法は、プラ
ズマから発生する光を測定することである。光度がプラ
ズマのイオン化の程度に比例して強くなるからである。
この光学的測定方法の欠点は測定値が外部からの光によ
る影響を受けることと、装置の作動中に測定用の窓が被
加工材の破片や電極から飛散する物質で覆われ不透明に
なってしまうことにある。
ズマから発生する光を測定することである。光度がプラ
ズマのイオン化の程度に比例して強くなるからである。
この光学的測定方法の欠点は測定値が外部からの光によ
る影響を受けることと、装置の作動中に測定用の窓が被
加工材の破片や電極から飛散する物質で覆われ不透明に
なってしまうことにある。
プラズマを検出する別の方法として、プラズマプロー
ブを用いる方法が知られている。（ジェイ．イー．ハイ
デンライヒ三世とジェイ．アール．パラツザックによる
「高分子エッチングに用いられるマイクロ波プラズマの
静電プローブ分析」、ジャーナル ブイエイシー．サイ
エンステクノロジー B5（１）、1987年１月２日合併
号、347頁から354頁参照）。
ブを用いる方法が知られている。（ジェイ．イー．ハイ
デンライヒ三世とジェイ．アール．パラツザックによる
「高分子エッチングに用いられるマイクロ波プラズマの
静電プローブ分析」、ジャーナル ブイエイシー．サイ
エンステクノロジー B5（１）、1987年１月２日合併
号、347頁から354頁参照）。
プローブを用いることの欠点はこのプローブをプラズ
マに直接曝さなければならず、真空での出し入れが必要
とされることである。加えてプローブは危険を伴なうと
共に、装置の組み立てや作業維持の妨げとなるという欠
点もあった。
マに直接曝さなければならず、真空での出し入れが必要
とされることである。加えてプローブは危険を伴なうと
共に、装置の組み立てや作業維持の妨げとなるという欠
点もあった。
更には、プラズマ用プローブは例えば飛散する誘電体
によってその表面が被覆され絶縁化してしまうため、そ
の寿命が限られるという事実もあった。そのため測定値
が常に変化して定量的に把握することが困難となるとい
う欠点があった。
によってその表面が被覆され絶縁化してしまうため、そ
の寿命が限られるという事実もあった。そのため測定値
が常に変化して定量的に把握することが困難となるとい
う欠点があった。
プラズマエッチング加工における制御方法も従来知ら
れており、それは高周波電力のインピーダンス変化を表
示する方法である（米国特許第4,207,137号参照）。こ
の方法にあっては、被加工材のコーティングのため選択
された加工面がエッチングされるに際し、まず加工材を
プラズマ室内にある電極の間に置く。次にプラズマ室に
ガスを満たして電極に電力を供給し当該プラズマ室内に
プラズマを発生させるという手段をとるのである。
れており、それは高周波電力のインピーダンス変化を表
示する方法である（米国特許第4,207,137号参照）。こ
の方法にあっては、被加工材のコーティングのため選択
された加工面がエッチングされるに際し、まず加工材を
プラズマ室内にある電極の間に置く。次にプラズマ室に
ガスを満たして電極に電力を供給し当該プラズマ室内に
プラズマを発生させるという手段をとるのである。
プラズマのインピーダンス変化は、このインピーダン
ス変化が事実上零になって電極への電力が停止されるま
で全エッチング加工中表示される。この方法によりエッ
チング加工が終了したことが解るのである。しかしなが
ら、プラズマの状態を正確かつ連続的にモニターするこ
とはできず、すべてのインピーダンスが一定となりエッ
チングが終了したことを示しても、この公知の方法にお
いては誤表示を完全に排除することができなかったので
ある。
ス変化が事実上零になって電極への電力が停止されるま
で全エッチング加工中表示される。この方法によりエッ
チング加工が終了したことが解るのである。しかしなが
ら、プラズマの状態を正確かつ連続的にモニターするこ
とはできず、すべてのインピーダンスが一定となりエッ
チングが終了したことを示しても、この公知の方法にお
いては誤表示を完全に排除することができなかったので
ある。
おそらく高周波によりプラズマを検出する最も知られ
た方法は、供給電極の直流電圧を測定する方法であろう
（ケイ．コーラー、ジェイ．ダブリュ．コバーン．ディ
ー．イー．ホーン．イー．カイによる「平面システムで
の13.56MHzの周波のアルゴングロー放電のプラズマ電
位」ジャーナルアプリケィション フィジックス57
（１）、1985年１月１日号、59頁から66頁参照）。
た方法は、供給電極の直流電圧を測定する方法であろう
（ケイ．コーラー、ジェイ．ダブリュ．コバーン．ディ
ー．イー．ホーン．イー．カイによる「平面システムで
の13.56MHzの周波のアルゴングロー放電のプラズマ電
位」ジャーナルアプリケィション フィジックス57
（１）、1985年１月１日号、59頁から66頁参照）。
しかし、絶縁した被加工材を用いるこの方法は被加工
材の表面に直流電圧位が発生し、この被加工材が高周波
電力を供給する金属の電極部材を突発的に絶縁化してし
まうため問題が多かった。このため多くの場合直流電流
は電極から検出されず、前記同様に正確な直流電流の測
定ができなかったのである。
材の表面に直流電圧位が発生し、この被加工材が高周波
電力を供給する金属の電極部材を突発的に絶縁化してし
まうため問題が多かった。このため多くの場合直流電流
は電極から検出されず、前記同様に正確な直流電流の測
定ができなかったのである。
最後に以下のような方法も知られている。つまり活性
或いは不活性なガス中で、被加工物の表面の反対側にあ
る絶縁された電極内に生じる負直流バイアス電流を検出
すると同時に、高周波電圧及び電流の特性を測定する方
法である（アール．エー．モルガンによる「半導体の製
造におけるプラズマエッチング」、オックスフォード
エルセビア出版社1985年、203頁から239頁、特に図面8.
1,8.2,8.14から8.16参照）。
或いは不活性なガス中で、被加工物の表面の反対側にあ
る絶縁された電極内に生じる負直流バイアス電流を検出
すると同時に、高周波電圧及び電流の特性を測定する方
法である（アール．エー．モルガンによる「半導体の製
造におけるプラズマエッチング」、オックスフォード
エルセビア出版社1985年、203頁から239頁、特に図面8.
1,8.2,8.14から8.16参照）。
上部電流の負直流電圧位が測定される限りにおいて
は、この方法は先に述べた方法と同じ欠点を有してい
る。つまり高周波電位の測定にオシロスコープが用いら
れ、そのピーク電圧がインスタントフィルムにより撮影
されるのであるが、この方法は大変費用がかかる。
は、この方法は先に述べた方法と同じ欠点を有してい
る。つまり高周波電位の測定にオシロスコープが用いら
れ、そのピーク電圧がインスタントフィルムにより撮影
されるのであるが、この方法は大変費用がかかる。
つまり高周波電流の測定には仮想電極が用いられ、ア
ースされた電極に電流がオーバーフローすると、この電
流は既知の抵抗を通過するように送られ抵抗では電位が
上昇する。そして電流はオシロスコープ上に再生される
のである。オシロスコープ上に再生される曲線を写真撮
影することがなされるが、その撮影は精密ではあっても
費用がかさむものであった。写真上に表れる調波を電子
的に検討することはここでは行われない。
ースされた電極に電流がオーバーフローすると、この電
流は既知の抵抗を通過するように送られ抵抗では電位が
上昇する。そして電流はオシロスコープ上に再生される
のである。オシロスコープ上に再生される曲線を写真撮
影することがなされるが、その撮影は精密ではあっても
費用がかさむものであった。写真上に表れる調波を電子
的に検討することはここでは行われない。
（課題を解決するための手段及び作用） 本発明はプラズマ室内にプローブなどの装置を入れる
必要がなく、しかも電極やオシロスコープのデスプレイ
装置上に発生する直流電流成分に頼ることなくプラズマ
の存在を検出せんとするものである。
必要がなく、しかも電極やオシロスコープのデスプレイ
装置上に発生する直流電流成分に頼ることなくプラズマ
の存在を検出せんとするものである。
この課題は請求項１に記載した特徴に従い達成され
る。本発明によって達成される課題は、特にプラズマに
供給される高周波電気エネルギーのみを測定することで
プラズマの存否を検出することができることである。プ
ラズマそれ自体を光学的に検出する必要もなく電気的に
分析することも不要である。
る。本発明によって達成される課題は、特にプラズマに
供給される高周波電気エネルギーのみを測定することで
プラズマの存否を検出することができることである。プ
ラズマそれ自体を光学的に検出する必要もなく電気的に
分析することも不要である。
本発明に係る方法にあっては、高周波プラズマは調波
を発生する非線形インピーダンスを呈するという事実に
基づく。これらの調波はプラズマが存在するときのみに
発生するのでその検出に用いることができるのである。
を発生する非線形インピーダンスを呈するという事実に
基づく。これらの調波はプラズマが存在するときのみに
発生するのでその検出に用いることができるのである。
（実施例） 以下本発明の実施例を添付の図面に従い詳細に説明す
る。
る。
第１図に示すように本検出方法及び回路構造の原理
は、例として使用される薄いフィルムと本発明に係るプ
ラズマ検出装置とを備えることで示される。
は、例として使用される薄いフィルムと本発明に係るプ
ラズマ検出装置とを備えることで示される。
この装置にはサンプルが置かれるプラズマ室（１）と
ガス吸入口（２）、そしてガスの排出口（３）とを有し
ている。加えてプラズマを発生させる高周波電極（４）
も又、プラズマ室（１）内であってかつサンプル用テー
ブルの反対側に備えられる。高周波の出力が高周波電力
供給装置（７）から電極（４）まで供給され、電極
（４）での圧力が10-4から10トール（torr）の時にプラ
ズマが発生する。本実施例ではこのプラズマ（８）を受
けるために薄いフィルムがサンプルテーブル（５）上の
基板（６）上に置かれている。
ガス吸入口（２）、そしてガスの排出口（３）とを有し
ている。加えてプラズマを発生させる高周波電極（４）
も又、プラズマ室（１）内であってかつサンプル用テー
ブルの反対側に備えられる。高周波の出力が高周波電力
供給装置（７）から電極（４）まで供給され、電極
（４）での圧力が10-4から10トール（torr）の時にプラ
ズマが発生する。本実施例ではこのプラズマ（８）を受
けるために薄いフィルムがサンプルテーブル（５）上の
基板（６）上に置かれている。
好ましくは周波数（fo）が13.56MHzである電極（４）
からの高周波電流が、プラズマ室（１）内のガスを解離
してプラズマを発生させる。プラズマが存在するかどう
か、或いはガスが未だ非解離状態にあるかどうかを判断
するために、電極（４）へ流れる電流（Ｊ）を検出する
誘導電流受信機が備えられている。この誘導電流受信機
は例えばトロイド形状をしたコイル（トロイダルコイ
ル）（９）（米国特許第4,493,112号、第３図の参照の
こと）からなり電力供給装置（７）と電極（４）の間を
接続するフィード線（10）の周囲を取り巻いている。こ
のコイル（９）はその巻き数が一回のみであって、数回
もは巻かれない。
からの高周波電流が、プラズマ室（１）内のガスを解離
してプラズマを発生させる。プラズマが存在するかどう
か、或いはガスが未だ非解離状態にあるかどうかを判断
するために、電極（４）へ流れる電流（Ｊ）を検出する
誘導電流受信機が備えられている。この誘導電流受信機
は例えばトロイド形状をしたコイル（トロイダルコイ
ル）（９）（米国特許第4,493,112号、第３図の参照の
こと）からなり電力供給装置（７）と電極（４）の間を
接続するフィード線（10）の周囲を取り巻いている。こ
のコイル（９）はその巻き数が一回のみであって、数回
もは巻かれない。
電力（Ｊ）がフィード線（10）の周囲に生じさせる磁
界中では、電圧はハイパスフィルタ（11）に接続された
コイル（９）に誘導される。このハイパスフィルタ（1
1）は、20MHz以下のすべての周波数を透過排除し、ここ
では電流（Ｊ）のすべての直流電流は基本周波数が13.5
6MHzである電流と共に抑圧される。つまりプラズマが存
在する時のみに発生する調波のみが透過されるのであ
る。プラズマが存在しない時は電極（４）にはリアクタ
ンスが生じる。
界中では、電圧はハイパスフィルタ（11）に接続された
コイル（９）に誘導される。このハイパスフィルタ（1
1）は、20MHz以下のすべての周波数を透過排除し、ここ
では電流（Ｊ）のすべての直流電流は基本周波数が13.5
6MHzである電流と共に抑圧される。つまりプラズマが存
在する時のみに発生する調波のみが透過されるのであ
る。プラズマが存在しない時は電極（４）にはリアクタ
ンスが生じる。
高周波電力供給装置（７）は正弦波信号を発生するた
め、この場合の電流（Ｊ）も純粋な正弦形状を呈する。
それ故13.56MHz以外の周波数は発生しないのである。従
って、ハイパスフィルタ（11）の出力では信号があれば
そればプラズマが発生したためであり、つまりは調波の
発生を示すものである。
め、この場合の電流（Ｊ）も純粋な正弦形状を呈する。
それ故13.56MHz以外の周波数は発生しないのである。従
って、ハイパスフィルタ（11）の出力では信号があれば
そればプラズマが発生したためであり、つまりは調波の
発生を示すものである。
プラズマが励磁していれば、電子とイオンの質量の差
によって電極（４）では非線形のインピーダンスを呈す
る。この非線形のインピーダンスにより特には27.12MH
z、40.68MHzなどの調波周波数が含まれて発生するので
ある。
によって電極（４）では非線形のインピーダンスを呈す
る。この非線形のインピーダンスにより特には27.12MH
z、40.68MHzなどの調波周波数が含まれて発生するので
ある。
ハイパスフィルタ（11）からの出力信号は整流器（1
2）によって整流され、ローパスフィルタ（13）に送ら
れる。このローパスフィルタ（13）は整流器（12）の出
力側での直流電流に未だ残留する流れを透過して排除す
るか、少なくとも減少させる役目を果すのみである。こ
のように整流された電流はデスプレイ装置（14）に送ら
れ、デスプレイ装置（14）は13.56MHzを越える調波やプ
ラズマの発生を示す数値を示すのである。
2）によって整流され、ローパスフィルタ（13）に送ら
れる。このローパスフィルタ（13）は整流器（12）の出
力側での直流電流に未だ残留する流れを透過して排除す
るか、少なくとも減少させる役目を果すのみである。こ
のように整流された電流はデスプレイ装置（14）に送ら
れ、デスプレイ装置（14）は13.56MHzを越える調波やプ
ラズマの発生を示す数値を示すのである。
第１図に示されたハイパスフィルタ（11）及びローパ
スフィルタ（12）の回路構造を第２図に拡大して示す。
ハイパスフィルタ（11）は二つの並列のインダクタ（1
6）（17）に接続される直列のキャパシタ（15）を有し
ていることが理解されよう。これら二つのインダクタ
（16）（17）と並列に可変抵抗（18）が接続され、その
後にはハイパスフィルタ（11）の直列分岐で二つの直例
のキャパシタ（20）（21）が接続され、最後に並列のイ
ンダクタ（19）で終っている。
スフィルタ（12）の回路構造を第２図に拡大して示す。
ハイパスフィルタ（11）は二つの並列のインダクタ（1
6）（17）に接続される直列のキャパシタ（15）を有し
ていることが理解されよう。これら二つのインダクタ
（16）（17）と並列に可変抵抗（18）が接続され、その
後にはハイパスフィルタ（11）の直列分岐で二つの直例
のキャパシタ（20）（21）が接続され、最後に並列のイ
ンダクタ（19）で終っている。
ハイパスフィルタ（11）の出力信号は、ダイオード
（22）にて整流される。この出力信号は半波（Sic）整
流であるため、残留する整流後の信号の流れは比較的高
いものとなっている。この残留する流れはその後のロー
パスフィルタ（13）にて透過され減少する。このローパ
スフィルタ（13）は並列分岐内にキャパシタ（23）を有
し、その後には直列分岐でインダクタ（24）が接続され
更に並列分岐でキャパシタ（25）を接続し、その後別の
インダクタ（26）が直列分岐で接続されて最後にキャパ
シタ（27）が並列分岐で接続されている。
（22）にて整流される。この出力信号は半波（Sic）整
流であるため、残留する整流後の信号の流れは比較的高
いものとなっている。この残留する流れはその後のロー
パスフィルタ（13）にて透過され減少する。このローパ
スフィルタ（13）は並列分岐内にキャパシタ（23）を有
し、その後には直列分岐でインダクタ（24）が接続され
更に並列分岐でキャパシタ（25）を接続し、その後別の
インダクタ（26）が直列分岐で接続されて最後にキャパ
シタ（27）が並列分岐で接続されている。
ローパスフィルタ（13）の出力側にはツェナーダイオ
ード（28）が設けられ、デスプレイ装置（14）に高すぎ
る電圧が送られるのを阻止している。
ード（28）が設けられ、デスプレイ装置（14）に高すぎ
る電圧が送られるのを阻止している。
高周波電力供給装置（７）はおよそ100KHzから1GHzま
での範囲の周波数で作動するエネルギーの供給源であ
る。この周波数の範囲が好ましい理由は、通常の装置の
大きさではこの周波数でのみ、プラズマの非線形性に起
因する異なった自由行程長の電子とイオンが発生するか
らである。
での範囲の周波数で作動するエネルギーの供給源であ
る。この周波数の範囲が好ましい理由は、通常の装置の
大きさではこの周波数でのみ、プラズマの非線形性に起
因する異なった自由行程長の電子とイオンが発生するか
らである。
第１図と第２図に示した回路の構造は、プラズマが存
在するか否かを検出するのみならず、むしろプラジマの
イオン化や発生情況について知らしめる信号をも定量的
に供給するものでもある。例えば、同期飛散する二つの
電極は同じ発生量になるようセットすることができる。
この目的のため、ローパスフィルタ（13）の出力信号を
デスプレイ装置（14）は供給せず、図示しない装置制御
コンピューターに送ることで工程全体の制御のための数
値が示されるようにしてもよい。更にこのデスプレイ装
置（14）はコンピューターのモニターに起き換えてもよ
い。
在するか否かを検出するのみならず、むしろプラジマの
イオン化や発生情況について知らしめる信号をも定量的
に供給するものでもある。例えば、同期飛散する二つの
電極は同じ発生量になるようセットすることができる。
この目的のため、ローパスフィルタ（13）の出力信号を
デスプレイ装置（14）は供給せず、図示しない装置制御
コンピューターに送ることで工程全体の制御のための数
値が示されるようにしてもよい。更にこのデスプレイ装
置（14）はコンピューターのモニターに起き換えてもよ
い。
トロイダルコイルによる電流検出方法は大変有益では
あるが、本発明はこれに限定されるものではない。電流
は抵抗又は容量電圧コンダクタによる手段であっても等
しく検出される。
あるが、本発明はこれに限定されるものではない。電流
は抵抗又は容量電圧コンダクタによる手段であっても等
しく検出される。
本発明は同様に周波数（fo）を有する純粋の交流電流
（Ｊ）の利用に限るものではない。仮りに交流電流の変
調された直流電流が電極（４）に送られても実施できる
のである。
（Ｊ）の利用に限るものではない。仮りに交流電流の変
調された直流電流が電極（４）に送られても実施できる
のである。
（発明の効果） 以上詳述したように本発明に係るプラズマ検出方法及
びその回路構造にあっては、プラズマ室内にプローブな
どの装置を入れる必要がなく、しかも電極やオシロスコ
ープのデスプレイ装置上に発生する直流電流成分に頼る
ことなくプラズマの存在を検出することができるのであ
る。
びその回路構造にあっては、プラズマ室内にプローブな
どの装置を入れる必要がなく、しかも電極やオシロスコ
ープのデスプレイ装置上に発生する直流電流成分に頼る
ことなくプラズマの存在を検出することができるのであ
る。
つまり、プラズマに供給される高周波電気エネルギー
のみを測定することでプラズマの存在を検出することが
できるという効果を奏する。プラズマそれ自体を光学的
に検出する必要もなく電気的に分析することも不要とさ
れる。
のみを測定することでプラズマの存在を検出することが
できるという効果を奏する。プラズマそれ自体を光学的
に検出する必要もなく電気的に分析することも不要とさ
れる。
第１図は本発明に係るプラズマ検出用回路の主要部分断
面図、第２図は本発明に係るプラズマ検出回路における
調波を処理するハイパスフィルタとローパスフィルタ及
び整流器の回路図である。 符号の説明 Ｊ……交流電流、fo……周波数、 ４……電極、 ９……インダクタンス、 11……ハイパスフィルタ、 12……整流器、 13……ローパスフィルタ、 14……デスプレイ装置、 15……キャパシタ、 16,17……インダクタンス、 18……可変抵抗、19……インダクタ、 20,21……キャパシタ、 23……第一キャパシタ、 24……インダクタ、 25……第二キャパシタ、 26……第二インダクタ、 27……第三キャパシタ、 28……ツェナーダイオード。
面図、第２図は本発明に係るプラズマ検出回路における
調波を処理するハイパスフィルタとローパスフィルタ及
び整流器の回路図である。 符号の説明 Ｊ……交流電流、fo……周波数、 ４……電極、 ９……インダクタンス、 11……ハイパスフィルタ、 12……整流器、 13……ローパスフィルタ、 14……デスプレイ装置、 15……キャパシタ、 16,17……インダクタンス、 18……可変抵抗、19……インダクタ、 20,21……キャパシタ、 23……第一キャパシタ、 24……インダクタ、 25……第二キャパシタ、 26……第二インダクタ、 27……第三キャパシタ、 28……ツェナーダイオード。
Claims (13)
- 【請求項１】定められた周波数（f0）を有する高周波交
流電流（Ｊ）によって発生するプラズマを、その交流電
流（Ｊ）の検出用回路構造を用いて検出する方法であっ
て、 前記交流電流（Ｊ）の前記定められた周波数（f0）成分
を排除してその調波周波数成分を透過するハイパスフィ
ルタ（11）に、前記交流電流（Ｊ）の検出信号を送り、
前記ハイパスフィルタ（11）からの出力信号を測定する
ことでプラズマの存在の有無を検出することを特徴とす
るプラズマの検出方法。 - 【請求項２】定められた周波数（f0）を有する高周波交
流電流（Ｊ）によって発生するプラズマを、その交流電
流（Ｊ）を用いて検出するための回路構造であって、 前記交流電流（Ｊ）の前記定められた周波数（f0）成分
を排除してその調波周波数成分を透過するハイパスフィ
ルタ（11）と、 整流器（12）を介して前記ハイパスフィルタ（11）と接
続されたデスプレイ装置（14）と、 を有することを特徴とするプラズマの検出回路構造。 - 【請求項３】前記整流器（12）とデスプレイ装置（14）
との間にローパスフィルタ（13）が接続されていること
を特徴とする請求項２記載のプラズマの検出回路構造。 - 【請求項４】前記デスプレイ装置（14）がアナログデス
プレイ装置であることを特徴とする請求項２記載のプラ
ズマの検出回路構造。 - 【請求項５】前記デスプレイ装置（14）がデジタルデス
プレイ装置であることを特徴とする請求項２記載のプラ
ズマの検出回路構造。 - 【請求項６】プラズマ発生用の電極（４）に送られる交
流電流（Ｊ）を検出してハイパスフィルタ（11）にその
検出信号を送るためのインダクタンス（９）を有するこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマの検出方法。 - 【請求項７】前記交流電流（Ｊ）が高周波交流電流であ
ることを特徴とする請求項１記載のプラズマの検出方
法。 - 【請求項８】前記高周波電流が13.56MHzの周波数を有す
ることを特徴とする請求項７記載のプラズマの検出方
法。 - 【請求項９】前記ハイパスフィルタ（11）は、その入力
側から出力側に向けて直列分岐のキャパシタ（15）を有
し、次に並列分岐で二つのインダクタ（16）（17）と可
変抵抗（18）を有し、その後直列分岐で二つのキャパシ
タ（20）（21）を有すると共に、当該ハイパスフィルタ
（11）は並列分岐のインダクタ（19）で終了しているこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマの検出方法。 - 【請求項１０】前記整流器（12）は半波整流器であるこ
とを特徴とする請求項２記載のプラズマの検出回路構
造。 - 【請求項１１】前記ローパスフィルタ（13）はその入力
側から出力側に向けて並列分岐の第一キャパシタ（23）
を、直列分岐でインダクタ（24）を、並列分岐で第二キ
ャパシタ（25）を、直列分岐で第二インダクタ（26）
を、並列分岐で第三キャパシタ（27）を備えたことを特
徴とする請求項３記載のプラズマの検出回路構造。 - 【請求項１２】前記ローパスフィルタ（13）の出力端に
はツェナーダイオード（28）が並列分岐で接続されてい
ることを特徴とする請求項３記載のプラズマの検出回路
構造。 - 【請求項１３】プラズマ発生用の電極（４）に電力を供
給するための定められた周波数（f0）の交流電流（Ｊ）
を用いてプラズマを検出するプラズマ検出用の回路構造
において、 ａ）交流電流（Ｊ）を検出するための検出装置（９）、 ｂ）検出装置（９）に接続され前記交流電流の前記定め
られた周波数（f0）成分を排除してその調波周波数成分
を透過するハイパスフィルタ（11）、 ｃ）ハイパスフィルタ（11）の出力信号を測定するため
前記ハイパスフィルタ（11）に接続された測定装置（1
2）（13）、 とを有することを特徴とするプラズマ検出用回路構造。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3821208.0 | 1988-06-23 | ||
| DE3821208A DE3821208C1 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251071A JPH0251071A (ja) | 1990-02-21 |
| JP2627956B2 true JP2627956B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=6357088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1162504A Expired - Fee Related JP2627956B2 (ja) | 1988-06-23 | 1989-06-23 | プラズマの検出方法及びその回路構造 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5025135A (ja) |
| EP (1) | EP0347717B1 (ja) |
| JP (1) | JP2627956B2 (ja) |
| DE (2) | DE3821208C1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3923662A1 (de) * | 1989-07-18 | 1991-01-24 | Leybold Ag | Schaltungsanordnung zum automatischen abstimmen eines anpassungsnetzwerks |
| DE3923661A1 (de) * | 1989-07-18 | 1991-01-24 | Leybold Ag | Schaltungsanordnung fuer die anpassung der impedanz einer plasmastrecke an einen hochfrequenzgenerator |
| DE4036479A1 (de) * | 1990-11-15 | 1992-05-21 | Gimelli Produktions Ag | Von einer aufladbaren batterie mit elektrischer energie versorgtes elektrisches geraet |
| DE4127505C2 (de) * | 1991-08-20 | 2003-05-08 | Unaxis Deutschland Holding | Einrichtung zur Unterdrückung von Lichtbögen in Gasentladungsvorrichtungen |
| DE4127504A1 (de) * | 1991-08-20 | 1993-02-25 | Leybold Ag | Einrichtung zur unterdrueckung von lichtboegen |
| JPH0778296A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-03-20 | Sony Electron Inc | 流量制御器モニタ方式 |
| CN1299226C (zh) | 1997-09-17 | 2007-02-07 | 东京电子株式会社 | 用于监视和控制气体等离子体处理的系统和方法 |
| US6007674A (en) * | 1997-11-06 | 1999-12-28 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Stabilizing apparatus for a dry etcher system |
| US6714033B1 (en) * | 2001-07-11 | 2004-03-30 | Lam Research Corporation | Probe for direct wafer potential measurements |
| WO2004006298A2 (en) * | 2002-07-03 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for non-invasive measurement and analysis of semiconductor process parameters |
| JP2005531912A (ja) * | 2002-07-03 | 2005-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体プラズマパラメータの非侵入性の測定と解析のための方法と装置 |
| US7314537B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for detecting a plasma |
| US7728602B2 (en) * | 2007-02-16 | 2010-06-01 | Mks Instruments, Inc. | Harmonic derived arc detector |
| US7960252B2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-06-14 | Yung-Tin Chen | Method for forming a semiconductor film including a film forming gas and decomposing gas while emitting a laser sheet |
| DE102009011960B4 (de) * | 2009-03-10 | 2013-06-13 | Schott Ag | Verfahren zur Überwachung von Plasma-Entladungen |
| DE102014101719A1 (de) * | 2014-02-12 | 2015-08-13 | Messer Cutting Systems Gmbh | Plasmaschneidmaschine mit Schutzeinrichtung sowie Verfahren zum Betreiben der Plasmaschneidmaschine |
| CN113936985A (zh) * | 2020-07-14 | 2022-01-14 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3988566A (en) * | 1972-06-05 | 1976-10-26 | Metco Inc. | Automatic plasma flame spraying process and apparatus |
| FR2447770A1 (fr) * | 1979-02-01 | 1980-08-29 | Air Liquide | Procede et installation de demarrage automatique d'une torche de coupage plasma |
| US4207137A (en) * | 1979-04-13 | 1980-06-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of controlling a plasma etching process by monitoring the impedance changes of the RF power |
| US4493112A (en) * | 1981-11-19 | 1985-01-08 | Rockwell International Corporation | Antenna tuner discriminator |
| US4656331A (en) * | 1982-04-26 | 1987-04-07 | General Electric Company | Infrared sensor for the control of plasma-jet spray coating and electric are heating processes |
| US4640627A (en) * | 1983-08-26 | 1987-02-03 | The Perkin-Elmer Corporation | Apparatus for monitoring a plasma torch |
| US4609810A (en) * | 1984-06-25 | 1986-09-02 | The Perkin-Elmer Corporation | Apparatus for controlling a plasma |
-
1988
- 1988-06-23 DE DE3821208A patent/DE3821208C1/de not_active Expired
-
1989
- 1989-06-09 US US07/364,812 patent/US5025135A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-13 EP EP89110662A patent/EP0347717B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-13 DE DE58908345T patent/DE58908345D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-23 JP JP1162504A patent/JP2627956B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE58908345D1 (de) | 1994-10-20 |
| DE3821208C1 (ja) | 1989-11-02 |
| EP0347717B1 (de) | 1994-09-14 |
| EP0347717A3 (en) | 1990-04-25 |
| US5025135A (en) | 1991-06-18 |
| JPH0251071A (ja) | 1990-02-21 |
| EP0347717A2 (de) | 1989-12-27 |
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