JP2626923B2 - 電気光学装置の駆動方法 - Google Patents
電気光学装置の駆動方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は駆動用電極に添って並んだ各画素毎に画素
電極と非線形抵抗素子を有する電気光学装置の駆動方法
に関する。
電極と非線形抵抗素子を有する電気光学装置の駆動方法
に関する。
この発明は各画素電極と各画素電極毎に複数個設けら
れた非線形抵抗素子とが、各画素電極を間に挟むように
して、隣接する２本の駆動用電極と接続されてなる電気
光学装置の駆動をするに当たり、この一対の駆動用電極
に波形を加え、非線形抵抗素子の抵抗値の制御を行うこ
とにより、非線形抵抗素子の特性のばらつきや経時変化
に対して、データの書込みを安定に行うことを可能にす
るとともに、一つの画素に入力したデータの保持が他の
画素へ入力するデータからの影響を受けないような動作
を可能にする電気光学装置の駆動方法を提供するもので
ある。
れた非線形抵抗素子とが、各画素電極を間に挟むように
して、隣接する２本の駆動用電極と接続されてなる電気
光学装置の駆動をするに当たり、この一対の駆動用電極
に波形を加え、非線形抵抗素子の抵抗値の制御を行うこ
とにより、非線形抵抗素子の特性のばらつきや経時変化
に対して、データの書込みを安定に行うことを可能にす
るとともに、一つの画素に入力したデータの保持が他の
画素へ入力するデータからの影響を受けないような動作
を可能にする電気光学装置の駆動方法を提供するもので
ある。
薄型，軽量，低消費電力のディスプレイパネルとし
て、液晶表示パネルは優れた特徴を有しており、現在ラ
ップトップやブック型のパソコン等をはじめ多く用いら
れている。その中でアクティブマトリックス方式による
ディスプレイパネルは、表示情報量の増大化と高画質化
が可能な方法として注目を浴びている。アクティブ素子
としては、薄膜トランジスタなどを用いた三端子素子、
MIMなどの非線形抵抗素子やPN接合薄膜ダイオードなど
に代表される二端子素子がある。
て、液晶表示パネルは優れた特徴を有しており、現在ラ
ップトップやブック型のパソコン等をはじめ多く用いら
れている。その中でアクティブマトリックス方式による
ディスプレイパネルは、表示情報量の増大化と高画質化
が可能な方法として注目を浴びている。アクティブ素子
としては、薄膜トランジスタなどを用いた三端子素子、
MIMなどの非線形抵抗素子やPN接合薄膜ダイオードなど
に代表される二端子素子がある。
この中で三端子素子は形成膜数が多いため、工程は複
雑であり、歩留まりは悪く、コスト高になる欠点があ
る。また、ダイオードの場合は耐圧が低く、静電気に対
して弱いなどの問題がある。これに対し、非線形抵抗素
子は構造が単純で、耐圧も高くできるので、低コストで
大面積表示パネルへの応用に有利である。
雑であり、歩留まりは悪く、コスト高になる欠点があ
る。また、ダイオードの場合は耐圧が低く、静電気に対
して弱いなどの問題がある。これに対し、非線形抵抗素
子は構造が単純で、耐圧も高くできるので、低コストで
大面積表示パネルへの応用に有利である。
第３図（ａ）は非線形抵抗素子を用いた従来の電気光
学装置のX-Yマトリックスパネル回路図であり、第３図
（ｂ）は装置の構造を示す一部断面図である。行電極31
と列電極32は基板Ｂ及び対向基板Ａにそれぞれ通常100
〜1000本程形成される。X-Y交差部には画素電極342と非
線形抵抗層341とを有し、行電極31と接続された非線形
抵抗素子34が設けられている。そして、基板A,B間には
電気光学材料（液晶）33が保持されている。
学装置のX-Yマトリックスパネル回路図であり、第３図
（ｂ）は装置の構造を示す一部断面図である。行電極31
と列電極32は基板Ｂ及び対向基板Ａにそれぞれ通常100
〜1000本程形成される。X-Y交差部には画素電極342と非
線形抵抗層341とを有し、行電極31と接続された非線形
抵抗素子34が設けられている。そして、基板A,B間には
電気光学材料（液晶）33が保持されている。
この種のディスプレイパネルの駆動は次のように行
う。すなわち、第３図の多数の行電極31を一本ずつ上の
方から線順次に選択し、その選択期間内に列電極32によ
ってデータを書き込む。第２図は従来の電圧平均化法の
駆動波形を示したものである。すなわち行電極31の一つ
に第２図（ａ）の波形、列電極32の一つに第２図（ｂ）
の波形を印加すると、その交差部の液晶33と非線形抵抗
素子34の両端（第３図（ａ）に示す（イ），（ロ）間）
には第２図（ｃ）の実線で示した波形がかかる。このと
き非線形抵抗素子34の両端には破線で示したような電圧
がかかり、従って、液晶にかかる実効電圧は斜線で囲ま
れた部分の面積を平均化したものとなる。
う。すなわち、第３図の多数の行電極31を一本ずつ上の
方から線順次に選択し、その選択期間内に列電極32によ
ってデータを書き込む。第２図は従来の電圧平均化法の
駆動波形を示したものである。すなわち行電極31の一つ
に第２図（ａ）の波形、列電極32の一つに第２図（ｂ）
の波形を印加すると、その交差部の液晶33と非線形抵抗
素子34の両端（第３図（ａ）に示す（イ），（ロ）間）
には第２図（ｃ）の実線で示した波形がかかる。このと
き非線形抵抗素子34の両端には破線で示したような電圧
がかかり、従って、液晶にかかる実効電圧は斜線で囲ま
れた部分の面積を平均化したものとなる。
このとき、充分なコントラストで表示が行えるために
は、選択点での液晶にかかる実効電圧が液晶の飽和電圧
よりも高いこと、非選択点での液晶にかかる実効電圧が
液晶のしきい値電圧よりも低いことが必要である。非線
形抵抗素子においては書込み期間，保持期間のそれぞれ
に素子の抵抗値を変えることによって液晶にかかる実効
電圧を制御できる。すなわち、選択点では選択期間内に
より高い電圧が非線形抵抗素子34にかかるようにして素
子の抵抗を低くし、画素電極342に電荷が充電されやす
くなる。また、非選択点では選択期間内に非線形抵抗素
子34にかかる電圧を低めに抑え、素子の抵抗が低くなる
のを防ぎ、画素電極342に電荷が充電されにくくする。
そして、保持期間において、選択点，非選択点ともに非
線形抵抗素子34には低い電圧がかかるようにして、素子
の抵抗を高くし、充電された電荷の保持能力を大きくす
る。
は、選択点での液晶にかかる実効電圧が液晶の飽和電圧
よりも高いこと、非選択点での液晶にかかる実効電圧が
液晶のしきい値電圧よりも低いことが必要である。非線
形抵抗素子においては書込み期間，保持期間のそれぞれ
に素子の抵抗値を変えることによって液晶にかかる実効
電圧を制御できる。すなわち、選択点では選択期間内に
より高い電圧が非線形抵抗素子34にかかるようにして素
子の抵抗を低くし、画素電極342に電荷が充電されやす
くなる。また、非選択点では選択期間内に非線形抵抗素
子34にかかる電圧を低めに抑え、素子の抵抗が低くなる
のを防ぎ、画素電極342に電荷が充電されにくくする。
そして、保持期間において、選択点，非選択点ともに非
線形抵抗素子34には低い電圧がかかるようにして、素子
の抵抗を高くし、充電された電荷の保持能力を大きくす
る。
こうして、ドット数を多くしていった場合でも高いコ
ントラストを得ることができる。また、この種のディス
プレイパネルで表示を行うにあたって、充分な駆動マー
ジンを得るためには、各々の画素における液晶部の容量
C1Cと、非線形抵抗素子部の容量CNLとの比を大きくとる
ことも重要である。
ントラストを得ることができる。また、この種のディス
プレイパネルで表示を行うにあたって、充分な駆動マー
ジンを得るためには、各々の画素における液晶部の容量
C1Cと、非線形抵抗素子部の容量CNLとの比を大きくとる
ことも重要である。
このように非線形抵抗素子を用いたディスプレイパネ
ルでは表示の大容量化が可能となるが、単純な選択，非
選択以外に階調表示を行おうとする場合などには、三端
子素子と比較して困難な事が起こる。それは、三端子素
子の場合は一個一個の素子が完全なスイッチとして働く
ため、一つの画素に充電された電荷は保持期間に他の画
素に書き込まれるデータの影響をほとんど受けないのに
対し、非線形抵抗素子では保持期間においても微弱な電
流が流れ得るので、他の画素に対するデータの影響が列
電極を通して少しずつ加わってくることである。従っ
て、表示パターンにより液晶に加わる実効電圧値が所定
値からずれてくる。また、素子の抵抗値は電荷の充電能
力，保持能力に多大な影響を与えるので、素子特性がパ
ネル面内でばらついていたり、経時変化などでシフトし
てしまうと、それが液晶に加わる実効電圧値に直接効い
てくる。そのため、階調表示のように液晶に加わる実効
電圧値を精密にコントロールしなければならない場合に
はコントラストに差が出てしまい、この差はパネルサイ
ズが大きくなる程、ドット数が多くなる程大きくなると
いう問題があった。
ルでは表示の大容量化が可能となるが、単純な選択，非
選択以外に階調表示を行おうとする場合などには、三端
子素子と比較して困難な事が起こる。それは、三端子素
子の場合は一個一個の素子が完全なスイッチとして働く
ため、一つの画素に充電された電荷は保持期間に他の画
素に書き込まれるデータの影響をほとんど受けないのに
対し、非線形抵抗素子では保持期間においても微弱な電
流が流れ得るので、他の画素に対するデータの影響が列
電極を通して少しずつ加わってくることである。従っ
て、表示パターンにより液晶に加わる実効電圧値が所定
値からずれてくる。また、素子の抵抗値は電荷の充電能
力，保持能力に多大な影響を与えるので、素子特性がパ
ネル面内でばらついていたり、経時変化などでシフトし
てしまうと、それが液晶に加わる実効電圧値に直接効い
てくる。そのため、階調表示のように液晶に加わる実効
電圧値を精密にコントロールしなければならない場合に
はコントラストに差が出てしまい、この差はパネルサイ
ズが大きくなる程、ドット数が多くなる程大きくなると
いう問題があった。
そこで、本発明は階調表示などのより高度な表示が非
線形抵抗素子を用いたパネルにおいても、より安定して
確実に行えるような電気光学装置について、その駆動方
法を提供することを目的としている。
線形抵抗素子を用いたパネルにおいても、より安定して
確実に行えるような電気光学装置について、その駆動方
法を提供することを目的としている。
本発明は上記問題点を解決するために、第４図
（ａ），（ｂ）に示すような各画素電極442毎に複数個
の非線形抵抗素子44a,44bを設け、それぞれ異なる２本
の行電極41a,41bに接続した電気光学装置において、行
電極41a,41bを一対ずつ線順次に選択しながら、非線形
抵抗素子44a,44bの抵抗を制御し、非線形抵抗素子44a,4
4bが完全なスイッチとして働くようにした上で、列電極
42にデータを加えることによって、データの書込みと保
持を行うようにしたものである。非線形抵抗素子を介し
て画素電極と接続されている電極が列電極の場合は、列
方向に並ぶ画素電極に対し、行電極からの書込みと保持
を行えば本発明による効果は変わらない。
（ａ），（ｂ）に示すような各画素電極442毎に複数個
の非線形抵抗素子44a,44bを設け、それぞれ異なる２本
の行電極41a,41bに接続した電気光学装置において、行
電極41a,41bを一対ずつ線順次に選択しながら、非線形
抵抗素子44a,44bの抵抗を制御し、非線形抵抗素子44a,4
4bが完全なスイッチとして働くようにした上で、列電極
42にデータを加えることによって、データの書込みと保
持を行うようにしたものである。非線形抵抗素子を介し
て画素電極と接続されている電極が列電極の場合は、列
方向に並ぶ画素電極に対し、行電極からの書込みと保持
を行えば本発明による効果は変わらない。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
１図は本発明の実施例を説明する駆動波形図であり、第
１図（ａ）は第１の行電極41aへの印加波形、第１図
（ｂ）は第２の行電極41bへの印加波形、第１図
（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）は列電極42への印加波
形を示している。第１図（ａ）において、行電極41aの
電位は保持期間にはVaに保たれ選択期間においてVa＋Vo
pに立ち上がる。第１図（ｂ）では、行電極41bは保持期
間にVbの電位、選択期間にVb−Ｖ′opの電位となる。従
って、一対の非線形抵抗素子44aと44bの両端（第４図
（ａ）に示す（ハ），（ニ）間）にかかる電圧は保持期
間がVa−Vb、選択期間がVop＋Ｖ′op＋Va−Vbとなる。
このとき、非線形抵抗素子がスイッチとして有効に働く
ためには、|Va−Vb|が小さく、|Vop＋Ｖ′op＋Va−Vb|
が大きいことが重要で、通常のパネルで階調表示を行う
場合には、非線形抵抗素子の抵抗が保持期間には１×10
12Ω以上、選択期間には１×109Ω以下となるよう設定
することが望ましい。また、一対の非線形抵抗素子44a
と44bは極めて近傍に配置されているため、その特性は
ほぼ同一であると考えてよく、画素電極442の電位は保
持期間には（Va＋Vb）/2、選択期間には（Va＋Vb＋Vop
−Ｖ′op）/2をそれぞれ中心として動くことになる。表
示する情報は画素電極442と列電極42との電位差によっ
て決まり、その調整は列電極42を用いて行う。従って、
選択期間と保持期間で画素電極442の基準電位は安定し
ていることが望ましいので|Vop−Ｖ′op|が小さいこと
が重要である。以上のことから、行電極印加波形とし
て、理想的にはVa＝Vb,Vop＝Ｖ′opとすることが望まし
い。（以下はVa＝Vb,Vop＝Ｖ′opとして考える。） 第１図（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）は一本の列電
極に添って並ぶすべての画素に書き込むべきデータのパ
ターンごとに列電極への印加波形を示したもので、第１
図（ｃ）はすべての画素が選択の場合、第１図（ｄ）は
すべての画素が非選択の場合、第１図（ｅ）は一つの画
素が選択で残りのすべての画素が非選択の場合、第１図
（ｆ）は一つの画素が非選択で残りのすべての画素が選
択の場合を示している。
１図は本発明の実施例を説明する駆動波形図であり、第
１図（ａ）は第１の行電極41aへの印加波形、第１図
（ｂ）は第２の行電極41bへの印加波形、第１図
（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）は列電極42への印加波
形を示している。第１図（ａ）において、行電極41aの
電位は保持期間にはVaに保たれ選択期間においてVa＋Vo
pに立ち上がる。第１図（ｂ）では、行電極41bは保持期
間にVbの電位、選択期間にVb−Ｖ′opの電位となる。従
って、一対の非線形抵抗素子44aと44bの両端（第４図
（ａ）に示す（ハ），（ニ）間）にかかる電圧は保持期
間がVa−Vb、選択期間がVop＋Ｖ′op＋Va−Vbとなる。
このとき、非線形抵抗素子がスイッチとして有効に働く
ためには、|Va−Vb|が小さく、|Vop＋Ｖ′op＋Va−Vb|
が大きいことが重要で、通常のパネルで階調表示を行う
場合には、非線形抵抗素子の抵抗が保持期間には１×10
12Ω以上、選択期間には１×109Ω以下となるよう設定
することが望ましい。また、一対の非線形抵抗素子44a
と44bは極めて近傍に配置されているため、その特性は
ほぼ同一であると考えてよく、画素電極442の電位は保
持期間には（Va＋Vb）/2、選択期間には（Va＋Vb＋Vop
−Ｖ′op）/2をそれぞれ中心として動くことになる。表
示する情報は画素電極442と列電極42との電位差によっ
て決まり、その調整は列電極42を用いて行う。従って、
選択期間と保持期間で画素電極442の基準電位は安定し
ていることが望ましいので|Vop−Ｖ′op|が小さいこと
が重要である。以上のことから、行電極印加波形とし
て、理想的にはVa＝Vb,Vop＝Ｖ′opとすることが望まし
い。（以下はVa＝Vb,Vop＝Ｖ′opとして考える。） 第１図（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）は一本の列電
極に添って並ぶすべての画素に書き込むべきデータのパ
ターンごとに列電極への印加波形を示したもので、第１
図（ｃ）はすべての画素が選択の場合、第１図（ｄ）は
すべての画素が非選択の場合、第１図（ｅ）は一つの画
素が選択で残りのすべての画素が非選択の場合、第１図
（ｆ）は一つの画素が非選択で残りのすべての画素が選
択の場合を示している。
ここで、Vc＝（Va＋Vb＋Vop−Ｖ′op）/2＝Vaと設定
すれば、選択期間に非線形抵抗素子が低抵抗となったと
きに電気光学材料43にかかる電圧は画素が選択の場合は
VON、非選択の場合はVOFFとなる。また、一周期ごとに
データの反転を行っているのは電気光学材料43が液晶な
どの場合に、DCバイアスがかかって、特性の劣化が起こ
らないようにするためである。こうして、選択期間に画
素電極442に充電された電荷が保持期間に充分保持され
るためには、その間に非線形抵抗素子44a,44bが高抵抗
（１×1012Ω以上）に保たれなければならない。列電極
42の電位は±（VON−VOFF）の範囲で変わり得るので、
片側の非線形抵抗素子44aにはVa−（Va＋Vb）/2＝０を
中心として、±（VON−VOFF）の電圧が加わる。
すれば、選択期間に非線形抵抗素子が低抵抗となったと
きに電気光学材料43にかかる電圧は画素が選択の場合は
VON、非選択の場合はVOFFとなる。また、一周期ごとに
データの反転を行っているのは電気光学材料43が液晶な
どの場合に、DCバイアスがかかって、特性の劣化が起こ
らないようにするためである。こうして、選択期間に画
素電極442に充電された電荷が保持期間に充分保持され
るためには、その間に非線形抵抗素子44a,44bが高抵抗
（１×1012Ω以上）に保たれなければならない。列電極
42の電位は±（VON−VOFF）の範囲で変わり得るので、
片側の非線形抵抗素子44aにはVa−（Va＋Vb）/2＝０を
中心として、±（VON−VOFF）の電圧が加わる。
液晶表示パネルではVON−VOFFは液晶の飽和電圧と、
しきい値電圧の差と同程度（1V位）にすぎないので、非
線形抵抗素子は充分高抵抗素子として動作することがで
きる。従って、選択期間に蓄えられた電荷は保持期間に
おいて、列電極42の電位がどう変化しても容易に放電さ
れることはなく、電気光学材料43にかかる実効電圧は選
択期間の列電極42のデータによってほぼ決定される。そ
して、このことはこのパネルの動作が非線形抵抗素子の
特性にそれほど従属しないことになる。なぜなら、非線
形抵抗素子は電荷の注入と保持が行えればよいので、Vo
pを充分大きく設定すれば、素子の特性にばらつきや経
時変化があっても、スイッチとして充分な動作が可能と
なるからである。
しきい値電圧の差と同程度（1V位）にすぎないので、非
線形抵抗素子は充分高抵抗素子として動作することがで
きる。従って、選択期間に蓄えられた電荷は保持期間に
おいて、列電極42の電位がどう変化しても容易に放電さ
れることはなく、電気光学材料43にかかる実効電圧は選
択期間の列電極42のデータによってほぼ決定される。そ
して、このことはこのパネルの動作が非線形抵抗素子の
特性にそれほど従属しないことになる。なぜなら、非線
形抵抗素子は電荷の注入と保持が行えればよいので、Vo
pを充分大きく設定すれば、素子の特性にばらつきや経
時変化があっても、スイッチとして充分な動作が可能と
なるからである。
以上説明したように、本発明の駆動方法は、一対の行
電極を用いて非線形抵抗素子の抵抗を制御し、非線形抵
抗素子に高いスイッチ機能を持たせた上で、列電極によ
ってデータを書き込むという駆動方法であるため、各画
素につき細かい調整を安定して行うことが可能となり、
階調表示に適している。実際に、非線形抵抗素子の特性
に±20％程度のばらつきがあっても、液晶層にかかる実
効電圧をあらゆる表示パターンに対して、所望する値の
±0.1V以内に設定できることが確認されている。
電極を用いて非線形抵抗素子の抵抗を制御し、非線形抵
抗素子に高いスイッチ機能を持たせた上で、列電極によ
ってデータを書き込むという駆動方法であるため、各画
素につき細かい調整を安定して行うことが可能となり、
階調表示に適している。実際に、非線形抵抗素子の特性
に±20％程度のばらつきがあっても、液晶層にかかる実
効電圧をあらゆる表示パターンに対して、所望する値の
±0.1V以内に設定できることが確認されている。
第１図は本発明の電気光学装置の駆動方法の実施例を説
明する波形図、第１図（ａ）は第１の行あるいは列電極
への印加波形を示す図、第１図（ｂ）は第２の行あるい
は列電極への印加波形を示す図、第１図（ｃ）はすべて
の画素が選択である時の列あるいは行電極への印加波形
を示す図、第１図（ｄ）はすべての画素が非選択である
時の列あるいは行電極への印加波形を示す図、第１図
（ｅ）は特定の一画素が選択で残りのすべての画素が非
選択である時の列あるいは行電極への印加波形を示す
図、第１図（ｆ）は特定の一画素が非選択で、残りのす
べての画素が選択である時の列あるいは行電極への印加
波形を示す図、第２図は従来の電圧平均化法の駆動波形
を示す図、第２図（ａ）は行あるいは列電極への印加波
形を示す図、第２図（ｂ）は列あるいは行電極への印加
波形を示す図、第２図（ｃ）は交差部の波形を示す図、
第３図（ａ）は従来の電気光学装置のX-Yマトリックス
パネル回路図、第３図（ｂ）は従来の電気光学装置の構
造を示す断面図、第４図（ａ）は本発明の電気光学装置
のX-Yマトリックスパネル回路図、第４図（ｂ）は本発
明の電気光学装置の構造を示す断面図である。 A,A′……対向基板 B,B′……基板 31,41,41a,41b……行電極 32,42……列電極 33,43……電気光学材料（液晶） 34,44a,44b……非線形抵抗素子 342,442……画素電極 341,441a,441b……非線形抵抗層
明する波形図、第１図（ａ）は第１の行あるいは列電極
への印加波形を示す図、第１図（ｂ）は第２の行あるい
は列電極への印加波形を示す図、第１図（ｃ）はすべて
の画素が選択である時の列あるいは行電極への印加波形
を示す図、第１図（ｄ）はすべての画素が非選択である
時の列あるいは行電極への印加波形を示す図、第１図
（ｅ）は特定の一画素が選択で残りのすべての画素が非
選択である時の列あるいは行電極への印加波形を示す
図、第１図（ｆ）は特定の一画素が非選択で、残りのす
べての画素が選択である時の列あるいは行電極への印加
波形を示す図、第２図は従来の電圧平均化法の駆動波形
を示す図、第２図（ａ）は行あるいは列電極への印加波
形を示す図、第２図（ｂ）は列あるいは行電極への印加
波形を示す図、第２図（ｃ）は交差部の波形を示す図、
第３図（ａ）は従来の電気光学装置のX-Yマトリックス
パネル回路図、第３図（ｂ）は従来の電気光学装置の構
造を示す断面図、第４図（ａ）は本発明の電気光学装置
のX-Yマトリックスパネル回路図、第４図（ｂ）は本発
明の電気光学装置の構造を示す断面図である。 A,A′……対向基板 B,B′……基板 31,41,41a,41b……行電極 32,42……列電極 33,43……電気光学材料（液晶） 34,44a,44b……非線形抵抗素子 342,442……画素電極 341,441a,441b……非線形抵抗層
Claims (2)
- 【請求項１】２枚の対向する基板と該基板間に挟持され
た電気光学効果を有する材料、一方の基板に形成した多
数の行電極群と他方の基板に形成した多数の列電極群、
少なくとも一方の基板にマトリックス状に配置された画
素電極群と前記画素電極群の各電極毎に複数個ずつ設け
られた非線形抵抗素子からなり、前記各画素電極はそれ
ぞれ第１の非線形抵抗素子を介して第１の行電極に、第
２の非線形抵抗素子を介して第２の行電極に接続され、
前記多数の行電極群は、前記第１と第２の行電極をペア
ーとして走査されるものであり、 前記第１と第２の行電極の選択期間において、前記第１
と第２の行電極間に大きな電位差を与えて、前記第１と
第２の非線形抵抗素子を十分低い抵抗値として、前記列
電極から前記電気光学効果を有する材料にデータを書き
込み、 前記第１と第２の行電極の非選択期間において、前記第
１と第２の行電極間に小さな電位差を与えて、前記第１
と第２の非線形抵抗素子を、前記書き込まれたデータを
保持するのに十分高い抵抗値とすることを特徴とする電
気光学装置の駆動方法。 - 【請求項２】前記第１と第２の行電極に与えられる電位
の和の平均値は、常に一定か、一定に近い値に保たれる
ことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の駆動方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8040990A JP2626923B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 電気光学装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8040990A JP2626923B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 電気光学装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03279926A JPH03279926A (ja) | 1991-12-11 |
| JP2626923B2 true JP2626923B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=13717496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8040990A Expired - Fee Related JP2626923B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 電気光学装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626923B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5153415A (ja) * | 1974-11-06 | 1976-05-11 | Hitachi Ltd | Ekishohyojisochi |
| JPS57210385A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-23 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display |
| JPS6290624A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Asahi Glass Co Ltd | 画像表示装置 |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP8040990A patent/JP2626923B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03279926A (ja) | 1991-12-11 |
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