JP2625712B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2625712B2 JP2625712B2 JP62071230A JP7123087A JP2625712B2 JP 2625712 B2 JP2625712 B2 JP 2625712B2 JP 62071230 A JP62071230 A JP 62071230A JP 7123087 A JP7123087 A JP 7123087A JP 2625712 B2 JP2625712 B2 JP 2625712B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- receiving portion
- reflectance
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、受光部と非受光部とを有する半導体装置に
関するものである。
関するものである。
本発明は、上記の様な半導体装置において、アルミニ
ウムを主成分とする第１の膜と、窒素とチタンと酸素と
を主成分とし前記第１の膜上に積層されている第２の膜
とを含む遮光膜で非受光部を覆うことによって、高い製
造歩留とSN比の高い受光信号とを得ることができる様に
したものである。
ウムを主成分とする第１の膜と、窒素とチタンと酸素と
を主成分とし前記第１の膜上に積層されている第２の膜
とを含む遮光膜で非受光部を覆うことによって、高い製
造歩留とSN比の高い受光信号とを得ることができる様に
したものである。
CCD等の様に受光部と非受光部とを有する半導体装置
では、SN比の高い受光信号を得るために、非受光部へ光
を入射させず且つ受光部へも非受光部で反射された光を
入射させない様に、非受光部に遮光膜が設けられてい
る。
では、SN比の高い受光信号を得るために、非受光部へ光
を入射させず且つ受光部へも非受光部で反射された光を
入射させない様に、非受光部に遮光膜が設けられてい
る。
この様な遮光膜の一例として、Al系膜上にａ−Si膜を
形成した二層膜が従来から用いられている。純粋Al膜、
数原子％のSiを含むAl−Si膜、或いはAl−Si−Cu膜等の
Al系膜は、数1000Å以上の膜厚の場合、赤外から紫外ま
での広い波長帯域で光の透過率が低い。
形成した二層膜が従来から用いられている。純粋Al膜、
数原子％のSiを含むAl−Si膜、或いはAl−Si−Cu膜等の
Al系膜は、数1000Å以上の膜厚の場合、赤外から紫外ま
での広い波長帯域で光の透過率が低い。
しかしAl系膜のみでは光の反射率が高く、Al系膜のパ
ターニングのためのフォトリソグラフィ工程において、
フォトレジスト層にハレーションが発生する。このため
に、Al系膜にパターン崩れが生じ、製造歩留が低くな
る。
ターニングのためのフォトリソグラフィ工程において、
フォトレジスト層にハレーションが発生する。このため
に、Al系膜にパターン崩れが生じ、製造歩留が低くな
る。
しかも、Al系膜で反射された光が非受光部へ入射し、
SN比の高い受光信号を得ることができない。そこで、上
述の様な二層膜を遮光膜として用いて、光の反射率をも
低くしている。
SN比の高い受光信号を得ることができない。そこで、上
述の様な二層膜を遮光膜として用いて、光の反射率をも
低くしている。
ところが上述の様な二層膜の場合、400〜450℃程度の
比較的低温のフォーミングアニールでも、ａ−SiとAlと
が反応して、二層膜の光の反射率が高くなってしまう。
比較的低温のフォーミングアニールでも、ａ−SiとAlと
が反応して、二層膜の光の反射率が高くなってしまう。
第２図中の破線は、フォーミングアニール後における
厚さ8000ÅのAl膜と厚さ940Åのａ−Si膜との二層膜
の、可視光に対する反射率を示している。このデータか
らも明らかな様に、反射率が十分には低くない。
厚さ8000ÅのAl膜と厚さ940Åのａ−Si膜との二層膜
の、可視光に対する反射率を示している。このデータか
らも明らかな様に、反射率が十分には低くない。
従って、この様な二層膜を用いた半導体装置では、高
い製造歩留とSN比の高い受光信号とを必ずしも得ること
ができない。
い製造歩留とSN比の高い受光信号とを必ずしも得ること
ができない。
なお、ａ−SiとAlとの反応を抑制するための膜をAl膜
とａ−Si膜との間に挾むことも考えられる。しかしその
場合は、工程数が多くなって、製造コストが増大する。
とａ−Si膜との間に挾むことも考えられる。しかしその
場合は、工程数が多くなって、製造コストが増大する。
本発明による半導体装置は、受光部と非受光部とを有
し、アルミニウムを主成分とする第１の膜11と、窒素と
チタンと酸素とを主成分とし前記第１の膜11上に積層さ
れている第２の膜12とを含む遮光膜13が、前記非受光部
を覆っている。
し、アルミニウムを主成分とする第１の膜11と、窒素と
チタンと酸素とを主成分とし前記第１の膜11上に積層さ
れている第２の膜12とを含む遮光膜13が、前記非受光部
を覆っている。
本発明による半導体装置では、アルミニウムを主成分
とする第１の膜11と、窒素とチタンと酸素とを主成分と
し第１の膜11上に積層されている第２の膜12とを、遮光
膜13が含んでおり、第１の膜11は光の反射率が高いが第
２の膜12は反射率が低い。しかも、第２の膜12のお窒素
の組成を選択することによって遮光膜13の反射率を更に
低い値にまで制御することができ、そのために遮光膜13
を薄くすることも可能である。従って、フォトリソグラ
フィで遮光膜13をパターニングする様にしても、ハレー
ションの発生によるパターン崩れが抑制される。
とする第１の膜11と、窒素とチタンと酸素とを主成分と
し第１の膜11上に積層されている第２の膜12とを、遮光
膜13が含んでおり、第１の膜11は光の反射率が高いが第
２の膜12は反射率が低い。しかも、第２の膜12のお窒素
の組成を選択することによって遮光膜13の反射率を更に
低い値にまで制御することができ、そのために遮光膜13
を薄くすることも可能である。従って、フォトリソグラ
フィで遮光膜13をパターニングする様にしても、ハレー
ションの発生によるパターン崩れが抑制される。
また、第１の膜11は光の透過率が低く、第２の膜12は
反射率が低く、形成時に熱処理を受けても第１の膜11と
第２の膜12とが反応しなくて遮光膜13全体の反射率が高
くなることもない。しかし、第２の膜12中の窒素の組成
を選択することによって遮光膜13の反射率を更に低い値
にまで制御することができる。そして、この様な遮光膜
13が非受光部を覆っているので、この非受光部で反射さ
れて受光部へノイズとして入射する光の量が少ない。
反射率が低く、形成時に熱処理を受けても第１の膜11と
第２の膜12とが反応しなくて遮光膜13全体の反射率が高
くなることもない。しかし、第２の膜12中の窒素の組成
を選択することによって遮光膜13の反射率を更に低い値
にまで制御することができる。そして、この様な遮光膜
13が非受光部を覆っているので、この非受光部で反射さ
れて受光部へノイズとして入射する光の量が少ない。
以下、CCDに適用した本発明の一実施例を第１図及び
第２図を参照しながら説明する。
第２図を参照しながら説明する。
本実施例のCCDでは、第１図に示す様に、厚さ1.0μｍ
のAl−Si膜11と厚さ80nmのTiNXOy膜12との二層膜13が、
半導体基板14のうちの非受光部を覆う様にパターニング
されている。
のAl−Si膜11と厚さ80nmのTiNXOy膜12との二層膜13が、
半導体基板14のうちの非受光部を覆う様にパターニング
されている。
TiNXOy膜12は、ArにN2及びO2を加えた雰囲気中、Arに
N2を加えた雰囲気中またはN2にO2を加えた雰囲気中にお
けるTiのスパッタリングによって形成されている。この
ときのArの圧力は２〜10mTorr程度、N2の圧力は0.5〜10
mTorr程度、O2の分圧は１×10-6〜１×10-4Torr程度で
ある。TiNxOy膜12の厚さは、10〜300nm程度であっても
よい。
N2を加えた雰囲気中またはN2にO2を加えた雰囲気中にお
けるTiのスパッタリングによって形成されている。この
ときのArの圧力は２〜10mTorr程度、N2の圧力は0.5〜10
mTorr程度、O2の分圧は１×10-6〜１×10-4Torr程度で
ある。TiNxOy膜12の厚さは、10〜300nm程度であっても
よい。
またTiNxOy膜12は、上述の様なスパッタリングによる
直接形成の他に、Tiの窒化及び酸化によっても形成する
ことができる。更にまたTiNxOy膜12は、Al−Si膜11の形
成に引き続いて連続的に形成することもできる。
直接形成の他に、Tiの窒化及び酸化によっても形成する
ことができる。更にまたTiNxOy膜12は、Al−Si膜11の形
成に引き続いて連続的に形成することもできる。
第２図中の実線は、二層膜13の可視光に対する反射率
を示している。TiNxOy膜12はフォーミングアニールによ
ってもAl−Si膜11と反応せず、このデータからも明らか
な様に、二層膜13の反射率は破線で示されている従来の
二層膜の反射率よりも低い。
を示している。TiNxOy膜12はフォーミングアニールによ
ってもAl−Si膜11と反応せず、このデータからも明らか
な様に、二層膜13の反射率は破線で示されている従来の
二層膜の反射率よりも低い。
なお二層膜13の反射率は、TiNxOy膜12のｘの値を適当
に選択することによって、10〜50％程度の範囲で制御可
能である。
に選択することによって、10〜50％程度の範囲で制御可
能である。
二層膜13のパターニングは、通常のフォトリソグラフ
ィ及びエッチングによって行われている。このエッチン
グに際してドライエッチングを用いれば、異方性エッチ
ングを行うことができる。
ィ及びエッチングによって行われている。このエッチン
グに際してドライエッチングを用いれば、異方性エッチ
ングを行うことができる。
この様な本実施例のCCDでは、フォトリソグラフィで
二層膜13をパターニングする際に、フォトレジスト膜に
ハレーションが発生することによる二層膜13のパターン
崩れが少ない。
二層膜13をパターニングする際に、フォトレジスト膜に
ハレーションが発生することによる二層膜13のパターン
崩れが少ない。
また、CCDの非受光部へ光が入射するのを防止するた
めに光の透過率が低いAl−Si膜11を用いているにも拘ら
ず、このAl−Si膜11上に光の反射率の低いTiNxOy膜12が
形成されているので、非受光部で反射されて受光部へノ
イズとして入射する光の量も少ない。
めに光の透過率が低いAl−Si膜11を用いているにも拘ら
ず、このAl−Si膜11上に光の反射率の低いTiNxOy膜12が
形成されているので、非受光部で反射されて受光部へノ
イズとして入射する光の量も少ない。
本発明による半導体装置では、フォトリソグラフィで
遮光膜をパターニングする様にしてもハレーションの発
生によるパターン崩れが抑制されるので、高い製造歩留
を得ることができる。
遮光膜をパターニングする様にしてもハレーションの発
生によるパターン崩れが抑制されるので、高い製造歩留
を得ることができる。
また、非受光部で反射されて受光部へノイズとして入
射する光の量が少ないので、SN比の高い受光信号を得る
ことができる。
射する光の量が少ないので、SN比の高い受光信号を得る
ことができる。
第１図は本発明の一実施例の側断面図、第２図は本発明
の一従来例及び第１図に示した一実施例で用いられてい
る遮光膜の反射率を示すグラフである。 なお図面に用いた符号において、 11……Al−Si膜 12……TiNxOy膜 である。
の一従来例及び第１図に示した一実施例で用いられてい
る遮光膜の反射率を示すグラフである。 なお図面に用いた符号において、 11……Al−Si膜 12……TiNxOy膜 である。
Claims (1)
- 【請求項１】受光部と非受光部とを有し、 アルミニウムを主成分とする第１の膜と、窒素とチタン
と酸素とを主成分とし前記第１の膜上に積層されている
第２の膜とを含む遮光膜が、前記非受光部を覆っている
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071230A JP2625712B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071230A JP2625712B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237465A JPS63237465A (ja) | 1988-10-03 |
| JP2625712B2 true JP2625712B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=13454681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071230A Expired - Lifetime JP2625712B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625712B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2871831B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5480748A (en) * | 1992-10-21 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Protection of aluminum metallization against chemical attack during photoresist development |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842368A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 固体撮像素子 |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP62071230A patent/JP2625712B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63237465A (ja) | 1988-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3070513B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH08255752A (ja) | 反射防止被膜を有する半導体素子およびその製造方法 | |
| JP3677159B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| US6326601B1 (en) | Optical barrier | |
| JP2625712B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001060679A (ja) | 光学層を含む半導体イメージセンサ | |
| JP3079567B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0831582B2 (ja) | フオトセンサと信号処理回路を備えた半導体装置 | |
| JPH031873B2 (ja) | ||
| JP2570264B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04212459A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3018669B2 (ja) | 半導体センサ | |
| JPH11121728A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH03227063A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS5844867A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP3257245B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JP2630407B2 (ja) | 電荷結合素子 | |
| JPH0555130A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05121776A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0730101A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| JPH10135438A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US6133060A (en) | Method of protecting light sensitive regions of integrated circuits | |
| JPH10209433A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH02134993A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH0653470A (ja) | イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |