JP2624809B2 - ダブルゲートigbtのゲート駆動回路 - Google Patents

ダブルゲートigbtのゲート駆動回路

Info

Publication number
JP2624809B2
JP2624809B2 JP63306895A JP30689588A JP2624809B2 JP 2624809 B2 JP2624809 B2 JP 2624809B2 JP 63306895 A JP63306895 A JP 63306895A JP 30689588 A JP30689588 A JP 30689588A JP 2624809 B2 JP2624809 B2 JP 2624809B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
igbt
time
circuit
turned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63306895A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02155456A (ja
Inventor
千尋 岡土
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP63306895A priority Critical patent/JP2624809B2/ja
Publication of JPH02155456A publication Critical patent/JPH02155456A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2624809B2 publication Critical patent/JP2624809B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transisto
r)の駆動回路に係り、特にターンオフ時間を短縮する
に有利なダブルゲートIGBTのゲート駆動回路に関する。
(従来の技術) 従来の一般的なIGBTを第3図(a)に示す。このIGBT
はエミッタ(E)に対するゲート(G)の電圧VGEを正
電圧にすることによりコレクタ(C)とエミッタ(E)
間が導通してオンし、VGEを負又は零電圧にすることに
よりオフする。即ち第3図(b)のようにt1〜t3間でV
GEを正にすることによりIGBTはオンする。
ところで、IGBTは導電変調を利用している素子である
ので、ターンオフ速度を早くするとオン時の電圧降下が
増大する欠点がある。そこで第4図(a)に示すような
ダブルゲートIGBTが本出願人により提案(特願昭62−30
4635)されている。
このダブルゲートIGBTは、ターンオフの直前に、アノ
ードショート構造を形成するため、第2ゲート(G2)が
設けられている。すなわち、第4図(b)のようにター
ンオフさせる直前の時刻t2においてコレクタ(C)に対
する第2ゲート(G2)の電圧VG2Cを正にし、アノードシ
ョート構造とし、蓄積キャリアを速やかに消滅させ、時
刻t3において、第1ゲート(G1)とエミッタ(E)間電
圧VG1Eを零又は負にしてIGBTターンオフさせる。これに
よりIGBTの飽和電圧(電圧降下)を、低くして、しかも
ターンオフ速度の早い動作をさせることができる。t2
t3の時間は1〜2μs前後が適当とされている。なお、
時刻t1はIGBTのオンのタイミングであり、VG2Cは零又は
負にVG1Eは、正電圧にする必要がある。又IGBTがターン
オフした後はVG2Cを正に保つ必要は無く零電圧でもよ
い。
このようなダブルゲートIGBTを駆動する回路として、
第5図に示すように、第1ゲートの駆動回路と全く同じ
回路を第2ゲートに適用することが考えられる。
第5図の構成と動作を説明する。
IGBT駆動信号eを端子1に加え、非反転アンプ2の出
力V1により抵抗26を介して、フォトカプラ25の発行ダイ
オードに電流を流す。電圧V1は反転アンプ3を介して、
オフディレイ回路4の出力V2により抵抗6を介してフォ
トカプラ5の発光ダイオードに電流を流す。
フォトカプラ5を受光側トランジスタに電流が流れと
トランジスタ8がオン、トランジスタ10がオフ、トラン
ジスタ12がオフ、トランジスタ13がオフして、IGBT18の
第1ゲート(G1)とエミッタ(E)間に抵抗14を介して
正電源15の電圧が印加され、VG1Eは正となる。
フォトカプラ5の発光ダイオード部の電流が零になる
と、フォトカプラ5のトランジスタはオフし、トランジ
スタ8がオフ、トランジスタ10がオン、トランジスタ13
がオン、トランジスタ12がオフして、負電圧16の電圧が
抵抗14を介して印加されVG1Eは負になる。
第2ゲートの駆動回路は、第1ゲートの駆動回路と全
く同じように構成されている。
上記構成による作用を第6図のタイミング図を用いて
説明する。
駆動信号e、及びアンプ2の出力電圧V1が時刻t1
“0"から“1"に変化しオフディレイ回路4の出力V2は、
“1"から“0"に変化する。これによりフォトカプラ25は
オフ、フォトカプラ5はオンし、時刻t2において第1ゲ
ート電圧VG1Eは負から正に、第2ゲート電圧VG2Cは正か
ら負に変化し、IGBTはオン状態へ変化する。なお、t2
フォトカプラ、トランジスタ等の動作遅れ時間で定ま
り、一般に1〜2μsを必要とする。
次に、時刻t3においてeおよびV1が“1"から“0"に変
化すると、IGBTの第2ゲート電圧VG2Cは、動作遅れのた
め時刻t5において負から正に変化し、前述した、アノー
ドショートモードへ移行する。
一方、V2はオフディレイ回路4の遅れにより時刻t4
おいて、“0"から“1"に変化しフォトカプラ5をオフさ
せ、動作遅れのため時刻t6において、IGBTの第1ゲート
電圧VG1Eを正から負に変化させ、IGBTをターンオフさせ
る。
時刻t5とt6の遅れ時間を1〜2μs程度にすることに
より、ダブルゲートIGBTは、ターンオフの過程で、アノ
ードショートモードに移行した後、ターンオフモードに
なることから、スイッチング速度を早めることが出来
る。
(発明が解決しようとする課題) 上記従来の方法には2つの問題点がある。その1つ
は、第1ゲートの正、負電源(負電源は必ずしも必要で
はないが)と第2ゲートの正、負電源(負電源は必ずし
も必要ではないが)と絶縁した別電源を必要とし、回路
が複雑で高価となり経済的にも問題がある。
その2つ目は、第6図でも明らかなように、駆動信号
eは、時刻t3において、IGBTオフする信号を出している
にもかかわらず、わざわざ、タイムディレイ回路によ
り、1〜2μs程度遅れたV2の信号によりIGBTをオフさ
せようとしている。わずか1〜2μsの駆動遅れではあ
るが、IGBTの負荷が短絡した事故においては、5〜10μ
s以内にオフ信号を入れ、IGBTをオフさせないとIGBTを
保護出来ないことが知られていて、この場合の1〜2μ
sの事故検出回路の動作遅れも考えると、非常に重要な
時間遅れとなる。
以上説明したように、従来の技術で問題となってい
た、回路の複雑さと経済性の問題を解決すると同時に、
ターンオフ時間の遅れを短縮することを目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) ダブルゲートIGBTのターンオフ時、ワンショット回路
により数μsの幅の狭いパルスをパルストランスを介し
て、動作遅れの極めて小さい信号をIGBTの第2ゲートに
加えると同時にフォトカプラ、トランジスタ等の動作遅
れを持つ素子そのものの遅れ動作を作用して、第1ゲー
トにオフ信号を加えるように構成する。
(作用) パルストランスやトランジスタのオン動作は動作遅れ
が極めて短いことと、第2ゲートにはターンオフ時2〜
3μs程度の短いパルスを加え、アノードショートモー
ドへ移行すればターンオフを早く出来ることから、ター
ンオフ信号によりワンショット回路を介してパルストラ
ンスを駆動してIGBTの第2ゲート正電圧を加え、IGBTの
第1ゲートは、ゲート駆動回路の自然の遅れをそのまま
利用することにより高速で経済的な、ダブルゲートIGBT
の駆動回路を実現する。
(実施例) 本発明の実施例を第1図に示す。第5図と同一部分
は、同一番号を器したので説明は省略する。
駆動信号eは端子1に加えられ非反転アンプ2により
出力V1を得る。V1によりワンショット回路19はワンショ
ットパルスV2を発生し抵抗40を介してトランジスタ41を
駆動し、直流電源42の電圧をパルストランス43に印加す
る。ダイオード44とゼナーダイオード45を逆極性にし
て、パルストランス43の一次側に接続し、パルストラン
スのリセット電圧を発生させる。
パルストランスの2次側は、トランジスタ41がオンし
た時、第2ゲートG2が正となる様な極性で抵抗47を介し
て第2ゲート(G2)とコレクタ(C)間に接続する。抵
抗46はパルストランス46に並列に接続し、第2ゲートと
コレクタ間に誘導で発生した電力を供給する目的で接続
してある。
上記実施例の作用を第2図に従って説明する。時刻t1
において、駆動信号e及びアンプ2の出力V1が、IGBT18
をオンすべき信号となった時、ワンショット回路19は出
力は出さない回路となっているので、トランジスタ41は
オンせず、第2ゲートG2には電圧は印加されずVG2Cは零
の状態を続ける。
一方アンプ3の出力V3は“1"から“0"に反転し、フォ
トカプラ5の発光ダイオード部に電流が流れるが、フォ
トカプラや、増幅回路のトランジスタ8,10,13の動作遅
れのため、時刻t2において、第2ゲートにはVG1Eなる正
電圧が印加され、IGBTはオンして低い飽和電圧となる。
次に、時刻t3において、電圧e,V1が“1"から“0"に反
転すると、ワンショット回路19はV2に示すような数μs
のワンショット信号を発生しトランジスタ41をオンする
ので、パルストランス43を介して、IGBTの第2ゲートに
はVG2Cなる正の電圧が印加され、ダブルゲートIGBTはア
ノードモードに移り、蓄積キャリアは速やかに減少す
る。
V2とVG2C電圧波形には、ほとんど遅れがない。これは
トランジスタ41のオン時間は極めて早く、パルストラン
スの遅れもほとんどないためである。
時刻t4において、フォトカプラ5、トランジスタ8,1
2,13の動作遅れのためV3信号より1〜2μs程度遅れ
て、第1ゲート信号VG1Eが正より負に反転し、ダブルゲ
ートIGBTは速やかにターンオフする。
VG2Cは時刻t5において負に反転するが、この時刻には
IGBTはターンオフしているのでアノードショートモード
が解消しても何ら影響はない。
時刻t6においてパルストランスの鉄心はリセットされ
ているので次のパルスを受けられる状態となっている。
なお、第1ゲートと第2ゲートの遅れ時間が自然の遅
れで充分でない時は、反転増幅器3の後はオフディレイ
回路を追加してもよい。
また、第1ゲートにパルストランスを2個使い、交互
にオン、オフして連続パルスを供給し、オフ時にIGBTの
ゲートをトランジスタを使い短絡する回路にも応用出来
ることは説明するまでもない。
また、フォトカプラを使用した第1ゲート回路は、太
陽電池を利用した回路に置換えることも可能である。
なお、第1,第2ゲート共、負のバイアス負圧を加える
必要はない。
〔発明の効果〕
以上説明の如く、本発明によればダブルゲートの第2
ゲートには動作遅れがほとんどないパルストランス方式
で、狭いオフパルスを加え、第1ゲートには、オフ時、
フォトカプラや増幅用トランジスタの素子自体の遅れを
利用することにより、ターンオフ時間の短い、簡単で経
済的なダブルゲートIGBTのゲート駆動回路を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例図、第2図は本発明の動作を
説明するためのタイミング図、第3図は従来のIGBTの説
明図、第4図はダブルゲートIGBTの説明図、第5図は従
来のゲート駆動回路図、第6図は第5図の回路の動作を
説明するためのタイミング図である。 1……駆動信号、2……非反転増幅器 3……反転増幅器、4……オフディレイ 5,25……フォトカプラ 8,10,12,13……トランジスタ 6,7,9,11,14……抵抗 15……正電源、16……負電源 18……ダブルゲートIGBT 19……ワンショット回路、40……抵抗 41……トランジスタ、42……直流電源 43……パルストランス、44……ダイオード 45……ゼナーダイオード、46,47……抵抗

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】エミッタ側の第1ゲートとコレクタ側の第
    2ゲートを有するダブルゲートIGBT(Insulated Gate B
    ipolar Transistor)をターンオフさせる際に、第2ゲ
    ートにパルストランスによりパルス状の信号を加えた後
    に第1ゲートにターンオフ信号を加えることを特徴とす
    るダブルゲートIGBTのゲート駆動回路。
JP63306895A 1988-12-06 1988-12-06 ダブルゲートigbtのゲート駆動回路 Expired - Lifetime JP2624809B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63306895A JP2624809B2 (ja) 1988-12-06 1988-12-06 ダブルゲートigbtのゲート駆動回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63306895A JP2624809B2 (ja) 1988-12-06 1988-12-06 ダブルゲートigbtのゲート駆動回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02155456A JPH02155456A (ja) 1990-06-14
JP2624809B2 true JP2624809B2 (ja) 1997-06-25

Family

ID=17962552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63306895A Expired - Lifetime JP2624809B2 (ja) 1988-12-06 1988-12-06 ダブルゲートigbtのゲート駆動回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2624809B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3070360B2 (ja) * 1993-10-28 2000-07-31 富士電機株式会社 ダブルゲ−ト型半導体装置の制御装置
JP4755915B2 (ja) * 2006-02-21 2011-08-24 東芝キヤリア株式会社 インバータ装置
US9397568B2 (en) 2014-01-31 2016-07-19 Renesas Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit device and power supply system
JP7002431B2 (ja) * 2018-10-09 2022-01-20 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2024013779A1 (ja) * 2022-07-11 2024-01-18 三菱電機株式会社 半導体駆動装置及び電力変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02155456A (ja) 1990-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4758941A (en) MOSFET fullbridge switching regulator having transformer coupled MOSFET drive circuit
US5168182A (en) 0-100% duty cycle, transformer isolated fet driver
US3986052A (en) Power switching control circuit with enhanced turn-off drive
JP2624809B2 (ja) ダブルゲートigbtのゲート駆動回路
US4236196A (en) Switching regulator
US20100237053A1 (en) Modified phase shifted gate drive
US4605865A (en) Input drive apparatus for power transistor
US4066916A (en) Transistor drive circuits
JPS5818689A (ja) 少くとも一個の発光ダイオ−ドの制御回路
JPS62140512A (ja) Mosfetの駆動回路
JPH04157918A (ja) スイッチング装置
JPH0629161U (ja) レーザダイオード駆動回路
JPH05243947A (ja) Gtoサイリスタゲート駆動回路
KR940005059Y1 (ko) 인버터 베이스 드라이브 회로
JPS6049377B2 (ja) ドライブ回路
SU819943A1 (ru) Формирователь знакочередующих импуль-COB
JPS5881332A (ja) 双方向スイツチ回路
JP2962072B2 (ja) ブリッジ型インバータ回路
JPH064104A (ja) 誘導性負荷の駆動回路
JPS6240116B2 (ja)
KR890006523Y1 (ko) 펄스폭 변조신호 전달회로
JPH02121408A (ja) トランジスタ駆動回路
JPS5918861Y2 (ja) 相補型fetチョッパ駆動回路
JPH05315917A (ja) Igbtのゲート駆動方法
JP4768144B2 (ja) スイッチングmos−fetドライブ回路