JP2615887B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JP2615887B2 JP2615887B2 JP63190878A JP19087888A JP2615887B2 JP 2615887 B2 JP2615887 B2 JP 2615887B2 JP 63190878 A JP63190878 A JP 63190878A JP 19087888 A JP19087888 A JP 19087888A JP 2615887 B2 JP2615887 B2 JP 2615887B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は多結晶シリコン歪ゲージを用いた半導体圧
力センサに関するものである。
力センサに関するものである。
［従来技術及び課題］ 従来から単結晶シリコン歪ゲージを用いた半導体圧力
センサが使用されている。同センサにおいては、その歪
みゲージが平面応力の主軸方向に配置され、その応力印
加時の抵抗変化率ΔR/Rは ただし、 R;応力が印加されていない場合の抵抗値 ΔR;応力による抵抗値の変化量 πl;縦方向（電流印加方向）ピエゾ抵抗係数 πt;横方向ピエゾ抵抗係数 σl;歪ゲージ縦方向応力 σt;歪ゲージ横方向応力 で表わされる。
センサが使用されている。同センサにおいては、その歪
みゲージが平面応力の主軸方向に配置され、その応力印
加時の抵抗変化率ΔR/Rは ただし、 R;応力が印加されていない場合の抵抗値 ΔR;応力による抵抗値の変化量 πl;縦方向（電流印加方向）ピエゾ抵抗係数 πt;横方向ピエゾ抵抗係数 σl;歪ゲージ縦方向応力 σt;歪ゲージ横方向応力 で表わされる。
一方、低消費電力用圧力センサ、高温度用圧力センサ
として多結晶シリコン歪ゲージを用いた半導体圧力セン
サが使用されている。当該センサにおいては、横方向ピ
エゾ抵抗係数πｔは縦方向ピエゾ抵抗係数πｌと符号が
反対で、その大きさは縦方向ピエゾ抵抗係数πｌの1/3
〜1/2程度である。又、通常、歪ゲージは４個１組にし
てホイートストンブリッジを構成し、出力がプッシュプ
ルとなるように抵抗が増加するものと減少するものを２
つづつ組合せその一方をダイヤフラムの中央部に他方は
ダイヤフラム周辺部に配置し、歪ゲージ縦方向応力σｌ
が正（引張り応力）と負（圧縮応力）となるものを用意
していた。しかしながら、ダイヤフラム中央部ではσｔ
＝σｌであるため、上記（１）式の第２項は常に抵抗の
変化率ΔR/R、即ちセンサの出力電圧を下げるように働
いていた。
として多結晶シリコン歪ゲージを用いた半導体圧力セン
サが使用されている。当該センサにおいては、横方向ピ
エゾ抵抗係数πｔは縦方向ピエゾ抵抗係数πｌと符号が
反対で、その大きさは縦方向ピエゾ抵抗係数πｌの1/3
〜1/2程度である。又、通常、歪ゲージは４個１組にし
てホイートストンブリッジを構成し、出力がプッシュプ
ルとなるように抵抗が増加するものと減少するものを２
つづつ組合せその一方をダイヤフラムの中央部に他方は
ダイヤフラム周辺部に配置し、歪ゲージ縦方向応力σｌ
が正（引張り応力）と負（圧縮応力）となるものを用意
していた。しかしながら、ダイヤフラム中央部ではσｔ
＝σｌであるため、上記（１）式の第２項は常に抵抗の
変化率ΔR/R、即ちセンサの出力電圧を下げるように働
いていた。
この発明の目的は、ダイヤフラム中央部でも横方向
（電流印加直交方向）の悪影響を抑制してセンサ出力を
向上させることができる多結晶シリコン歪ゲージを用い
た半導体圧力センサを提供することにある。
（電流印加直交方向）の悪影響を抑制してセンサ出力を
向上させることができる多結晶シリコン歪ゲージを用い
た半導体圧力センサを提供することにある。
［課題を解決するための手段］ この発明は、基板に形成された薄肉のダイヤフラム
と、前記ダイヤフラム上に配置された多結晶シリコン歪
ゲージとを備えた半導体圧力センサにおいて、前記ダイ
ヤフラムの形状を、縦の長さと横の長さの比が1.5以上
とした長方形とし、ダイヤフラム上に配置される少なく
とも１つの多結晶シリコン歪ゲージは、ダイヤフラムの
中央部において歪ゲージの長手方向がダイヤフラムの短
軸方向と平行に配置されている半導体圧力センサをその
要旨としている。
と、前記ダイヤフラム上に配置された多結晶シリコン歪
ゲージとを備えた半導体圧力センサにおいて、前記ダイ
ヤフラムの形状を、縦の長さと横の長さの比が1.5以上
とした長方形とし、ダイヤフラム上に配置される少なく
とも１つの多結晶シリコン歪ゲージは、ダイヤフラムの
中央部において歪ゲージの長手方向がダイヤフラムの短
軸方向と平行に配置されている半導体圧力センサをその
要旨としている。
［作用］ 縦の長さと横の長さの比が1.5以上としたダイヤフラ
ムを使用ることにより、ダイヤフラム中央部でも歪ゲー
ジ横方向応力σｔを歪ゲージ縦方向応力σｌに比べ小さ
くでき、上記（１）式の第２項による抵抗の変化率ΔR/
R低下、即ちセンサの出力電圧を下がるの抑制する。
ムを使用ることにより、ダイヤフラム中央部でも歪ゲー
ジ横方向応力σｔを歪ゲージ縦方向応力σｌに比べ小さ
くでき、上記（１）式の第２項による抵抗の変化率ΔR/
R低下、即ちセンサの出力電圧を下がるの抑制する。
又、長方形のダイヤフラムとしたことにより、中央部
の応力に異方性が備わったため、ダイヤフラム中央部に
配置した多結晶シリコン歪ゲージのように縦方向と横方
向の歪感度の符号が反対でお互いの大きさを無視できな
い歪ゲージでは、前記式（１）中、第２項の影響が少な
くなり、この結果、センサの出力電圧が上がり、すなわ
ち、実効感度が上げられる。
の応力に異方性が備わったため、ダイヤフラム中央部に
配置した多結晶シリコン歪ゲージのように縦方向と横方
向の歪感度の符号が反対でお互いの大きさを無視できな
い歪ゲージでは、前記式（１）中、第２項の影響が少な
くなり、この結果、センサの出力電圧が上がり、すなわ
ち、実効感度が上げられる。
［実施例］ 以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って
説明する。
説明する。
第１図は本実施例の半導体圧力センサの平面図を示
し、第２図は第１図のＡ−Ａ断面を示す。
し、第２図は第１図のＡ−Ａ断面を示す。
シリコン基板１は（110）又は（100）面の単結晶シリ
コン基板が使用される。尚、このシリコン基板１の導電
型はＰ型でもＮ型でもよく、又、抵抗率も任意に選ぶこ
とができる。
コン基板が使用される。尚、このシリコン基板１の導電
型はＰ型でもＮ型でもよく、又、抵抗率も任意に選ぶこ
とができる。
このシリコン基板１の中央部には薄肉のダイヤフラム
２が形成されている。そのダイヤフラム２は長方形をな
し、その短辺の長さａが1mmで長辺の長さｂが2mmとな
り、その厚さが0.1mmとなっている。このダイヤフラム
２（薄肉部）の形成は、シリコン基板１の裏面全面にシ
リコン窒化物（ｐ−SiN）を形成し、フォトリソグラフ
ィ、ドライエッチング法により長方形の開口部を形成
し、そのシリコン基板１開口部をKOH水溶液（33vol％,8
2℃）にて所望の深さまでエッチングすることにより行
なわれる。
２が形成されている。そのダイヤフラム２は長方形をな
し、その短辺の長さａが1mmで長辺の長さｂが2mmとな
り、その厚さが0.1mmとなっている。このダイヤフラム
２（薄肉部）の形成は、シリコン基板１の裏面全面にシ
リコン窒化物（ｐ−SiN）を形成し、フォトリソグラフ
ィ、ドライエッチング法により長方形の開口部を形成
し、そのシリコン基板１開口部をKOH水溶液（33vol％,8
2℃）にて所望の深さまでエッチングすることにより行
なわれる。
このとき、シリコン基板１に（110）面を用いる場合
はダイヤフラム２の長方形の短辺が＜110＞方向と平行
になるようにし、又、（100）面を用いる場合も長方形
の短辺が＜110＞方向と平行になるようにする。
はダイヤフラム２の長方形の短辺が＜110＞方向と平行
になるようにし、又、（100）面を用いる場合も長方形
の短辺が＜110＞方向と平行になるようにする。
シリコン基板１の上面における全面には厚さが約5000
Åのシリコン酸化膜（SiO2）３が形成され、当該膜３に
より後記多結晶シリコン歪ゲージ4,5をシリコン基板１
から絶縁する。このシリコン酸化膜３は約1000℃の水蒸
気中で熱酸化することにより形成される。
Åのシリコン酸化膜（SiO2）３が形成され、当該膜３に
より後記多結晶シリコン歪ゲージ4,5をシリコン基板１
から絶縁する。このシリコン酸化膜３は約1000℃の水蒸
気中で熱酸化することにより形成される。
前記ダイヤフラム２の中央部におけるシリコン酸化膜
３上には多結晶シリコン歪ゲージ４がゲージ長手方向が
ダイヤフラム２の短軸と平行になるように２つ配置され
るとともに、ダイヤフラム２の外周部におけるシリコン
酸化膜３上には多結晶シリコン歪ゲージ５がゲージ長手
方向がダイヤフラム２の短軸と平行になるように２つ配
置されている。この多結晶シリコン歪ゲージ4,5は前記
シリコン酸化膜３上にCVD法により多結晶シリコン膜を
形成した後にフォトリソグラフィ、ドライエッチング法
により所望の形状にパターンニングし、さらに、イオン
注入法によりボロンをドーピングることにより形成され
る。
３上には多結晶シリコン歪ゲージ４がゲージ長手方向が
ダイヤフラム２の短軸と平行になるように２つ配置され
るとともに、ダイヤフラム２の外周部におけるシリコン
酸化膜３上には多結晶シリコン歪ゲージ５がゲージ長手
方向がダイヤフラム２の短軸と平行になるように２つ配
置されている。この多結晶シリコン歪ゲージ4,5は前記
シリコン酸化膜３上にCVD法により多結晶シリコン膜を
形成した後にフォトリソグラフィ、ドライエッチング法
により所望の形状にパターンニングし、さらに、イオン
注入法によりボロンをドーピングることにより形成され
る。
又、各多結晶シリコン歪ゲージ4,5は多結晶ポリシリ
コンよりなる配線材料６を介してアルミ電極７が取出さ
れているとともに、各多結晶シリコン歪ゲージ4,5及び
配線材料６はPSG（リンガラス）膜８にて保護されてい
る。尚、第１図においてはPSG膜８の図示は省略した。
コンよりなる配線材料６を介してアルミ電極７が取出さ
れているとともに、各多結晶シリコン歪ゲージ4,5及び
配線材料６はPSG（リンガラス）膜８にて保護されてい
る。尚、第１図においてはPSG膜８の図示は省略した。
そして、配線材料６、アルミ電極７を介した各多結晶
シリコン歪ゲージ4,5にてブリッジ回路が形成され、ダ
イヤフラム２の印加圧力の変化に伴う各歪ゲージ4,5の
抵抗値の変化が電圧の変化として出力されるようになっ
ている。
シリコン歪ゲージ4,5にてブリッジ回路が形成され、ダ
イヤフラム２の印加圧力の変化に伴う各歪ゲージ4,5の
抵抗値の変化が電圧の変化として出力されるようになっ
ている。
このように構成した半導体圧力センサの出力特性を以
下に述べる。
下に述べる。
本実施例を解析的手法にて考察すべく、このダイヤフ
ラム２上の応力分布をFEM（有限要素法）により解析し
た。この解析においては、50kgf/cm2の圧力をダイヤフ
ラム２の裏面から印加し、その応力を求めた。その結果
を第３図に示す。この第３図において、ダイヤフラム２
の中央部では歪ゲージ４の縦方向応力σｌとなるσｙが
12.5×102kgf/cm2となるとともに、歪ゲージ横方向応力
σｔとなるσｘが4.5×102kgf/cm2となり、σｔがσｌ
より充分小さな値となっている。
ラム２上の応力分布をFEM（有限要素法）により解析し
た。この解析においては、50kgf/cm2の圧力をダイヤフ
ラム２の裏面から印加し、その応力を求めた。その結果
を第３図に示す。この第３図において、ダイヤフラム２
の中央部では歪ゲージ４の縦方向応力σｌとなるσｙが
12.5×102kgf/cm2となるとともに、歪ゲージ横方向応力
σｔとなるσｘが4.5×102kgf/cm2となり、σｔがσｌ
より充分小さな値となっている。
このように、ダイヤフラム２の裏面により圧力を印加
した場合、ダイヤフラム２中央の歪ゲージ４に対し次の
一軸性圧縮応力が発生していることとなる。
した場合、ダイヤフラム２中央の歪ゲージ４に対し次の
一軸性圧縮応力が発生していることとなる。
｜σt|ν・｜σl|≪｜σl| ただし、ν；ポアッソン比（＝0.06〜0.36） 又、この半導体圧力センサの特性を説明するために、
実際の出力電圧に影響する指標として応力利用効率を次
のように定義する。
実際の出力電圧に影響する指標として応力利用効率を次
のように定義する。
ただし、本実施例ではπt/πｌ＝−0.3536（実測値） そして、この応力利用効率を用いてダイヤフラムの長
辺と短辺と比の依存性を調べた。その結果を第４図に示
す。この第４図においてダイヤフラムの中央部と周辺部
とで応力利用効率を求めている。
辺と短辺と比の依存性を調べた。その結果を第４図に示
す。この第４図においてダイヤフラムの中央部と周辺部
とで応力利用効率を求めている。
この第４図に示すように、ダイヤフラムの外周部では
横方向の応力が小さいため約90％の効率が得られている
が、ダイヤフラムの中央部では正方形の場合には64％し
かなかった効率が本実施例の辺の比２（短辺の長さａ＝
1mm、長辺の長さｂ＝2mm）では86％まで改善されてい
る。
横方向の応力が小さいため約90％の効率が得られている
が、ダイヤフラムの中央部では正方形の場合には64％し
かなかった効率が本実施例の辺の比２（短辺の長さａ＝
1mm、長辺の長さｂ＝2mm）では86％まで改善されてい
る。
このように大きな引張応力が発生しているダイヤフラ
ム２の中央部において、正方形や円等の対称性の高い形
状のダイヤフラムを使用する場合にはσｔ＝σｌで等方
的な応力になっているために、引張応力が発生する場所
の歪ゲージは横方向の応力により抵抗の変化率ΔR/Rが
減少してしまうが、本実施例においては、歪ゲージ横方
向応力σｔが歪ゲージ縦方向応力σｌより充分小さな値
にでき一軸性応力が得られ、ダイヤフラム中央部でも横
方向の悪影響を抑制してセンサ出力を向上させることが
できる。又、上記のように定義した応力利用効率を使用
することによりダイヤフラム２中央部で正方形の場合に
は64％しかなかった応力利用効率が本実施例の辺の比２
（短辺の長さａ＝1mm、長辺の長さｂ＝2mm）では86％ま
で改善することができる。
ム２の中央部において、正方形や円等の対称性の高い形
状のダイヤフラムを使用する場合にはσｔ＝σｌで等方
的な応力になっているために、引張応力が発生する場所
の歪ゲージは横方向の応力により抵抗の変化率ΔR/Rが
減少してしまうが、本実施例においては、歪ゲージ横方
向応力σｔが歪ゲージ縦方向応力σｌより充分小さな値
にでき一軸性応力が得られ、ダイヤフラム中央部でも横
方向の悪影響を抑制してセンサ出力を向上させることが
できる。又、上記のように定義した応力利用効率を使用
することによりダイヤフラム２中央部で正方形の場合に
は64％しかなかった応力利用効率が本実施例の辺の比２
（短辺の長さａ＝1mm、長辺の長さｂ＝2mm）では86％ま
で改善することができる。
尚、この発明は上記実施例に限定されることなく、上
記実施例ではダイヤフラム２の短辺と長辺との比率を1:
2としたが、第４図から明らかなように長辺／短辺＝1.5
以上ならば応力利用効率を80％以上とすることができる
ので、長辺／短辺＝1.5以上であればよい。ただし、短
辺と長辺との比率を大きくすることにより飽和値となる
ダイヤフラム２の外周部での応力利用効率90％に近づけ
ることができるが、長辺／短辺が３以上ではチップ面積
が大きくなってしまうために実用性に乏しいものとな
る。
記実施例ではダイヤフラム２の短辺と長辺との比率を1:
2としたが、第４図から明らかなように長辺／短辺＝1.5
以上ならば応力利用効率を80％以上とすることができる
ので、長辺／短辺＝1.5以上であればよい。ただし、短
辺と長辺との比率を大きくすることにより飽和値となる
ダイヤフラム２の外周部での応力利用効率90％に近づけ
ることができるが、長辺／短辺が３以上ではチップ面積
が大きくなってしまうために実用性に乏しいものとな
る。
又、ダイヤフラムの形状は長方形の他にも、例えば第
５図に示すように楕円や第６図に示すように長孔形状で
もよい。要するに、縦の長さLaと横の長さLbの比が1.5
以上としたものであればよい。
５図に示すように楕円や第６図に示すように長孔形状で
もよい。要するに、縦の長さLaと横の長さLbの比が1.5
以上としたものであればよい。
［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明によれば、多結晶シリ
コン歪ゲージを用いた半導体圧力センサにおいて、ダイ
ヤフラム中央部でも横方向（電流印加直交方向）の悪影
響を抑制してその出力を向上させることができる。
コン歪ゲージを用いた半導体圧力センサにおいて、ダイ
ヤフラム中央部でも横方向（電流印加直交方向）の悪影
響を抑制してその出力を向上させることができる。
又、長方形のダイヤフラムとしたことにより、中央部
の応力に異方性が備わったため、中央部に配置した多結
晶シリコン歪ゲージのように縦方向と横方向の歪感度の
符号が反対でお互いの大きさを無視できない歪ゲージの
実効感度を上げることができる。
の応力に異方性が備わったため、中央部に配置した多結
晶シリコン歪ゲージのように縦方向と横方向の歪感度の
符号が反対でお互いの大きさを無視できない歪ゲージの
実効感度を上げることができる。
第１図はこの発明を具体化した半導体圧力センサの平面
図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図はFEMによ
る解析結果を示す図、第４図は長辺／短辺と応力利用効
率の関係を示す図、第５図は別例のダイヤフラムの形状
を示す図、第６図は別例のダイヤフラムの形状を示す図
である。 １はシリコン基板、２はダイヤフラム、４は多結晶シリ
コン歪ゲージ、５は多結晶シリコン歪ゲージ。
図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図はFEMによ
る解析結果を示す図、第４図は長辺／短辺と応力利用効
率の関係を示す図、第５図は別例のダイヤフラムの形状
を示す図、第６図は別例のダイヤフラムの形状を示す図
である。 １はシリコン基板、２はダイヤフラム、４は多結晶シリ
コン歪ゲージ、５は多結晶シリコン歪ゲージ。
Claims (1)
- 【請求項１】基板に形成された薄肉のダイヤフラムと、 前記ダイヤフラム上に配置された多結晶シリコン歪ゲー
ジと を備えた半導体圧力センサにおいて、 前記ダイヤフラムの形状を、縦の長さと横の長さの比が
1.5以上とした長方形とし、ダイヤフラム上に配置され
る少なくとも１つの多結晶シリコン歪ゲージは、ダイヤ
フラムの中央部において歪ゲージの長手方向がダイヤフ
ラムの短軸方向と平行に配置されていることを特徴とす
る半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190878A JP2615887B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190878A JP2615887B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0239574A JPH0239574A (ja) | 1990-02-08 |
| JP2615887B2 true JP2615887B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=16265254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63190878A Expired - Fee Related JP2615887B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2615887B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014080759A1 (ja) | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 圧力センサ |
| WO2015076158A1 (ja) | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 圧力センサ |
Families Citing this family (11)
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|---|---|---|---|---|
| WO1995008756A1 (fr) * | 1993-09-20 | 1995-03-30 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Capteur de pression |
| JP4843877B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-12-21 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサ |
| KR100427430B1 (ko) * | 2002-01-28 | 2004-04-13 | 학교법인 동서학원 | 금속박막형 압력센서 및 그 제조방법 |
| JP4804126B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2011-11-02 | 三菱電機株式会社 | 圧力センサ |
| JP4916006B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-04-11 | 株式会社山武 | 圧力センサ |
| JP5299254B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2013-09-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| JP4927985B1 (ja) * | 2010-11-22 | 2012-05-09 | ファナック株式会社 | 工作機械のテーブル又は工具を移動させる互いに直交した少なくとも二つの送り軸を有するサーボモータの駆動制御装置 |
| JP5304807B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2013-10-02 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| JP5454628B2 (ja) | 2012-06-29 | 2014-03-26 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| JP6115507B2 (ja) * | 2014-04-07 | 2017-04-19 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| CN113348348B (zh) * | 2019-02-28 | 2023-11-17 | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 | 压力传感器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2903253C2 (de) * | 1979-01-29 | 1981-02-05 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Druck-Meßumformer mit einer Meßmembran, vorzugsweise aus Halbleiterwerkstoff, und einer darauf angebrachten Dehnungsmeßstreifen-Brückenschaltung |
| JPS61181171A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPS6323372A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体歪検出器 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63190878A patent/JP2615887B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014080759A1 (ja) | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 圧力センサ |
| US9835508B2 (en) | 2012-11-26 | 2017-12-05 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Pressure sensor having strain gauges disposed on a diaphragm |
| WO2015076158A1 (ja) | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 圧力センサ |
| US10060815B2 (en) | 2013-11-20 | 2018-08-28 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Pressure sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0239574A (ja) | 1990-02-08 |
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