JP2615546B2 - レーザー用記録材料および画像形成法 - Google Patents
レーザー用記録材料および画像形成法Info
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- JP2615546B2 JP2615546B2 JP60138338A JP13833885A JP2615546B2 JP 2615546 B2 JP2615546 B2 JP 2615546B2 JP 60138338 A JP60138338 A JP 60138338A JP 13833885 A JP13833885 A JP 13833885A JP 2615546 B2 JP2615546 B2 JP 2615546B2
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- Japan
- Prior art keywords
- recording layer
- dye
- laser
- recording
- absorption
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザーを照射することにより生ずる透明
及び不透明状態部分の透過率及び反射率の変化を利用し
て、記録及び消去を行なう繰り返し使用可能な有機系ヒ
ートモード光記録材料および画像形成法に関するもので
ある。
及び不透明状態部分の透過率及び反射率の変化を利用し
て、記録及び消去を行なう繰り返し使用可能な有機系ヒ
ートモード光記録材料および画像形成法に関するもので
ある。
この種の繰り返し使用可能な有機系光記録材料として
は、種々の構成のものが知られている。
は、種々の構成のものが知られている。
例えば、特開昭58−56895号公報には基体上に熱可塑
性樹脂と光吸収染料ないし顔料を含む記録層を形成して
なり、記録光の照射により、上記記録層が融解、軟化し
て記録ピツト(小穴)が形成され、上記記録層に形成さ
れた上記記録ピツト底には、熱可塑性樹脂と光吸収染料
ないし顔料とをともに含む層が残存し、上記記録ピツト
が形成された上記記録層に加熱を行なうことにより、上
記記録層表面が平坦となるように構成してなる光記録媒
体が開示されている。しかし、この場合、消去はポリマ
ーの再融解により、小穴を埋めもどし、平坦にすること
で行なわれるが、凹凸を完全に平坦にもどすことは困難
であり、繰り返しに限界があり、デイスク上で記録の一
部分を消去することができないという問題点も有してい
る。
性樹脂と光吸収染料ないし顔料を含む記録層を形成して
なり、記録光の照射により、上記記録層が融解、軟化し
て記録ピツト(小穴)が形成され、上記記録層に形成さ
れた上記記録ピツト底には、熱可塑性樹脂と光吸収染料
ないし顔料とをともに含む層が残存し、上記記録ピツト
が形成された上記記録層に加熱を行なうことにより、上
記記録層表面が平坦となるように構成してなる光記録媒
体が開示されている。しかし、この場合、消去はポリマ
ーの再融解により、小穴を埋めもどし、平坦にすること
で行なわれるが、凹凸を完全に平坦にもどすことは困難
であり、繰り返しに限界があり、デイスク上で記録の一
部分を消去することができないという問題点も有してい
る。
例えば、特開昭59−192251号公報には、基板状に電極
・光導電体及びサーモプラスチツク材料をこの順に積層
し、前記サーモプラスチツク材料として分子量wが15
00〜5000であると共に分子量分布w/nが≦1.1であ
る単分散に近い低分子量ポリマーを用いた光学的記録媒
体が開示されている。しかし、この場合も厚さ変形によ
る記録を行なわれるが、凹凸を完全に平坦にもどすこと
は困難であり、繰り返しに臨界があるという問題点を有
している。
・光導電体及びサーモプラスチツク材料をこの順に積層
し、前記サーモプラスチツク材料として分子量wが15
00〜5000であると共に分子量分布w/nが≦1.1であ
る単分散に近い低分子量ポリマーを用いた光学的記録媒
体が開示されている。しかし、この場合も厚さ変形によ
る記録を行なわれるが、凹凸を完全に平坦にもどすこと
は困難であり、繰り返しに臨界があるという問題点を有
している。
一方、高分子化合物ブレンド物の一般的な性質として
加熱や冷却により、その透過度が変化するという報告が
なされている。(秋山、井上、西“ポリマーブレンド”
シーエムシー) 本発明者らは、この現象を記録材料として応用するこ
とを鋭意検討した結果、特定の2種以上の高分子化合物
混合物と特定の光吸収色素とからなる記録層がレーザー
を照射することにより、透過度及び反射率が変化するこ
とを利用し、記録・消去を繰り返し行なうことができる
ことを知得し、本発明を完成するに至つた。
加熱や冷却により、その透過度が変化するという報告が
なされている。(秋山、井上、西“ポリマーブレンド”
シーエムシー) 本発明者らは、この現象を記録材料として応用するこ
とを鋭意検討した結果、特定の2種以上の高分子化合物
混合物と特定の光吸収色素とからなる記録層がレーザー
を照射することにより、透過度及び反射率が変化するこ
とを利用し、記録・消去を繰り返し行なうことができる
ことを知得し、本発明を完成するに至つた。
本発明は、透過率及び反射率の変化が大きく記録及び
消去の繰り返し特性にすぐれているレーザー用記録材料
および画像形成法を提供することを目的とするものであ
る。
消去の繰り返し特性にすぐれているレーザー用記録材料
および画像形成法を提供することを目的とするものであ
る。
本発明は、下記(イ)または(ロ)のいずれかの記録
層を有するレーザー用記録材料、および該記録層にレー
ザー光を照射して、該照射部の透過率を低下または増大
させることによって画像を形成することを特徴とする画
像形成法をその要旨とするものである。
層を有するレーザー用記録材料、および該記録層にレー
ザー光を照射して、該照射部の透過率を低下または増大
させることによって画像を形成することを特徴とする画
像形成法をその要旨とするものである。
(イ)2種以上の高分子化合物の混合物であって、その
下限または上限臨界共溶温度が80℃以上であるものと、
アゾ系、シアニン系、トリフェニルメタン系、ナフトキ
ノン系、アントラキノン系、インドアニリン系、スクア
リリウム系、クロコニウム系、フタロシアニン系、ナフ
タロシアニン系、トリアザポリフィリン系、インジゴ系
またはチオインジゴ系の、400nm以上の波長に吸収を有
する色素とを含有する記録層。
下限または上限臨界共溶温度が80℃以上であるものと、
アゾ系、シアニン系、トリフェニルメタン系、ナフトキ
ノン系、アントラキノン系、インドアニリン系、スクア
リリウム系、クロコニウム系、フタロシアニン系、ナフ
タロシアニン系、トリアザポリフィリン系、インジゴ系
またはチオインジゴ系の、400nm以上の波長に吸収を有
する色素とを含有する記録層。
(ロ)少なくともアゾ系、シアニン系、トリフェニルメ
タン系、ナフトキノン系、アントラキノン系、インドア
ニリン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、フタロ
シアニン系、ナフタロシアニン系、トリアザポリフィリ
ン系、インジゴ系またはチオインジゴ系の、400nm以上
の波長に吸収を有する色素が結合している高分子化合物
を含む、2種以上の高分子化合物の混合物であって、そ
の下限または上限臨界共溶温度が80℃以上であるものを
含有する記録層。
タン系、ナフトキノン系、アントラキノン系、インドア
ニリン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、フタロ
シアニン系、ナフタロシアニン系、トリアザポリフィリ
ン系、インジゴ系またはチオインジゴ系の、400nm以上
の波長に吸収を有する色素が結合している高分子化合物
を含む、2種以上の高分子化合物の混合物であって、そ
の下限または上限臨界共溶温度が80℃以上であるものを
含有する記録層。
本発明の記録および画像形成原理を詳しく述べると下
記の通りである。
記の通りである。
すなわち、本発明の透明な記録層にレーザーを照射す
ると、温度が上昇するとともに不透明化し、次いで急冷
すると、この不透明状態を保持することができ、記録を
行なうことができる。記録層上の不透明状態及び透明状
態の部分の透過率及び反射率の差を読みとることによ
り、記録の読みとりを行なうことができる。
ると、温度が上昇するとともに不透明化し、次いで急冷
すると、この不透明状態を保持することができ、記録を
行なうことができる。記録層上の不透明状態及び透明状
態の部分の透過率及び反射率の差を読みとることによ
り、記録の読みとりを行なうことができる。
また、記録の消去は、再びレーザーで加熱し、温度上
昇後、徐冷することにより、消去することができる。こ
のように、温度の上昇後に急冷または徐冷を行なうこと
により記録、再生及び消去を行なうことができる。一
方、上記方法とは逆に、不透明状態から出発することに
よつても透明状態及び不透明状態を繰り返すことによつ
て記録及び消去を行なうことができる。
昇後、徐冷することにより、消去することができる。こ
のように、温度の上昇後に急冷または徐冷を行なうこと
により記録、再生及び消去を行なうことができる。一
方、上記方法とは逆に、不透明状態から出発することに
よつても透明状態及び不透明状態を繰り返すことによつ
て記録及び消去を行なうことができる。
本発明のレーザー用記録材料および画像形成法に用い
られる2種以上の高分子化合物混合物としては、下限ま
たは上限臨界共溶温度が80℃以上、好ましくは100〜400
℃の範囲のものが挙げられる。
られる2種以上の高分子化合物混合物としては、下限ま
たは上限臨界共溶温度が80℃以上、好ましくは100〜400
℃の範囲のものが挙げられる。
下限臨界共溶温度を有するブレンド系の例としては、
ポリスチレンとポリメチルビニルエーテルの系、スチレ
ンアクリロニトリル共重合体とポリカプロラクトンの
系、スチレンアクリロニトリル共重合体とポリメタアク
リル酸エステルの系、ポリ硝酸ビニルとポリアクリル酸
エステルの系、エチレン酢酸ビニル共重合体と塩素化ゴ
ムの系、ポリカプロラクトンとポリカーボネートの系、
ポリフツ化ビニリデンとポリアクリル酸エステルの系、
ポリフツ化ビニリデンとポリメタアクリル酸エステルの
系、ポリフツ化ビニリデンとポリビニルケトンの系等が
挙げられ、上限臨界共溶温度を有するブレンド系として
は、ポリスチレンとポリイソプレンの系、ポリスチレン
とポリイソブテンの系、ポリジメチルシロキサンとポリ
イソブテン系、α−メチルスチレン−ビニルトルエン共
重合体とポリブテンの系、ポリプロピレンオキシドとポ
リブタジエンの系等が挙げられる。
ポリスチレンとポリメチルビニルエーテルの系、スチレ
ンアクリロニトリル共重合体とポリカプロラクトンの
系、スチレンアクリロニトリル共重合体とポリメタアク
リル酸エステルの系、ポリ硝酸ビニルとポリアクリル酸
エステルの系、エチレン酢酸ビニル共重合体と塩素化ゴ
ムの系、ポリカプロラクトンとポリカーボネートの系、
ポリフツ化ビニリデンとポリアクリル酸エステルの系、
ポリフツ化ビニリデンとポリメタアクリル酸エステルの
系、ポリフツ化ビニリデンとポリビニルケトンの系等が
挙げられ、上限臨界共溶温度を有するブレンド系として
は、ポリスチレンとポリイソプレンの系、ポリスチレン
とポリイソブテンの系、ポリジメチルシロキサンとポリ
イソブテン系、α−メチルスチレン−ビニルトルエン共
重合体とポリブテンの系、ポリプロピレンオキシドとポ
リブタジエンの系等が挙げられる。
これらの中で好ましい系としては、ポリメチルビニル
エーテルとポリスチレンのブレンド系、スチレンアクリ
ロニトリル共重合体とポリカプロラクトンのブレンド
系、スチレンアクリロニトリル共重合体とポリメタアク
リル酸エステルのブレンド系、ポリカプロラクトンとポ
リカーボネートのブレンド系が挙げられる。
エーテルとポリスチレンのブレンド系、スチレンアクリ
ロニトリル共重合体とポリカプロラクトンのブレンド
系、スチレンアクリロニトリル共重合体とポリメタアク
リル酸エステルのブレンド系、ポリカプロラクトンとポ
リカーボネートのブレンド系が挙げられる。
更に詳しく説明すると、ポリメチルビニルエーテルと
ポリスチレンのブレンド系において使用され、ポリメチ
ルビニルエーテルとしては、平均分子量が1,000〜200,0
00の範囲のものが挙げられ、好ましくは2,000〜10,000
の範囲のものが挙げられ、ポリスチレンとしては、各種
スチレンモノマーを重合して得られるものであり、平均
分子量が2,000〜2,000000の範囲のものが挙げられ、好
ましくは6000〜200,000の範囲のものが挙げられる。
ポリスチレンのブレンド系において使用され、ポリメチ
ルビニルエーテルとしては、平均分子量が1,000〜200,0
00の範囲のものが挙げられ、好ましくは2,000〜10,000
の範囲のものが挙げられ、ポリスチレンとしては、各種
スチレンモノマーを重合して得られるものであり、平均
分子量が2,000〜2,000000の範囲のものが挙げられ、好
ましくは6000〜200,000の範囲のものが挙げられる。
また、ポリメチルビニルエーテル樹脂とポリスチレン
樹脂の使用割合としては95:5〜5:95の範囲が挙げられ、
好ましくは60:40〜40:60の範囲が挙げられる。
樹脂の使用割合としては95:5〜5:95の範囲が挙げられ、
好ましくは60:40〜40:60の範囲が挙げられる。
スチレンアクリロニトリル共重合体とポリカプロラク
トンのブレンド系およびスチレンアクリロニトリル共重
合体とポリメタアクリル酸エステルのブレンド系、ポリ
カプロラクトンとポリカーボネートのブレンド系におい
て使用されるスチレンアクリロニトリル共重合体として
は、共重合比は任意のものとすることができるが、平均
分子量は80万以下であることが好ましい。ポリカプロラ
クトンとしては、平均分子量10万以下であることが好ま
しい。ポリメタアクリル酸エステルとしてはポリメチル
メタアクリル酸エステル、ポリエチルメタアクリル酸エ
ステル等があげられ、平均分子量20万以下であることが
好ましい。
トンのブレンド系およびスチレンアクリロニトリル共重
合体とポリメタアクリル酸エステルのブレンド系、ポリ
カプロラクトンとポリカーボネートのブレンド系におい
て使用されるスチレンアクリロニトリル共重合体として
は、共重合比は任意のものとすることができるが、平均
分子量は80万以下であることが好ましい。ポリカプロラ
クトンとしては、平均分子量10万以下であることが好ま
しい。ポリメタアクリル酸エステルとしてはポリメチル
メタアクリル酸エステル、ポリエチルメタアクリル酸エ
ステル等があげられ、平均分子量20万以下であることが
好ましい。
ポリカーボネートとしては、平均分子量6万以下であ
ることが好ましい。
ることが好ましい。
400nm以上の波長に吸収を有する色素としては、たと
えばアゾ系、シアニン系、トリフエニルメタン系、ナフ
トキノン系、アントラキノン系、インドアニリン系、ス
クアリリウム系、クロコニウム系、フタロシアニン系、
ナフタロシアニン系、トリアザポルフイリン系、インジ
ゴ系、チオインジゴ系等が挙げられ、600〜850nmの波長
帯域で吸収のあるものが好ましい。上記色素は高分子化
合物の主鎖または側鎖に結合したものであつてもよい
し、高分子化合物に分散または溶解させたものであつて
もよい。
えばアゾ系、シアニン系、トリフエニルメタン系、ナフ
トキノン系、アントラキノン系、インドアニリン系、ス
クアリリウム系、クロコニウム系、フタロシアニン系、
ナフタロシアニン系、トリアザポルフイリン系、インジ
ゴ系、チオインジゴ系等が挙げられ、600〜850nmの波長
帯域で吸収のあるものが好ましい。上記色素は高分子化
合物の主鎖または側鎖に結合したものであつてもよい
し、高分子化合物に分散または溶解させたものであつて
もよい。
高分子化合物の主鎖または側鎖に結合した色素として
は、たとえば下記のものが挙げられる。
は、たとえば下記のものが挙げられる。
高分子の側鎖に結合した色素含有量としては、0.1%
〜20%のものが好ましい。
〜20%のものが好ましい。
高分子化合物に分散または溶解させる色素としては、
例えば下記のものが挙げられる。
例えば下記のものが挙げられる。
(1) アゾ化合物 (モノアゾ、ジスアゾ、ヘテロ環アゾ) (2) アントラキノン系 (3) フタロシアニン系 M=TiO,InCl,SnCl2,Pb等 (以下同様) (4) ナフタロシアニン系 (5) トリアザポルフイリン系 (6) ナフトキノン系 (7) インドアニリン系 (8) シアニン系 (9) スクアリリウム系 (10) インジゴ系 (11) チオインジゴ系 高分子化合物に対する分散または溶解させる色素の比
率は1wt%〜20wt%が望ましい。
率は1wt%〜20wt%が望ましい。
本発明のレーザー記録用材料は、通常基板と記録層と
から構成されるものであるが、さらに必要に応じて基板
上に下引き層をまた記録層上に保護層を設けることがで
きる。
から構成されるものであるが、さらに必要に応じて基板
上に下引き層をまた記録層上に保護層を設けることがで
きる。
本発明のレーザー用記録材料の記録層は、基板の両面
に設けてもよいし、片面だけに設けてもよい。
に設けてもよいし、片面だけに設けてもよい。
本発明における基板としては、使用するレーザー光に
対して透明または不透明のいずれでもよい。基板材料の
材質としては、ガラス、プラスチツク、紙、板状または
箔状の金属等の一般の記録材料の支持体が挙げられる
が、プラスチツクが種々の点から好適である。プラスチ
ツクとしては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリサルホン樹
脂等が挙げられる。
対して透明または不透明のいずれでもよい。基板材料の
材質としては、ガラス、プラスチツク、紙、板状または
箔状の金属等の一般の記録材料の支持体が挙げられる
が、プラスチツクが種々の点から好適である。プラスチ
ツクとしては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリサルホン樹
脂等が挙げられる。
成膜法としては真空蒸着法、スパツタリング法、ドク
ターブレード法、キヤスト法、スピナー法、浸漬法など
一般に行なわれている薄膜形成法で成膜することができ
る。
ターブレード法、キヤスト法、スピナー法、浸漬法など
一般に行なわれている薄膜形成法で成膜することができ
る。
塗布による成膜は、2種以上の高分子化合物混合物と
400nm以上の波長に吸収を有する色素を含有する材料を
溶媒中に溶解または分散させたものをスピンコートする
ことにより得られる。溶媒としては、トルエン、ジメチ
ルホルムアミド、メチルエチルケトン、エチルセルソル
ブ、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、クロロベン
ゼン等の各種のものを用いることができる。
400nm以上の波長に吸収を有する色素を含有する材料を
溶媒中に溶解または分散させたものをスピンコートする
ことにより得られる。溶媒としては、トルエン、ジメチ
ルホルムアミド、メチルエチルケトン、エチルセルソル
ブ、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、クロロベン
ゼン等の各種のものを用いることができる。
光源としては、He−Neレーザー、ArレーザHe−Cdレー
ザー、半導体レーザー等の各種のレーザーを用いること
ができるが、価格、大きさの点で半導体レーザーが特に
好ましい。
ザー、半導体レーザー等の各種のレーザーを用いること
ができるが、価格、大きさの点で半導体レーザーが特に
好ましい。
実施例 以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、
かかる実施例は本発明を限定するものではない。
かかる実施例は本発明を限定するものではない。
実施例1 ポリビニルメチルエーテル(Lutonal M40、BASF社製
造、商品名)3gと下記〔I〕 で表わされるスチレン系高分子アゾ色素(平均分子量11
0,000)1gとをトルエン100mlに溶解し、これをテフロン
板上にキヤストし、厚さ50μmのフイルムを得た。この
フイルムをスライドグラス−カバーグラス間にはさみ、
100℃に加熱し、フイルムとガラスとの密着をよくし
た。その後、このフイルムをはさんだスライドガラスに
Arレーザーを照射したところ照射部の反射率の著しい増
大がみられた。反射率はそのまま維持され、保存安定性
は良好であつた。次いでこのスライドグラスをヒートプ
レートにのせ、130℃に加熱後、徐冷するとレーザー照
射部の反射率は低下し、透明状態にもどつた。
造、商品名)3gと下記〔I〕 で表わされるスチレン系高分子アゾ色素(平均分子量11
0,000)1gとをトルエン100mlに溶解し、これをテフロン
板上にキヤストし、厚さ50μmのフイルムを得た。この
フイルムをスライドグラス−カバーグラス間にはさみ、
100℃に加熱し、フイルムとガラスとの密着をよくし
た。その後、このフイルムをはさんだスライドガラスに
Arレーザーを照射したところ照射部の反射率の著しい増
大がみられた。反射率はそのまま維持され、保存安定性
は良好であつた。次いでこのスライドグラスをヒートプ
レートにのせ、130℃に加熱後、徐冷するとレーザー照
射部の反射率は低下し、透明状態にもどつた。
このArレーザーの照射による不透明化、徐冷による透
明化はくり返しが可能であつた。
明化はくり返しが可能であつた。
透明状態、不透明状態の透過率および反射率は下記第
1表の通りであり、透過率および反射率の変化は大であ
つた。
1表の通りであり、透過率および反射率の変化は大であ
つた。
実施例2 ポリスチレン(平均分子量51000)2gとポリビニルメ
チルエーテル(Lutonal M40、BASF社製造、商品名)2g
と下記〔XIV〕 で表わされるインドアニリン系色素0.02gとをトルエン1
00mlに溶解し、スピンコートにより回転数2000rpmでメ
タアクリル樹脂(PMMA)基板に塗布・乾燥して透明な板
を得た。このPMMA板上に780nmの半導体レーザー(記録
パワー8mW、スポツトサイズ1μm)を照射したとこ
る、照射部の反射率の著しい増大がみられた。反射率は
長期間そのまま維持され、保存安定性は良好であつた。
再生はレーザパワーを1mWに落して照射部・未照射部の
反射率の変化をよみとる。
チルエーテル(Lutonal M40、BASF社製造、商品名)2g
と下記〔XIV〕 で表わされるインドアニリン系色素0.02gとをトルエン1
00mlに溶解し、スピンコートにより回転数2000rpmでメ
タアクリル樹脂(PMMA)基板に塗布・乾燥して透明な板
を得た。このPMMA板上に780nmの半導体レーザー(記録
パワー8mW、スポツトサイズ1μm)を照射したとこ
る、照射部の反射率の著しい増大がみられた。反射率は
長期間そのまま維持され、保存安定性は良好であつた。
再生はレーザパワーを1mWに落して照射部・未照射部の
反射率の変化をよみとる。
次に、この記録された照射部に波長780nmの半導体レ
ーザー光を約1×10μmの長楕円状に成形して照射した
ところ、レーザー照射部の反射率は低下し、透明状態に
もどつた。この半導体レーザーによる不透明化、透明化
はくり返しが可能であり、それぞれの状態での透過率お
よび反射率の差は大であつた。
ーザー光を約1×10μmの長楕円状に成形して照射した
ところ、レーザー照射部の反射率は低下し、透明状態に
もどつた。この半導体レーザーによる不透明化、透明化
はくり返しが可能であり、それぞれの状態での透過率お
よび反射率の差は大であつた。
実施例3 ポリスチレンアクリロニトリル共重合体(SAN−A、
三菱モンサント化成株式会社製造、商品名)2gと下記
〔III〕 で表わされるポリメタアクリル酸エステル系高分子アゾ
色素(分子量90000)1gを使用した以外は実施例1と同
様に行なつたところ、Arレーザーの照射による不透明
化、徐冷による透明化のくり返しが可能であり、それぞ
れの状態間での透過率および反射率の変化は大であつ
た。
三菱モンサント化成株式会社製造、商品名)2gと下記
〔III〕 で表わされるポリメタアクリル酸エステル系高分子アゾ
色素(分子量90000)1gを使用した以外は実施例1と同
様に行なつたところ、Arレーザーの照射による不透明
化、徐冷による透明化のくり返しが可能であり、それぞ
れの状態間での透過率および反射率の変化は大であつ
た。
実施例4 ポリカプロラクトン(プラクセルH、ダイセル化学社
製造、商品名)2gとポリカーボネート(平均分子量3000
0)2gと下記〔VII〕 で表わされるアントラキノン系色素0.04gを使用した以
外は実施例2と同様に行なつたところ、半導体レーザー
による不透明化、透明化はくり返しが可能であり、それ
ぞれの状態での透過率および反射率の差は大であつた。
製造、商品名)2gとポリカーボネート(平均分子量3000
0)2gと下記〔VII〕 で表わされるアントラキノン系色素0.04gを使用した以
外は実施例2と同様に行なつたところ、半導体レーザー
による不透明化、透明化はくり返しが可能であり、それ
ぞれの状態での透過率および反射率の差は大であつた。
実施例5 ポリイソブレン(平均分子量2700)2gとポリスチレン
(平均分子量2700)2gと下記〔XIII〕 で表わされるナフトキノン系色素0.03gとを使用した以
外は実施例2と同様に行なつたところ、不透明な板を得
た。780nmの半導体レーザー(記録パワー8mW、スポツト
サイズ1μm)を照射したところ、照射部の反射率の著
しい低下がみられ、長期間その状態は維持され、保存安
定性は良好であつた。次に、この部分に約1×10μmの
長楕円状の半導体レーザーを照射したところ、レーザー
照射部の反射率は増大し、不透明状態にもどつた。この
半導体レーザーによる透明化、不透明化はくり返しが可
能であり、それぞれの状態間での透過率および反射率の
差は大であつた。
(平均分子量2700)2gと下記〔XIII〕 で表わされるナフトキノン系色素0.03gとを使用した以
外は実施例2と同様に行なつたところ、不透明な板を得
た。780nmの半導体レーザー(記録パワー8mW、スポツト
サイズ1μm)を照射したところ、照射部の反射率の著
しい低下がみられ、長期間その状態は維持され、保存安
定性は良好であつた。次に、この部分に約1×10μmの
長楕円状の半導体レーザーを照射したところ、レーザー
照射部の反射率は増大し、不透明状態にもどつた。この
半導体レーザーによる透明化、不透明化はくり返しが可
能であり、それぞれの状態間での透過率および反射率の
差は大であつた。
Claims (5)
- 【請求項1】下記(イ)または(ロ)のいずれかの記録
層を有するレーザー用記録材料。 (イ)2種以上の高分子化合物の混合物であって、その
下限または上限臨界共溶温度が80℃以上であるものと、
アゾ系、シアニン系、トリフェニルメタン系、ナフトキ
ノン系、アントラキノン系、インドアニリン系、スクア
リリウム系、クロコニウム系、フタロシアニン系、ナフ
タロシアニン系、トリアザポリフィリン系、インジゴ系
またはチオインジゴ系の、400nm以上の波長に吸収を有
する色素とを含有する記録層。 (ロ)少なくともアゾ系、シアニン系、トリフェニルメ
タン系、ナフトキノン系、アントラキノン系、インドア
ニリン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、フタロ
シアニン系、ナフタロシアニン系、トリアザポリフィリ
ン系、インジゴ系またはチオインジゴ系の、400nm以上
の波長に吸収を有する色素が結合している高分子化合物
を含む、2種以上の高分子化合物の混合物であって、そ
の下限または上限臨界共溶温度が80℃以上であるものを
含有する記録層。 - 【請求項2】特許請求の範囲第1項記載のレーザー用記
録材料において、2種以上の高分子化合物混合物が、ポ
リメチルビニルエーテルとポリスチレンとのブレンド
系、スチレンアクリロニトリル共重合体とポリカプロラ
クトンとのブレンド系、ポリカプロラクトンとポリカー
ボネートとのブレンド系のいずれかである記録材料。 - 【請求項3】特許請求の範囲第1項記載のレーザー用記
録材料において、400nm以上の波長に吸収を有する色素
が高分子化合物の主鎖または側鎖に結合した記録材料。 - 【請求項4】特許請求の範囲第1項記載のレーザー用記
録材料において、400nm以上の波長に吸収を有する色素
が高分子化合物に分散または溶解された記録材料。 - 【請求項5】下記(イ)または(ロ)のいずれかの記録
層にレーザー光を照射して、該照射部の透過率を低下ま
たは増大させることにより画像を形成することを特徴と
する画像形成法。 (イ)2種以上の高分子化合物の混合物であって、その
下限または上限臨界共溶温度が80℃以上であるものと、
アゾ系、シアニン系、トリフェニルメタン系、ナフトキ
ノン系、アントラキノン系、インドアニリン系、スクア
リリウム系、クロコニウム系、フタロシアニン系、ナフ
タロシアニン系、トリアザポリフィリン系、インジゴ系
またはチオインジゴ系の、400nm以上の波長に吸収を有
する色素とを含有する記録層。 (ロ)少なくともアゾ系、シアニン系、トリフェニルメ
タン系、ナフトキノン系、アントラキノン系、インドア
ニリン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、フタロ
シアニン系、ナフタロシアニン系、トリアザポリフィリ
ン系、インジゴ系またはチオインジゴ系の、400nm以上
の波長に吸収を有する色素が結合している高分子化合物
を含む、2種以上の高分子化合物の混合物であって、そ
の下限または上限臨界共溶温度が80℃以上であるものを
含有する記録層。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60138338A JP2615546B2 (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | レーザー用記録材料および画像形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60138338A JP2615546B2 (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | レーザー用記録材料および画像形成法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61295076A JPS61295076A (ja) | 1986-12-25 |
JP2615546B2 true JP2615546B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=15219576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60138338A Expired - Lifetime JP2615546B2 (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | レーザー用記録材料および画像形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2615546B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3708428C2 (de) * | 1987-03-16 | 1996-09-12 | Roehm Gmbh | Verfahren zur Aufzeichnung, Speicherung und Darstellung optisch ablesbarer Information unter Verwendung von Kunststoffmaterial aus verträglichen Polymermischungen mit optisch detektierbarem Phasenübergang |
US6969764B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-11-29 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and novel azaporphyrin compounds |
US11926765B2 (en) | 2018-11-19 | 2024-03-12 | Nissan Chemical Corporation | Adhesive composition for peeling off by irradiation with light, layered product, and production method and peeling method for layered product |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3436476A1 (de) * | 1984-10-05 | 1986-04-10 | Röhm GmbH, 6100 Darmstadt | Verfahren zur darstellung optisch ablesbarer information |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP60138338A patent/JP2615546B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61295076A (ja) | 1986-12-25 |
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