JP2612498B2 - 樹脂封止型半導体装置用接着テ−プ - Google Patents

樹脂封止型半導体装置用接着テ−プ

Info

Publication number
JP2612498B2
JP2612498B2 JP1200253A JP20025389A JP2612498B2 JP 2612498 B2 JP2612498 B2 JP 2612498B2 JP 1200253 A JP1200253 A JP 1200253A JP 20025389 A JP20025389 A JP 20025389A JP 2612498 B2 JP2612498 B2 JP 2612498B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
adhesive
type
adhesive tape
epoxy resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1200253A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0364387A (ja
Inventor
征則 作本
章広 渋谷
茂幸 横山
淳 越村
Original Assignee
株式会社 巴川製紙所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社 巴川製紙所 filed Critical 株式会社 巴川製紙所
Priority to JP1200253A priority Critical patent/JP2612498B2/ja
Publication of JPH0364387A publication Critical patent/JPH0364387A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2612498B2 publication Critical patent/JP2612498B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215Layer and wire connectors

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、主に樹脂封止型半導体装置内において使用
される接着テープに関する。
(従来の技術) 従来、樹脂封止型半導体装置内において使用されてき
た接着テープには、リードフレーム固定用接着テープ、
TABテープ等があり、例えば、リードフレーム固定用接
着テープの場合は、リードフレームのリードピンを固定
し、リードフレーム自体及び半導体アセンブリ工程全体
の生産歩留まり及び生産性の向上を目的として使用され
ており、一般にリードフレームメーカーでリードフレー
ム上にテーピングされ、半導体メーカーに持ち込まれて
IC搭載後、樹脂封止される。そのためリードフレーム固
定用接着テープには、半導体レベルでの一般的な信頼性
及びテーピング時の作業性等は勿論のこと、テーピング
直後の十分な室温接着力、IC組立て工程での加熱に耐え
る十分な耐熱性等が要求される。
従来、このような用途に使用される接着テープとして
は、例えば、ポリイミドフィルム等の支持体フィルム上
に、ポリアクリロニトリル、ポリアクリル酸エステル或
いはアクリロニトリル−ブタジエン共重合体等の合成ゴ
ム系樹脂等を単独又は他の樹脂で変性したもの、或いは
他の樹脂と混合した接着剤を塗工し、Bステージ状態と
したものが使用されてきた。
(発明が解決しようとする課題) ところが、最近になって、第1図〜第3図に示される
ような構造のプラスチックパッケージが開発または製造
されるようになってきている。第1図においては、リー
ドピン3とプレーン2とが、接着層6によって接続さ
れ、半導体チップ1がプレーン2上に搭載されており、
半導体チップ1とリードピン3との間のボンディングワ
イヤー4と共に、樹脂5によって封止された構造を有し
ている。第2図においては、リードフレームのリードピ
ン3が半導体チップ1と接着層6によって固定されてお
り、ボンディングワイヤー4と共に、樹脂5によって封
止された構造を有している。また第3図においては、ダ
イパッド7の上に半導体チップ1が搭載され、また電極
8が接着層6によって固定されており、そして、半導体
チップ1と電極8との間及び電極8とリードピン3との
間が、それぞれボンディングワイヤー4、4によって連
結され、それ等が樹脂5によって封止された構造を有し
ている。
これ等第1図ないし第3図に示される構造のプラスチ
ックパッケージにおける接着層において、従来の接着剤
を塗布した接着テープを使用した場合には、耐熱性、高
温時の接着力等が十分でない等の問題があった。また、
ポリイミド樹脂などを適用した場合には、その貼り合わ
せ温度や圧力、ポリイミド樹脂の硬化条件等が厳しく、
他の金属材料を損傷する恐れがあった。したがって、比
較的低温で接着、硬化でき、十分な耐熱性、信頼性を有
する接着剤の開発が望まれていた。
本発明は、従来の上記のような問題点に鑑みてなされ
たものである。
したがって、本発明の目的は、比較的低温で接着、硬
化でき、十分な耐熱性、信頼性等を有する樹脂封止型半
導体装置用接着テープを提供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明者等は、上記のような問題点を解決するために
検討した結果、接着剤として、アクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体とレゾール型フェノール樹脂及びエポキ
シ樹脂を共用する系を使用した場合に、接着温度を比
較的低温にできる、接着剤の硬化温度を低温化でき
る、高温時の接着力が高い、等の利点があり、上記第
1図ないし第3図に示される半導体プラスチックパッケ
ージに用いた場合、上記の目的が達成されることを見出
し、本発明を完成するに至った。
本発明の第1及び第2のものは、樹脂封止型半導体装
置用接着テープに関するものである。
即ち、第1の発明の樹脂封止型半導体装置用接着テー
プは、耐熱性フィルムの少なくとも一面に、アクリロニ
トリル−ブタジエン共重合体100重量部に対して、レゾ
ール型フェノール樹脂10〜600重量部及びエポキシ樹脂1
0〜600重量部を配合してなる接着層を積層してなり、該
レゾール型フェノール樹脂が、フェノール成分として、
クレゾール、ビスフェノールA及びp−t−ブチルフェ
ノールよりなる群から選択された1種又はそれ以上より
なるクレゾール型、ビスフェノールA型、p−t−ブチ
ルフェノール型又はそれ等の共縮合型のフェノール樹脂
であり、該エポキシ樹脂がフェノールノボラックエポキ
シ樹脂及びオルトクレゾールノボラックエポキシ樹脂よ
りなる群から選択された少なくとも1種よりなることを
特徴とする。
また、第2の発明の樹脂封止型半導体装置用接着テー
プは、剥離性フィルムの一面に、上記第1発明に関して
記載したと同一の接着層を積層してなることを特徴とす
る。
以下、本発明を詳細に説明する。まず、第1及び第2
の発明の樹脂封止型半導体装置用接着テープを作成する
ために使用する液状接着剤について説明する。
(液状接着剤) 液状接着剤は、アクリロニトリル−ブタジエン共重合
体、レゾール型フェノール樹脂及びエポキシ樹脂の混合
系から構成される。
アクリロニトリル−ブタジエン共重合体としては、ニ
トリル含有量が10〜45%、好ましくは20〜45%の比較的
高ニトリル含量であって、分子量5〜100万、好ましく
は10〜50万のニトリルゴムが使用される。場合により、
加熱時自己架橋性がでるように、例えばキノン系、ジア
ルキルパーオキサイド類及びパーオキシケタール類等の
加硫剤を含有させることができる。
レゾール型フェノール樹脂としては、フェノール成分
が、クレゾール、ビスフェノールA、p−t−ブチルフ
ェノールよりなる群から選択された1種又はそれ以上よ
りなるクレゾール型、ビスフェノールA型、p−t−ブ
チルフェノール型又はそれ等の共縮合型のフェノール樹
脂が使用される。
ビスフェノールA型のレゾール型フェノール樹脂は、
ビスフェノールAを出発物質として合成された下記の基
本骨格を有するものであって、環球法による軟化点が70
〜90℃のものが好適に使用される。
p−t−ブチルフェノール型のレゾール型フェノール
樹脂は、p−t−ブチルフェノールを出発物質として合
成されたもので、下記の基本骨格を有するもので、環球
法による軟化点が80〜100℃のものが好適に使用され
る。
また、クレゾール型のレゾール型フェノール樹脂は、
クレゾールと、ホルムアルデヒドを出発物質として合成
されるものである。
本発明の接着層においては、上記レゾール型フェノー
ル樹脂において、フェノール成分として、上記以外の他
のフェノール成分が含まれていてもよい。例えば、p−
フェニルフェノール型、ビフェニル型等との共縮合型の
フェノール樹脂が含まれていてもよい。
エポキシ樹脂としては、フェノールノボラックエポキ
シ樹脂及びオルトクレゾールノボラックエポキシ樹脂が
使用される。
接着剤及び接着層におけるアクリロニトリル−ブタジ
エン共重合体、レゾール型フェノール樹脂及びエポキシ
樹脂の配合比率は、かなり選択許容範囲があるが、アク
リロニトリル−ブタジエン共重合体の添加率が多すぎる
と、耐熱性が低下し、逆に少なすぎると、接着剤層をB
ステージまで硬化した際に、接着剤自体が脆くなり、作
業性が悪くなったり、支持体である耐熱性フィルムとの
密着性が悪くなったりする。
一方、レゾール型フェノール樹脂の添加率について
は、レゾール型フェノール樹脂の添加率が多すぎると、
耐熱性フィルムとの密着性が悪くなったり、接着剤硬化
後に受ける熱履歴による接着強度の低下が著しくなった
りする。また、添加率が少なすぎると、硬化後、接着剤
の耐熱性、特に、Tg、ヤング率の低下が著しくなり、目
的の用途に適さなくなる。また、エポキシ樹脂の配合比
率についても、レゾール型フェノール樹脂の場合と同様
なことがいえる。
また、エポキシ樹脂とレゾール型フェノール樹脂の配
合比率は、エポキシ樹脂中のエポキシ当量とレゾール型
フェノール樹脂中のフェノール性水酸基当量を充分に考
慮して決定することが重要である。つまり、エポキシ基
とフェノール性水酸基とは化学反応して耐熱性の高い結
合を作ることが予想されるが、これ等の比率が大きくず
れると、充分に耐熱性の高い接着剤を得ることができな
くなるからである。
したがって、本発明においては、固形分換算でアクリ
ロニトリル−ブタジエン共重合体100重量部に対して、
レゾール型フェノール樹脂10〜600重量部、エポキシ樹
脂10〜600重量部の範囲にあることが必要である。
本発明において、エポキシ樹脂とレゾール型フェノー
ル樹脂は、硬化の過程で化学結合し、より耐熱性の高い
硬化物になることが望まれるが、ジシアンジアミドを含
有する硬化促進剤を使用することによって、接着剤の加
熱硬化条件をより穏和なものとすることができる。
また、接着剤の高温時におけるヤング率を向上させた
り、接着テープのテーピング特性を安定化させるため
に、接着剤中にフィラーを添加することができる。
また、第1図ないし第3図に示すプラスチックパッケ
ージを製造する製造工程においては、接着剤の光反射率
の状態によっては、ワイヤーボンディング時にワイヤー
ボンダーによるリードピン等の視認性が悪い場合が生じ
るが、その様な場合には、接着剤中にカーボンブラック
をフィラーとして添加することが有用である。その際の
カーボンブラックの添加率としては、接着剤に対し、0.
01〜10重量%の範囲にあるのが好ましい。何故ならば、
添加率が上記の範囲よりも少ない場合には、カーボンブ
ラック添加の効果が充分でなく、また、上記の範囲より
も多い場合には、電気絶縁性が不十分になるなどの問題
が生じるからである。
上記の構成成分よりなる液状接着剤を使用して接着テ
ープを作成する際には、その液状接着剤を耐熱性フィル
ムの片面又は両面に、或いは剥離性フィルムの片面に塗
布し、乾燥し、Bステージまで硬化させればよい。その
際、塗布厚が5〜50μm、好ましくは10〜30μmの範囲
に設定する。
耐熱性フィルム及び剥離性フィルムとしては、次のも
のが使用される。
(耐熱性フィルム) 厚さ7.5〜130μm、好ましくは12.5〜75μmの、例え
ば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレン
サルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリパラ
バン酸及び場合によりポリエチレンテレフタレート等の
耐熱性フィルムや、エポキシ樹脂−ガラスクロス、エポ
キシ樹脂−ポリイミド−ガラスクロス等の複合耐熱性フ
ィルムが使用される。
耐熱性フィルムの厚さが薄すぎる場合には、接着テー
プの腰が不十分になり、接着作業などが難しくなり、ま
た厚さが厚すぎる場合には、接着テープの打ち抜き性が
問題になるので上記の範囲が好ましい。
(剥離性フィルム) 剥離性フィルムとしては、厚さ1〜200μm、好まし
くは10〜100μmのもので、第2発明において、剥離性
フィルムは仮の支持体として作用する。使用可能な剥離
性フィルムとしては、ポリプロピレンフィルム、フッ素
樹脂系フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレン
テレフタレートフィルム、紙及び場合によってこれ等に
シリコーン樹脂等で剥離性を付与したもの等があげられ
る。
これ等剥離性フィルムは、90゜ピール剥離強度が0.01
〜7.0gの範囲にあることが望ましい。何故ならば、剥離
強度が上記の範囲よりも低い場合には、接着テープ搬送
時に剥離性フィルムが簡単に剥離するなどの問題があ
り、また、上記の範囲よりも高い場合には、剥離性フィ
ルムが接着剤層から奇麗に取れず、作業性が悪いなどの
問題を起こすからである。
なお、第1発明において、耐熱性フィルムの片面又は
両面に上記液状接着剤を塗布して接着層を形成した場合
には、接着層の上には、更に剥離性の保護フイルムを設
けてもよい。剥離性の保護フィルムとしては、上記剥離
性フィルムと同様のものが使用できる。
(実施例) 以下、本発明を実施例によって詳記する。なお、配合
部数は全て重量部である。
1.(液状接着剤の調製) a)接着剤A(本発明) アクリロニトリル−ブタジエン共重合体(NIPOL100
1、日本ゼオン(株)製)(ムーニー粘度:78、結合アク
リロニトリル量:41%、数平均分子量:約62,000、重量
平均分子量/数平均分子量=12.1)100部、クレゾール
型レゾールフェノール樹脂(BKM−2620、昭和高分子
(株)製)(室温で固体状樹脂、軟化点:82〜99℃、50
℃でゲル化時間:85〜125秒)80部、o−クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂(YDCN−702、東都化成(株)
製)(エポキシ当量:200〜300g/eq、軟化点:70〜80℃)
100部、及びジシアンジアミド1部を、メチルエチルケ
トン中に添加、混合し、充分に溶解して固形分率35%の
液状接着剤を調製した。
b)接着剤B(比較対照用) ナイロンエポキシ系接着剤(トレジンFS−410、帝国
化学産業(株)製)(固形分率20%、溶剤:イソプロピ
ルアルコール:メチルエチルケトン=2:1)を用意し
た。
c)接着剤C(比較対照用) ポリイミド系ワニスラークTPI(三井東圧化学(株)
製)のN−メチルピロリドン20%溶液を用意した。
d)接着剤D(本発明) 接着剤Aにおいて、o−クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂の代わりにフェノールノボラック型エポキシ樹
脂(EPPN−201、日本化薬(株)製)を用いた以外は、
接着剤Aの場合と同様にして液状接着剤を調製した。
e)接着剤E(比較対照用) 接着剤Aにおいて、o−クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂の代わりにビスフェノールAノボラック型エポ
キシ樹脂(エピコート157、油化シェル(株)製)を用
いた以外は、接着剤Aの場合と同様にして液状接着剤を
調製した。
2.(試験用接着テープの作成) 耐熱性フィルムとして、膜厚50μmのポリイミドフィ
ルム(アピカル50AH、鐘淵化学(株)製)の上に、以下
の条件で上記した接着剤を塗布して乾燥し試験用接着テ
ープを作成した。
a)接着テープ1(本発明) 上記接着剤Aを、乾燥後の接着剤層の厚さが20μmに
なるようにポリイミドフィルムの両面に塗布し、熱風循
環型乾燥機中にて150℃で10分間乾燥して、接着テープ
1を作成した。
b)接着テープ2(比較対照用) 上記接着剤Bを、乾燥後の接着剤層の厚さが20μmに
なるようにポリイミドフィルムの両面に塗布し、熱風循
環型乾燥機中にて150℃で15分間乾燥して、接着テープ
2を作成した。
c)接着テープ3(比較対照用) 上記接着剤Cを、乾燥後の接着剤層の厚さが20μmに
なるようにポリイミドフィルムの両面に塗布し、熱風循
環型乾燥機中にて150℃で120分間、次いで250℃で60分
間乾燥して、接着テープ3を作成した。
d)接着テープ4(本発明) 上記接着剤Dを、乾燥後の接着剤層の厚さが20μmに
なるようにポリイミドフィルムの両面に塗布し、熱風循
環型乾燥機中にて150℃で10分間乾燥して、接着テープ
4を作成した。
e)接着テープ5(比較対照用) 上記接着剤Eを、乾燥後の接着剤層の厚さが20μmに
なるようにポリイミドフィルムの両面に塗布し、熱風循
環型乾燥機中にて150℃で10分間乾燥して、接着テープ
5を作成した。
3.パッケージの組立て 第1図に示すパッケージに用いられるリードフレーム
を、第1表に示した手順で組み立てた。
その後、ここで作成したリードフレームを使用し、以
下の手順でパッケージを組み立てた。リードフレーム組
立て時に、接着条件及び硬化条件が異なるのは、各接着
テープの特性が異なるためである。ここでは、各接着テ
ープに最適の接着条件を選定し、それに基づいて接着硬
化させた。
a)ダイボンディング 半導体チップをダイボンディング用銀ペーストを用い
てリードフレームダイパッド部へ接着し、150℃で2時
間硬化させる。
b)ワイヤーボンディング ワイヤーボンダーにより金線で半導体チップ上のワイ
ヤーパッドとリードフレームのインナーリード先端部の
銀メッキ部分とを配線する。
c)モールディング エポキシ系モールド材でトランスファーモールドす
る。
d)仕上げ工程 ホーミング、ダイカット、アウターリード部のメッキ
等の工程を含め、パッケージに仕上げる。
4.接着テープの評価 リードフレーム組立てに際して、次の評価を行った。
a)テーピング可能温度:接着テープを容易かつ迅速に
被着体に接着できるか否かの評価を行った。テーピング
マシンでテープをリードフレームに接着することができ
る温度域を測定した。
b)リードフレームの酸化:接着剤硬化中にリードフレ
ーム表面の酸化が起こっているか否かの評価を行った。
c)接着力:十分な接着力があり、そのバラツキは小さ
いか否かについて評価を行った。150℃でせん断強度を
測定した。
d)ボイド:接着剤を硬化させる際に接着剤内に発生す
るボイドが実用上問題になるレベルにあるか否を評価し
た。
e)作業性:接着テープ使用時のハンドリング性及び接
着テープの接着剤表面のタックについて評価を行った。
また、パッケージ組立てに際して、金線のワイヤーボ
ンディング時のリードフレーム上へのワイヤーボンダビ
リティ及び接着強度を確認した。
これらの評価結果を第2表に示す。
第2表の結果から明らかなように、本発明の接着剤を
使用した接着テープの場合には、パッケージを良好に作
成することができる。これに対して、比較対照例の接着
テープ2および3の場合には、リードフレームの酸化が
生じる、接着条件がリードフレームの組み立てに適しな
い、金線のワイヤーボンディングを行うことができな
い、等の問題があり、樹脂封止型半導体装置作成の用途
に適していない。また、ビスフェノールAノボラック型
エポキシ樹脂を使用した接着テープ5は、表面タックが
一部発生してハンドリングも悪く、実施例の接着テープ
に比較して接着力もやや弱く、金線のワイヤーボンディ
ングを良好に行うことができなかった。
(発明の効果) 本発明の樹脂封止型半導体装置用接着テープは、比較
的低温で接着、硬化でき、十分な耐熱性を有するので、
それを用いて作成された樹脂封止型半導体装置は、良好
な信頼性を有するものとなる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第3図は、それぞれ樹脂封止型半導体装置
用接着テープを使用してプラスチックパッケージを組立
てた図の断面図である。 1……半導体チップ、2……プレーン、3……リードピ
ン、4……ボンディングワイヤー、5……樹脂、6……
接着層、7……ダイパッド、8……電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横山 茂幸 静岡県静岡市用宗巴町3番1号 株式会 社巴川製紙所技術研究所内 (72)発明者 越村 淳 静岡県静岡市用宗巴町3番1号 株式会 社巴川製紙所技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭49−33988(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】耐熱性フィルムの少なくとも一面に、アク
    リロニトリル−ブタジエン共重合体100重量部に対し
    て、レゾール型フェノール樹脂10〜600重量部及びエポ
    キシ樹脂10〜600重量部を配合してなる接着層を積層し
    てなり、該レゾール型フェノール樹脂が、フェノール成
    分として、クレゾール、ビスフェノールA及びp−t−
    ブチルフェノールよりなる群から選択された1種又はそ
    れ以上よりなるクレゾール型、ビスフェノールA型、p
    −t−ブチルフェノール型又はそれ等の共縮合型のフェ
    ノール樹脂であり、該エポキシ樹脂がフェノールノボラ
    ックエポキシ樹脂及びオルトクレゾールノボラックエポ
    キシ樹脂よりなる群から選択された少なくとも1種より
    なることを特徴とする樹脂封止型半導体装置用接着テー
    プ。
  2. 【請求項2】剥離性フィルムの一面に、アクリロニトリ
    ル−ブタジエン共重合体100重量部に対して、レゾール
    型フェノール樹脂10〜600重量部及びエポキシ樹脂10〜6
    00重量部を配合してなる接着層を積層してなり、該レゾ
    ール型フェノール樹脂が、フェノール成分として、クレ
    ゾール、ビスフェノールA及びp−t−ブチルフェノー
    ルよりなる群から選択された1種又はそれ以上よりなる
    クレゾール型、ビスフェノールA型、p−t−ブチルフ
    ェノール型又はそれ等の共縮合型のフェノール樹脂であ
    り、該エポキシ樹脂がフェノールノボラックエポキシ樹
    脂及びオルトクレゾールノボラックエポキシ樹脂よりな
    る群から選択された少なくとも1種よりなることを特徴
    とする樹脂封止型半導体装置用接着テープ。
JP1200253A 1989-08-03 1989-08-03 樹脂封止型半導体装置用接着テ−プ Expired - Fee Related JP2612498B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1200253A JP2612498B2 (ja) 1989-08-03 1989-08-03 樹脂封止型半導体装置用接着テ−プ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1200253A JP2612498B2 (ja) 1989-08-03 1989-08-03 樹脂封止型半導体装置用接着テ−プ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0364387A JPH0364387A (ja) 1991-03-19
JP2612498B2 true JP2612498B2 (ja) 1997-05-21

Family

ID=16421306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1200253A Expired - Fee Related JP2612498B2 (ja) 1989-08-03 1989-08-03 樹脂封止型半導体装置用接着テ−プ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2612498B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2787842B2 (ja) 1992-09-03 1998-08-20 住友ベークライト株式会社 半導体用導電性樹脂ペースト

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2257707B (en) * 1991-05-27 1995-11-01 Nippon Zeon Co Adhesive composition
FR2799919B1 (fr) 1999-10-19 2002-10-11 Sagem Actionneur a aimant permanent et bobine electrique d'excitation, notamment haut-parleur de telephone mobile
JP5004499B2 (ja) * 2006-04-27 2012-08-22 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ
JP4851863B2 (ja) * 2006-06-22 2012-01-11 東海ゴム工業株式会社 ゴム組成物およびそれを用いたゴム製品

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5214745B2 (ja) * 1972-07-28 1977-04-23

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2787842B2 (ja) 1992-09-03 1998-08-20 住友ベークライト株式会社 半導体用導電性樹脂ペースト

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0364387A (ja) 1991-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4360446B1 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR100831153B1 (ko) 반도체 조립용 접착 필름 조성물, 이에 의한 접착 필름 및이를 포함하는 다이싱 다이본드 필름
CN106459719A (zh) 用于半导体的粘合剂组合物、用于半导体的粘合膜和切割管芯粘结膜
JP2008156633A (ja) ダイシング・ダイボンディングフィルム、接着フィルム組成物およびダイパッケージ
JP4994743B2 (ja) フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法
JP4466397B2 (ja) 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
CN101627465A (zh) 用于半导体的粘合膜和使用该粘合膜的半导体器件
JP2009049253A (ja) 接着フィルム
JP2008095014A (ja) Qfn用熱硬化型樹脂組成物および接着シート
JP4123963B2 (ja) 接着シート及びそれを用いた半導体装置
JP2612498B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置用接着テ−プ
CN107614641A (zh) 半导体加工用带
JPWO2019220540A1 (ja) 半導体装置、並びに、その製造に使用する熱硬化性樹脂組成物及びダイシングダイボンディング一体型テープ
JP4534100B2 (ja) 電子部品用両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置
US9153556B2 (en) Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device using the sheet, and semiconductor device obtained by the method
KR102629865B1 (ko) 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치와 그 제조 방법
JP2000154360A (ja) 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JP2001181586A (ja) 接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置
KR19990019012A (ko) 전자부품용 내열성 접착 테이프
JP5549106B2 (ja) 半導体用接着シート及びダイシング一体型半導体用接着シート
KR20210041569A (ko) 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI838750B (zh) 接著劑用組成物及膜狀接著劑、以及使用膜狀接著劑之半導體封裝及其製造方法
KR100530519B1 (ko) 전자부품용 접착테이프의 제조방법
JP2006182919A (ja) 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
WO2022163465A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法、並びに、熱硬化性樹脂組成物、接着フィルム及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080227

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees