JP2604665B2 - 超電導磁気シールド容器及びその製造方法 - Google Patents
超電導磁気シールド容器及びその製造方法Info
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基材上に７７Ｋ以上の
臨界温度を有するＢｉ系酸化物超電導体の高Ｔｃ相皮膜
と低Ｔｃ相皮膜とを積層させてなる超電導磁気シールド
容器及びその製造方法に関する。
臨界温度を有するＢｉ系酸化物超電導体の高Ｔｃ相皮膜
と低Ｔｃ相皮膜とを積層させてなる超電導磁気シールド
容器及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】一般に、磁気シールド
には、能動的遮蔽と、受動的遮蔽とがあり、さらに受動
的な遮蔽には、強磁性遮蔽と超電導遮蔽とがあることは
周知であり、各々の磁気シールドの特性はそれぞれの特
徴を有している（小笠原「低温工学」Vol. 8.No.4,197
3.P135〜147参照）。これら磁気シールドのうち、強磁
性遮蔽は外部磁界を強磁性体、例えばパーマロイで取り
込んで、内部空間に磁場を侵入させないものであるのに
対して、超電導遮蔽は外部磁場を超電導体内に取り込ま
ずに、外部に向かって排除することにより、内部空間に
磁場を侵入させないもので、磁気シールド効果は強磁性
体よりも桁違いに大きい。すなわち、強磁性遮蔽には残
留磁化の存在からくる限界が有り、この限界を超えた領
域での磁気シールドには、超電導磁気シールドに待たな
ければならない。しかるに、例えばＮｂ系の金属系超電
導体では、冷媒として液体ヘリウムを使用する必要があ
るので、磁気シールド施工にはコスト的に障壁があり、
超電導遮蔽は極く一部を除いて実用化されていない。
には、能動的遮蔽と、受動的遮蔽とがあり、さらに受動
的な遮蔽には、強磁性遮蔽と超電導遮蔽とがあることは
周知であり、各々の磁気シールドの特性はそれぞれの特
徴を有している（小笠原「低温工学」Vol. 8.No.4,197
3.P135〜147参照）。これら磁気シールドのうち、強磁
性遮蔽は外部磁界を強磁性体、例えばパーマロイで取り
込んで、内部空間に磁場を侵入させないものであるのに
対して、超電導遮蔽は外部磁場を超電導体内に取り込ま
ずに、外部に向かって排除することにより、内部空間に
磁場を侵入させないもので、磁気シールド効果は強磁性
体よりも桁違いに大きい。すなわち、強磁性遮蔽には残
留磁化の存在からくる限界が有り、この限界を超えた領
域での磁気シールドには、超電導磁気シールドに待たな
ければならない。しかるに、例えばＮｂ系の金属系超電
導体では、冷媒として液体ヘリウムを使用する必要があ
るので、磁気シールド施工にはコスト的に障壁があり、
超電導遮蔽は極く一部を除いて実用化されていない。
【０００３】しかるに、酸化物超電導体の磁気シールド
容器は液体窒素温度で使用できるので大きなメリットが
あり、注目されている。例えば、生体磁気計測や、電子
ビーム露光装置の磁気シールド等、大型の磁気シールド
体を酸化物超電導体で作製する場合、基材上に超電導層
を厚膜化するのが有利である。
容器は液体窒素温度で使用できるので大きなメリットが
あり、注目されている。例えば、生体磁気計測や、電子
ビーム露光装置の磁気シールド等、大型の磁気シールド
体を酸化物超電導体で作製する場合、基材上に超電導層
を厚膜化するのが有利である。
【０００４】一方、溶射法、特にプラズマ溶射法はＢｉ
系酸化物やセラミックス等の皮膜を作製するには簡便な
方法で幅広く用いられている。一般に、これらＢｉ系酸
化物として約１００Ｋの高Ｔｃ相及び約９０Ｋの低Ｔｃ
相が形成される。従来のプラズマ溶射法でＢｉ系酸化物
の高Ｔｃ相の皮膜を形成する場合、溶射後の熱処理によ
り結晶化させて超電導特性を得るが、その際、高Ｔｃ相
の皮膜は結晶化過程で体積膨張を引き起こし、基材から
剥離し易く、また密度の低下が著しい。この密度低下は
熱サイクルによるヒートショック及び僅かな衝撃力によ
っても微細な割れを生じやすく、そのため磁気シールド
効果を著しく低下させる傾向が認められていた。従来、
この結晶化過程での臨界電流密度Ｊｃを高めるととも
に、溶射後の熱処理過程での膨れによる密度低下を防ぐ
ため、皮膜面に垂直に荷重を加えて、再度の熱処理を行
う工程を行ってきた。この工程はシールド容器の形状が
大型化、複雑化するとコストを高め、実用化に大きな障
害となっていた。といって、低Ｔｃ相のみの皮膜では溶
射後の熱処理過程での膨れが無いもののＴｃ及びＪｃが
十分でなく、液体窒素による間接冷却時に温度的余裕が
無く、クライオスタットの設計が困難となる。
系酸化物やセラミックス等の皮膜を作製するには簡便な
方法で幅広く用いられている。一般に、これらＢｉ系酸
化物として約１００Ｋの高Ｔｃ相及び約９０Ｋの低Ｔｃ
相が形成される。従来のプラズマ溶射法でＢｉ系酸化物
の高Ｔｃ相の皮膜を形成する場合、溶射後の熱処理によ
り結晶化させて超電導特性を得るが、その際、高Ｔｃ相
の皮膜は結晶化過程で体積膨張を引き起こし、基材から
剥離し易く、また密度の低下が著しい。この密度低下は
熱サイクルによるヒートショック及び僅かな衝撃力によ
っても微細な割れを生じやすく、そのため磁気シールド
効果を著しく低下させる傾向が認められていた。従来、
この結晶化過程での臨界電流密度Ｊｃを高めるととも
に、溶射後の熱処理過程での膨れによる密度低下を防ぐ
ため、皮膜面に垂直に荷重を加えて、再度の熱処理を行
う工程を行ってきた。この工程はシールド容器の形状が
大型化、複雑化するとコストを高め、実用化に大きな障
害となっていた。といって、低Ｔｃ相のみの皮膜では溶
射後の熱処理過程での膨れが無いもののＴｃ及びＪｃが
十分でなく、液体窒素による間接冷却時に温度的余裕が
無く、クライオスタットの設計が困難となる。
【０００５】本発明は、溶射後の熱処理過程での高Ｔｃ
相の膨れによる基材からの剥離や密度の低下を防ぎ、こ
れにより高Ｔｃ相の臨界電流密度Ｊｃを改善し、磁気シ
ールド容器の大型化を可能にした磁気シールド容器及び
その製造方法を提供することを目的とする。
相の膨れによる基材からの剥離や密度の低下を防ぎ、こ
れにより高Ｔｃ相の臨界電流密度Ｊｃを改善し、磁気シ
ールド容器の大型化を可能にした磁気シールド容器及び
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を達成するための手段】本発明は、基材上に必要
に応じて下地層を形成した後、溶射法によりビスマス系
酸化物超電導体の高Ｔｃ相と低Ｔｃ相とを交互に積層さ
せた積層構造とすることにより、前記課題を解決したも
のである。
に応じて下地層を形成した後、溶射法によりビスマス系
酸化物超電導体の高Ｔｃ相と低Ｔｃ相とを交互に積層さ
せた積層構造とすることにより、前記課題を解決したも
のである。
【０００７】このような本発明において、前記低Ｔｃ相
はＰｂ又はＡｇ、あるいはこれら両元素を０．０１〜
０．３モル比含むものであってもよい。例えば低Ｔｃ相
はＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：１：２（２２１
２）の組成比で表されるが、この組成に例えばＰｂを複
合化させ、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：０．
２：２：１：２とすることができる。このように複合化
することにより低Ｔｃ相を発現するための熱処理温度
を、通常の８７０℃から高Ｔｃ相の発現温度である８４
０℃にまで低下させることができる。形成された高Ｔｃ
相と低Ｔｃ相の皮膜は同一温度の熱処理により両者とも
超電導特性を発現できる。さらに、前記元素を添加する
ことにより、例えば低Ｔｃ相の部分溶融温度を８５０℃
に低下させることができる。この場合、皮膜形成後の熱
処理で例えば低Ｔｃ相が部分溶融する温度に短時間保持
した後、高Ｔｃ相が超電導特性を発現する温度、例えば
８３０〜８４０℃で熱処理することができる。このよう
な熱処理を施すことにより、溶射された低Ｔｃ相皮膜は
部分溶融して高Ｔｃ相皮膜を挾み込み、高Ｔｃ相皮膜の
基材からの剥離を防ぎ、膨れを防止して膜の緻密化を促
進することができる。
はＰｂ又はＡｇ、あるいはこれら両元素を０．０１〜
０．３モル比含むものであってもよい。例えば低Ｔｃ相
はＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：１：２（２２１
２）の組成比で表されるが、この組成に例えばＰｂを複
合化させ、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：０．
２：２：１：２とすることができる。このように複合化
することにより低Ｔｃ相を発現するための熱処理温度
を、通常の８７０℃から高Ｔｃ相の発現温度である８４
０℃にまで低下させることができる。形成された高Ｔｃ
相と低Ｔｃ相の皮膜は同一温度の熱処理により両者とも
超電導特性を発現できる。さらに、前記元素を添加する
ことにより、例えば低Ｔｃ相の部分溶融温度を８５０℃
に低下させることができる。この場合、皮膜形成後の熱
処理で例えば低Ｔｃ相が部分溶融する温度に短時間保持
した後、高Ｔｃ相が超電導特性を発現する温度、例えば
８３０〜８４０℃で熱処理することができる。このよう
な熱処理を施すことにより、溶射された低Ｔｃ相皮膜は
部分溶融して高Ｔｃ相皮膜を挾み込み、高Ｔｃ相皮膜の
基材からの剥離を防ぎ、膨れを防止して膜の緻密化を促
進することができる。
【０００８】以下に、本発明を添付図面を参照して説明
する。図１は本発明に係る多層構造の一例を示すもので
あり、図において、１はＮｉ系合金製円筒等の基材であ
り、この基材１の外周上にはアンダーコーティング材２
としてＡｇ等の皮膜を５０〜１００μｍ形成する。次
に、低Ｔｃ相皮膜３を約５０μｍ形成した後、高Ｔｃ相
皮膜４を約１００μｍ形成し、その低Ｔｃ相皮膜３及び
高Ｔｃ相皮膜４の繰返しを３回行い、最外層に低Ｔｃ相
皮膜３を約５０μｍ積層して合計で約５００μｍの皮膜
を作製した。
する。図１は本発明に係る多層構造の一例を示すもので
あり、図において、１はＮｉ系合金製円筒等の基材であ
り、この基材１の外周上にはアンダーコーティング材２
としてＡｇ等の皮膜を５０〜１００μｍ形成する。次
に、低Ｔｃ相皮膜３を約５０μｍ形成した後、高Ｔｃ相
皮膜４を約１００μｍ形成し、その低Ｔｃ相皮膜３及び
高Ｔｃ相皮膜４の繰返しを３回行い、最外層に低Ｔｃ相
皮膜３を約５０μｍ積層して合計で約５００μｍの皮膜
を作製した。
【０００９】図１に示すように、好ましくは基材１上
の、所望により形成されたＡｇ等のアンダーコーティン
グ材２の直上には低Ｔｃ相皮膜３を形成し、そして最上
層にも低Ｔｃ相皮膜３を形成するようにする。
の、所望により形成されたＡｇ等のアンダーコーティン
グ材２の直上には低Ｔｃ相皮膜３を形成し、そして最上
層にも低Ｔｃ相皮膜３を形成するようにする。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、高Ｔｃ相皮膜が低Ｔｃ
相皮膜に挾まれているため熱処理時の高Ｔｃ相の膨れが
防止され、さらに低Ｔｃ相皮膜による密度低下防止効果
により溶射皮膜全体の密度低下が防止され、ヒートショ
ック及び僅かな応力負荷での割れが防止され、磁気シー
ルド効果が向上し、基材からの剥離も防止される。従っ
て、液体ヘリウムを冷媒として使用する大型の磁気シー
ルド容器が得られる。
相皮膜に挾まれているため熱処理時の高Ｔｃ相の膨れが
防止され、さらに低Ｔｃ相皮膜による密度低下防止効果
により溶射皮膜全体の密度低下が防止され、ヒートショ
ック及び僅かな応力負荷での割れが防止され、磁気シー
ルド効果が向上し、基材からの剥離も防止される。従っ
て、液体ヘリウムを冷媒として使用する大型の磁気シー
ルド容器が得られる。
【００１１】以下に実施例を示す。
【００１２】
【実施例１】Ｂｉ系酸化物の高Ｔｃ相および低Ｔｃ相は
Ｂｉ2Ｏ3，ＳｒＣＯ3，ＣａＣＯ3およびＣｕＯの原料を
用い、高Ｔｃ相はＢｉ1.5Ｐｂ0.5Ｓｒ1.9Ｃａ1.9Ｃｕ2.
8Ｏｙの組成（以下略、１．５−０．５−１．９−１．
９−２．８）になるように混合して、また、低Ｔｃ相は
Ｂｉ2Ｐｂ0.2Ｓｒ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏｘ（以下略、２−０．
２−２−１−２）になるように混合して、それぞれ８０
０℃×１０ｈの仮焼結と、８４０℃×１００ｈの本焼結
を行った後、粉砕して粒径５０〜１００μｍの範囲に作
製した。このような粒子を用いて、外径１００ｍｍ（厚
み１．６ｍｍ）長さ５００ｍｍのインコネル６２５の円
筒に、以下に示すような溶射条件と溶射工程を行った。
Ｂｉ2Ｏ3，ＳｒＣＯ3，ＣａＣＯ3およびＣｕＯの原料を
用い、高Ｔｃ相はＢｉ1.5Ｐｂ0.5Ｓｒ1.9Ｃａ1.9Ｃｕ2.
8Ｏｙの組成（以下略、１．５−０．５−１．９−１．
９−２．８）になるように混合して、また、低Ｔｃ相は
Ｂｉ2Ｐｂ0.2Ｓｒ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏｘ（以下略、２−０．
２−２−１−２）になるように混合して、それぞれ８０
０℃×１０ｈの仮焼結と、８４０℃×１００ｈの本焼結
を行った後、粉砕して粒径５０〜１００μｍの範囲に作
製した。このような粒子を用いて、外径１００ｍｍ（厚
み１．６ｍｍ）長さ５００ｍｍのインコネル６２５の円
筒に、以下に示すような溶射条件と溶射工程を行った。
【００１３】２−０．２−２−１−２粒子および１．５
−０．５−１．９−１．９−２．８粒子の溶射条件はト
ーチ作動出力が約１１ＫＷ（８０Ａ×１３５Ｖ）、作動
ガスとして空気を用いて、プラズマジエットを発生させ
それぞれの粒子を９０ｍｍの位置で送入した。プラズマ
・セパレーション（Ｐ−ＳＥＰ）ガス流量を２５ｌ／ｍ
ｉｎとし、アーク発生起点から１１５ｍｍの距離に上記
のインコネル円筒を置き、Ｂｉ系酸化物皮膜を付着させ
た。図２に溶射法の模式図を示す。インコネル円筒上に
は、あらかじめ、アンダーコーテイング材としてＡｇ皮
膜を形成させた。その溶射条件はトーチ作動出力が約１
３ＫＷ（１１０Ａ×１１８Ｖ）、作動ガスとしてアンゴ
ルを用いて、プラズマジエットを発生させＡｇ粒子を５
０ｍｍの位置で送入し、Ｐ−ＳＥＰガス流量を４５１／
ｍｉｎとし、アーク発生起点から１１５ｍｍの距離にあ
る上記のインコネル円筒にＡｇ系皮膜を約１００ｕｍ付
着させた。その他の条件として、プラズマ溶射は大気中
で行い、インコネル円筒は回転速度１２０ｒｐｍ、送り
速度１３．８ｍｍ／ｓｅｃで行った。
−０．５−１．９−１．９−２．８粒子の溶射条件はト
ーチ作動出力が約１１ＫＷ（８０Ａ×１３５Ｖ）、作動
ガスとして空気を用いて、プラズマジエットを発生させ
それぞれの粒子を９０ｍｍの位置で送入した。プラズマ
・セパレーション（Ｐ−ＳＥＰ）ガス流量を２５ｌ／ｍ
ｉｎとし、アーク発生起点から１１５ｍｍの距離に上記
のインコネル円筒を置き、Ｂｉ系酸化物皮膜を付着させ
た。図２に溶射法の模式図を示す。インコネル円筒上に
は、あらかじめ、アンダーコーテイング材としてＡｇ皮
膜を形成させた。その溶射条件はトーチ作動出力が約１
３ＫＷ（１１０Ａ×１１８Ｖ）、作動ガスとしてアンゴ
ルを用いて、プラズマジエットを発生させＡｇ粒子を５
０ｍｍの位置で送入し、Ｐ−ＳＥＰガス流量を４５１／
ｍｉｎとし、アーク発生起点から１１５ｍｍの距離にあ
る上記のインコネル円筒にＡｇ系皮膜を約１００ｕｍ付
着させた。その他の条件として、プラズマ溶射は大気中
で行い、インコネル円筒は回転速度１２０ｒｐｍ、送り
速度１３．８ｍｍ／ｓｅｃで行った。
【００１４】溶射手順は、まず、インコネル円筒表面を
Ａｌ2Ｏ3粒子で粗くし後、Ａｇ粒子を着けてから、低Ｔ
ｃ相の２−０．２−２−１−２粒子を約５０μｍを着け
た後、高Ｔｃ相を約１００μｍを着けて、それを３回く
り返して溶射し、最外層の低Ｔｃ相を約５０μｍに着け
てトータルで約５００μｍにした。溶射直後の皮膜は非
結晶質で絶縁体に近く、この皮膜を、８４０℃×１５０
ｈの熱処理を施した後、常温まで６０℃／ｈの徐冷を加
えた。作製された積層皮膜の臨界温度Ｔｃ（抵抗＝Ｏ）
は１０５Ｋとなり、臨界電流密度Ｊｃは７７Ｋの温度、
磁界Ｈ＝Ｏにおいて約８００Ａ／ｃｍ2、また、磁気シ
ールド特性は１ガウスの外部磁界１００万分の１の磁気
遮蔽効果が得られた。
Ａｌ2Ｏ3粒子で粗くし後、Ａｇ粒子を着けてから、低Ｔ
ｃ相の２−０．２−２−１−２粒子を約５０μｍを着け
た後、高Ｔｃ相を約１００μｍを着けて、それを３回く
り返して溶射し、最外層の低Ｔｃ相を約５０μｍに着け
てトータルで約５００μｍにした。溶射直後の皮膜は非
結晶質で絶縁体に近く、この皮膜を、８４０℃×１５０
ｈの熱処理を施した後、常温まで６０℃／ｈの徐冷を加
えた。作製された積層皮膜の臨界温度Ｔｃ（抵抗＝Ｏ）
は１０５Ｋとなり、臨界電流密度Ｊｃは７７Ｋの温度、
磁界Ｈ＝Ｏにおいて約８００Ａ／ｃｍ2、また、磁気シ
ールド特性は１ガウスの外部磁界１００万分の１の磁気
遮蔽効果が得られた。
【００１５】
【実施例２】実施例１と同様な溶射法を用いて、高Ｔｃ
相と低Ｔｃ相の積層構造皮膜を作製した。この皮膜を８
５０℃で１０分間部分溶融し、その後、８４０℃×１５
０時間の熱処理を施し、実施例１と同様に徐冷した。作
製された皮膜のＴｃは１００ＫでＪｃは７７Ｋ，Ｈ＝Ｏ
において約５００Ａ／ｃｍ2、磁気シールド特性は１ガ
ウスの外部磁界で１００万分の１の磁気遮蔽効果を得
た。
相と低Ｔｃ相の積層構造皮膜を作製した。この皮膜を８
５０℃で１０分間部分溶融し、その後、８４０℃×１５
０時間の熱処理を施し、実施例１と同様に徐冷した。作
製された皮膜のＴｃは１００ＫでＪｃは７７Ｋ，Ｈ＝Ｏ
において約５００Ａ／ｃｍ2、磁気シールド特性は１ガ
ウスの外部磁界で１００万分の１の磁気遮蔽効果を得
た。
【００１６】
【実施例３】実施例１と同様な溶射方法を用いて、高Ｔ
ｃ相と低Ｔｃ相の積層構造皮膜を作製した。なお、Ｂｉ
系酸化物の低Ｔｃ相組成はＡｇを含むＢｉ2Ａｇ0.2Ｓｒ
2ＣａＣｕ2Ｏｘを用いた。その後、同様な熱処理を行っ
た。作製された積層皮膜の臨界温度Ｔｃ（抵抗＝Ｏ）は
１０１Ｋとなり、臨界電流密度Ｊｃは７７Ｋの温度、磁
界Ｈ＝Ｏにおいて約７００Ａ／ｃｍ2、また、磁気シー
ルド特性は１Ｇで１００万分の１の磁気遮蔽効果が得ら
れた。
ｃ相と低Ｔｃ相の積層構造皮膜を作製した。なお、Ｂｉ
系酸化物の低Ｔｃ相組成はＡｇを含むＢｉ2Ａｇ0.2Ｓｒ
2ＣａＣｕ2Ｏｘを用いた。その後、同様な熱処理を行っ
た。作製された積層皮膜の臨界温度Ｔｃ（抵抗＝Ｏ）は
１０１Ｋとなり、臨界電流密度Ｊｃは７７Ｋの温度、磁
界Ｈ＝Ｏにおいて約７００Ａ／ｃｍ2、また、磁気シー
ルド特性は１Ｇで１００万分の１の磁気遮蔽効果が得ら
れた。
【００１７】
【比較例】実施例１と同様な溶射条件で、高Ｔｃ相の単
層をＡｇでアンダーコーティングしたインコネル基材上
（幅０．５ｃｍ、長さ２ｃｍの短冊状）に溶射した。こ
の皮膜を８４０℃×１５０時間熱処理したところ、５枚
の試験片の内４枚は、高Ｔｃ相皮膜が基材から完全に剥
離してしまい、基材上に超電導膜を形成することができ
なかった。残りの１枚のＴｃは１００Ｋ、Ｊｃは１０Ａ
／ｃｍ2であった。次に実施例１と同様にＡｇでアンダ
ーコーティングしたインコネル円筒上に高Ｔｃ単層皮膜
を溶射し、同様に熱処理したところ、皮膜は基材上から
完全に剥離してしまい、磁気シールド容器を作製できな
かった。
層をＡｇでアンダーコーティングしたインコネル基材上
（幅０．５ｃｍ、長さ２ｃｍの短冊状）に溶射した。こ
の皮膜を８４０℃×１５０時間熱処理したところ、５枚
の試験片の内４枚は、高Ｔｃ相皮膜が基材から完全に剥
離してしまい、基材上に超電導膜を形成することができ
なかった。残りの１枚のＴｃは１００Ｋ、Ｊｃは１０Ａ
／ｃｍ2であった。次に実施例１と同様にＡｇでアンダ
ーコーティングしたインコネル円筒上に高Ｔｃ単層皮膜
を溶射し、同様に熱処理したところ、皮膜は基材上から
完全に剥離してしまい、磁気シールド容器を作製できな
かった。
【図１】本発明に係る皮膜の多層構造の一例を示す概略
説明図である。
説明図である。
【図２】本発明における溶射方法の摸式図である。
１ 基材 ２ アンダーコーティング材 ３ 低Ｔｃ相皮膜 ４ 高Ｔｃ相皮膜
フロントページの続き (72)発明者 加藤 和彦 埼玉県熊谷市代708 (72)発明者 星野 和友 埼玉県上尾市大谷本郷441−19 (72)発明者 吉田 勇二 茨城県筑波市千現一丁目２番１号 科学 技術庁金属材料技術研究所 筑波支所内 (72)発明者 湯山 道也 茨城県筑波市千現一丁目２番１号 科学 技術庁金属材料技術研究所 筑波支所内 (72)発明者 井上 廉 茨城県筑波市千現一丁目２番１号 科学 技術庁金属材料技術研究所 筑波支所内 (72)発明者 前田 弘 茨城県筑波市千現一丁目２番１号 科学 技術庁金属材料技術研究所 筑波支所内 (72)発明者 亀川 豊 東京都太田区南久が原一丁目13番６号 株式会社日本計器製作所内 (72)発明者 鈴木 雅之 東京都太田区南久が原一丁目13番６号 株式会社日本計器製作所内 (72)発明者 中山 清 東京都太田区南久が原一丁目13番６号 株式会社日本計器製作所内 (72)発明者 清水 輝夫 東京都太田区南久が原一丁目13番６号 株式会社日本計器製作所内 (56)参考文献 特開 平３−235088（ＪＰ，Ａ) 特公 平２−56423（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (3)
- 【請求項１】 基材上に必要に応じて下地層を形成した
後、溶射法によりビスマス系酸化物超電導体の低Ｔｃ相
（８０Ｋ相）と高Ｔｃ相（１１０Ｋ相）の組成を基本と
する超電導皮膜を交互に積層させることを特徴とする超
電導磁気シールド容器の製造方法。 - 【請求項２】 前記低Ｔｃ相の組成に０．０１〜０．３
モル比のＰｂ及びＡｇの１種類もしくは２種類の元素を
含む請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 基材上に所望により形成される下地層
と、その上に形成されたビスマス系酸化物超電導体の低
Ｔｃ相（８０Ｋ相）溶射層と高Ｔｃ相（１１０Ｋ相）溶
射層とが交互に積層されてなる超電導磁気シールド容
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4108398A JP2604665B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 超電導磁気シールド容器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4108398A JP2604665B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 超電導磁気シールド容器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283881A JPH05283881A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2604665B2 true JP2604665B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=14483750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4108398A Expired - Fee Related JP2604665B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 超電導磁気シールド容器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604665B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4963581A (en) * | 1988-04-15 | 1990-10-16 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Naphthopyran derivatives and use thereof |
| JPH03235088A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-21 | Ngk Insulators Ltd | ビスマス系超電導複合体 |
-
1992
- 1992-04-02 JP JP4108398A patent/JP2604665B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05283881A (ja) | 1993-10-29 |
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