JP2600327B2 - 光学活性なカルボン酸エステル類およびその製造方法 - Google Patents

光学活性なカルボン酸エステル類およびその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は有機電子材料たとえば液晶化合物の中間体と
して有用な光学活性なカルボン酸エステル類に関するも
のである。
<従来の技術> 従来、式 (式中、R″はメチル基を示し、lは1である。*印は
不斉炭素原子であることを示す。) で示される光学活性なカルボン酸エステルは公知化合物
(Monatshefte fr Chemie 116,1233〜1236頁,1985
年)であり、かかる化合物は以下に示す方法により製造
されていた。
(式中、R″、lおよび*印は前記と同じ意味であ
る。)しかしながら、一般式(IV) (式中、Rは炭素数2以上のアルキル基またはアルケニ
ル基を示し、mは1である。*印は不斉炭素原子である
ことを示す。) で示される光学活性なカルボン酸エステル類は、本発明
者らの知る限りにおいて、文献未記載の新規化合物であ
り、従来よりその製造法については勿論のこと、化合物
としての有用性についても全く知られていない。
以上のように、前記の式で示される光学活性なカルボ
ン酸エステル(メチルエステル)に対応した光学活性な
カルボン酸エステル類のより工業的有利な製造法につい
ては全く知られていない。
<発明が解決しようとする課題> 本発明は、新規な強誘電性液晶化合物の中間体として
有用な光学活性なカルボン酸エステル類およびその製造
法を提供するものである。
<課題を解決するための手段> すなわち、本発明は、前記一般式(IV)で示される光
学活性なカルボン酸エステル類および一般式(II) (式中、nは1または2である。*印は不斉炭素原子で
あることを示す。) で示されるカルボン酸類を、塩基性物質の存在下に、一
般式(III) R′−X (III) (式中、R′はアルキル基、アルケニル基または低級ア
ルキルもしくは低級アルコキシもしくはハロゲン原子で
置換されていてもよいアルアルキル基を示す。Xはハロ
ゲン原子または−OSO2Rを示す。ここでRは低級ア
ルキル基または置換されていてもよいフェニル基を示
す) で示されるアルキル化剤と反応させることを特徴とする
一般式(I) (式中、R′、nおよび*印は前記と同じである。) で示される光学活性なカルボン酸エステル類の製造方法
である。
以下、本発明を詳細に説明する。一般式(I)で示さ
れる光学活性なカルボン酸エステル類を得るためのアル
キル化反応において、用いられる塩基性物質としては、
たとえば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシ
ウム等の炭酸アルカリ金属、炭酸アルカリ土類金属、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、
水酸化バリウム等のアルカリまたはアルカリ土類金属水
酸化物、ナトリウムエチラート、ナトリウムメチラート
等のアルカリ金属アルコラート等のカルボン酸類と反応
してカルボン酸金属塩を与える無機塩基およびアルカリ
金属アルコラート、さらにはトリエチルアミン、1.8−
ジアザシクロ〔5,4,0〕−7−ウンデセン(以下、DBUと
記載する)、n−トリブチルアミン等の有機アミン類が
例示される。
かかる塩基性物質は、カルボン酸類(II)に対して1
当量倍以上必要であるが、カルボン酸金属塩を与える無
機塩基およびアルカリ金属アルコラートの場合には通常
1〜1.2当量倍、有機アミン類の場合には1〜3当量倍
で充分である。なお、溶媒の種類により、カルボン酸金
属塩の生成が充分でない場合には、大過剰量の使用もさ
しつかえない。
このアルキル化反応では助触媒の使用が好ましく、反
応速度、収率の面から効果的である。かかる助触媒とし
ては、たとえば、テトラブチルアンモニウムブロミド、
同じくクロリド、同じくヒドロキシド、トリメチルベン
ジルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニ
ウムクロリド、ポリオキシエチレングリコール類、アル
キルホスホニウム塩、デシルベンゼンスルホン酸塩等の
相間移動触媒が例示され、かかる助触媒の使用量はカル
ボン酸類(II)に対して0.001重量倍〜0.5重量倍であ
る。
ここで、一般式(III)で示されるアルキル化剤は、
たとえば以下の化合物が例示される。
エチルブロミド、プロピルブロミド、イソプロピルブ
ロミド、ヨウ化プロピル、ブチルブロミド、イソブチル
ブロミド、ペンチルクロリド、ペンチルブロミド、イソ
ペンチルブロミド、ヨウ化ペンチル、2−メチルブチル
ブロミド、ヘキシルブロミド、ヨウ化ヘキシル、ヘプチ
ルブロミド、オクチルブロミド、2−メチルヘプチルブ
ロミド、ノニルブロミド、デシルブロミド、ドデシルブ
ロミド、ペンタデシルブロミド、アリルクロリド、アリ
ルブロミド、3−ブチニルブロミド、2−ペンテニルブ
ロミド、3−ヘキセニルブロミド、ベンジルブロミド、
メトキシベンジルクロリド、メチルベンジルブロミド、
クロロベンジルクロリド、ブロモベンジルブロミド、フ
ェネチルブロミド、フェニルプロピルブロミド、フェニ
ルブチルブロミド、プロピルトシレート、ブチルトシレ
ート、イソブチルトシレート、ヘキシルトシレート、ヘ
プチルトシレート、オクチルトシレート、デシルトシレ
ート、ドデシルトシレート、オクタデシルトシレート、
フェニルプロピルトシレート、フェニルブチルトシレー
ト、ブチルメタンスルホネート、ヘキシルメタンスルホ
ネート、オクチルメタンスルホネート、フェニルブチル
メタンスルホネート(以上例示のアルキル化剤のうち、
R′が分枝したアルキル基である場合には、R′−X
は、光学活性なアルキル化剤であってもよい)。
このようなアルキル化剤(III)の使用量は、カルボ
ン酸類(II)に対して1当量倍以上必要であるが、通常
5当量倍以下、好ましくは1〜3当量倍の範囲である。
また、もう一方の原料であるカルボン酸類(II)は以下
のようにして製造することができる。
(式中、nおよび*印は前記と同じ意味である。) 反応溶媒としては以下のものが例示される。
水、メタノール、エタノール、プロパノール、アセト
ン、メチルエチルケトン、クロルベンゼン、トルエン、
キシレン、ヘキサン、ヘプタン、エチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、
N−メチルピロリドン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水
素、エーテル、アルコール、ケトン、アミドおよびハロ
ゲン化炭化水素等の反応に不活性な溶媒の単独または混
合物が使用され、その使用量については特に制限されな
い。
また、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリ
ルアミド等の極性溶媒を使用することもできる。
反応温度は、通常−20℃〜120℃であるが、好ましく
は0℃〜100℃である。
反応時間は特に制限されない。反応終了後、通常の分
離手段、たとえば抽出、分液、濃縮、再結晶等により光
学活性なカルボン酸エステル類(I)が収率よく得ら
れ、これは必要により更にカラムクロマトグラフィー等
で精製することができる。
<発明の効果> かくして、本発明の方法によれば、一般式(I)で示
される光学活性なカルボン酸エステル類をより工業的有
利に製造することができる。
また、一般式(IV)で示される新規な光学活性なカル
ボン酸エステル酸は、次式に示されるような方法により
新規な液晶化合物(V)および(VI)へ導くことがで
き、該化合物は強誘電性液晶として非常に優れた性質を
有している。
(上記の式中、R1およびR2はアルキル基を示し、pは1
または2である。R,mおよび*印は前記と同じであ
る。) さらに、新規な光学活性なカルボン酸エステル類(I
V)は、農薬、医薬等の中間体として利用することもで
きる。
<実施例> 以下、実施例により本発明を説明する。
実施例1 撹拌装置、温度計を装着した4ツ口フラスコに、
(+)−4′−(1−ヒドロキシエチル)ビフェニルカ
ルボン酸1.21g(5ミリモル)、オクチルブロミド1.54g
(8ミリモル)、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕−7−
ウンデセン(DBU)0.91g(6ミリモル)、トルエン10ml
およびジメチルホルムアミド5mlを加え、30〜40℃で20
時間撹拌する。反応終了後、反応液にトルエン20mlを加
えた後、水,2%塩酸水、水で順次洗浄する。有機層を硫
酸マグネシウムにて乾燥後、溶媒を留去する。残渣をク
ロロホルムにてカラムクロマト精製する。(+)−4′
−(1−ヒドロキシエチル)ビフェニルカルボン酸オク
チル1.67g(収率94.5%)を得た。
▲〔α〕20 D▼+21.0゜(c=1,CHCl3)、融点70〜71℃ 実施例2 実施例1と同様の装置に、(+)−4−(1−ヒドロ
キシエチル)安息香酸0.83g(5ミリモル)、プロピル
ブロミド1.23g(10ミリモル)、DBU0.91g(6ミリモ
ル)およびトルエン10mlを仕込み、30〜40℃で20時間撹
拌する。反応終了後、反応液を水、2%塩酸水、水で順
次洗浄する。
有機層を硫酸マグネシウムにて乾燥後、溶媒を留去す
る。残渣をクロロホルムにてカラムクロマト精製する。
(+)−4−(1−ヒドロキシエチル)安息香酸プロピ
ル0.97g(収率93.5%)を得た。
▲〔α〕20 D▼+36.2゜(c=1,CHCl3)、 ▲n20 D▼1.5286 実施例3 実施例1と同様の装置に、(+)−4′−(1−ヒド
ロキシエチル)ビフェニルカルボン酸1.21g(5ミリモ
ル)、ベンジルブロミド1.37g(8ミリモル)、テトラ
ブチルアンモニウムブロミド0.12g、苛性ソーダ0.21g
(5.25ミリモル)、水3mlおよびトルエン10mlを仕込
み、60〜70℃で10時間撹拌する。反応終了後、有機層を
分液し、水、2%塩酸水、水で順次洗浄する。以下、実
施例1で準じて後処理および精製した。(+)−4′−
(1−ヒドロキシエチル)ビフェニルカルボン酸ベンジ
ル1.33g(収率80%)を得た。
▲〔α〕20 D▼+25.3゜(c=1,CHCl3)、融点106〜108
℃ 実施例4 (+)−4′−(1−ヒドロキシエチル)ビフェニル
カルボン酸にかえて、(+)−4−(1−ヒドロキシエ
チル)安息香酸0.83g(5ミリモル)を用いる以外は、
実施例3に準じて、反応、後処理、精製する。(+)−
4−(1−ヒドロキシエチル)安息香酸ベンジル1.0g
(収率78%)を得る。
▲〔α〕20 D▼+34.6゜(c=1,CHCl3)、 ▲n20 D▼1.5694 実施例5 撹拌装置、温度計を装着した4ツ口フラスコに、
(−)−4′−(1−ヒドロキシエチル)ビフェニルカ
ルボン酸1.21g(5ミリモル)、ペンチルブロミド1.51g
(10ミリモル)、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕−7−
ウンデセン(DBU)0.91g(6ミリモル)およびテトラヒ
ドロフラン10mlを加え、30〜40℃で15時間撹拌する。反
応終了後、反応液にトルエン20mlを加えた後、水、2%
塩酸水、水で順次洗浄する。有機層を硫酸マグネシウム
にて乾燥後、溶媒を留去する。残渣をクロロホルムにて
カラムクロマト精製する。(−)−4′−(1−ヒドロ
キシエチル)ビフェニルカルボン酸ペンチル1.42g(収
率91%)を得た。
▲〔α〕20 D▼−25.5゜(c=1,CHCl3)、 融点69〜71℃ 実施例6 (+)−4′−(1−ヒドロキシエチル)ビフェニル
カルボン酸にかえて、(−)−4−(1−ヒドロキシエ
チル)安息香酸0.83g(5ミリモル)、ベンジルブロミ
ドにかえて、p−メチルベンジルトシレート2.76g(0.0
1モル)を使用する以外は実施例3に準じて反応、後処
理、精製する。(−)−4−(1−ヒドロキシエチル)
安息香酸p−メチルベンジル1.09g(収率81%)を得
る。
▲〔α〕20 D▼−33.0゜(c=1,CHCl3)、 ▲n20 D▼1.5682 実施例7〜11 プロピルブロミドにかえて、表−1に示すアルキル化
剤(III)を使用する以外は、実施例2に準じて反応、
後処理、精製し、表−1に示す結果を得た。
また、(+)−4−(1−ヒドロキシエチル)安息香
酸に変えて、(−)−4−(1−ヒドロキシエチル)安
息香酸を原料化合物とした場合、上記例と同様にアルキ
ル化剤(III)としてフェニルプロピルブロミドまたは
ヘキセニルブロミドを使用すれば、光学活性なカルボン
酸エステル類(I)または(IV)として各々、(−)−
4−(1−ヒドロキシエチル)安息香酸フェニルプロピ
ル、(−)−4−(1−ヒドロキシエチル)安息香酸ヘ
キセニルが得られる。
実施例12〜18 オクチルブロミドにかえて、表−2に示すアルキル化
剤(III)を使用する以外は、実施例1に準じて反応、
後処理、精製し、表−2に示す結果を得た。
<参考例> カルボン酸類(II)の製造例を以下に示す。
参考例1 1の4ツ口フラスコに0.3M濃度リン酸バッファー
(pH7.0)500mlを仕込み、これにdl−4−(1−アセト
キシエチル)安息香酸メチル22.2g、リパーゼ(アマノ
P)4.0g、クロロホルム4mlを加え、窒素気流下、38±
2℃で24時間激しく撹拌する。反応終了後、反応混合物
を酢酸エチル300mlで2回抽出処理する。得られた有機
層を濃縮し、濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(溶離溶媒はトルエン−酢酸エチル)で精製処理
することにより、(+)−4−(1−ヒドロキシエチ
ル)安息香酸メチル8.5g〔収率47%、▲〔α〕20 D▼=
+46゜(c=1,CHCl3)〕と不斉加水分解残である
(−)−4−(1−アセトキシエチル)安息香酸メチル
10.5g〔収率47%、▲〔α〕20 D▼=−96゜(c=1,CHCl
3)〕を得た。ここで得た(+)−4−(1−ヒドロキ
シエチル)安息香酸メチル8.0gをラトラヒドロフラン80
mlに溶解し、20%水酸化ナトリウム40mlを加えて、室温
で5時間激しく撹拌する。反応終了後、4N塩酸でpH3と
した後、エーテル400mlで抽出、飽和食塩水で洗浄し、
有機層を減圧下に濃縮し、濃縮残渣として(+)−4−
(1−ヒドロキシエチル)安息香酸6.72g〔収率91%、
▲〔α〕20 D▼=+39.0゜(c=1,メタノール)〕を得
た。
NMR(60MHz、CDCL3) δ(ppm) 2.0(O、bs) 1.6(CH3 CH、d) 5.9(CH3C、q) 7.4〜8.1(Ar−、dd) 10.7(COO、bs) また、不斉加水分解残である(−)−4−(1−アセ
トキシエチル)安息香酸メチル8.0gを(+)−4−(1
−ヒドロキシエチル)安息香酸メチルと同様に加水分解
反応及び後処理を行って、(−)−4−(1−ヒドロキ
シエチル)安息香酸5.52g〔収率92%、▲〔α〕20 D▼=
−35.6゜(c=1,メタノール)〕を得た。
参考例2 dl−4−(1−アセトキシエチル)安息香酸メチルに
かえて、dl−4−(アセトキシエチル)−4′−ビフェ
ニルカルボン酸エチル15.6gを用いる以外は参考例1に
準じて不斉加水分解反応、後処理及び精製処理を行い、
(+)−4−(1−ヒドロキシエチル)−4′−ビフェ
ニルカルボン酸エチル6.4g〔▲〔α〕25 D▼=+36゜
(c=1,CHCl3)、融点75℃〕と(−)−4−(1−ア
セトキシエチル)−4′−ビフェニルカルボン酸エチル
7.4g〔▲〔α〕25 D▼=−87゜(c=1,CHCl3)、融点46
−47℃〕を得た。このうち、(+)−4−(1−ヒドロ
キシエチル)−4′−ビフェニルカルボン酸エチル6.0g
を20%水酸化カリウム水溶液60mlとメタノール60mlの混
合液に加えて、室温で6時間撹拌したのち、水150mlを
加え、3N塩酸でpH3としたのち、生じた沈澱を 取、水
洗して、(+)−4−(1−ヒドロキシエチル)−4′
−ビフェニルカルボン酸5.04g(収率94%)を白色固体
として得た。▲〔α〕25 D▼=−44゜(c=0.4、ジメチ
ルホルムアミド)融点222〜223℃(dec。) NMR(60MHz、重ジメチルスルホキシド) δ(ppm) 1.4(−C 、d) 5.2(−O、bs) 7.4−8.1(Ar−、m) 12.9(−COO、bs) 又、不斉水解残である(−)−4−(1−アセトキシ
エチル)−4′−ビフェニルカルボン酸エチル7.0gを同
様に加水分解反応及び後処理をおこない、(−)−4−
(1−ヒドロキシエチル)−4′−ビフェニルカルボン
酸を5.18g(収率95%)得た。
▲〔α〕25 D▼=−38゜(c=1、ジメチルホルムアミ
ド)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 (式中、Rは炭素数2以上のアルキル基またはアルケニ
    ル基を示し、mは1である。*印は不斉炭素原子である
    ことを示す。) で示される光学活性なカルボン酸エステル類。
  2. 【請求項2】一般式 (式中、nは1または2である。*印は不斉炭素原子で
    あることを示す。) で示されるカルボン酸類を、塩基性物質の存在下に、一
    般式 R′−X (式中、R′はアルキル基、アルケニル基または低級ア
    ルキルもしくは低級アルコキシもしくはハロゲン原子で
    置換されていてもよいアルアルキル基を示す。Xはハロ
    ゲン原子または−OSO2Rを示す。ここで、Rは低級
    アルキル基または置換されていてもよいフェニル基を示
    す) で示されるアルキル化剤と反応させることを特徴とする
    一般式 (式中、R′、nおよび*印は前記と同じである。) で示される光学活性なカルボン酸エステル類の製造方
    法。
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