JP2596329B2 - 波長可変半導体レーザ - Google Patents
波長可変半導体レーザInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は波長可変半導体レーザの
構造に関する。
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信の分野において、通信容量および
中継距離の拡大を図る技術開発はめざましいものがあ
り、光ヘテロダイン検波、光ホモダイン検波といった検
波方式を用いることにより、高い受信感度を実現できる
コヒーレント光通信は、次世代の光通信技術として期待
されている。コヒーレント光通信では、例えば受信器の
局部発振光源として、発振周波数のチューニングという
機能を持った半導体レーザ（波長可変レーザ）が要求さ
れる。また強度変調された異なる波長の光信号を、一本
の光ファイバーに多重化することで通信容量の拡大を図
る波長多重通信方式においては、送信光源として波長可
変レーザが要求される。従来波長可変レーザの主なもの
として、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ、分布反射型（Ｄ
ＢＲ）レーザ、チューナブル二重導波路型（ＴＴＧ）レ
ーザが報告されている。これらの波長可変レーザでは、
発振波長制御領域（チューニング層）へ電流を注入し、
導波路の屈折率を変化させることによって、発振波長を
変化させるというのが基本原理である。その屈折率の変
化は、電流注入によりチューニング層に蓄えられたキャ
リアで生ずるプラズマ効果によって引き起こされる。ま
た電流注入によって熱が発生するが、熱による屈折率変
化はプラズマ効果による屈折率変化を打ち消す方向には
たらく。したがって、いかに少ない注入電流で、効率よ
くキャリアをチューニング層へ蓄積できるかが、波長可
変特性を大きく左右することになる。Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．５４（２５），２５３５頁以後に、Ａｍ
ａｎｎらによって報告されているＴＴＧレーザの断面構
造図を図４に示す。ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層４
７、ｐ−ＩｎＰクラッド層４６を介して、チューニング
電流５２がＩｎＧａＡｓＰチューニング層４５へ注入さ
れる。そのほか、Ｅｌｅｃｔ．Ｌｅｔｔ．２６（２
２），１８４５，でＴ．Ｗｏｌｆらによって報告されて
いるＴＴＧレーザや、１９９３年春季応用物理学会、２
９ａ−ＳＦ−２、予稿集９４７頁、で阪田らが報告して
いるＴＴＧレーザにおいても、チューニング層はＩｎＧ
ａＡｓＰの単層構造となっている。
中継距離の拡大を図る技術開発はめざましいものがあ
り、光ヘテロダイン検波、光ホモダイン検波といった検
波方式を用いることにより、高い受信感度を実現できる
コヒーレント光通信は、次世代の光通信技術として期待
されている。コヒーレント光通信では、例えば受信器の
局部発振光源として、発振周波数のチューニングという
機能を持った半導体レーザ（波長可変レーザ）が要求さ
れる。また強度変調された異なる波長の光信号を、一本
の光ファイバーに多重化することで通信容量の拡大を図
る波長多重通信方式においては、送信光源として波長可
変レーザが要求される。従来波長可変レーザの主なもの
として、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ、分布反射型（Ｄ
ＢＲ）レーザ、チューナブル二重導波路型（ＴＴＧ）レ
ーザが報告されている。これらの波長可変レーザでは、
発振波長制御領域（チューニング層）へ電流を注入し、
導波路の屈折率を変化させることによって、発振波長を
変化させるというのが基本原理である。その屈折率の変
化は、電流注入によりチューニング層に蓄えられたキャ
リアで生ずるプラズマ効果によって引き起こされる。ま
た電流注入によって熱が発生するが、熱による屈折率変
化はプラズマ効果による屈折率変化を打ち消す方向には
たらく。したがって、いかに少ない注入電流で、効率よ
くキャリアをチューニング層へ蓄積できるかが、波長可
変特性を大きく左右することになる。Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．５４（２５），２５３５頁以後に、Ａｍ
ａｎｎらによって報告されているＴＴＧレーザの断面構
造図を図４に示す。ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層４
７、ｐ−ＩｎＰクラッド層４６を介して、チューニング
電流５２がＩｎＧａＡｓＰチューニング層４５へ注入さ
れる。そのほか、Ｅｌｅｃｔ．Ｌｅｔｔ．２６（２
２），１８４５，でＴ．Ｗｏｌｆらによって報告されて
いるＴＴＧレーザや、１９９３年春季応用物理学会、２
９ａ−ＳＦ−２、予稿集９４７頁、で阪田らが報告して
いるＴＴＧレーザにおいても、チューニング層はＩｎＧ
ａＡｓＰの単層構造となっている。
【０００３】また特願平４−２２０３９号にて特許出願
されている波長可変半導体レーザでは、チューニング層
構造が、ｎｉｐｉ型の多層構造あるいは、タイプII超格
子構造となっている。
されている波長可変半導体レーザでは、チューニング層
構造が、ｎｉｐｉ型の多層構造あるいは、タイプII超格
子構造となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した一番目から三
番目までの従来の構造では、チューニング電流によって
注入された電子とホールはともに、ＩｎＧａＡｓＰチュ
ーニング層全体に均等に分布する。したがって、電子と
ホールが空間的に同じ位置に存在するため、再結合寿命
を長くすることができない。そのため、チューニング層
内のキャリア密度を高くするためには、大きな電流を流
さなければならない。注入電流を大きくすると、発熱に
よりプラズマ効果を打ち消す方向に屈折率が変化するか
ら、波長可変幅が狭くなってしまうという問題がある。
この問題を解決する手段の一つとして、特願平４−２２
０３９号にて特許出願されている様に、チューニング層
構造をｎｉｐｉ型の多層構造あるいは、タイプII超格子
構造とし電子とホールの空間的な分離を図り再結合寿命
を長くする方法がある。しかしながらこの場合でもチュ
ーニング層全体でみた場合、電子とホールはチューニン
グ層全体に分布する。したがって、電流注入によりキャ
リア密度を高くした場合、電子のプラズマ効果による屈
折率変化が引き起こされるとともに、ホールによる光吸
収損失（主に価電子帯間吸収）の増加が生じる。その結
果、波長可変動作を行う際に光出力が低下し、レーザ発
振が停止した所で、波長可変幅が制限されるという問題
が生じる。
番目までの従来の構造では、チューニング電流によって
注入された電子とホールはともに、ＩｎＧａＡｓＰチュ
ーニング層全体に均等に分布する。したがって、電子と
ホールが空間的に同じ位置に存在するため、再結合寿命
を長くすることができない。そのため、チューニング層
内のキャリア密度を高くするためには、大きな電流を流
さなければならない。注入電流を大きくすると、発熱に
よりプラズマ効果を打ち消す方向に屈折率が変化するか
ら、波長可変幅が狭くなってしまうという問題がある。
この問題を解決する手段の一つとして、特願平４−２２
０３９号にて特許出願されている様に、チューニング層
構造をｎｉｐｉ型の多層構造あるいは、タイプII超格子
構造とし電子とホールの空間的な分離を図り再結合寿命
を長くする方法がある。しかしながらこの場合でもチュ
ーニング層全体でみた場合、電子とホールはチューニン
グ層全体に分布する。したがって、電流注入によりキャ
リア密度を高くした場合、電子のプラズマ効果による屈
折率変化が引き起こされるとともに、ホールによる光吸
収損失（主に価電子帯間吸収）の増加が生じる。その結
果、波長可変動作を行う際に光出力が低下し、レーザ発
振が停止した所で、波長可変幅が制限されるという問題
が生じる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第一の波長可変
半導体レーザは、活性層近傍の導波路に発振波長制御領
域を備え、該発振波長制御領域へ注入する電流により該
発振波長制御領域の屈折率を変化させ、発振波長を制御
する電流注入型波長可変半導体レーザにおいて、前記発
振波長制御領域の層構造が、第一導電型の第１の半導体
層と、この第１の半導体層より低い電荷濃度の第一導電
型の第２の半導体層との二層積層構造であり、活性層に
近い側が第１の半導体層であることを特徴とする。
半導体レーザは、活性層近傍の導波路に発振波長制御領
域を備え、該発振波長制御領域へ注入する電流により該
発振波長制御領域の屈折率を変化させ、発振波長を制御
する電流注入型波長可変半導体レーザにおいて、前記発
振波長制御領域の層構造が、第一導電型の第１の半導体
層と、この第１の半導体層より低い電荷濃度の第一導電
型の第２の半導体層との二層積層構造であり、活性層に
近い側が第１の半導体層であることを特徴とする。
【０００６】第二の波長可変半導体レーザは、第１の半
導体層と第２の半導体層の層厚比が積層方向に単調に変
化しており、活性層に近い領域で第１半導体層の層厚比
が大きいことを特徴とする。
導体層と第２の半導体層の層厚比が積層方向に単調に変
化しており、活性層に近い領域で第１半導体層の層厚比
が大きいことを特徴とする。
【０００７】第三の波長可変半導体レーザは、活性層近
傍の導波路に発振波長制御領域を備え、該発振波長制御
領域へ注入する電流により該発振波長制御領域の屈折率
を変化させ、発振波長を制御する電流注入型波長可変半
導体レーザにおいて、前記発振波長制御領域の層構造が
第一導電型半導体層で構成され、前記第一導電型半導体
層の電荷濃度が積層方向に変化しており、活性層に近い
側の電荷濃度が高いことを特徴とする。
傍の導波路に発振波長制御領域を備え、該発振波長制御
領域へ注入する電流により該発振波長制御領域の屈折率
を変化させ、発振波長を制御する電流注入型波長可変半
導体レーザにおいて、前記発振波長制御領域の層構造が
第一導電型半導体層で構成され、前記第一導電型半導体
層の電荷濃度が積層方向に変化しており、活性層に近い
側の電荷濃度が高いことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明の構造では、発振波長制御領域（チュー
ニング層）のキャリア濃度を層内で変化させることによ
り電位分布を発生させ、それにより、注入された電子と
ホールとを空間的に分離することが可能となる。また、
電子はプラズマ効果による屈折率変化に寄与する一方
で、ホールは光吸収損失（主に価電子帯間吸収）を引き
起こす原因となるため、電子を光フィールドの強い位置
に、ホールを光フィールドの弱い位置に分布するよう発
振波長制御領域のキャリア濃度分布を作製すれば、波長
可変動作時における光出力の低下を抑制し、ひいては波
長可変範囲を広げることが可能となる。
ニング層）のキャリア濃度を層内で変化させることによ
り電位分布を発生させ、それにより、注入された電子と
ホールとを空間的に分離することが可能となる。また、
電子はプラズマ効果による屈折率変化に寄与する一方
で、ホールは光吸収損失（主に価電子帯間吸収）を引き
起こす原因となるため、電子を光フィールドの強い位置
に、ホールを光フィールドの弱い位置に分布するよう発
振波長制御領域のキャリア濃度分布を作製すれば、波長
可変動作時における光出力の低下を抑制し、ひいては波
長可変範囲を広げることが可能となる。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１、図２、図３は本発明の実施例の波長１．５μ
ｍ帯のＴＴＧレーザにおけるチューニング層のバンド構
造を表した図である。これら図１〜図３に示す層構造は
従来例を説明した図４のｎ−ＩｎＰコンタクト層４４、
ＩｎＧａＡｓＰチューニング層４５、ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層４６の部分に対応している。
る。図１、図２、図３は本発明の実施例の波長１．５μ
ｍ帯のＴＴＧレーザにおけるチューニング層のバンド構
造を表した図である。これら図１〜図３に示す層構造は
従来例を説明した図４のｎ−ＩｎＰコンタクト層４４、
ＩｎＧａＡｓＰチューニング層４５、ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層４６の部分に対応している。
【００１０】図１は請求項１の発明に対応した構造で、
ＩｎＧａＡｓＰチューニング層１０がｎ+ 型１５００Å
−ｎ- 型１５００Åと変化した構造となっている。各層
のキャリア濃度はｎ+ ＝１×１０18ｃｍ-3、ｎ- ＝１×
１０16ｃｍ-3である。図１（ａ）は熱平衡状態でのバン
ド図であり、図１（ｂ）は電流注入を行った時のバンド
図およびそのときのキャリア分布を表した図である。こ
のように電子１８はｎ+ 型ＩｎＧａＡｓＰ層１３に局在
し、ホール１９はｎ- 型ＩｎＧａＡｓＰ層１４に局在す
ることになる。
ＩｎＧａＡｓＰチューニング層１０がｎ+ 型１５００Å
−ｎ- 型１５００Åと変化した構造となっている。各層
のキャリア濃度はｎ+ ＝１×１０18ｃｍ-3、ｎ- ＝１×
１０16ｃｍ-3である。図１（ａ）は熱平衡状態でのバン
ド図であり、図１（ｂ）は電流注入を行った時のバンド
図およびそのときのキャリア分布を表した図である。こ
のように電子１８はｎ+ 型ＩｎＧａＡｓＰ層１３に局在
し、ホール１９はｎ- 型ＩｎＧａＡｓＰ層１４に局在す
ることになる。
【００１１】図２は請求項２の発明に対応した構造で、
ｎ+ 型−ｎ- 型ＩｎＧａＡｓＰが繰り返された構造でチ
ューニング層２０が構成されている。ただし、ここでは
ｎ+型とｎ- 型との層厚比が単調に変化する構造として
いる。ｎ+ 型とｎ- 型のキャリア密度は図１と同じであ
る。図２（ａ）は熱平衡状態でのバンド図であり、図２
（ｂ）は電流注入を行った時のバンド図およびそのとき
のキャリア分布を表した図である。ここでも、電子２８
はｎ+ 型ＩｎＧａＡｓＰ層２３に局在し、ホール２９は
ｎ- 型ＩｎＧａＡｓＰ層２４に局在することになる。
ｎ+ 型−ｎ- 型ＩｎＧａＡｓＰが繰り返された構造でチ
ューニング層２０が構成されている。ただし、ここでは
ｎ+型とｎ- 型との層厚比が単調に変化する構造として
いる。ｎ+ 型とｎ- 型のキャリア密度は図１と同じであ
る。図２（ａ）は熱平衡状態でのバンド図であり、図２
（ｂ）は電流注入を行った時のバンド図およびそのとき
のキャリア分布を表した図である。ここでも、電子２８
はｎ+ 型ＩｎＧａＡｓＰ層２３に局在し、ホール２９は
ｎ- 型ＩｎＧａＡｓＰ層２４に局在することになる。
【００１２】図３は請求項３の発明に対応した構造で、
ＩｎＧａＡｓＰチューニング層３０が、ｎ+ 型１０００
Å−ｎ型１０００Å−ｎ- 型１０００Åと変化した構造
となっている。ｎ+ 型とｎ- 型のキャリア密度は図１と
同じであり、ｎ型のキャリア密度はｎ＝１×１０17ｃｍ
-3である。図３（ａ）は熱平衡状態でのバンド図であ
り、図３（ｂ）は電流注入を行った時のバンド図および
そのときのキャリア分布を表した図である。ここでは、
電子３９はｎ+ 型ＩｎＧａＡｓＰ層３３側に主に分布
し、ホール４０はｎ- 型ＩｎＧａＡｓＰ層３５側に主に
分布することになる。またｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層３４に
は電子３９及びホール４０がともに低密度で分布してい
る。 図１、図２、図３の構造はいずれも電子とホール
を空間的に分離することが可能となり、その結果キャリ
アの再結合寿命が長くなる。したがって、少ない電流注
入で大きなキャリア密度を得ることができるため、プラ
ズマ効果による大きな屈折率変化を実現できる。また電
子とホールをチューニング層内部の両端へ局在させるこ
とができる。したがって、電子を光フィールドの強い側
へ、ホールを光フィールドの弱い側へ局在させること
で、より大きな屈折率変化を引き起こしながら、光吸収
損失を低減することが可能となる。
ＩｎＧａＡｓＰチューニング層３０が、ｎ+ 型１０００
Å−ｎ型１０００Å−ｎ- 型１０００Åと変化した構造
となっている。ｎ+ 型とｎ- 型のキャリア密度は図１と
同じであり、ｎ型のキャリア密度はｎ＝１×１０17ｃｍ
-3である。図３（ａ）は熱平衡状態でのバンド図であ
り、図３（ｂ）は電流注入を行った時のバンド図および
そのときのキャリア分布を表した図である。ここでは、
電子３９はｎ+ 型ＩｎＧａＡｓＰ層３３側に主に分布
し、ホール４０はｎ- 型ＩｎＧａＡｓＰ層３５側に主に
分布することになる。またｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層３４に
は電子３９及びホール４０がともに低密度で分布してい
る。 図１、図２、図３の構造はいずれも電子とホール
を空間的に分離することが可能となり、その結果キャリ
アの再結合寿命が長くなる。したがって、少ない電流注
入で大きなキャリア密度を得ることができるため、プラ
ズマ効果による大きな屈折率変化を実現できる。また電
子とホールをチューニング層内部の両端へ局在させるこ
とができる。したがって、電子を光フィールドの強い側
へ、ホールを光フィールドの弱い側へ局在させること
で、より大きな屈折率変化を引き起こしながら、光吸収
損失を低減することが可能となる。
【００１３】図１、図２または図３のチューニング層構
造を導入した、ＴＴＧレーザを図４を参照して説明す
る。ｐ−ＩｎＰ基板４１上に回折格子を形成した後、ｐ
−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４２を０．１μｍ、ＩｎＧ
ａＡｓ６０Å／ＩｎＧａＡｓＰ１２０Åの７周期で多重
量子井戸活性層４３を、ｎ−ＩｎＰコンタクト層４４を
０．１μｍ、ＩｎＧａＡｓＰ層チューニング層４５（図
１、図２又は図３）を０．３０μｍ、ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層４６を１．５μｍ、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ
層４７を０．２μｍ、順次にＭＯＶＰＥ法によりそれぞ
れエピタキシャル成長し、幅２μｍの導波路幅にメサエ
ッチングを行った後、導波路脇をｎ−ＩｎＰ層４８で埋
め込み成長を行ない、最後に電極５０，５１を形成しＴ
ＴＧレーザとした。
造を導入した、ＴＴＧレーザを図４を参照して説明す
る。ｐ−ＩｎＰ基板４１上に回折格子を形成した後、ｐ
−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４２を０．１μｍ、ＩｎＧ
ａＡｓ６０Å／ＩｎＧａＡｓＰ１２０Åの７周期で多重
量子井戸活性層４３を、ｎ−ＩｎＰコンタクト層４４を
０．１μｍ、ＩｎＧａＡｓＰ層チューニング層４５（図
１、図２又は図３）を０．３０μｍ、ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層４６を１．５μｍ、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ
層４７を０．２μｍ、順次にＭＯＶＰＥ法によりそれぞ
れエピタキシャル成長し、幅２μｍの導波路幅にメサエ
ッチングを行った後、導波路脇をｎ−ＩｎＰ層４８で埋
め込み成長を行ない、最後に電極５０，５１を形成しＴ
ＴＧレーザとした。
【００１４】上記のようなチューニング層構造をもつＴ
ＴＧレーザを作製し、評価したところ、発振しきい値２
０ｍＡ、光出力３０ｍＷ以上であった。またチューニン
グ電流を０から２５ｍＡまで流すことにより、光出力２
５ｍＷ以上を維持したまま、最大１２０Åの連続チュー
ニング特性が得られた。１２０Åの可変波長範囲内で１
２ＭＨｚ以下のスペクトル線幅で動作した。
ＴＧレーザを作製し、評価したところ、発振しきい値２
０ｍＡ、光出力３０ｍＷ以上であった。またチューニン
グ電流を０から２５ｍＡまで流すことにより、光出力２
５ｍＷ以上を維持したまま、最大１２０Åの連続チュー
ニング特性が得られた。１２０Åの可変波長範囲内で１
２ＭＨｚ以下のスペクトル線幅で動作した。
【００１５】
【発明の効果】以上に実施例を挙げて詳しく説明したよ
うに、本発明は以下のような利点を有する。
うに、本発明は以下のような利点を有する。
【００１６】波長可変半導体レーザのチューニグ層内部
でキャリア濃度を変化させることで、電位分布を発生さ
せ、それにより、電子とホールとを空間的に分離する。
しかも、電子を光フィールドの強い位置へ、ホールを光
フィールドの弱い位置に局在させることで、電子によっ
て引き起こされるプラズマ効果による屈折率変化をより
大きくする一方、ホールによる光吸収損失（主に価電子
帯間吸収）の増加を抑制することができる。これによ
り、波長可変動作時の光出力の向上を図るとともに、波
長可変幅の拡大を図ることができる。
でキャリア濃度を変化させることで、電位分布を発生さ
せ、それにより、電子とホールとを空間的に分離する。
しかも、電子を光フィールドの強い位置へ、ホールを光
フィールドの弱い位置に局在させることで、電子によっ
て引き起こされるプラズマ効果による屈折率変化をより
大きくする一方、ホールによる光吸収損失（主に価電子
帯間吸収）の増加を抑制することができる。これによ
り、波長可変動作時の光出力の向上を図るとともに、波
長可変幅の拡大を図ることができる。
【図１】請求項１に記載した発明に対応する波長可変半
導体レーザのチューニング層を説明するためのバンド構
造図である。
導体レーザのチューニング層を説明するためのバンド構
造図である。
【図２】請求項２に記載した発明に対応する波長可変半
導体レーザのチューニング層を説明するためのバンド構
造図である。
導体レーザのチューニング層を説明するためのバンド構
造図である。
【図３】請求項３に記載した発明に対応する波長可変半
導体レーザのチューニング層を説明するためのバンド構
造図である。
導体レーザのチューニング層を説明するためのバンド構
造図である。
【図４】従来例及び本発明の実施例の構造を説明するた
めのＴＴＧ波長可変半導体レーザの断面図である。
めのＴＴＧ波長可変半導体レーザの断面図である。
１０ ＩｎＧａＡｓＰチューニング層 １１ フェルミ準位 １３ ｎ+ 型ＩｎＧａＡｓＰ層 １４ ｎ- 型ＩｎＧａＡｓＰ層 １６ 伝導帯 １７ 価電子帯 １８ 電子 １９ ホール ２０ ＩｎＧａＡｓＰチューニング層 ２１ フェルミ準位 ２３ ｎ+ 型ＩｎＧａＡｓＰ層 ２４ ｎ- 型ＩｎＧａＡｓＰ層 ２６ 伝導帯 ２７ 価電子帯 ２８ 電子 ２９ ホール ３０ ＩｎＧａＡｓＰチューニング層 ３１ フェルミ準位 ３３ ｎ+ 型ＩｎＧａＡｓＰ層 ３４ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層 ３５ ｎ- 型ＩｎＧａＡｓＰ層 ３７ 伝導帯 ３８ 価電子帯 ３９ 電子 ４０ ホール ４１ ｐ−ＩｎＰ基板 ４２ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層 ４３ 活性層 ４４ ｎ−ＩｎＰ層 ４５ ＩｎＧａＡｓＰチューニング層 ４６ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ４７ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層 ４８ ｎ−ＩｎＰ層 ４９ ＳｉＯ2 ５０ ｐ電極 ５１ ｎ側電極 ５２ チューニング電流 ５３ レーザ駆動電流
Claims (3)
- 【請求項１】 活性層近傍の導波路に発振波長制御領域
を備え、該発振波長制御領域へ注入する電流により該発
振波長制御領域の屈折率を変化させ、発振波長を制御す
る電流注入型波長可変半導体レーザにおいて、前記発振
波長制御領域の層構造が、第一導電型の第１の半導体層
と、この第１の半導体層より低い電荷濃度の第一導電型
の第２の半導体層との二層積層構造であり、活性層に近
い側が第１の半導体層であることを特徴とする波長可変
半導体レーザ。 - 【請求項２】 第１の半導体層と第２の半導体層の層厚
比が積層方向に単調に変化しており、活性層に近い領域
で第１半導体層の層厚比が大きいことを特徴とする請求
項１に記載の波長可変半導体レーザ。 - 【請求項３】 活性層近傍の導波路に発振波長制御領域
を備え、該発振波長制御領域へ注入する電流により該発
振波長制御領域の屈折率を変化させ、発振波長を制御す
る電流注入型波長可変半導体レーザにおいて、前記発振
波長制御領域の層構造が第一導電型半導体層で構成さ
れ、前記第一導電型半導体層の電荷濃度が積層方向に変
化しており、活性層に近い側の電荷濃度が高いことを特
徴とする波長可変半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21295993A JP2596329B2 (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 波長可変半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21295993A JP2596329B2 (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 波長可変半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766493A JPH0766493A (ja) | 1995-03-10 |
| JP2596329B2 true JP2596329B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=16631131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21295993A Expired - Lifetime JP2596329B2 (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 波長可変半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2596329B2 (ja) |
-
1993
- 1993-08-27 JP JP21295993A patent/JP2596329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＥＬＥＣＴＲＯＮ．ＬＥＴＴ．２９〜２４！（１９９３）Ｐ．２１２４−２１２５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766493A (ja) | 1995-03-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961112 |