JP2594062Y2 - 微小可変遅延回路 - Google Patents

微小可変遅延回路

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JP2594062Y2
JP2594062Y2 JP1991100366U JP10036691U JP2594062Y2 JP 2594062 Y2 JP2594062 Y2 JP 2594062Y2 JP 1991100366 U JP1991100366 U JP 1991100366U JP 10036691 U JP10036691 U JP 10036691U JP 2594062 Y2 JP2594062 Y2 JP 2594062Y2
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delay
mos
switch
variable delay
delay circuit
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伸一 橋本
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Advantest Corp
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は例えば、nSやμSオ
ーダの微小遅延を与え、かつその遅延量を変化させるこ
とができる微小可変遅延回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図3に従来の微小可変遅延回路を示す。
複数の遅延段111 〜11n が縦続接続され、その各遅
延段11i (i=1,2,…n)は、入力信号を直通す
る通路12と遅延素子13を通じる通路とに分岐し、マ
ルチプレクサ14でその一方の出力を選択して出力す
る。
【0003】遅延段111 〜11n 中の各マルチプレク
サ14の制御状態に応じて、この可変遅延回路の入力端
子15と出力端子16との間に得られる各種の通路によ
り、入力端子15に入力された信号が出力端子16に得
られる遅延量が異なったものとなる。この多数の通路中
から、目的とする遅延量に応じて、制御回路17により
各遅延段11i のマルチプレクサ14を制御して目的と
する遅延量を得る。
【0004】一般に遅延素子13は信号がゲートを通過
する伝搬遅延Tpdを利用してゲートアレイにより作られ
る。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】従来の微小可変遅延回
路はゲートアレイにより作られ、その伝搬遅延Tpdを利
用しているが、この遅延量を調整することは困難であ
り、また周囲温度の変化、電源電圧の変動などにより伝
搬遅延Tpdが変動するため、遅延量の変化ステップ量を
例えば20pS程度と小さくすることは困難であり、遅
延ステップ量は100nSや200nSと比較的長く、
遅延量を微細に設定することはできなかった。また不要
な通路を多く設け、各マルチプレクサ14においても遅
延が生じるため、精度を高くする程、固定遅延部分が長
くなる。
【0006】
【課題を解決するための手段】この考案によれば縦続に
接続された論理レベルを出力する複数のバッファと、
バッファの入力側と接地との間に縦続に接続された複数
のMOSスイッチと、設定遅延量に応じた数だけ上記入
力側から順に上記MOSスイッチをオンにし、少なくと
もその次のMOSスイッチをオフに制御する制御回路
と、を具備する。
【0007】
【実施例】図1Aにこの考案の実施例を示す。この例で
は入力端子15と出力端子16との間に複数の遅延段2
1 〜21n が縦続接続される。各遅延段21i (i=
1,2,…n)には前段よりの信号を受信して後段に論
理レベルで出力するバッファ22が設けられ、そのバッ
ファ22の入力側は複数のMOSスイッチ231 〜23
m を通じて接地される。この例ではMOSスイッチ23
1 〜23m は直列に接続され、その1端はバッファ22
の入力側に接続され、他端が接地され、各隣接MOSス
イッチ23の接続点がそれぞれ接地される。
【0008】各遅延段21i の各MOSスイッチ231
〜23m は制御回路24により各別にオン、オフ制御さ
れ、設定遅延量に応じてオンとされるMOSスイッチの
数が設定される。遅延段211 において例えばMOSス
イッチ231 ,232 のみがオンとされ、他のMOSス
イッチがオフとされた場合は、MOSスイッチ231
232 の各オン時の負荷容量をC1n,C2n,MOSスイ
ッチ233 のオフ時の負荷容量をC3f、MOSスイッチ
231 ,232 の各ゲート入力負荷容量をC1g,C2g
すると等価回路は図2Aに示すようになる。ここでC3f
<C1n,C2n,C1g,C2gである。このように容量
1n,C2n,C1g,C2g,Cf の並列接続を通じてバッ
ファ22の入力側が接地される。
【0009】従って図1Bに示すように遅延段211
入力された入力信号25は、バッファ22の入力側にぶ
らさがった容量C1n,C2n,C1g,C2g,Cf により点
線26に示すように、立上り、立下りがなだらかにな
り、バッファ22の出力信号は点線27のようになる。
一方、MOSスイッチ231 がオフ、その他のMOSス
イッチがオフか又はオンの場合は、遅延段211 の等価
回路は図2Bに示すように、バッファ22の入力側に、
MOSスイッチ231 のオフ時の負荷容量C1fのみがぶ
ら下った状態となり、この容量C1fは小さいから、これ
による入力信号25の波形のなまりはごくわずかであっ
て、出力信号は図1Bの実線28のようになる。この実
線28の出力が、入力信号25に対する遅れの最小であ
り、点線27の出力は実線28の出力よりΔtだけ遅延
している。
【0010】MOSスイッチ231 ,233 がオン、M
OSスイッチ232 がオフ、その他のMOSスイッチは
オン又はオフの場合は、図2Cに示すようにMOSスイ
ッチ231 のオン時の負荷容量C1n、そのゲート入力負
荷容量C1g、MOSスイッチ232 のオフ時の負荷容量
2fがバッファ22にぶら下った状態になる。この時の
出力信号の遅延は図1Bの実線28の出力より大きく、
点線27の出力より小さくなる。
【0011】このようにMOSスイッチ231 〜23m
に対しバッファ22側から、オンする数を多くする程、
遅延段211 における出力信号の入力信号に対する遅延
量が大きくなる。他の遅延段212 〜21n も同様に動
作する。従って遅延段211〜21n の各MOSスイッ
チ231 〜23m を制御回路24により選択的に制御す
ることにより、入力端子15と出力端子16との間に各
種の遅延量を得ることができる。
【0012】
【考案の効果】以上述べたようにこの考案によればバッ
ファ22の入力にぶら下るMOSスイッチのオン負荷容
量の数により、遅延量を制御しているため、従来の遅延
回路と同程度のデバイスで構成した場合は遅延ステップ
を従来は100pS程度にしかすることができない所
を、この考案では20pS程度とすることができ、高精
度の遅延を行うことができる。
【0013】MOSスイッチの負荷容量は温度変化によ
り変動が、ゲートの伝搬遅延Tpdの温度変動より2桁以
上小さいから、設定遅延量が温度変動の影響を受け難
い。この考案では通路の切替えを行うものでないから、
固定遅延はほぼゼロである。
【図面の簡単な説明】
【図1】Aはこの考案の実施例を示す回路図、Bはその
動作を説明するための波形図である。
【図2】図1Aの動作を説明するための等価回路を示す
図。
【図3】従来の微小可変遅延回路を示すブロック図。

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 縦続に接続された論理レベルを出力する
    複数のバッファと、 バッファの入力側と接地との間に縦続に接続された複
    数のMOSスイッチと 定遅延量に応じた数だけ上記入力側から順に上記MO
    Sスイッチをオンにし、少なくともその次のMOSスイ
    ッチをオフに制御する制御回路と、を具備することを特
    徴とする微小可変遅延回路。
JP1991100366U 1991-12-05 1991-12-05 微小可変遅延回路 Expired - Fee Related JP2594062Y2 (ja)

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JPS6135609A (ja) * 1984-07-28 1986-02-20 Fujitsu Ltd 位相可変回路
JP2777399B2 (ja) * 1989-03-28 1998-07-16 株式会社日立製作所 可変遅延回路並びにその回路を用いたタイミング発生装置及びlsiテスタ
JPH03162120A (ja) * 1989-11-21 1991-07-12 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置

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