JP2593971B2 - 樹脂封止用金型および樹脂封止方法 - Google Patents

樹脂封止用金型および樹脂封止方法

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JP2593971B2
JP2593971B2 JP3061788A JP6178891A JP2593971B2 JP 2593971 B2 JP2593971 B2 JP 2593971B2 JP 3061788 A JP3061788 A JP 3061788A JP 6178891 A JP6178891 A JP 6178891A JP 2593971 B2 JP2593971 B2 JP 2593971B2
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resin
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resin sealing
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忠士 山口
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICカード等に使用さ
れる薄型のパッケージ構造の半導体装置の樹脂封止工程
に用いる金型に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置などで、腕時計、カメラ、I
Cカード等に使用されるものは、厚さ0.5mm〜2.0
mm程度の極めて薄型のパッケージ構造が要求されてい
る。
【0003】特にICカードに使用されるものは、0.
76mm厚のカードに組み込まれるので、完成後の総厚を
0.6mm程度に形成する必要があり、このためトランス
ファーモールド等の金型、例えば特開昭63−2400
34号公報に開示される金型を用いて樹脂封止してお
り、以下、図面を用いて説明する。
【0004】図2は従来の半導体封止用金型を示す部分
側面断面図、図3は図2の半導体封止用金型によって形
成された半導体装置を示す側面断面図、図4は図3の半
導体装置の一部拡大下面平面図であり、図2,図3及び
図4の同一部分には同一符号を符した。
【0005】図2のように、金型21は、上金型22と
下金型23とにより樹脂封止前の半導体装置24を上下
から挟持する。
【0006】この樹脂封止前の半導体装置24は、上面
には半導体チップ25との接続用の金属配線26が、ま
た下面にはカードに組み込まれた後図示しない外部機器
との接続用であって、且つ金属配線26とスルーホール
27により接続されている端子28が夫々パターニング
された配線基板29の上面に、半導体チップ25が所定
位置に接着剤30により接着固定され、Au等ワイヤ3
1で金属配線26と電気的に接続されている。
【0007】上金型22は、半導体チップ25、ワイヤ
31及び金属配線26の一部を含む樹脂封止領域に凹部
32を有する。
【0008】下金型23は、配線基板29の下面全面に
対し接触される平坦部33を有する。
【0009】そして図3のように上・下金型22,23
により半導体装置24が挟持され、その後凹部32内に
エポキシ等の封止樹脂34が注入され硬化されて樹脂封
止された半導体装置24を完成していた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ICカード
用の半導体装置に於いては、ISO(国際標準化機構)
より、図4のように端子28には端子エリア35の指定
があり、この範囲内に於いては良好な外部機器との接続
状態をもたせる必要がある。
【0011】しかしながら、上述した構成の金型21で
は、図3及び図4のように端子28が接触される部分
に、樹脂カス等の異物36が混入されると、上下金型2
2,23の挟持圧力により、端子28に異物36の付着
や打痕37等の不具合が生じてしまう。
【0012】この不具合を防止するために、金型清浄等
の作業方法の改善による対処以外、決定的な対策は無
く、技術的に満足できるものがなかった。
【0013】この発明は、以上述べた異物が混入された
状態での上・下金型の挟持による樹脂封止に於ける端子
への異物の付着や打痕等の不具合の発生を除去するた
め、下金型の特にISOの指定端子エリアに接触される
部分に端子保護手段を設け、優れた品質の製品を生産で
きる半導体封止用金型を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した目的
を達成するために、樹脂封止用金型に於いて、下金型の
ISO指定端子エリアに接触されない凹部を設け、異物
混入での上下金型の挟持によるISO指定端子への異物
の悪影響を除去するようにしたものである。さらに、樹
脂封止の方法として、ISO指定端子エリアに接触され
ない凹部を有する下金型により配線基板の支持しながら
樹脂封止することによりISO指定端子への異物の悪影
響を除去するようにしたものである。
【0015】
【作用】本発明によれば、半導体封止用金型に於いて、
異物混入での上下金型の挟持による異物の不具合を除去
するように、下金型のISO指定端子に接触される部分
に凹部を設けた。
【0016】従って、混入した異物は凹部内に収納され
ることにより、異物混入での上下金型の挟持に於いて
は、ISO指定端子に対する異物の付着や打痕等を防止
することができる。
【0017】
【実施例】本発明の半導体封止用金型を図面を用いて、
以下説明する。
【0018】図1は本発明の半導体封止用金型を示す部
分側面断面図、図5は図1の半導体封止用金型によって
形成された半導体装置を示す側面断面図、図6は図5の
半導体装置の下面平面図であり、図1,図5及び図6の
同一部分には同一符号を付した。
【0019】図1のように、金型1は上金型2と下金型
とにより、樹脂封止前の半導体装置4を上下から挟持す
る。
【0020】この樹脂封止前の半導体装置4は、上述し
た従来と同様であり、半導体チップ5との接続用の金属
配線6が上面に、またその金属配線6とスルーホール7
により接続されている端子8が下面に夫々パターニング
された配線基板9の上面に、半導体チップが接着剤10
によって接着固定され、ワイヤ11で金属配線6と電気
的に接続されている。
【0021】上金型2は、上述した従来と同様であり、
半導体チップ5、ワイヤ11及び金属配線6の一部を含
む樹脂封止領域に凹部12を有している。
【0022】下金型3は、端子8の、特にISO指定の
端子エリア13に接続されない空間を作る凹部14を有
し、凹部14以外は半導体装置4に接触される接続部1
5を有している。この接続部15により、半導体装置4
はセットされたとき支持され、上金型2との間で挟持を
果たす。
【0023】そして図6のように、上・下金型2,3に
より、半導体装置4が挟持され、その後、上金型2の凹
部12内に、図示しない樹脂注入経路を通って、エポキ
シ等の封止樹脂16が注入され、硬化されて樹脂封止さ
れた半導体装置4を完成する。
【0024】以上のように、下金型3に凹部14を設け
ているので、端子8のISO指定端子エリア13に対し
ては、異物17が混入したとしても異物17は凹部14
内に収納され、上・下金型2,3の挟持にかかわらず、
異物17とは接触されない。すなわち、端子エリア13
には、異物17の付着や打痕等は生じない。
【0025】尚、下金型3の凹部14内を、図示しない
吸収装置により吸収してもよく、この場合、半導体装置
4の固定が安定されると共に、混入した異物17は吸収
され、凹部14内に堆積することもなく、端子エリア1
3に対する異物17の不着可能性を低くできる。この図
示しない吸引装置の吸収経路内に、取換え可能なフィル
タ等を設けるとなお良い。
【0026】更に、凹部14は、半導体装置4の金型1
へのセット時のズレ等を考慮して、許される範囲で余裕
をもたせるよう大きいサイズにしておくとよい。
【0027】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、半導体封止用金型に於いて下金型のISO指定
端子に接続される部分に凹部を設けたので、異物混入で
の上下金型の挟持によるISO指定端子への異物の付着
や打痕等の不具合を除去でき、もって、異物混入の金型
清掃等の作業無しで、品質の優れた半導体装置を生産す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体封止用金型を示す部分側面断面
図である。
【図2】従来の半導体封止用金型を示す部分側面断面図
である。
【図3】従来の半導体封止用金型によって形成された半
導体装置を示す側面断面図である。
【図4】従来の半導体封止用金型によって形成された半
導体装置を示す一部拡大下面平面図である。
【図5】本発明の半導体封止用金型によって形成された
半導体装置を示す側面断面図である。
【図6】本発明の半導体封止用金型によって形成された
半導体装置を示す下面平面図である。
【符号の説明】
1,21 金型 2,22 上金型 3,23 下金型 4,24 半導体装置 12,14,32 凹部 13,35 端子エリア 16,34 封止樹脂 17,36 異物 18 打痕

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下面に外部機器との電気的接続をなす端子
    を備え、上面に半導体チップが固定された配線基板の、
    その上面で且つ前記半導体チップを含む所定部分を樹脂
    封止するための上・下金型を有する半導体封止用金型で
    あって、 前記下金型は、前記端子の所定領域に接触されない凹部
    を有することを特徴とする樹脂封止用金型。
  2. 【請求項2】下面に外部機器との電気的接続をなす端子
    を備え、上面に半導体チップが固定された配線基板の、
    その上面で且つ前記半導体チップを含む所定部分を樹脂
    封止する樹脂封止方法において、 前記端子の所定領域に接触されない凹部を有する金型に
    より前記配線基板の下面を支持しながら前記所定部分を
    樹脂により封止することを特徴とする樹脂封止方法。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55157236A (en) * 1979-05-28 1980-12-06 Nec Corp Semiconductor device
JPS62244141A (ja) * 1986-04-17 1987-10-24 Citizen Watch Co Ltd 樹脂封止型ピングリツドアレイの製造方法

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