JPS58196042A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体装置用リ−ドフレ−ム

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JPS58196042A
JPS58196042A JP57078538A JP7853882A JPS58196042A JP S58196042 A JPS58196042 A JP S58196042A JP 57078538 A JP57078538 A JP 57078538A JP 7853882 A JP7853882 A JP 7853882A JP S58196042 A JPS58196042 A JP S58196042A
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JP
Japan
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conductive paste
hole
lead frame
semiconductor device
lead
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JP57078538A
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English (en)
Inventor
Yukio Onishi
尾西　由基男
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置Ｏ製造に用いられるリードフレーム
の改良に関する。
〔発明の、技術的背景〕
第１図は半導体装置の製造に用いられている従来のリー
ドフレームの一例を示す平面図である。同図において、
１はリードフレームの外枠である。該外枠で囲まれた略
中央部にはＩＣチ、デがマウントされるぺ、ド部２が形
成されている。またべ、ド部の周囲には多数のインナー
リード部３・・・が設けられ、該インナーリード部３・
・・はその先端がぺ、ド部２を包囲するように配設され
ている。インナーリード部３・・・は他端側で延設され
、該延設部によシ外部す−ド部４・・・が形成されてい
る。そして、ぺ、ド部２、インナーリード部３および外
部リード部は図示のように外枠１に連結されて支持され
ている。
上記リードフレームを用いて例えば樹脂封止蓋半導体装
置を製造するには、まず、リードフレームのべ、ド２に
ＩＣチ、デを固着する（マウントエＳ＞、次に、ＩＣチ
、デの内部端子（Ｉンディングノヤ、ド）とインナーリ
ード３・・・間をＡμあるいはｋｔ等のダンディングワ
イヤで接続する（ワイヤがンディング工程）。つづいて
、金型を用いてＩＣチ、プを含むインナーリード３・・
・の大部分を合成樹脂によって封止する（樹脂封止工１
り。更に、外部リード端子４・・・を切断成形すること
によシ（リードフォーミング工程）樹脂封止型半導体装
置が得られる。
ところが、従来のリードフレームを用いた場合、上記マ
ウント工程において次のような問題があった。
〔背景技術の問題点〕
第２図（＆）〜（、）は上記マウント工程の観明図であ
る。マウント工程ではまずイ、ド部２上に銀ペースト等
の導電性（−スト５を吐出しく第２図（ａ）図示）、続
いてＩＣチ、ゾロを導電性ペースト５の上から押しつけ
てＩＣチップ６をマウントする（第２図（ｂ）　、　（
−）図示）。このとき、導電性ペースト５は第２図（、
）のように横方向にはみ出すと共にＩＣチ、グ５の周囲
で盛ルあがってしまい、これを回避することあるい紘導
電性ペースト５のはみ出し量を抑制することは困難であ
るという問題があった。そして、この問題は、はみ出し
た導電性ペースト５がＩＣチップ６とインナーリード部
３を接続するボンダイングワイヤに接触して短絡を生じ
たシ、極端な場合には、はみ出した導電性ペースト５に
よシインナーリード部３とベッド部２とが短絡されてし
まうといった問題にもつながることになる。
また、はみ出した導電性ペースト５中の汚染物質等によ
ｆｉ＋％’ンディング・９ツドあるいは内部配線におけ
るアルミニウムの腐蝕等といつた特性上の問題をも引き
おこすことにもなる。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、半導体素子
のマウント工程において導電性ペーストが素子の外部に
はみ出すのを防止することができる半導体装置用リード
フレームを提供するものである・ 〔発１１１Ｏ概要〕 本発明による半導体装置用リードフレームは、べ、ド部
に透孔を設けたことを特徴とするもので、半導体素子′
ｔ−ｆウン卜する際にとの透孔から吸引することにより
導電性ペーストの素子外部へのはみ出しを防止で龜るよ
うにしたものである。
〔発明の実施例〕
第３図１本発明の一実施例になる半導体装置用リードフ
レームを示す平面図である。同図に示すように、このリ
ードフレームはベッド部２に透孔７が形成されている以
外は総て１１図のリードフレームと同じ構成になってい
る。第１図のリードフレームと同一の部分には同じ参照
番号が付しである。
次に、上記実施例のリードフレームを用いて樹脂封止型
半導体装置を製造する場合のマウント工程を第４図（、
）〜（Ｃ）を参照して説明する。
（１）　　まず、ぺ、ド郁２のＩＣチ、デマウント予定
部上に導電性（−スト５を吐出する（第４図（ａ）図示
）。
このとき、透孔７上に吐出された導電性イーストはその
まま落下するから、図示のように導電性ペースト６は透
孔７の周囲に残置される。
（１１）次に、導電性ペースト５上にＩＣチップ６を載
置しく第４１伽）図示）、続いて透孔７から吸引してＩ
Ｃチ、ゾロをマウントする（第４図（、）図示）。
このとき、導電性ペースト５は圧壊されるが、過剰の導
電性ペースト５は透孔７から吸引されるためＩＣチ、ゾ
ロの外側にはみ出してその周囲にも部上がることはない
。
このように、上記実施例のリードフレームを用い、ＩＣ
チ、デＣを導電性（−スト５の上に押し付けるのではな
く、透孔１から吸引してＩＣチ、デをマウントすれば、
導電性イースト５が一１Ｃチ、ゾロの外側にはみ出すの
を防止することができる。
なお、本発明は、樹脂封止型ＩＣ用のリードフレームだ
けでなく、その他線ての半導体装置用リードフレームに
適用できるものであるＯ。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、本発明のリードフレームによれば
半導体素子をマウントするに際し、導電性ペーストが半
導体素子の外部にはみ出すのを防止できるという特有の
効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置用リードフレームの一例を示
す平面図、第２図（＆）〜（Ｃ）は第１図のリードフレ
ームを用い九ＩＣチ、デのマウント工程を示す説明図、
第３図は本発明の一実施例になる半導体装置用リードフ
レームの平面図、第４図（轟）〜（ｃ）は第３図のリー
ドフレームを用いたＩＣチ、プのマウント工程を示す説
明図である。 １・・・外枠、２・・・ぺ、ド部、３・・・インナーリ
ード部、４・・・外部リード部、５・・・導電性ペース
ト、６・・・ＩＣチ、プ、７・・・透孔。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦ａｃｕｕｍ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子がマウントされるベッド部と、該べ、ド部の
    周囲に配設され九インナーリード部と、該インナーリー
    ド部を延設して形成された外部リード部とを有し、これ
    らベッド部、インナーリード部および外部リード部が外
    枠部に連結支持されてなる半導体装置用リードフレーム
    において、１記ぺ、ド部に透孔を設けたことを特徴とす
    る半導体装置用リードフレーム。
JP57078538A 1982-05-11 1982-05-11 半導体装置用リ−ドフレ−ム Pending JPS58196042A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08255867A (ja) * 1996-03-11 1996-10-01 Hitachi Ltd 面実装型ｉｃ
JP2008300587A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
WO2021235256A1 (ja) * 2020-05-18 2021-11-25 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法並びに電力変換装置

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