JP2592931B2 - 蛍光ｘ線分析装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析装置Info
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- JP2592931B2 JP2592931B2 JP63246327A JP24632788A JP2592931B2 JP 2592931 B2 JP2592931 B2 JP 2592931B2 JP 63246327 A JP63246327 A JP 63246327A JP 24632788 A JP24632788 A JP 24632788A JP 2592931 B2 JP2592931 B2 JP 2592931B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、新規な蛍光Ｘ線分析装置に関するもので、
特に目的元素が固体表面、又は表面近傍に存在する場合
の非破壊的な表面分析、深さ方向分析装置に関するもの
である。
特に目的元素が固体表面、又は表面近傍に存在する場合
の非破壊的な表面分析、深さ方向分析装置に関するもの
である。
［従来の技術］ 表面分析手段として最も一般的なものにオージェ電子
分光法がある。従来、この方法が最も感度が優れている
とされているが、これは軽元素に関するもので、原子番
号の大きな元素に対しては感度が著しく低下するという
問題点がある。また、さらにオージェ電子分光法では、
オージェ電子の脱出深さが数十Åであるので、深さ方向
の元素分析を行う場合にはエッチング等を行う必要があ
り、結果的に破壊分析になってしまうという問題点があ
る。光電子分光法も同じ理由で破壊分析となる。２次イ
オン質量分析法は、イオン照射によって試料をエッチン
グしながら分析するため、これも破壊分析である。
分光法がある。従来、この方法が最も感度が優れている
とされているが、これは軽元素に関するもので、原子番
号の大きな元素に対しては感度が著しく低下するという
問題点がある。また、さらにオージェ電子分光法では、
オージェ電子の脱出深さが数十Åであるので、深さ方向
の元素分析を行う場合にはエッチング等を行う必要があ
り、結果的に破壊分析になってしまうという問題点があ
る。光電子分光法も同じ理由で破壊分析となる。２次イ
オン質量分析法は、イオン照射によって試料をエッチン
グしながら分析するため、これも破壊分析である。
従来の蛍光Ｘ線分析、及び電子線マイクロアナリシス
は、非破壊分析法であるが、通常の蛍光Ｘ線分析法や電
子線マイクロアナリシスは表面層からの情報に比較して
バルクからの情報が非常に大きいので、固体の表面層を
分析する手段としては適当な方法とは言い難い。そこ
で、蛍光Ｘ線分析法や電子線マイクロアナリシスを表面
分析に適用するためにいくつかの方法が提案されてい
る。それらは、Ｘ線の屈折現象、及びそれに関連した全
反射現象に着目したものである。
は、非破壊分析法であるが、通常の蛍光Ｘ線分析法や電
子線マイクロアナリシスは表面層からの情報に比較して
バルクからの情報が非常に大きいので、固体の表面層を
分析する手段としては適当な方法とは言い難い。そこ
で、蛍光Ｘ線分析法や電子線マイクロアナリシスを表面
分析に適用するためにいくつかの方法が提案されてい
る。それらは、Ｘ線の屈折現象、及びそれに関連した全
反射現象に着目したものである。
全反射蛍光Ｘ線分析法は、試料表面に一次Ｘ線を全反
射臨界角以下の小さな角度で入射させることによって試
料内部への一次Ｘ線の侵入を押え、表面近傍の原子から
放出される蛍光Ｘ線のみを検知するものである（特開昭
54−7991,特開昭62−222150）また、これとは別に一次
ビームの入射方向には制限を設けずに、試料にＸ線を照
射することによって発生した特性Ｘ線をその試料に対す
る全反射角に近い角度で取り出すことによって試料内部
で発生する特性Ｘ線、散乱Ｘ線を排除し、表面からの情
報のみを得る方法−全反射角Ｘ線分光法（TRAXS）も考
案されている。（特開昭60−82840,特開昭61−78041） しかし、前述の全反射蛍光Ｘ線分析法は、確かに表面
のみの分析に対して有効であるが、一次Ｘ線の視射角を
変化させて深さ方向の元素分析を行う場合には、入射Ｘ
線と反射Ｘ線が干渉を起こすために、得られる蛍光Ｘ線
強度データが非常に複雑となり解析が困難であるなどの
問題点を持っている。また、全反射角Ｘ線分光法におい
ても、現状では試料の深さ方向の元素分析に有効に作用
する方法及び装置は提供されていない。
射臨界角以下の小さな角度で入射させることによって試
料内部への一次Ｘ線の侵入を押え、表面近傍の原子から
放出される蛍光Ｘ線のみを検知するものである（特開昭
54−7991,特開昭62−222150）また、これとは別に一次
ビームの入射方向には制限を設けずに、試料にＸ線を照
射することによって発生した特性Ｘ線をその試料に対す
る全反射角に近い角度で取り出すことによって試料内部
で発生する特性Ｘ線、散乱Ｘ線を排除し、表面からの情
報のみを得る方法−全反射角Ｘ線分光法（TRAXS）も考
案されている。（特開昭60−82840,特開昭61−78041） しかし、前述の全反射蛍光Ｘ線分析法は、確かに表面
のみの分析に対して有効であるが、一次Ｘ線の視射角を
変化させて深さ方向の元素分析を行う場合には、入射Ｘ
線と反射Ｘ線が干渉を起こすために、得られる蛍光Ｘ線
強度データが非常に複雑となり解析が困難であるなどの
問題点を持っている。また、全反射角Ｘ線分光法におい
ても、現状では試料の深さ方向の元素分析に有効に作用
する方法及び装置は提供されていない。
［発明の目的］ 本発明は、励起用一次ビームとしてＸ線を用いた場
合、（全反射角蛍光Ｘ線分析法において）試料が表面か
ら十分な深さまで均一に励起されるので取り出し角と蛍
光Ｘ線強度の関係を測定すれば、蛍光Ｘ線の試料中での
吸収と表面での屈折を考慮したモデルを使い、試料の深
さ方向の元素分析を行うことが可能となるという知見に
基づきなされたもので、特に、蛍光Ｘ線の取り出し角を
非常に高精度に決定することにより、試料の深さ方向で
の元素分析が有効に行なえる装置を提供することを目的
としている。
合、（全反射角蛍光Ｘ線分析法において）試料が表面か
ら十分な深さまで均一に励起されるので取り出し角と蛍
光Ｘ線強度の関係を測定すれば、蛍光Ｘ線の試料中での
吸収と表面での屈折を考慮したモデルを使い、試料の深
さ方向の元素分析を行うことが可能となるという知見に
基づきなされたもので、特に、蛍光Ｘ線の取り出し角を
非常に高精度に決定することにより、試料の深さ方向で
の元素分析が有効に行なえる装置を提供することを目的
としている。
［目的を達成するための手段］ 本発明は、全反射角蛍光Ｘ線分析において、試料面に
対する蛍光Ｘ線の取り出し角度を正確に決定することに
よって、非破壊的深さ方向の分析への応用を可能とした
ものである。
対する蛍光Ｘ線の取り出し角度を正確に決定することに
よって、非破壊的深さ方向の分析への応用を可能とした
ものである。
そこで精密な位置及び角度あわせが行なえる蛍光Ｘ線
分析装置を提供する。
分析装置を提供する。
つまり、試料への励起Ｘ線の照射によって、該試料から
発生する蛍光Ｘ線を該試料表面における全反射角又はそ
の近傍の角度で検出し、さらに該試料より放出される蛍
光Ｘ線のスペクトル分布の少なくとも１部を求め、蛍光
Ｘ線強度を得る全反射角蛍光Ｘ線分析法において、該試
料表面からの蛍光Ｘ線取り出し角を精密に決定するため
に、位置合わせの基準としてＸ線ビームを用い、それに
より決定された取り出し角と前記蛍光Ｘ線強度の関係よ
り試料の分析を行なう蛍光Ｘ線分析法及び該方法に適し
た装置を提供している。
発生する蛍光Ｘ線を該試料表面における全反射角又はそ
の近傍の角度で検出し、さらに該試料より放出される蛍
光Ｘ線のスペクトル分布の少なくとも１部を求め、蛍光
Ｘ線強度を得る全反射角蛍光Ｘ線分析法において、該試
料表面からの蛍光Ｘ線取り出し角を精密に決定するため
に、位置合わせの基準としてＸ線ビームを用い、それに
より決定された取り出し角と前記蛍光Ｘ線強度の関係よ
り試料の分析を行なう蛍光Ｘ線分析法及び該方法に適し
た装置を提供している。
より具体的に説明すると、本発明は、試料にＸ線を照
射することにより発生した蛍光Ｘ線をその試料に対する
全反射角あるいはそれに近い角度で取り出すことにより
試料表面の情報を得る蛍光Ｘ線分析装置であって、Ｘ線
源と、これより発生するＸ線を細いビームにする光学系
と、試料を固定することができ、かつ定位置の試料面と
同一平面上に配置された少なくとも２つのナイフエッジ
を備えた試料ホルダーと、該試料ホルダーを載置し、試
料ホルダーを一方向に移動させる手段を備えた試料台
と、該試料台を載置し、試料台を一方向に移動及び回転
させる手段を備えた台と、Ｘ線の照射により試料から発
生した蛍光Ｘ線を検知するための蛍光Ｘ線検知手段を備
えたことを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
射することにより発生した蛍光Ｘ線をその試料に対する
全反射角あるいはそれに近い角度で取り出すことにより
試料表面の情報を得る蛍光Ｘ線分析装置であって、Ｘ線
源と、これより発生するＸ線を細いビームにする光学系
と、試料を固定することができ、かつ定位置の試料面と
同一平面上に配置された少なくとも２つのナイフエッジ
を備えた試料ホルダーと、該試料ホルダーを載置し、試
料ホルダーを一方向に移動させる手段を備えた試料台
と、該試料台を載置し、試料台を一方向に移動及び回転
させる手段を備えた台と、Ｘ線の照射により試料から発
生した蛍光Ｘ線を検知するための蛍光Ｘ線検知手段を備
えたことを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
第１図は、本発明の特徴を最もよくあらわす図であ
る。Ｘ線源１からのＸ線はＸ線光学系２により細いビー
ム３に変換される。Ｘ線光学系２は幅50μｍ以下のＸ線
ビームをつくることができるもので、スリット等の組み
合わせにより構成される。このＸ線ビームを検知できる
位置にＸ線検出器４が置かれる。５は試料ホルダーであ
って試料を固定することができ、かつ定位置の試料面と
同一平面上に少なくとも２つのナイフエッジ12が配置さ
れている。試料ホルダー５は、ゴニオメータ６の上に置
かれた試料台７に保持される。試料台７は、一方向の平
行移動をする機能を備えており、また、ゴニオメータ６
は一方向の平行移動と回転運動をする機能を有してい
る。本発明においては、角度あわせの方法が、最も重要
な部分を占めているので、第１図に従って試料の位置、
及び角度合わせの方法について説明する。
る。Ｘ線源１からのＸ線はＸ線光学系２により細いビー
ム３に変換される。Ｘ線光学系２は幅50μｍ以下のＸ線
ビームをつくることができるもので、スリット等の組み
合わせにより構成される。このＸ線ビームを検知できる
位置にＸ線検出器４が置かれる。５は試料ホルダーであ
って試料を固定することができ、かつ定位置の試料面と
同一平面上に少なくとも２つのナイフエッジ12が配置さ
れている。試料ホルダー５は、ゴニオメータ６の上に置
かれた試料台７に保持される。試料台７は、一方向の平
行移動をする機能を備えており、また、ゴニオメータ６
は一方向の平行移動と回転運動をする機能を有してい
る。本発明においては、角度あわせの方法が、最も重要
な部分を占めているので、第１図に従って試料の位置、
及び角度合わせの方法について説明する。
最初に試料ホルダー５を外した状態で基準Ｘ線ビーム
３の中心がゴニオメータ６の回転中心を通るようにゴニ
オメータ位置の調整を行う。基準Ｘ線のダイレクトビー
ムのプロファイルを描かせ、強度が最大となる位置に検
出器４を固定した後に、ゴニオメータ６の回転中心の位
置に幅の狭いスリットを有したセッティング治具をとり
付け、このスリットを通って検出されるＸ線の強度が最
大となるようにゴニオメータ６を移動させることによっ
てこの調整を行うことができる。
３の中心がゴニオメータ６の回転中心を通るようにゴニ
オメータ位置の調整を行う。基準Ｘ線のダイレクトビー
ムのプロファイルを描かせ、強度が最大となる位置に検
出器４を固定した後に、ゴニオメータ６の回転中心の位
置に幅の狭いスリットを有したセッティング治具をとり
付け、このスリットを通って検出されるＸ線の強度が最
大となるようにゴニオメータ６を移動させることによっ
てこの調整を行うことができる。
次に試料ホルダー５を取り付け、その２つのナイフエ
ッジ12で基準Ｘ線が２等分される様に試料台７の調整を
行う。即ち、ゴニオメータ６によって試料ホルダー５を
回転させ、検出器４で検出されるＸ線強度の最大値が試
料ホルダー５を付けていない場合の1/2になる様に試料
台を調整する。
ッジ12で基準Ｘ線が２等分される様に試料台７の調整を
行う。即ち、ゴニオメータ６によって試料ホルダー５を
回転させ、検出器４で検出されるＸ線強度の最大値が試
料ホルダー５を付けていない場合の1/2になる様に試料
台を調整する。
この後に試料を定位置に固定すれば試料面とゴニオメ
ータの回転中心が一致し、かつ検出器４に対する試料面
の角度を正確に決定することが可能である。
ータの回転中心が一致し、かつ検出器４に対する試料面
の角度を正確に決定することが可能である。
以下実施例に従って説明する。
［実施例１］ 第２図は、本発明の実施例１の概略構成を示す図であ
る。Ｘ線源１は角度あわせ用基準Ｘ線源と励起用Ｘ線源
とを兼ねている。励起用Ｘ線はエネルギーの高いものが
有利で、従ってＸ線源１のターゲットとしては原子番号
の大きな元素を用い、電子ビームの電圧、電流を大きく
して使用するのが望ましい。
る。Ｘ線源１は角度あわせ用基準Ｘ線源と励起用Ｘ線源
とを兼ねている。励起用Ｘ線はエネルギーの高いものが
有利で、従ってＸ線源１のターゲットとしては原子番号
の大きな元素を用い、電子ビームの電圧、電流を大きく
して使用するのが望ましい。
この場合、上述の様に角度あわせを行った後にこの状
態からゴニオメータ６によって試料と検出器４とを共に
90°回転させる。この位置でＸ線の取り出し角が０°と
なり、以後、ゴニオメータ６によって試料のみを回転さ
せ、取り出し角を変化させてＸ線の検出を行う。（符号
９はゴニオメータードライバーである。）検出器スリッ
ト８は、蛍光Ｘ線の取り出し角の角度分解能を決定する
もので角度分解能が1/100°〜1/200°程度となる様な狭
い幅のものを用いることが望ましい。
態からゴニオメータ６によって試料と検出器４とを共に
90°回転させる。この位置でＸ線の取り出し角が０°と
なり、以後、ゴニオメータ６によって試料のみを回転さ
せ、取り出し角を変化させてＸ線の検出を行う。（符号
９はゴニオメータードライバーである。）検出器スリッ
ト８は、蛍光Ｘ線の取り出し角の角度分解能を決定する
もので角度分解能が1/100°〜1/200°程度となる様な狭
い幅のものを用いることが望ましい。
検出器４はエネルギー分散型Ｘ線分析装置（半導体検
出器でマルチチャンネルアナライザーに接続され、Ｘ線
のエネルギーを弁別する事ができる。）で、信号は信号
処理装置10へ送られて記録され、解析される。
出器でマルチチャンネルアナライザーに接続され、Ｘ線
のエネルギーを弁別する事ができる。）で、信号は信号
処理装置10へ送られて記録され、解析される。
第５図は、ゲルマニウムウェハーを試料として用い、
本分析装置を用いて取り出し角角度0.1°〜0.7°の範囲
を走査して測定した結果で、また第６図は〜の式を
用いて計算した理論曲線である。図中θｃで示した角度
が全反射臨界角の理論値を示している。
本分析装置を用いて取り出し角角度0.1°〜0.7°の範囲
を走査して測定した結果で、また第６図は〜の式を
用いて計算した理論曲線である。図中θｃで示した角度
が全反射臨界角の理論値を示している。
（理論曲線の求め方は以下の通りである） 滑らかな表面を有する厚さｄの均一な物質から放出さ
れる蛍光Ｘ線の強度の角度分布の理論は物質中でのＸ線
の吸収による減衰の効果と、界面での屈折の効果とより
次のように考えることができる。
れる蛍光Ｘ線の強度の角度分布の理論は物質中でのＸ線
の吸収による減衰の効果と、界面での屈折の効果とより
次のように考えることができる。
放出される蛍光Ｘ線の波長をλ、蛍光Ｘ線の取り出し
角をθｔ、全反射臨界角をθｃ、物質中での波長λの蛍
光Ｘ線の線吸収係数をμとする。はじめに吸収による減
衰の効果について考える。物質中から放出された蛍光Ｘ
線の強度が1/eとなる深さZ1/eは次の式であらわされ
る。
角をθｔ、全反射臨界角をθｃ、物質中での波長λの蛍
光Ｘ線の線吸収係数をμとする。はじめに吸収による減
衰の効果について考える。物質中から放出された蛍光Ｘ
線の強度が1/eとなる深さZ1/eは次の式であらわされ
る。
Z1/e＝λ/4πＢ 従って、この場合吸収の効果をあらわす式は、 と書くことができる。
次に表面での屈折の効果について考える。第４図のよ
うに放出Ｘ線の界面への視射角をθｉ、屈折光の表面と
のなす角をθｔ（＝取り出し角）、屈折率を１−δとす
ると、スネルの法則より次の式が導びける。
うに放出Ｘ線の界面への視射角をθｉ、屈折光の表面と
のなす角をθｔ（＝取り出し角）、屈折率を１−δとす
ると、スネルの法則より次の式が導びける。
よって蛍光Ｘ線強度の角度分布をあらわす式と式の
積となり、 であらわせる。
積となり、 であらわせる。
波長λのＸ線に対する物質の屈折率、及び全反射臨界角
は、自由電子近似を用いた分散理論によって計算するこ
とができるので、この場合、試料の厚さｄがわかってい
れば、〜式を用いて蛍光Ｘ線強度の角度分布を理論
的に求められることになる。
は、自由電子近似を用いた分散理論によって計算するこ
とができるので、この場合、試料の厚さｄがわかってい
れば、〜式を用いて蛍光Ｘ線強度の角度分布を理論
的に求められることになる。
また、同様にガラス上の銅蒸着膜（膜厚800Å）を試
料として用いた場合の測定結果、及び理論曲線をそれぞ
れ第７図、第８図に示す。
料として用いた場合の測定結果、及び理論曲線をそれぞ
れ第７図、第８図に示す。
それぞれの試料について測定された全反射臨界角の値
は、理論値にほぼ等しく、また、曲線の形状もほぼ一致
していた。
は、理論値にほぼ等しく、また、曲線の形状もほぼ一致
していた。
この事は本発明によって測定された結果が十分な精
度、分解能を有している事を示している。
度、分解能を有している事を示している。
上記理論を用いて測定結果を解析する事により試料の
深さ方向の元素分析を非破壊的に行う事が可能である事
が分る。
深さ方向の元素分析を非破壊的に行う事が可能である事
が分る。
［実施例２］ 第３図は、本発明の実施例２の概略構成を示すもので
ある。Ｘ線源を、角度を測定するための角度基準用Ｘ線
源１と蛍光Ｘ線を発生させるための励起Ｘ線源11とに分
けて用いている。こうすることにより、それぞれの目的
に最適な線質のＸ線源を用いることができる。
ある。Ｘ線源を、角度を測定するための角度基準用Ｘ線
源１と蛍光Ｘ線を発生させるための励起Ｘ線源11とに分
けて用いている。こうすることにより、それぞれの目的
に最適な線質のＸ線源を用いることができる。
本実施例では、実施例１と同様にゴニオメータ６の位
置の調整、及び試料台７の調整を行って角度あわせが終
了した位置が取り出し角０°となる。従ってゴニオメー
タの可動範囲は小さくて良い。
置の調整、及び試料台７の調整を行って角度あわせが終
了した位置が取り出し角０°となる。従ってゴニオメー
タの可動範囲は小さくて良い。
励起用Ｘ線源11は試料測定面により近づけることがで
きるので、試料測定面上でのＸ線強度が大きくなるため
に有利である。
きるので、試料測定面上でのＸ線強度が大きくなるため
に有利である。
励起用Ｘ線源11としては、蛍光Ｘ線分析に用いられて
いる縦型管球を用いることができる。さらに薄膜の透過
型ターゲットを用いたＸ線源を用いることも可能であ
る。
いる縦型管球を用いることができる。さらに薄膜の透過
型ターゲットを用いたＸ線源を用いることも可能であ
る。
検出器４、信号処理装置10については実施例１と同様
である。
である。
［発明の効果］ 本発明は、細く絞ったＸ線ビームの鋭い指向性を利用
して試料の位置、及び角度を正確に決定することで、全
反射角蛍光Ｘ線分析法を深さ方向の元素分析に利用する
ことを可能としたものである。この方法によると試料面
の位置を25μｍ以下の精度で決定することができ、その
結果、試料と検出器スリット８との間隔を例えば285mm
とした場合、角度測定精度は1/200°以下となる。本発
明以外の方法、例えば一般に極めて鋭い指向性を有して
いるとされているHe−Neレーザー（λ＝6328Å）をＸ線
の代わりに用いると、レーザー光はＸ線に比較して回析
の効果が大きくなり、試料位置でビームが1mm程度まで
広がってしまうので、位置あわせには不適当である。よ
って、位置合わせ及び角度の測定基準にＸ線ビームを用
い、蛍光Ｘ線の取り出し角を高精度に決定しつつ、取り
出し角と蛍光Ｘ線強度の関係を測定できる本発明は、深
さ方向の元素分析に有効な全反射角蛍光Ｘ線分析装置と
なっている。
して試料の位置、及び角度を正確に決定することで、全
反射角蛍光Ｘ線分析法を深さ方向の元素分析に利用する
ことを可能としたものである。この方法によると試料面
の位置を25μｍ以下の精度で決定することができ、その
結果、試料と検出器スリット８との間隔を例えば285mm
とした場合、角度測定精度は1/200°以下となる。本発
明以外の方法、例えば一般に極めて鋭い指向性を有して
いるとされているHe−Neレーザー（λ＝6328Å）をＸ線
の代わりに用いると、レーザー光はＸ線に比較して回析
の効果が大きくなり、試料位置でビームが1mm程度まで
広がってしまうので、位置あわせには不適当である。よ
って、位置合わせ及び角度の測定基準にＸ線ビームを用
い、蛍光Ｘ線の取り出し角を高精度に決定しつつ、取り
出し角と蛍光Ｘ線強度の関係を測定できる本発明は、深
さ方向の元素分析に有効な全反射角蛍光Ｘ線分析装置と
なっている。
第１図は、本発明の基本的構成を示す図、第２図は本発
明の実施例１の概略構成図、第３図は本発明の実施例３
の構成を示す図である。 第４図はＸ線が異種媒質界面を通過する際の進み方を説
明するための図、第５図は本発明を用いて測定したゲル
マニウムの蛍光Ｘ線角度分布の測定結果を示す図で、横
軸は取り出し角を示し、縦軸はＸ線の強度を示す。 第６図は第５図に対応する理論曲線である。 第７図、第８図はそれぞれガラス上の銅薄膜（膜厚800
Å）の測定結果と理論曲線である。 １……Ｘ線源 ２……線線光学系 ３……基準Ｘ線ビーム ４……Ｘ線検出器 ５……試料ホルダー ６……ゴニオメータ ７……試料台 ８……検出器スリット ９……ゴニオメータドライバー 10……信号処理装置 11……励起用Ｘ線源 12……ナイフエッジ
明の実施例１の概略構成図、第３図は本発明の実施例３
の構成を示す図である。 第４図はＸ線が異種媒質界面を通過する際の進み方を説
明するための図、第５図は本発明を用いて測定したゲル
マニウムの蛍光Ｘ線角度分布の測定結果を示す図で、横
軸は取り出し角を示し、縦軸はＸ線の強度を示す。 第６図は第５図に対応する理論曲線である。 第７図、第８図はそれぞれガラス上の銅薄膜（膜厚800
Å）の測定結果と理論曲線である。 １……Ｘ線源 ２……線線光学系 ３……基準Ｘ線ビーム ４……Ｘ線検出器 ５……試料ホルダー ６……ゴニオメータ ７……試料台 ８……検出器スリット ９……ゴニオメータドライバー 10……信号処理装置 11……励起用Ｘ線源 12……ナイフエッジ
Claims (3)
- 【請求項１】試料にＸ線を照射することにより発生した
蛍光Ｘ線をその試料に対する全反射角あるいはそれに近
い角度で取り出すことにより試料表面の情報を得る蛍光
Ｘ線分析装置であって、Ｘ線源と、これより発生するＸ
線を細いビームにする光学系と、試料を固定することが
でき、かつ定位置の試料面と同一平面上に配置された少
なくとも２つのナイフエッジを備えた試料ホルダーと、
該試料ホルダーを載置し、試料ホルダーを一方向に移動
させる手段を備えた試料台と、該試料台を載置し、試料
台を一方向に移動及び回転させる手段を備えた台と、Ｘ
線の照射により試料から発生した蛍光Ｘ線を検知するた
めの蛍光Ｘ線検知手段を備えたことを特徴とする蛍光Ｘ
線分析装置。 - 【請求項２】前記蛍光Ｘ線検知手段が、エネルギー分散
型Ｘ線分析装置である請求項１記載の蛍光Ｘ線分析装
置。 - 【請求項３】さらに蛍光Ｘ線検知手段からの信号を蓄積
し、加工するための信号処理装置を備えている請求項１
又は２記載の蛍光Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246327A JP2592931B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246327A JP2592931B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0293355A JPH0293355A (ja) | 1990-04-04 |
| JP2592931B2 true JP2592931B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=17146912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63246327A Expired - Lifetime JP2592931B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2592931B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2535675B2 (ja) * | 1990-06-28 | 1996-09-18 | 株式会社東芝 | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
| JPH04270953A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 元素分析方法および元素分析装置ならびに薄膜形成装置 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63246327A patent/JP2592931B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0293355A (ja) | 1990-04-04 |
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