JP3916100B2 - 微小部分の膜厚測定方法 - Google Patents
微小部分の膜厚測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3916100B2 JP3916100B2 JP21905397A JP21905397A JP3916100B2 JP 3916100 B2 JP3916100 B2 JP 3916100B2 JP 21905397 A JP21905397 A JP 21905397A JP 21905397 A JP21905397 A JP 21905397A JP 3916100 B2 JP3916100 B2 JP 3916100B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- film
- coating film
- characteristic
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は微小部分の膜厚測定方法に関するものであり、更に詳しくは微小部分のコーティング膜に対して電子線を入射させ、発生する特性X線の強度を測定して膜厚を測定する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ドリルの耐久性の向上、旋盤用バイトの切削性の向上、カミソリの肌触り感の向上のために、鋭い刃先面に対して目的に応じたコーティング膜を形成させたり、また、数μmから数十μm単位の凹凸を有するプラスチック成形品の表面にコーティング膜を形成させることは広く行なわれている。しかし、この鋭い刃先面や微小な凹凸を有する表面へのコーティング膜における微小部分の膜厚を直接に測定することは困難であり、実際には行われていない。
【0003】
平坦で広い面積を有する母材に施されたコーティング膜の膜厚を直接に測定することは比較的容易であり従来から行われている。コーティング膜と母材の種類や材質によって異なるが、例えば、膜のある箇所と無い箇所との段差部分に針の先端を接触させて移動させる触針式表面粗さ計を使用する機械的な方法、コーティング膜による干渉縞を利用する光学的な方法、コーティング膜の抵抗値や静電容量を測定する電気的な方法、コーティング膜によるX線の干渉を利用するX線回折方法、その他の方法が適宜選択されて適用されている。しかし、鋭い刃先面や数μmから数十μm単位の凹凸を有する表面へのコーティング膜の微小部分の膜厚は従来の方法で直接に測定することは困難であるために、平坦で広い面積を有するダミー板を用いて希望の膜厚のコーティング膜を形成させ得るコーティング条件を設定し、その条件下に目的の微小部分へコーティング膜を形成させるか、または微小部分へのコーティング膜の形成と同時にダミー板にもコーティング膜を形成させ、ダミー板におけるコーティング膜の膜厚を従来の方法で測定して、目的とする微小部分のコーティング膜の膜厚を間接的に求める方法が採用されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
微小部分のコーティング膜についての従来の間接的な測定方法による膜厚はあくまで推測値であり直接的な測定値ではない。また、微小部分のコーティング膜に対して従来のX線回折方法によるX線を絞って直接に照射することも考えられるが、X線を細く絞るには限度があり、例えば、松村訳、「X線回折要論」、アグネ社(1961)やW.T.スプロール著、「X線の実務」、マックグローヒル社(1964)[ W .T .Sproul 、 X−Rays in Practice;McGraw Hill、N.Y.(1964)]によっても、絞ったX線のビーム径はたかだか数100μmであって、鋭い刃先面や数μmから数十μm単位の凹凸を有する表面へのコーティング膜の微小部分に照射して膜厚の測定に適用することはできない。更には、X線は電子線と比較して透過力が大きく、薄膜の膜厚を測定するには本質的に適していない。
【0005】
本発明は上記の問題に鑑みてなされ、鋭い刃先部分や数μmから数十μm単位の凹凸面のような微小部分に対するコーティング膜の膜厚を直接的に測定し得る膜厚測定方法を提供することを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は請求項1の構成によって解決されるが、その解決手段を実施の形態によって例示すれば、本発明の微小部分の膜厚測定方法は図2に示すように測定試料としてのカミソリの刃先である母材11の表面に形成させたクロム膜12に対して、図1に示す膜厚測定装置1によってビーム径を約1μmに絞った電子線eを入射させ、クロム膜12から発生される特性X線(CrKα線)xの強度をX線検出器6で測定し、同じクロム膜で膜厚既知の標準試料からの特性X線の強度と比較することによって、クロム膜12の膜厚を測定する。
【0007】
このような測定方法を採用することによって、カミソリの刃先面や数μmから数十μmの凹凸を有するプラスチック成形品の表面へのコーティング膜の微小部分の膜厚を測定することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態による膜厚測定方法について、図面を参照し、具体的に説明する。
【0009】
本発明の微小部分の膜厚測定方法の原理は、測定試料の微小部分に電子線を入射させ、発生する特性X線の強度を測定することによるものである。すなわち、入射される電子のエネルギーがコーティング膜の原子の例えばK軌道電子の結合エネルギー以上である場合には衝突によってK軌道電子ははじき出されて空席ができ、その空席へL軌道の電子が落ち込む。その時、L軌道電子とK軌道電子とのエネルギー準位の差に相当する電磁波、X線が発生するが、軌道エネルギーはそれぞれの原子に固有であるから、そのX線は特性X線または固有X線、示性X線と称される。本発明の膜厚測定方法はこの特性X線の強度によってコーティング膜の膜厚を測定するので、電子線源とX線検出器とを備えた装置を使用する。
【0010】
図1は実施の形態において使用される膜厚測定装置1の基本的な構成を示す図であり、この装置構成はX線マイクロアナライザ(EMPA)の創始者であるフランスのカスティン(Castaing)によって1949年に発表された装置と同様である。すなわち、膜厚測定装置1は電子銃2と呼ばれる電子線源、電子線eを細く絞る電子レンズ3、測定試料S上で電子線eを走査させる走査コイル4、測定試料Sを水平方向、上下方向に動かしたり、回転、傾斜させる試料微動装置5、X線検出器6、電子検出器7が真空容器8内に設置され、この真空容器8に排気用の真空ポンプ9が取り付けられている。X線検出器6には波長分散形とエネルギー分散形とがあるが、本実施の形態においては波長分散形を使用する場合について説明する。すなわち、波長分散形X線検出器6はX線を波長で分光するための分光結晶を備えたX線分光器と各波長域におけるX線強度を検出するためのシンチレーション計数管、光電子増倍管からなっている。
【0011】
測定試料Sの膜厚の測定に際しては、電子銃2内のフィラメントから出た熱電子は加速されて電子銃2から電子線eとして放射され、電子レンズ3で直径数μmから0.2μmまでの範囲内、通常的には直径約1μmに絞られて測定試料S上に真円に照射される。電子線eは必要に応じ走査コイル4で測定試料Sの面上を任意に走査される。そして、その照射によって発生する測定試料固有の特性X線xがX線検出器6に入り、その強度が測定される。なお、電子検出器7は発生する二次電子e’を参考的に観測するためのものであり、本発明の目的とする膜厚の測定に直接の関連はない。勿論、この電子検出器6を別途付設する電子顕微鏡の作像用としてもよい。
【0012】
図2は微小部分のコーティング膜の一例を示し、母材11としてのカミソリの刃先の表面に形成させたクロム(Cr)膜12とを示す断面図である。刃先のCr膜12に径1μmに絞った例えば加速電圧15kVの電子線eを照射し、発生する特性X線の強度を測定して、その膜厚を求めることができる。すなわち、図3は膜厚既知のCr膜について加速電圧15kVの電子線で測定されたCrの特性X線であるCrKα線の強度と膜厚との関係を示す図であるが、測定試料のCr膜12についてのCrKα線の強度を測定し、その強度を図3と対照することによって測定試料Cr膜12の膜厚を求めることができる。すなわち、膜厚測定装置1で測定して得られるCrKα線の強度が250カウント/秒であれば、そのCr膜12の膜厚は20nmであるということが分かる。
【0013】
図3は特性X線の強度からCr膜厚を求めるための補正曲線ないしは検量線の図に相当するが、その線は原点を通る直線であり、膜厚が0の時はCrKα線の強度も0であるので、補正曲線を作成するための標準試料には膜厚既知の一試料があればよいことを示している。
【0014】
上記の例は単一元素の膜であるが、これ以外に化合物膜の膜厚の測定も可能である。図4はプラスチック成形品の表面に形成させた酸化アルミニウム(Al2 O3 )膜について、加速電圧15kVの電子線で測定されたAlの特性X線であるAlKα線の強度と膜厚との関係を示す図であるが、図2のCrの場合と同様に、その関係を示す線は原点を通る直線であり、化合物においても補正曲線を作成するための標準試料には膜厚既知の一試料があればよいことを示す。ただ、電子線の照射はnA単位の電流が流れることを前提としているので、Al2 O3 のような電気絶縁物については、コーティング母材が導電性でない場合、表面層あるいはそのごく近傍を導電性にする工夫が必要であり、例えば、その表面に炭素(C)や金(Au)などの導電性コーティングを行うこともその手段である。表面のみを導電性とするだけで膜厚は十分に測定される。
【0015】
本発明の膜厚測定方法によって測定することができる厚さの薄い方の限界は1nm(10Å)程度であるが、厚い方の限界は加速電圧によっても異なる。すなわち、電子銃で加速されて測定試料へ入射される電子の最大侵入深さRを求めるモデル式、ないしは入射電子の散乱深さを求めるモデル式が種々提案されているなかで、副島は入射電子が侵入する実効深さRs(μm)として経験的に次式を提案している。[副島啓義著、「電子線マイクロアナリシス」、日刊工業新聞社(1987)]。
【0016】
Rs=(1/40)(A/ρZ)V1.7 (式1)
ここにおいて A;原子量、
ρ;密度
Z;原子番号
V;加速電圧(V)
そして、(式1)の加速電圧V1.7 を(V1.7 −VE 1.7)に置き換えて、特性X線が発生する深さの実効値Rsx(μm)は次式で求められるとしている。
Rsx=(1/40)(A/ρZ)(V1.7 −VE 1.7)(式2)
ここにおいて VE ;特性X線の最小励起電圧(V)
【0017】
しかし、特性X線の発生領域の深いところでは入射電子のエネルギーの吸収効果が大きいので、膜厚と特性X線の強度との間に直線関係が成立するのは(式2)で示される特性X線が発生する深さの実効値Rsxの40%に相当する深さ迄である。図5は広い膜厚範囲の金(Au)膜について、加速電圧25kVの電子線で測定した特性X線であるAuLα線の強度と膜厚との関係を示す図であり、図中の矢印は測定条件を(式2)に代入して得られる上記の実効値Rsxを示す。
【0018】
以上に説明したようにして、膜厚未知の測定試料と膜厚既知の標準試料との特性X線の強度を比較することにより、微小部分の膜厚を直接に測定することができる。なお、市販の波長分散形X線検出器は元素の周期表において原子番号4のベリウム(Be)から原子番号92のウラン(U)までのすべての元素の検出が可能となっている。また、前述したAl2 O3 はその一例であるが、上記の多数の元素の中の2種以上の組み合わせからなる化合物のコーティング膜の膜厚の測定も可能である。そのほか、母材の材質(元素)とコーティング膜の材質(元素)との組み合わせについては、化合物材質(元素)の種類をA、B、Cで表示して、母材A/コーティング膜Aの組み合わせについては、コーティング膜Aの膜厚は測定不能であるが、母材A/化合物コーティング膜ABCの組み合わせについては、Aを除くB、C元素による膜厚の測定は可能であり、化合物母材ABC/コーティング膜Bの組み合わせについては、母材のなかでAが主成分でありBが副成分である場合に、コーティング膜Bの膜厚の測定は可能である。
【0019】
本発明の実施の形態による膜厚測定方法は以上のように構成され作用するが、勿論、本発明はこれに限られることなく本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【0020】
例えば本実施の形態においては、特性X線を分光結晶によって分光して検出する波長分散形X線検出器(WDX、 Wavelength Dispersi−ve Xray Spectrometer)を使用した膜厚測定装置1を説明したが、特性X線をエネルギー的に分光して検出するエネルギー分散形X線検出器(EDX、Energy Dispersive Xray Spect−rometer)を使用しても同様に膜厚の測定が可能である。すなわち、特性X線を分光するのに波長を用いても、またエネルギーを用いても、両者は逆数の関係にあるので本質的には同じである。エネルギー的な分光にはX線の検出が可能な半導体が使用されるが、その半導体はP形シリコン(Si)にリチウム(Li)を拡散させたものであり、ほかに計数回路、および波形分離や定量計算を行なうコンピュータを組み合わせた検出システムが使用される。
【0021】
また本実施の形態においては、電子線のビーム径を1μmに絞ったが、測定するコーティング膜の面積によっては数μmから0.01μmまでの範囲内で最も適したビーム径に選定されることは言うまでもない。
【0022】
また本実施の形態においては特に示さなかったが、膜厚測定装置1内における測定試料Sの位置決めのために、一般的には電子顕微鏡ないしは光学顕微鏡が付設される。
【0023】
【発明の効果】
本発明の微小部分の膜厚測定方法は上記のような形態で実施され、以下に述べるような効果を奏する。
【0024】
鋭い刃先面や数μmから数十μm単位の凹凸を有する表面へのコーティング膜の微小部分の膜厚を、従来のように平坦性の良好なダミー板へのコーティング膜の膜厚を測定して間接的に求めるのではなく、微小部分へ絞った電子線を入射させて、コーティング膜の膜厚を直接に測定することができる。
【0025】
また、コーティング膜の材質は 4Beから92Uまでの元素が単独または化合物、混合物として測定が可能であり、母材の材質は金属、セラミックからプラスチックスに至るまで材質に関係なく測定が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態で使用する膜厚測定装置の基本構成を示す図である。
【図2】母材のカミソリの刃先に形成させたクロム膜を示す断面図である。
【図3】クロム膜についての膜厚と特性X線の強度との関係を示す図である。
【図4】酸化アルミニウム膜についての膜厚と特性X線の強度との関係を示す図である。
【図5】金膜についての膜厚と特性X線の強度との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 膜厚測定装置
2 電子銃
3 電子レンズ
6 X線検出器
8 真空容器
9 真空ポンプ
11 母材(カミソリの刃先)
12 クロム膜
S 測定試料
Claims (4)
- 鋭い刃先面や数μmから数十μm単位の凹凸を有する表面におけるコーティング膜の微小部分に対し、細く絞った電子線を入射させることによって前記コーティング膜の構成元素から発生する特性X線の強度を測定し、
前記コーティング膜と同一の構成元素で厚さが既知の標準試料からの特性X線の強度と比較して前記コーティング膜の膜厚を求める微小部分の膜厚測定方法において、
Rsx=(1/40)(A/ρZ)(V 1.7 −V E 1.7 )
(但し、式においてAは原子量、ρは密度、Zは原子番号、Vは
加速電圧(V)、V E は特性X線の最小励起電圧(V)を表わす。)
によって算出される特性X線が発生する深さの実効値Rsx(μm)内であり、かつ前記コーティング膜の膜厚と発生する前記特性X線の強度との間に直線関係が成立する範囲において前記膜厚の測定を行うことを特徴とする微小部分の膜厚測定方法。 - 前記コーティング膜の膜厚と発生する前記特性X線の強度との間に直線関係が成立する範囲として、前記実効値Rsx(μm)の40%に相当する深さまでとする請求項1に記載の微小部分の膜厚測定方法。
- 前記数μmから数十μm単位の凹凸を有する表面がプラスチック成形品の表面である請求項1または請求項2に記載の膜厚測定方法。
- 前記電子線ビーム径を約1μm、必要によっては数μmから0.2μmまでの範囲内の値に絞って前記コーティング膜に入射させる請求項1または請求項2に記載の微小部分の膜厚測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21905397A JP3916100B2 (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 微小部分の膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21905397A JP3916100B2 (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 微小部分の膜厚測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1151630A JPH1151630A (ja) | 1999-02-26 |
JP3916100B2 true JP3916100B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=16729535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21905397A Expired - Fee Related JP3916100B2 (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 微小部分の膜厚測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3916100B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4966160B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2012-07-04 | シャープ株式会社 | 膜厚測定方法 |
CN102205480B (zh) * | 2010-12-16 | 2013-01-02 | 北京首钢建设集团有限公司 | 一种空间曲面螺旋箱型构件的制作方法 |
CN103713002B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-04-27 | 昆明贵研催化剂有限责任公司 | 一种测定汽车尾气催化剂涂层厚度的方法 |
-
1997
- 1997-07-30 JP JP21905397A patent/JP3916100B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1151630A (ja) | 1999-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5778039A (en) | Method and apparatus for the detection of light elements on the surface of a semiconductor substrate using x-ray fluorescence (XRF) | |
US20090067573A1 (en) | X-ray measurement of properties of nano-particles | |
Reinhardt et al. | Reference-free quantification of particle-like surface contaminations by grazing incidence X-ray fluorescence analysis | |
Shin et al. | A scanning transmission X-ray microscope at the Pohang Light Source | |
JP3916100B2 (ja) | 微小部分の膜厚測定方法 | |
JP2017522571A (ja) | 電子顕微鏡のためのターゲットサンプルの質量厚みを測定する方法 | |
JP5682918B2 (ja) | X線吸収端法による元素別定量分析方法及び元素別定量分析装置 | |
US6060707A (en) | Apparatus and method for analyzing microscopic area | |
JPS61140811A (ja) | 電子ビ−ム測長装置 | |
McMillan et al. | A nuclear microprobe method for the simultaneous determination of silicon and nitrogen profiles in metals | |
JP3142612B2 (ja) | 固体の表面物性を探査する方法および走査クラスター顕微鏡 | |
JP2592931B2 (ja) | 蛍光x線分析装置 | |
Žitnik et al. | 3D-reconstruction of an object by means of a confocal micro-PIXE | |
JPH07294460A (ja) | X線分析方法および装置 | |
JP2996210B2 (ja) | 試料吸収電流分光法 | |
JP2903874B2 (ja) | 集束イオンビームによるイオン励起型x線分析装置 | |
Orlikovsky et al. | Image contrast in the backscattered electron mode in scanning electron microscopy and microtomography | |
KR100687074B1 (ko) | 집속 이온빔 산란을 이용한 박막분석 시스템 | |
JP2507484B2 (ja) | 偏光全反射蛍光x線構造解析装置 | |
JP3946643B2 (ja) | 光粒子装置のx線分析方法 | |
JPS61195336A (ja) | 半導体評価装置及び半導体評価方法 | |
Pierce et al. | The use of elastic particle scattering for preliminary survey examinations in positive-ion microprobe analysis | |
JP2514687B2 (ja) | 蛍光x線構造解析装置及び蛍光x線構造解析方法 | |
Zaitsev et al. | New possibilities and some artifacts of the cathodoluminescent mode in scanning electron microscopy | |
Fultz et al. | Inelastic electron scattering and spectroscopy |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040401 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061031 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061221 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20071108 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150216 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |