JP2591695Y2 - 放射温度計付き薄膜形成装置 - Google Patents
放射温度計付き薄膜形成装置Info
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- JP2591695Y2 JP2591695Y2 JP1992029048U JP2904892U JP2591695Y2 JP 2591695 Y2 JP2591695 Y2 JP 2591695Y2 JP 1992029048 U JP1992029048 U JP 1992029048U JP 2904892 U JP2904892 U JP 2904892U JP 2591695 Y2 JP2591695 Y2 JP 2591695Y2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、空燃比計やガス分析計
等に使用される光学フイルタ、即ちシリコン、石英或い
はサファイア等の基板の両面に赤外線等の所定の波長域
を透過させる選択性多層膜を形成して成る光学フイルタ
を作成する場合に用いられる薄膜形成装置、更に詳しく
は、該装置の温度管理を行うための放射温度計を備えた
ものに関する。
等に使用される光学フイルタ、即ちシリコン、石英或い
はサファイア等の基板の両面に赤外線等の所定の波長域
を透過させる選択性多層膜を形成して成る光学フイルタ
を作成する場合に用いられる薄膜形成装置、更に詳しく
は、該装置の温度管理を行うための放射温度計を備えた
ものに関する。
【0002】
【従来の技術】前記放射温度計付き薄膜形成装置は、真
空蒸着装置に例をとってみると、従来から、一般に真空
蒸着装置のベルジャーの天井部分にBaF2から成る窓
(以下単に窓と称する)をベルジャー内に臨ませて設置
していた。
空蒸着装置に例をとってみると、従来から、一般に真空
蒸着装置のベルジャーの天井部分にBaF2から成る窓
(以下単に窓と称する)をベルジャー内に臨ませて設置
していた。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】しかし、この窓は、ベ
ルジャーに臨ませてあるから、基板への多層膜形成作業
に伴って、たとえば金属の蒸気が、基板をセットしてあ
る基板ホルダから更に上方に回り込み、窓が膜材料の粒
子によってコートされてしまい、精度の高い温度計測が
できず、従って又早期のうちに窓を取り替える必要があ
った。更に加熱ヒーターを使用しているタイプの蒸着装
置の場合はヒーターからの熱により窓の温度上昇を招
き、正確な温度計測が出来なかった。本考案は、以上の
従来構造の問題点を解消するもので、放射温度計が長期
にわたって安定的に作動することを可能にした放射温度
計付き薄膜形成装置を提供することを目的とする。
ルジャーに臨ませてあるから、基板への多層膜形成作業
に伴って、たとえば金属の蒸気が、基板をセットしてあ
る基板ホルダから更に上方に回り込み、窓が膜材料の粒
子によってコートされてしまい、精度の高い温度計測が
できず、従って又早期のうちに窓を取り替える必要があ
った。更に加熱ヒーターを使用しているタイプの蒸着装
置の場合はヒーターからの熱により窓の温度上昇を招
き、正確な温度計測が出来なかった。本考案は、以上の
従来構造の問題点を解消するもので、放射温度計が長期
にわたって安定的に作動することを可能にした放射温度
計付き薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本考案の放射温度計付き薄膜形成装置は、薄膜形成
装置に設けた放射温度計用窓の近傍に、該窓を常時冷却
して該窓の温度上昇を抑制する冷却機構を設けるととも
に、この窓の前記薄膜形成装置の薄膜形成室側に開閉可
能なシャッタを設けたことを特徴とする。
めに本考案の放射温度計付き薄膜形成装置は、薄膜形成
装置に設けた放射温度計用窓の近傍に、該窓を常時冷却
して該窓の温度上昇を抑制する冷却機構を設けるととも
に、この窓の前記薄膜形成装置の薄膜形成室側に開閉可
能なシャッタを設けたことを特徴とする。
【0005】
【作用】上記の構成によると、冷却機構は常時窓を冷却
して、窓の温度上昇を、この放射温度計による測定結果
に誤差の生じないように抑制する。また基板温度を測定
しないときは、シャッタは窓を覆い、蒸気が基板ホルダ
を回り込んでこの窓に至って、これに付着するのを阻止
する。基板温度の測定時には、シャッタを、前記窓の前
面を開放するように、移動させて、熱線の放射温度計へ
の透過を許す。温度の測定が完了した時は、再びシャッ
タを前記窓を覆うように移動させて、蒸気の付着を阻止
する。
して、窓の温度上昇を、この放射温度計による測定結果
に誤差の生じないように抑制する。また基板温度を測定
しないときは、シャッタは窓を覆い、蒸気が基板ホルダ
を回り込んでこの窓に至って、これに付着するのを阻止
する。基板温度の測定時には、シャッタを、前記窓の前
面を開放するように、移動させて、熱線の放射温度計へ
の透過を許す。温度の測定が完了した時は、再びシャッ
タを前記窓を覆うように移動させて、蒸気の付着を阻止
する。
【0006】
【実施例】以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は要部の拡大断面図、図2は、本考案による
放熱温度計付き薄膜形成装置を真空蒸着装置に適用した
場合の概略説明図である。
する。図1は要部の拡大断面図、図2は、本考案による
放熱温度計付き薄膜形成装置を真空蒸着装置に適用した
場合の概略説明図である。
【0007】図2において、1は薄膜形成装置の一例で
ある真空蒸着装置で、その薄膜形成室の一例であるベル
ジャー(真空チャンバ)2の内側下部に、膜材料として
の、例えばSiOを加熱蒸発させる抵抗ヒータを備えた
抵抗加熱機構3が設けられ、且つこの抵抗加熱機構3に
顆粒状のSiOなどの膜材料を適量ずつ供給する材料供
給装置4が配置されている。5は電子銃を備えた加熱蒸
発機構で、これは膜材料としての、例えばGeを加熱蒸
発させる。そして、前記抵抗加熱機構3と加熱蒸発機構
5の夫々の上側に、シャッタ6a,6b及び基板ホルダ
7a,7bとマイクロヒータ8a,8bとが、この順序
で配置されている。
ある真空蒸着装置で、その薄膜形成室の一例であるベル
ジャー(真空チャンバ)2の内側下部に、膜材料として
の、例えばSiOを加熱蒸発させる抵抗ヒータを備えた
抵抗加熱機構3が設けられ、且つこの抵抗加熱機構3に
顆粒状のSiOなどの膜材料を適量ずつ供給する材料供
給装置4が配置されている。5は電子銃を備えた加熱蒸
発機構で、これは膜材料としての、例えばGeを加熱蒸
発させる。そして、前記抵抗加熱機構3と加熱蒸発機構
5の夫々の上側に、シャッタ6a,6b及び基板ホルダ
7a,7bとマイクロヒータ8a,8bとが、この順序
で配置されている。
【0008】9はシリコニット光源で、これから射出さ
れた光束10を、ベルジャー2内の下側中央部に立設さ
れた光束案内筒11内に導入して、ベルジャー2の上部
に設けた窓13からベルジャー2外に導出するように構
成されている。14は蒸着膜膜厚を光学的にモニタする
ためのモニタホルダで、これが光束案内筒11の上位に
おいて、光束10の光路に配置されている。
れた光束10を、ベルジャー2内の下側中央部に立設さ
れた光束案内筒11内に導入して、ベルジャー2の上部
に設けた窓13からベルジャー2外に導出するように構
成されている。14は蒸着膜膜厚を光学的にモニタする
ためのモニタホルダで、これが光束案内筒11の上位に
おいて、光束10の光路に配置されている。
【0009】15は、前記基板ホルダ7a,7bにセッ
トされた基板の温度を測定するために、前記真空蒸着装
置1の天板16の上方に配置されている放射温度計で、
下端部に冷却機構の一例である水冷機構17が一体に組
み込まれていて、この水冷機構17のハウジング18下
端が前記天板16に設けた貫通孔19内に嵌挿されて設
けられる。
トされた基板の温度を測定するために、前記真空蒸着装
置1の天板16の上方に配置されている放射温度計で、
下端部に冷却機構の一例である水冷機構17が一体に組
み込まれていて、この水冷機構17のハウジング18下
端が前記天板16に設けた貫通孔19内に嵌挿されて設
けられる。
【0010】前記ハウジング18の内部中央には上下に
貫通する熱線透過路20が設けられているとともに、該
熱線透過路20の上端にBaF2から成る窓(以下単に
窓と称する)21が設けられている。そして前記水冷機
構17は、ハウジング18の前記窓21よりもやゝ下方
位置で、前記熱線透過路20の周囲を囲撓する形で設け
られた冷却水路22と、この冷却水路22に夫々連結さ
れる冷却水の供給口23及び冷却水の出口24とから構
成されている。
貫通する熱線透過路20が設けられているとともに、該
熱線透過路20の上端にBaF2から成る窓(以下単に
窓と称する)21が設けられている。そして前記水冷機
構17は、ハウジング18の前記窓21よりもやゝ下方
位置で、前記熱線透過路20の周囲を囲撓する形で設け
られた冷却水路22と、この冷却水路22に夫々連結さ
れる冷却水の供給口23及び冷却水の出口24とから構
成されている。
【0011】25は、ベルジャー2内の上方で、前記熱
線透過路20のベルジャー2に臨む入口26の前面部分
に設けられた、該入口26を遮蔽するためのシャッタ
で、真空蒸着装置1の外部で前記放射温度計15の脇に
設けられたシャッタ開閉機構27によって前記入口26
を開閉するように作動される。この作動は、前記シャッ
タ開閉機構27の、例えば電動機等の駆動源28から垂
下された駆動軸29の下端が前記ベルジャー2内に挿入
されて、ここに前記シャッタ25が一体的に連設されて
いて、前記駆動源28の正逆回転によって行われる。
線透過路20のベルジャー2に臨む入口26の前面部分
に設けられた、該入口26を遮蔽するためのシャッタ
で、真空蒸着装置1の外部で前記放射温度計15の脇に
設けられたシャッタ開閉機構27によって前記入口26
を開閉するように作動される。この作動は、前記シャッ
タ開閉機構27の、例えば電動機等の駆動源28から垂
下された駆動軸29の下端が前記ベルジャー2内に挿入
されて、ここに前記シャッタ25が一体的に連設されて
いて、前記駆動源28の正逆回転によって行われる。
【0012】前記真空蒸着装置1によって基板の上に所
定のコートを施すには、基板を基板ホルダ7a,7bに
セッティングした後、ベルジャー2内を5×10−6T
orr以下の高真空に保持し、次いで材料供給装置4を
作動させて、顆粒状SiOの適量を抵抗加熱機構3に供
給して、シャッタ6aを開くとともに、シリコニット光
源9から光束10を射出する。この光束10は光束案内
筒11からモニタホルダ14を透過し、ベルジャー2の
上部の窓13からベルジャー2外に導出され、図外の検
出器、光学膜厚モニタ装置を経て蒸着制御装置に光量変
化信号として入力される。そして、抵抗加熱機構3で前
記SiOを加熱蒸発させて、基板に蒸着させる。この蒸
着作業中、前記基板は190℃〜210℃の温度下に保
つことが望ましく、この温度管理は、前記放射温度計1
5によって基板温度を、所定時間ごと等、適宜に測定
し、その検出結果に基づいて前記抵抗加熱機構3を制御
することによって行う。
定のコートを施すには、基板を基板ホルダ7a,7bに
セッティングした後、ベルジャー2内を5×10−6T
orr以下の高真空に保持し、次いで材料供給装置4を
作動させて、顆粒状SiOの適量を抵抗加熱機構3に供
給して、シャッタ6aを開くとともに、シリコニット光
源9から光束10を射出する。この光束10は光束案内
筒11からモニタホルダ14を透過し、ベルジャー2の
上部の窓13からベルジャー2外に導出され、図外の検
出器、光学膜厚モニタ装置を経て蒸着制御装置に光量変
化信号として入力される。そして、抵抗加熱機構3で前
記SiOを加熱蒸発させて、基板に蒸着させる。この蒸
着作業中、前記基板は190℃〜210℃の温度下に保
つことが望ましく、この温度管理は、前記放射温度計1
5によって基板温度を、所定時間ごと等、適宜に測定
し、その検出結果に基づいて前記抵抗加熱機構3を制御
することによって行う。
【0013】一方、前記放射温度計15の水冷機構17
の冷却水路22に常時冷却水を供給して、前記放射温度
計15の窓21を冷却し、その温度上昇を、この放射温
度計15による測定結果に誤差の生じないように抑制す
る。
の冷却水路22に常時冷却水を供給して、前記放射温度
計15の窓21を冷却し、その温度上昇を、この放射温
度計15による測定結果に誤差の生じないように抑制す
る。
【0014】又、基板温度を測定しないときは、シャッ
タ25で前記熱線透過路20の入口26を閉塞して、金
属の蒸気が前記基板ホルダ7a,7bを回り込んでこの
熱線透過路20から前記窓21に至って、これに蒸着す
るのを阻止する。基板温度の測定時には、前記開閉機構
27を作動してシャッタ25を、前記熱線透過路20の
入口26を開放するように、移動させて、熱線の放射温
度計15への透過を許す。温度の測定が完了した時は、
再び開閉機構27を先とは逆方向に作動し、シャッタ2
5を前記熱線透過路20の入口26を閉塞するように移
動させて、熱線透過路20を閉塞する。
タ25で前記熱線透過路20の入口26を閉塞して、金
属の蒸気が前記基板ホルダ7a,7bを回り込んでこの
熱線透過路20から前記窓21に至って、これに蒸着す
るのを阻止する。基板温度の測定時には、前記開閉機構
27を作動してシャッタ25を、前記熱線透過路20の
入口26を開放するように、移動させて、熱線の放射温
度計15への透過を許す。温度の測定が完了した時は、
再び開閉機構27を先とは逆方向に作動し、シャッタ2
5を前記熱線透過路20の入口26を閉塞するように移
動させて、熱線透過路20を閉塞する。
【0015】前記実施例では、真空蒸着装置を例示した
が、本考案はその他スパッタリング装置、イオンプレー
ティング装置更にはCVD装置に適用できる他、図例の
マイクロヒータ8a,8bを省略した機種にも採用でき
る。 又、水冷機構17は冷却水に変えて低温気体を前
記冷却水路22に供給するようにしてもよく、更にシャ
ッタ25を設置する位置は、ベルジャー2内の真空度を
阻害しない構成を備えるのであれば、前記熱線透過路2
0中に設けることもできる。更に膜材料としては製造す
る光学フイルタに対応した任意のものを使用することが
可能である。従って、前記電子銃を備えた加熱蒸発機構
5にも材料供給装置を付設して、その膜材料を補給する
ように構成することも可能である。又赤外域以外の薄膜
形成装置にももちろん適用できる。
が、本考案はその他スパッタリング装置、イオンプレー
ティング装置更にはCVD装置に適用できる他、図例の
マイクロヒータ8a,8bを省略した機種にも採用でき
る。 又、水冷機構17は冷却水に変えて低温気体を前
記冷却水路22に供給するようにしてもよく、更にシャ
ッタ25を設置する位置は、ベルジャー2内の真空度を
阻害しない構成を備えるのであれば、前記熱線透過路2
0中に設けることもできる。更に膜材料としては製造す
る光学フイルタに対応した任意のものを使用することが
可能である。従って、前記電子銃を備えた加熱蒸発機構
5にも材料供給装置を付設して、その膜材料を補給する
ように構成することも可能である。又赤外域以外の薄膜
形成装置にももちろん適用できる。
【0016】
【考案の効果】以上説明したように、本考案の放射温度
計付き薄膜形成装置は、放射温度計用窓の前面にシャッ
タを設けてあるために、基板の温度測定の時のみに窓を
薄膜形成装置の薄膜形成室に臨ませればよく、従って窓
の長寿化が図れ、メンテナンス性にも優れている。
計付き薄膜形成装置は、放射温度計用窓の前面にシャッ
タを設けてあるために、基板の温度測定の時のみに窓を
薄膜形成装置の薄膜形成室に臨ませればよく、従って窓
の長寿化が図れ、メンテナンス性にも優れている。
【0017】しかも、窓の周辺に冷却機構を設けてこれ
を常時冷却できるようにしてあるために、窓の温度上昇
をうまく抑制でき、併せてシャッタによって蒸気の付着
をうまく阻止できることから、正確な温度測定が可能に
なり、放射温度計が長期間安定的に作動するようになっ
た。
を常時冷却できるようにしてあるために、窓の温度上昇
をうまく抑制でき、併せてシャッタによって蒸気の付着
をうまく阻止できることから、正確な温度測定が可能に
なり、放射温度計が長期間安定的に作動するようになっ
た。
【図1】要部の拡大断面図である。
【図2】本考案に係る放射温度計付き薄膜形成装置の一
実施例を示す概略説明図である。
実施例を示す概略説明図である。
1…薄膜形成装置、2…薄膜形成室、15…放射温度
計、16…天板、17…冷却機構、21…窓、25…シ
ャッタ、27…シャッタ開閉機構。
計、16…天板、17…冷却機構、21…窓、25…シ
ャッタ、27…シャッタ開閉機構。
Claims (1)
- 【請求項1】 薄膜形成装置に設けた放射温度計用窓の
近傍に、該窓を常時冷却して該窓の温度上昇を抑制する
冷却機構を設けるとともに、この窓の前記薄膜形成装置
の薄膜形成室側に開閉可能なシャッタを設けたことを特
徴とする放射温度計付き薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992029048U JP2591695Y2 (ja) | 1992-04-04 | 1992-04-04 | 放射温度計付き薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992029048U JP2591695Y2 (ja) | 1992-04-04 | 1992-04-04 | 放射温度計付き薄膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0581269U JPH0581269U (ja) | 1993-11-05 |
JP2591695Y2 true JP2591695Y2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=12265506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1992029048U Expired - Fee Related JP2591695Y2 (ja) | 1992-04-04 | 1992-04-04 | 放射温度計付き薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2591695Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6274578B2 (ja) * | 2015-01-09 | 2018-02-07 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
TWI789930B (zh) * | 2021-10-01 | 2023-01-11 | 南亞塑膠工業股份有限公司 | 食品包裝用的阻隔膜及其製造方法 |
-
1992
- 1992-04-04 JP JP1992029048U patent/JP2591695Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0581269U (ja) | 1993-11-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |