JP2590533B2 - 珪素鋼板の製造方法 - Google Patents
珪素鋼板の製造方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
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- C22C38/04—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing manganese
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- Metallurgy (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、{100}面集合組織をもった珪素鋼板、特
に板面に対して垂直方向に成長した結晶粒からなり、板
面に対して垂直方向に<100>軸が高度に集積した電磁
用の珪素鋼板の製造方法に関する。
に板面に対して垂直方向に成長した結晶粒からなり、板
面に対して垂直方向に<100>軸が高度に集積した電磁
用の珪素鋼板の製造方法に関する。
より具体的には回転機、変圧器、発電機等の磁心とし
て用いられる磁気特性に優れた珪素鋼板の製造方法に関
する。
て用いられる磁気特性に優れた珪素鋼板の製造方法に関
する。
(従来の技術) 回転機、変圧器等の磁心には従来より珪素鋼板が用い
られている。この珪素鋼板に要求される磁性は交番磁界
中での磁気的なエネルギー損失(鉄損)が少なく、実用
的な磁界中での磁束密度が高いということである。これ
を実現するには電気抵抗を高め、容易磁化方向であるbc
c格子の<100>方向を使用する際の磁界の方向に集積さ
れた鋼板とすることが必要となる。
られている。この珪素鋼板に要求される磁性は交番磁界
中での磁気的なエネルギー損失(鉄損)が少なく、実用
的な磁界中での磁束密度が高いということである。これ
を実現するには電気抵抗を高め、容易磁化方向であるbc
c格子の<100>方向を使用する際の磁界の方向に集積さ
れた鋼板とすることが必要となる。
現在3%程度のSiを含む一方向性珪素鋼板では圧延方
向に<100>軸が集積し、圧延方向に磁界をかけて使用
した場合優れた磁気特性を示す。しかし、回転機等磁界
が板内面の色々な方向にかかるような場合には、この一
方向性珪素鋼では圧延方向以外の方向に磁化し難いため
使用できず、いわゆる無方向性珪素鋼板が使用されてき
ている。
向に<100>軸が集積し、圧延方向に磁界をかけて使用
した場合優れた磁気特性を示す。しかし、回転機等磁界
が板内面の色々な方向にかかるような場合には、この一
方向性珪素鋼では圧延方向以外の方向に磁化し難いため
使用できず、いわゆる無方向性珪素鋼板が使用されてき
ている。
このような板面内の1つの方向だけでなく2つ以上の
方向に磁界が加わる場合に最も適した集合組織は板面垂
直方向に<100>軸が集積したものである。なぜなら、
この場合、3つの互いに直交した<100>軸のうち2つ
の<100>軸、すなわちち容易磁化方向が必ず板面内に
あるためである。板面内での<100>軸の集積具合は、
用途によって望まれるものが異なる。たとえば、板面内
の互いに直交する2方向に磁界が加わるEI型磁心のよう
な場合は{100}<001>もしくは{100}<011>方位の
集合組織が好ましく、板面内のあらゆる方向に磁界が加
わる回転機のような場合には{100}面内無方向集合組
織のものを使うか、もしくは{100}<001>、{100}
<011>型集合組織のものを板面内での角度を変えて打
ち抜いたものを重ねて使用するのが好ましい。
方向に磁界が加わる場合に最も適した集合組織は板面垂
直方向に<100>軸が集積したものである。なぜなら、
この場合、3つの互いに直交した<100>軸のうち2つ
の<100>軸、すなわちち容易磁化方向が必ず板面内に
あるためである。板面内での<100>軸の集積具合は、
用途によって望まれるものが異なる。たとえば、板面内
の互いに直交する2方向に磁界が加わるEI型磁心のよう
な場合は{100}<001>もしくは{100}<011>方位の
集合組織が好ましく、板面内のあらゆる方向に磁界が加
わる回転機のような場合には{100}面内無方向集合組
織のものを使うか、もしくは{100}<001>、{100}
<011>型集合組織のものを板面内での角度を変えて打
ち抜いたものを重ねて使用するのが好ましい。
現在までに知られている板面垂直方向に<100>軸を
持つ結晶粒組織の製造方法は次の通りである。
持つ結晶粒組織の製造方法は次の通りである。
(1)凝固組織を用いる方法: 鋼を凝固させると熱流方向に<100>軸を持つ結晶が
成長する。よって板状に凝固させると熱流方向は冷却面
である板面に垂直となり、この方向に<100>軸が配向
した結晶粒組織となる。
成長する。よって板状に凝固させると熱流方向は冷却面
である板面に垂直となり、この方向に<100>軸が配向
した結晶粒組織となる。
(1−1)最近溶湯超急冷法と呼ばれる高速回転する冷
却ロールの表面に溶湯を吹き出し、0.05〜0.5mm厚程度
の薄板を直接製造する方法が研究されている。この方法
で6%程度のSiを含む珪素鋼薄帯を製造すると板面に垂
直かもしくはそれから20〜30゜傾いた方法に長軸を持つ
柱状粒組織となる。しかし板面垂直方向の<100>軸密
度は配向性のないものの高々3〜6倍であり、<100>
軸の集積度は不充分である。またこの製法では板厚精度
が悪く電磁鋼板にとって必要な高い占積率は確保できな
い。
却ロールの表面に溶湯を吹き出し、0.05〜0.5mm厚程度
の薄板を直接製造する方法が研究されている。この方法
で6%程度のSiを含む珪素鋼薄帯を製造すると板面に垂
直かもしくはそれから20〜30゜傾いた方法に長軸を持つ
柱状粒組織となる。しかし板面垂直方向の<100>軸密
度は配向性のないものの高々3〜6倍であり、<100>
軸の集積度は不充分である。またこの製法では板厚精度
が悪く電磁鋼板にとって必要な高い占積率は確保できな
い。
(1−2)インゴット柱状晶の〔100〕繊維組織を利用
した{100}<001>集合組織珪素鋼の製造方法にあって
は、特殊は鋳造方法によって製造した柱状晶インゴット
を{100}面が圧延面となるように圧延し、1000℃以上
の温度で焼鈍する。
した{100}<001>集合組織珪素鋼の製造方法にあって
は、特殊は鋳造方法によって製造した柱状晶インゴット
を{100}面が圧延面となるように圧延し、1000℃以上
の温度で焼鈍する。
(2)高温焼鈍による方法: (2−1)厚さ0.15mm以下の薄珪素鋼板の場合、弱酸化
性の雰囲気中1000℃以上の温度で焼鈍すると、結晶粒は
一度板厚程度の大きさに成長した後、板面垂直方向に<
100>軸を持った結晶粒が表面エネルギーを駆動力とし
て優先成長する。
性の雰囲気中1000℃以上の温度で焼鈍すると、結晶粒は
一度板厚程度の大きさに成長した後、板面垂直方向に<
100>軸を持った結晶粒が表面エネルギーを駆動力とし
て優先成長する。
(2−2)微量のAl等を添加した珪素鋼を交叉圧延(0
゜と90゜方向に2回冷間圧延する圧延方法)し、1150℃
の温度で最終の焼鈍を行うと{100}<001>方位の結晶
粒が2次再結晶するため、これを利用してその集積度を
高める。
゜と90゜方向に2回冷間圧延する圧延方法)し、1150℃
の温度で最終の焼鈍を行うと{100}<001>方位の結晶
粒が2次再結晶するため、これを利用してその集積度を
高める。
(発明が解決しようとする課題) このように、従来技術にあってもすでにいくつか提案
されているが、今日要求されている特性からすれば、
(1−1)の方法では、<100>軸の集積度が低くかつ
板厚精度、占積率に劣る。
されているが、今日要求されている特性からすれば、
(1−1)の方法では、<100>軸の集積度が低くかつ
板厚精度、占積率に劣る。
一方、(1−2)、(2−1)、(2−2)の方法で
得られる組織は集積度を高めようとすると非常に大きな
結晶粒組織となり通常板厚の10〜100倍の結晶粒とな
る。このため静磁界中での磁化特性は良好でも、交番磁
界中では渦電流損失が大きく、十分に低損失とはならな
い。
得られる組織は集積度を高めようとすると非常に大きな
結晶粒組織となり通常板厚の10〜100倍の結晶粒とな
る。このため静磁界中での磁化特性は良好でも、交番磁
界中では渦電流損失が大きく、十分に低損失とはならな
い。
また、(1−2)では特殊な鋳造方法によるインゴッ
トを行い、(2−1)で0.15mm以下という薄い板にしか
適用されず(2−2)では交叉圧延という長尺の薄板に
は適用できない圧延方法によっており、工業的には実用
化が非常に困難である。
トを行い、(2−1)で0.15mm以下という薄い板にしか
適用されず(2−2)では交叉圧延という長尺の薄板に
は適用できない圧延方法によっており、工業的には実用
化が非常に困難である。
なお、特開昭61−44130号にてSi:2.0〜8.0重量%、C:
0.016〜1.000重量%を含有する高珪素鉄合金超急冷薄帯
を600〜1300℃で脱炭焼鈍することを特徴とする面内無
方向性電磁鉄板の製造方法が開示されているが、これは
焼鈍開始時の低温での粒成長を抑制し、逆に高温域での
粒成長性を促進させるための方法であり、結晶方位制御
については何ら言及されていない。
0.016〜1.000重量%を含有する高珪素鉄合金超急冷薄帯
を600〜1300℃で脱炭焼鈍することを特徴とする面内無
方向性電磁鉄板の製造方法が開示されているが、これは
焼鈍開始時の低温での粒成長を抑制し、逆に高温域での
粒成長性を促進させるための方法であり、結晶方位制御
については何ら言及されていない。
(課題を解決するための手段) ここに、本発明者らは、以上のような課題を解決する
ため研究を重ねた結果、CおよびNを含有する冷間圧延
珪素鋼板は弱脱炭・脱窒焼鈍時に、オーステナイト相か
らα−フェライト相へ変態する際に、板面に垂直方向に
<100>軸が強く配向すること、および、この結晶を強
脱炭・脱窒焼鈍すれば板厚中心に向かって成長すること
を見出し、本発明を完成した。
ため研究を重ねた結果、CおよびNを含有する冷間圧延
珪素鋼板は弱脱炭・脱窒焼鈍時に、オーステナイト相か
らα−フェライト相へ変態する際に、板面に垂直方向に
<100>軸が強く配向すること、および、この結晶を強
脱炭・脱窒焼鈍すれば板厚中心に向かって成長すること
を見出し、本発明を完成した。
本発明の要旨は、Si:0.2〜6.5wt%、C:≧0.005wt%か
つC+N:≧0.03wt%を含有する冷間圧延鋼帯を、そのオ
ーステナイト単相またはオーステナイト相とα−フェラ
イト相の二相状態になる温度であって、その脱炭・脱窒
後、実質的にα−フェライト単相となる温度で、かつ脱
炭・脱窒性雰囲気中で、C+N:≦0.01wt%となるまで焼
鈍することにより、板面に対し<100>軸を高度に集積
させることを特徴とする珪素鋼板の製造方法である。
つC+N:≧0.03wt%を含有する冷間圧延鋼帯を、そのオ
ーステナイト単相またはオーステナイト相とα−フェラ
イト相の二相状態になる温度であって、その脱炭・脱窒
後、実質的にα−フェライト単相となる温度で、かつ脱
炭・脱窒性雰囲気中で、C+N:≦0.01wt%となるまで焼
鈍することにより、板面に対し<100>軸を高度に集積
させることを特徴とする珪素鋼板の製造方法である。
前記冷間圧延鋼帯としては、前記成分に、さらにMn:
≦4wt%、Al:≦3wt%およびCo:≦1wt%のうち1種また
は2種以上を含有してもよい。
≦4wt%、Al:≦3wt%およびCo:≦1wt%のうち1種また
は2種以上を含有してもよい。
(作用) 本発明をさらに詳細に説明すれば、次の通りである。
C、Nでオーステナイト相領域を拡大した冷間圧延珪
素鋼をまずα−フェライト+オーステナイト二相域もし
くはオーステナイト相温度域かつC、Nを除去したとき
α−フェライト単相となる温度域で、一般には850〜100
0℃の温度域で真空中、もしくは露点−20℃以下の不活
性ガス、CO、CO2および水素ガス雰囲気等の弱脱炭・脱
窒性であり、かつ弱酸化性または非酸化性の雰囲気中で
焼鈍する。この焼鈍によって表面から5〜50μmの部分
が脱炭、脱窒され、α−フェライト相単相となる。内部
は依然としてα−フェライト+オーステナイト二相もし
くはオーステナイト単相である。
素鋼をまずα−フェライト+オーステナイト二相域もし
くはオーステナイト相温度域かつC、Nを除去したとき
α−フェライト単相となる温度域で、一般には850〜100
0℃の温度域で真空中、もしくは露点−20℃以下の不活
性ガス、CO、CO2および水素ガス雰囲気等の弱脱炭・脱
窒性であり、かつ弱酸化性または非酸化性の雰囲気中で
焼鈍する。この焼鈍によって表面から5〜50μmの部分
が脱炭、脱窒され、α−フェライト相単相となる。内部
は依然としてα−フェライト+オーステナイト二相もし
くはオーステナイト単相である。
このような弱脱炭・脱窒性の雰囲気中では、表面部分
は容易に脱炭されるが、表面から100μm以上まで脱炭
・脱窒するには非常に多くの時間を要するので、表面の
α−フェライト粒は内部へはゆっくりとしか成長せず、
板面内方向へと2次元的に成長する。このとき、板面に
対し垂直方向に<100>軸を持った粒が優先的に成長
し、表面のα−フェライト相単相領域は、板面垂直方向
に<100>軸が強く配向した組織となる。この表面α−
フェライト粒の直径は高々30〜300μm程度であるが、
集積度は非常に良い。
は容易に脱炭されるが、表面から100μm以上まで脱炭
・脱窒するには非常に多くの時間を要するので、表面の
α−フェライト粒は内部へはゆっくりとしか成長せず、
板面内方向へと2次元的に成長する。このとき、板面に
対し垂直方向に<100>軸を持った粒が優先的に成長
し、表面のα−フェライト相単相領域は、板面垂直方向
に<100>軸が強く配向した組織となる。この表面α−
フェライト粒の直径は高々30〜300μm程度であるが、
集積度は非常に良い。
続いて強く脱炭、脱窒の生じるたとえば露点が+30℃
の水素中で600℃以上かつ脱炭・脱窒後α−フェライト
単相となる温度で焼鈍すると、表面α−フェライト粒が
内部のα−フェライト+炭化物の二相、α−フェライト
+オーステナイト二相もしくはオーステナイト相域に向
って成長し、最終的には両表面から内部へ向って成長し
た柱状粒が板厚中心部で衝突したα−フェライト相の柱
状粒組織となる。
の水素中で600℃以上かつ脱炭・脱窒後α−フェライト
単相となる温度で焼鈍すると、表面α−フェライト粒が
内部のα−フェライト+炭化物の二相、α−フェライト
+オーステナイト二相もしくはオーステナイト相域に向
って成長し、最終的には両表面から内部へ向って成長し
た柱状粒が板厚中心部で衝突したα−フェライト相の柱
状粒組織となる。
このようにオーステナイト→α−フェライト変態を利
用して表面で生成した集合組織が内部にまで受け継がれ
る。
用して表面で生成した集合組織が内部にまで受け継がれ
る。
本発明において鋼組成および熱処理条件ならびに組織
について種々限定するが、その限定理由は次の通りであ
る。なお、特にことわりがない限り「%」は「wt%」で
ある。
について種々限定するが、その限定理由は次の通りであ
る。なお、特にことわりがない限り「%」は「wt%」で
ある。
組成: Si:透磁率および電気抵抗値を増加し、鉄損値を減少さ
せるため、また、機械的強度を上げるため0.2%以上と
する。一方、過剰に加えると磁束密度が低下し、かつ脆
化するため、6.5%以下とする。好ましくは0.6%以上、
5%以下、より好ましくは0.8%以上、4%以下であ
る。
せるため、また、機械的強度を上げるため0.2%以上と
する。一方、過剰に加えると磁束密度が低下し、かつ脆
化するため、6.5%以下とする。好ましくは0.6%以上、
5%以下、より好ましくは0.8%以上、4%以下であ
る。
C、N:オーステナイト域を拡大し、オーステナイト→α
−フェライト変態による集合組織制御を行うためCは0.
005wt%以上、かつC+Nが0.03%以上含有させる。最
終焼鈍によってCは0.005%以下、好ましくは0.003%以
下、Nは0.01%以下、好ましくは0.005%以下まで除去
する必要があり、余り多量に加えるとこの脱炭・脱窒焼
鈍に長時間を要するので総量で1%以下とするのが好ま
しい。
−フェライト変態による集合組織制御を行うためCは0.
005wt%以上、かつC+Nが0.03%以上含有させる。最
終焼鈍によってCは0.005%以下、好ましくは0.003%以
下、Nは0.01%以下、好ましくは0.005%以下まで除去
する必要があり、余り多量に加えるとこの脱炭・脱窒焼
鈍に長時間を要するので総量で1%以下とするのが好ま
しい。
好ましくは0.04wt%以上、0.5wt%以下、より好まし
くは0.06wt%以上、0.3wt%以下である。また、Nは珪
素鋼中に0.1%以上添加することは困難であり、かつ特
にAlを含有させた場合、AlNとして固着され、1000℃以
下の温度では鋼中へ容易に溶解しないため、Nに代えて
Cを用いるほうが好ましい。
くは0.06wt%以上、0.3wt%以下である。また、Nは珪
素鋼中に0.1%以上添加することは困難であり、かつ特
にAlを含有させた場合、AlNとして固着され、1000℃以
下の温度では鋼中へ容易に溶解しないため、Nに代えて
Cを用いるほうが好ましい。
Mn:オーステナイト→α−フェライト変態による集合組
織制御を容易にするため添加することが好ましい。しか
し、Mnはオーステナイト域拡大元素であり、余り多量に
加えると変態温度が過度に低下してしまう。最終焼鈍の
後期は、脱炭・脱窒後、α−フェライト単相となる温度
で焼鈍する必要上、この焼鈍温度をあまり低下させない
ため、脱炭・脱窒後のα−フェライトからのオーステナ
イトへの変態温度が850℃以上となるよう少量添加す
る。さらに、珪素鋼板としては余り過剰に加えると磁束
密度が低下するため、4%以下とするのが好ましい。具
体的に添加できるMn量はα−フェライト域拡大元素であ
るSi、Alに依存するが1%のSiを含有する場合およそ2.
2%Mn以下、2%のSiを含有する場合、およそ3.5%Mn以
下である。
織制御を容易にするため添加することが好ましい。しか
し、Mnはオーステナイト域拡大元素であり、余り多量に
加えると変態温度が過度に低下してしまう。最終焼鈍の
後期は、脱炭・脱窒後、α−フェライト単相となる温度
で焼鈍する必要上、この焼鈍温度をあまり低下させない
ため、脱炭・脱窒後のα−フェライトからのオーステナ
イトへの変態温度が850℃以上となるよう少量添加す
る。さらに、珪素鋼板としては余り過剰に加えると磁束
密度が低下するため、4%以下とするのが好ましい。具
体的に添加できるMn量はα−フェライト域拡大元素であ
るSi、Alに依存するが1%のSiを含有する場合およそ2.
2%Mn以下、2%のSiを含有する場合、およそ3.5%Mn以
下である。
Al:Alは透磁率および電気抵抗値を上げ、鉄損値を低下
させるので添加することが好ましい。しかし、過剰添加
は脆化させるため、また最終焼鈍時に表面酸化および内
部酸化を生じ易くさせるので3%以下が好ましい。より
好ましくは1%以下、さらに好ましくは0.8%以下であ
る。
させるので添加することが好ましい。しかし、過剰添加
は脆化させるため、また最終焼鈍時に表面酸化および内
部酸化を生じ易くさせるので3%以下が好ましい。より
好ましくは1%以下、さらに好ましくは0.8%以下であ
る。
Co:磁束密度を上昇させるために添加してもよいが、1
%を超えると効果がない。
%を超えると効果がない。
その他所望により添加しても効果を減じない元素およ
び量は次の通りである。
び量は次の通りである。
Ni≦2%、Mo≦1%、Cr≦1%、Cu≦1%、 S≦0.5%、P≦0.5%、As≦0.05%、 Se≦0.05%、Sb≦0.1%、B≦0.01%、 Te≦0.1%、V≦0.05%、Ti≦0.05%。
素材製作方法: 冷間圧延を施したものであれば特に問題はない。ここ
で冷間圧延とは再結晶の生じない500℃以下の温度での
圧延を言う。冷間圧延に際して、好ましくは20%以上、
より好ましくは50%以上の圧延率が良い。また中間焼鈍
をはさんで複数回圧延しても良い。板厚は本質的に制限
はないが、実用上の見地からは、集積度の向上のため0.
05mm以上、脱炭・脱窒に長時間を要するので2mm以下が
好ましい。
で冷間圧延とは再結晶の生じない500℃以下の温度での
圧延を言う。冷間圧延に際して、好ましくは20%以上、
より好ましくは50%以上の圧延率が良い。また中間焼鈍
をはさんで複数回圧延しても良い。板厚は本質的に制限
はないが、実用上の見地からは、集積度の向上のため0.
05mm以上、脱炭・脱窒に長時間を要するので2mm以下が
好ましい。
焼鈍方法: 再結晶させるため600℃以上の温度で行うのが好まし
い。
い。
この焼鈍の際、板面に対し垂直方向に<100>軸の強
く配向した組織とするために、まず(1)脱炭・脱窒前
にα−フェライト相とオーステナイト相の二相混合状態
もしくはオーステナイト相単相の状態でかつ実質的に脱
炭・脱窒されたときのα−フェライト単相となる温度で
行う。このときの雰囲気は、板表面から5〜70μm程度
の深さの領域が脱炭・脱窒され、α−フェライト単相と
なり、それ以上内部まで脱炭・脱窒が進行し難い弱脱炭
性・弱脱窒性もしくはその両者の雰囲気が好ましい。こ
のような遅い脱炭・脱窒によってオーステナイト相から
α−フェライト相へとゆっくりと変態させ、かつ板面と
平行な方向へとα−フェライト粒を成長させると、板面
に対し垂直な方向に<100>軸を持ったα−フェライト
粒が選択的に生成、成長する。その後(2)表面のα−
フェライト粒を内部にまで成長させる時間を短縮するた
め強く脱炭・脱窒の生ずる雰囲気中において、脱粒・脱
窒後α−フェライト相単相となる温度で再び焼鈍するの
が好ましい。第2段目の焼鈍である。このときの雰囲気
は内部まで脱炭・脱窒が進行する強脱炭性、強脱窒性も
しくはその両者の雰囲気である。
く配向した組織とするために、まず(1)脱炭・脱窒前
にα−フェライト相とオーステナイト相の二相混合状態
もしくはオーステナイト相単相の状態でかつ実質的に脱
炭・脱窒されたときのα−フェライト単相となる温度で
行う。このときの雰囲気は、板表面から5〜70μm程度
の深さの領域が脱炭・脱窒され、α−フェライト単相と
なり、それ以上内部まで脱炭・脱窒が進行し難い弱脱炭
性・弱脱窒性もしくはその両者の雰囲気が好ましい。こ
のような遅い脱炭・脱窒によってオーステナイト相から
α−フェライト相へとゆっくりと変態させ、かつ板面と
平行な方向へとα−フェライト粒を成長させると、板面
に対し垂直な方向に<100>軸を持ったα−フェライト
粒が選択的に生成、成長する。その後(2)表面のα−
フェライト粒を内部にまで成長させる時間を短縮するた
め強く脱炭・脱窒の生ずる雰囲気中において、脱粒・脱
窒後α−フェライト相単相となる温度で再び焼鈍するの
が好ましい。第2段目の焼鈍である。このときの雰囲気
は内部まで脱炭・脱窒が進行する強脱炭性、強脱窒性も
しくはその両者の雰囲気である。
上述の第1段目、第2段目の焼鈍は連続して行っても
良く、また第1段目の焼鈍後絶縁コーティングを施し、
その後第2段目の焼鈍を行っても良い。
良く、また第1段目の焼鈍後絶縁コーティングを施し、
その後第2段目の焼鈍を行っても良い。
焼鈍雰囲気: 前記第1段目の焼鈍の雰囲気として、その好適態様に
よれば、次のいずれかを選択する。
よれば、次のいずれかを選択する。
(1)1Torrまでの真空: 板面に対し垂直な方向に<100>軸を持ったα粒を選
択的に生成、成長させるためには、真空下、特に1Torr
以下の真空が好ましく、工業的に達成可能な限り低真空
でもよい。
択的に生成、成長させるためには、真空下、特に1Torr
以下の真空が好ましく、工業的に達成可能な限り低真空
でもよい。
(2)露点−20℃未満−70℃以上の不活性ガス、CO、CO
2およびH2ガスの1種もしくは2種以上からなる雰囲気
を用いる。
2およびH2ガスの1種もしくは2種以上からなる雰囲気
を用いる。
脱炭・脱窒速度が大きくなり、かつ表面酸化で集積度
の高い集合組織が形成されていないため露点−20℃未満
の上記ガスとし、工業的に達成可能な限り低露点でもよ
い。
の高い集合組織が形成されていないため露点−20℃未満
の上記ガスとし、工業的に達成可能な限り低露点でもよ
い。
一方、前記第2段目の焼鈍雰囲気としては、脱炭・脱
窒速度を大きくするため、露点0℃以上の不活性ガスお
よびH2ガスの1種もしくは2種以上からなる雰囲気を用
いるのが好ましい。但し、浸炭しない範囲でCOおよびCO
2ガスを含有していても良い。
窒速度を大きくするため、露点0℃以上の不活性ガスお
よびH2ガスの1種もしくは2種以上からなる雰囲気を用
いるのが好ましい。但し、浸炭しない範囲でCOおよびCO
2ガスを含有していても良い。
次に、本発明を実施例によってさらに具体的に説明す
る。
る。
実施例1 第1表の組成の鋼を真空溶製し、インゴットを作製し
た後に、3mmの厚さまで熱間圧延し、その後0.5mmの厚さ
まで冷間圧延した。この薄板について第2表に示す焼鈍
条件で1段および2段目の焼鈍を施した。
た後に、3mmの厚さまで熱間圧延し、その後0.5mmの厚さ
まで冷間圧延した。この薄板について第2表に示す焼鈍
条件で1段および2段目の焼鈍を施した。
この試料について断面光学顕微鏡観察による結晶組織
の状態、表面から柱状粒が内部へ向って成長している場
合は柱状粒の平均直径を測定すると共に、C、N量の分
析を行った。<100>軸の密度は、ECP(Electron Chann
el Patern)法により、各試験片毎に200個の結晶粒の方
向を測定し、板面垂直方向から±5゜以内に<100>軸
を持つ結晶粒の数の全体に対する比率を、配向性のない
場合との比率で割った値とした。
の状態、表面から柱状粒が内部へ向って成長している場
合は柱状粒の平均直径を測定すると共に、C、N量の分
析を行った。<100>軸の密度は、ECP(Electron Chann
el Patern)法により、各試験片毎に200個の結晶粒の方
向を測定し、板面垂直方向から±5゜以内に<100>軸
を持つ結晶粒の数の全体に対する比率を、配向性のない
場合との比率で割った値とした。
明らかに本発明にかかる方法によって集積度の高い
{100}面集合組織が形成される。
{100}面集合組織が形成される。
実施例2 第1表の鋼種Dの鋼を真空中で溶製し、そのインゴッ
トを熱間圧延によって3mmの厚さまで圧延し、その後、
冷間圧延によって1mmの厚さまで圧延し、850℃で3分間
焼鈍してから後0.1〜0.5mmの厚さまで再び冷間圧延し
た。この薄板を露点−35℃の3%のH2を含むAr−H2中で
1000℃×5h焼鈍し、次いで、(A)露点+25℃の20%H2
−Ar中、850℃×15min、もしくは(B)露点−25℃のH2
中850℃×24hの各熱処理条件での焼鈍を施した。(A)
の熱処理条件は強脱炭・脱窒処理を行う場合、(B)は
それを行わない場合のそれである。
トを熱間圧延によって3mmの厚さまで圧延し、その後、
冷間圧延によって1mmの厚さまで圧延し、850℃で3分間
焼鈍してから後0.1〜0.5mmの厚さまで再び冷間圧延し
た。この薄板を露点−35℃の3%のH2を含むAr−H2中で
1000℃×5h焼鈍し、次いで、(A)露点+25℃の20%H2
−Ar中、850℃×15min、もしくは(B)露点−25℃のH2
中850℃×24hの各熱処理条件での焼鈍を施した。(A)
の熱処理条件は強脱炭・脱窒処理を行う場合、(B)は
それを行わない場合のそれである。
この試料から内径50mm、外径60mmのリング状試料を打
ち抜き、100ターンの1次コイルおよび100ターンの2次
コイルをこれに巻きつけ磁化力が5000A/mのときの磁束
密度B50および50Hzの交番磁界中で磁束密度が1.5Tとな
るまで磁化した時の鉄損W15/50を求めた。その結果を
第3表に記す。
ち抜き、100ターンの1次コイルおよび100ターンの2次
コイルをこれに巻きつけ磁化力が5000A/mのときの磁束
密度B50および50Hzの交番磁界中で磁束密度が1.5Tとな
るまで磁化した時の鉄損W15/50を求めた。その結果を
第3表に記す。
なお、磁束密度は値が大きいほうが、鉄損は値が小さ
いほうが磁気特性がすぐれていると考えられる。
いほうが磁気特性がすぐれていると考えられる。
第3表の結果からは比較例と比べて、本発明のものは
いずれもすぐれた磁気特性を有する。強脱炭・脱窒処理
を行ったものが一層すぐれた磁気特性を示している。
いずれもすぐれた磁気特性を有する。強脱炭・脱窒処理
を行ったものが一層すぐれた磁気特性を示している。
(発明の効果) かくして、本発明にかかる方法によれば; (1)例えば、焼鈍温度が850〜1000℃という比較的低
い温度で十分に<100>軸を板面垂直方向に強く配向さ
せ得る。
い温度で十分に<100>軸を板面垂直方向に強く配向さ
せ得る。
(2)0.2%という低Si量から6.5%という高Si量のもの
まで広い組織領域で珪素鋼板の製造が可能である。
まで広い組織領域で珪素鋼板の製造が可能である。
(3)板厚に影響されず、数mm厚のものでも十分に集合
組織の制御が可能である。
組織の制御が可能である。
(4)2次再結晶によって集合組織制御したものでは、
数mm〜数十mmとい粗大な結晶粒となるが、本発明では50
〜500μm程度の微細な柱状粒となり、渦電流損失が一
段と低減される。
数mm〜数十mmとい粗大な結晶粒となるが、本発明では50
〜500μm程度の微細な柱状粒となり、渦電流損失が一
段と低減される。
以上詳述したように本発明は、脱炭、脱窒に伴って起
こるγ→α変態に際しての優先的粒成長を巧みに利用す
るものであり、{100}面集合組織が容易に形成される
ことから、その磁気特性の改善も著しく、その意義は大
きい。
こるγ→α変態に際しての優先的粒成長を巧みに利用す
るものであり、{100}面集合組織が容易に形成される
ことから、その磁気特性の改善も著しく、その意義は大
きい。
Claims (2)
- 【請求項1】Si:0.2〜6.5wt%、C:≧0.005wt%かつC+
N:≧0.03wt%を含有する冷間圧延鋼帯を、そのオーステ
ナイト単相またはオーステナイト相とα−フェライト相
の二相状態になる温度であって、その脱炭・脱窒後、実
質的にα−フェライト単相となる温度で、かつ脱炭・脱
窒性雰囲気中で、C+N:≦0.01wt%となるまで焼鈍する
ことにより、板面に対し<100>軸を高度に集積させる
ことを特徴とする珪素鋼板の製造方法。 - 【請求項2】前記冷間圧延鋼帯が、さらにMn:≦4wt%、
Al:≦3wt%およびCo:≦1wt%のうちの1種または2種以
上を含有することを特徴とする請求項1記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15373588A JP2590533B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 珪素鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15373588A JP2590533B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 珪素鋼板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01319632A JPH01319632A (ja) | 1989-12-25 |
JP2590533B2 true JP2590533B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=15568954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15373588A Expired - Lifetime JP2590533B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 珪素鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2590533B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05186828A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-27 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 低鉄損方向性電磁鋼板の製造方法 |
KR100797895B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-01-24 | 성진경 | 표면 (100) 면 형성 방법, 이를 이용한 무방향성 전기강판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 무방향성 전기강판 |
KR20090079057A (ko) * | 2008-01-16 | 2009-07-21 | 성진경 | 무방향성 전기강판의 제조방법 |
JP7535900B2 (ja) * | 2020-09-29 | 2024-08-19 | 株式会社日立製作所 | 軟磁性鉄板、該軟磁性鉄板の製造方法、該軟磁性鉄板を用いた鉄心および回転電機 |
CN116065006B (zh) * | 2022-11-29 | 2023-08-22 | 无锡普天铁心股份有限公司 | 一种改善二次冷轧取向硅钢表面质量的梯度脱碳退火方法 |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP15373588A patent/JP2590533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01319632A (ja) | 1989-12-25 |
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