JP2589848Y2 - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JP2589848Y2
JP2589848Y2 JP1992002081U JP208192U JP2589848Y2 JP 2589848 Y2 JP2589848 Y2 JP 2589848Y2 JP 1992002081 U JP1992002081 U JP 1992002081U JP 208192 U JP208192 U JP 208192U JP 2589848 Y2 JP2589848 Y2 JP 2589848Y2
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Japan
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circuit
magnetron
microcomputer
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文夫 湯浅
正己 中村
聖 小沢
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株式会社日立ホームテック
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  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、インバータ回路によっ
てマグネトロンの駆動制御を行う高周波加熱装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】商用交流電源を整流しこれをスイッチン
グ素子のオンオフにより顧客の設定した高周波出力値に
応じた周波数(数十kHz)の交流電力に変換するインバ
ータ回路を備え、このインバータ回路によってマグネト
ロンへの電力供給を行なう高周波加熱装置として、従
来、例えば特開昭62−5591号公報記載の発明が知
られている。このインバータ方式の高周波加熱装置にお
けるインバータ回路内の制御部はマイクロコンピュータ
及びスイッチング素子をオンオフ制御する素子制御回路
などから構成されており、この素子制御回路に設定出力
データを送る手段としては、マイクロコンピュータが設
定出力に基づいて内部のメモリを参照し、設定出力ごと
に格納されているデータを素子制御回路に送る方法がと
られている。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】しかし、この方法では
設定出力デ−タはマイクロコンピュ−タ内のマスクRO
Mに格納されているため、加熱効率などの特性の異なる
機種への変更に伴う、昇圧トランス4、共振用コンデン
サ5、コンデンサ8及びダイオ−ド9a、9b等の半波
倍電圧回路(マグネトロン駆動回路)における構成部品
の定数変更により、変動してしまうマグネトロンの高周
波出力値を規定値へ修復させるのに上記設定出力デ−タ
の変更を余儀なくされ、マイクロコンピュ−タの再マス
クが必要となるとともにこの再マスクのために莫大な費
用と時間がかかってしまう。
【0004】
【課題を解決するための手段】本考案は上記の課題を解
決するためになされたものであり、マイクロコンピュー
タに外付けした記憶回路の複数のアドレスに複数の設定
出力データ(マグネトロンの複数の高周波出力値の個々
に対応する複数のデータ)を格納しておき、マグネトロ
ンを所定の出力で作動させるのに必要なデータ(設定出
力データ)をマイクロコンピュータからの信号によって
この記憶回路から出力させ、その出力されたデータに従
ってインバータ回路を制御する。
【0005】
【作用】このようにすることによって、任意の高周波出
力値が設定されたとき、マイクロコンピュータからはそ
の設定された高周波出力値に対応するアドレス値を記憶
素子に送る。するとこの信号を受信した記憶素子からは
送信されたアドレスに格納された出力データが読み出さ
れ、それが素子制御回路にデータ送信される。
【0006】データ送信された出力データを受信した素
子制御回路は、受信したデータに基づいてインバータ回
路内のスイッチング素子をオンオフさせ、設定された高
周波出力でインバータ回路を動作させる。
【0007】
【実施例】以下、本考案の一実施例につき説明する。
【0008】図1は本考案の一実施例を示す高周波加熱
装置の概略の回路図、図2は同各部の主な信号やデータ
の流れを示す図である。
【0009】図1において、1はマイクロコンピュータ
で、後述するインバータ回路の動作を制御するために、
同様後述する記憶回路を能動状態にしてそこに格納され
たデータ群の中から所定の高周波出力(マグネトロンの
動作出力)を発生させるのに必要な設定出力データを出
力させるほか、その設定出力データに基づいてインバー
タ回路のスイッチング素子をオンオフ制御するものであ
る。
【0010】2は前述した記憶回路であり、2aはこの
記憶回路2に内蔵されている記憶素子である。この記憶
素子2aはその複数のアドレスに複数の設定出力デ−タ
(マグネトロンの複数の高周波出力値の個々に対応する
複数のデ−タ)D0〜D7を格納し、前述のマイクロコ
ンピュ−タ1からのチップセレクト信号CSによって能
動状態にされるとともにアドレス信号A0〜A16が入
力された時に該当するアドレスに格納されている設定出
力デ−タD0〜D7の中から所定のデ−タを出力するも
のである。
【0011】そして2bはフリップフロップで、前述の
記憶素子2aの出力を読み込んで保持するとともにマイ
クロコンピュータ1からラッチパルス信号Sが入力され
た時にその保持しているデータを出力するものである。
【0012】3は後述するインバータ回路のスイッチン
グ素子をオンオフ制御する素子制御回路で、マイクロコ
ンピュータ1からの起動/停止信号Pの入力と前述フリ
ップフロップ2bからの設定出力データに従って動作す
るものである。
【0013】4は全波整流回路5、高圧トランス6、コ
ンデンサ7、ダイオード8、及びスイッチング素子9等
にて構成されたインバータ回路で、前述素子制御回路3
を介してマイクロコンピュータ1に接続されている。
【0014】10はマグネトロン駆動回路で、前述高圧
トランス6を介してインバータ回路4に接続し、高周波
電圧を供給されるものである。そして11はこの駆動回
路10によって駆動されるマグネトロンである。
【0015】次に本考案一実施例の動作を説明する。
【0016】動作の一例としては、マグネトロンの動作
出力を当初500Wで開始させたあと、途中から300
Wに低下させる場合を説明する。
【0017】いま図2に示すごとく、マグネトロン11
を高周波出力500Wで動作させるために、マイクロコ
ンピュータ1は記憶回路2の記憶素子2aに対してチッ
プセレクト信号CSを出力して記憶素子2aを起動状態
にするとともに500W出力に対応するアドレス信号A
0〜A16として5Hを送って設定出力データ90Hを
出力させ、フリップフロップ2bに保持させる。その際
マイクロコンピュータ1は起動/停止信号PをHigh
にして素子制御回路3を起動状態にし、さらにフリップ
フロップ2bに対してラッチパルス信号Sを出力し、フ
リップフロップ2bの保持する設定出力データを吐き出
させ、素子制御回路3をその設定出力データに基づいて
動作させる。それにより、インバータ回路4のスイッチ
ング素子9は制御され、結果として高圧トランス6の二
次側のマグネトロン11を所定の出力で動作させる。
【0018】その後マグネトロン出力を300Wに低下
させて動作させる場合は、マイクロコンピュータ1は記
憶素子2aから出力300Wに対応する設定出力データ
を吐き出させるために、アドレス信号を3Hに変更して
記憶素子2aに出力し、かつラッチパルス信号Sを出力
して、記憶回路2から300Wのための設定出力データ
64Hを素子制御回路3へ出力させる。するとこれによ
ってそれまで500Wで制御されていた高周波出力は3
00Wに切り替えられて動作を継続することになる。
【0019】
【考案の効果】以上のように本考案によれば、記憶回路
に格納したデ−タに基づいてマグネトロンの高周波出力
を制御するので、記憶回路の設定内容さえ変更すれば、
つまり記憶素子を差し替えるだけで、加熱効率などの特
性の異なる機種へ同一のマイクロコンピュ−タ及びイン
バ−タ回路を適用して所定の性能を発揮させることが出
来、マイクロコンピュ−タ及びインバ−タ回路の共用化
をスム−スに推進出来る利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例を示す高周波加熱装置の回路
図を示す。
【図2】同各部の主な信号、データの流れを示す図であ
る。
【符号の説明】
1 マイクロコンピュータ 2 記憶回路 2a 記憶素子 3 素子制御回路 4 インバータ回路 9 スイッチング素子 10 マグネトロン駆動回路 11 マグネトロン
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−5591(JP,A) 特開 昭61−14521(JP,A) 特開 昭58−110922(JP,A) 特開 昭57−23726(JP,A) 特開 昭60−250591(JP,A) 特開 平4−139317(JP,A) 特開 平4−40535(JP,A) 特開 平5−39928(JP,A) 特開 平5−205866(JP,A) 実開 平3−129803(JP,U) 実開 昭57−66403(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H05B 6/68 320 H05B 6/68 350

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マイクロコンピュ−タ(1)と、このマイ
    クロコンピュ−タの指示に従って起動状態になるととも
    に指定されたアドレスに格納されたマグネトロン動作出
    力に関する夫々のデ−タの中から所定のデ−タを出力す
    る記憶回路(2)と、前記マイクロコンピュ−タの指示に
    従って起動状態になるとともに前記記憶回路からのマグ
    ネトロン動作出力に関する所定のデ−タを入力して動作
    する素子制御回路(3)と、この素子制御回路により制御
    されるスイッチング素子(9)によって構成されるインバ
    −タ回路(4)と、そしてこのマグネトロン駆動回路に接
    続したマグネトロン(11)とでなる高周波加熱装置。
JP1992002081U 1992-01-24 1992-01-24 高周波加熱装置 Expired - Lifetime JP2589848Y2 (ja)

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JPH0561996U JPH0561996U (ja) 1993-08-13
JP2589848Y2 true JP2589848Y2 (ja) 1999-02-03

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ID=11519403

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS625591A (ja) * 1985-07-02 1987-01-12 株式会社東芝 調理器
JPH0697094B2 (ja) * 1987-07-08 1994-11-30 シャープ株式会社 電子レンジ
JP3129803U (ja) * 2006-11-28 2007-03-08 清水勧業株式会社 シャッター開閉補助具。

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